NL159232B - Werkwijze voor het vormen van metalen contacten van zeer smalle afmetingen op een geintegreerde silicium halfgeleiderinrichting, en produkt van deze werkwijze. - Google Patents

Werkwijze voor het vormen van metalen contacten van zeer smalle afmetingen op een geintegreerde silicium halfgeleiderinrichting, en produkt van deze werkwijze.

Info

Publication number
NL159232B
NL159232B NL6714180.A NL6714180A NL159232B NL 159232 B NL159232 B NL 159232B NL 6714180 A NL6714180 A NL 6714180A NL 159232 B NL159232 B NL 159232B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
procedure
product
silicon semiconductor
forming metal
metal contacts
Prior art date
Application number
NL6714180.A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL6714180A (fr
Original Assignee
Ibm
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibm filed Critical Ibm
Publication of NL6714180A publication Critical patent/NL6714180A/xx
Publication of NL159232B publication Critical patent/NL159232B/xx

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/485Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66234Bipolar junction transistors [BJT]
    • H01L29/66272Silicon vertical transistors
    • H01L29/66295Silicon vertical transistors with main current going through the whole silicon substrate, e.g. power bipolar transistor
    • H01L29/66303Silicon vertical transistors with main current going through the whole silicon substrate, e.g. power bipolar transistor with multi-emitter, e.g. interdigitated, multi-cellular or distributed emitter
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/942Masking
    • Y10S438/948Radiation resist
    • Y10S438/951Lift-off

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
NL6714180.A 1966-10-27 1967-10-19 Werkwijze voor het vormen van metalen contacten van zeer smalle afmetingen op een geintegreerde silicium halfgeleiderinrichting, en produkt van deze werkwijze. NL159232B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US58993166A 1966-10-27 1966-10-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL6714180A NL6714180A (fr) 1968-04-29
NL159232B true NL159232B (nl) 1979-01-15

Family

ID=24360161

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL6714180.A NL159232B (nl) 1966-10-27 1967-10-19 Werkwijze voor het vormen van metalen contacten van zeer smalle afmetingen op een geintegreerde silicium halfgeleiderinrichting, en produkt van deze werkwijze.

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3558352A (fr)
BE (1) BE703102A (fr)
CH (1) CH485326A (fr)
ES (1) ES346421A1 (fr)
FR (1) FR1538798A (fr)
GB (1) GB1174832A (fr)
NL (1) NL159232B (fr)
SE (1) SE334423B (fr)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6914593A (fr) * 1969-09-26 1971-03-30
US3604986A (en) * 1970-03-17 1971-09-14 Bell Telephone Labor Inc High frequency transistors with shallow emitters
US3837905A (en) * 1971-09-22 1974-09-24 Gen Motors Corp Thermal oxidation of silicon
CA1053994A (fr) * 1974-07-03 1979-05-08 Amp Incorporated Sensibilisation de polymeres de type polyimide pour deposition non electrolytique de metal
US4510347A (en) * 1982-12-06 1985-04-09 Fine Particles Technology Corporation Formation of narrow conductive paths on a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
CH485326A (de) 1970-01-31
DE1589975A1 (de) 1970-04-30
SE334423B (fr) 1971-04-26
DE1589975B2 (de) 1975-06-05
FR1538798A (fr) 1968-09-06
GB1174832A (en) 1969-12-17
NL6714180A (fr) 1968-04-29
US3558352A (en) 1971-01-26
ES346421A1 (es) 1968-12-16
BE703102A (fr) 1968-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL154870B (nl) Metalen montageband te gebruiken bij de fabricage van halfgeleiderinrichtingen, werkwijze voor het met behulp van deze montageband fabriceren van halfgeleiderinrichtingen en met deze werkwijze verkregen halfgeleiderinrichting.
NL160436B (nl) Halfgeleiderinrichting voor het opwekken en uitzenden van elektromagnetische straling.
NL143436B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van draadvormige siliciumcarbide kristallen en voorwerpen geheel of voor een deel bestaande uit deze kristallen.
NL143940B (nl) Werkwijze voor het katalytisch hydrogeneren van een blokcopolymeer, alsmede uit de bereide produkten vervaardigde voorwerpen.
NL142711B (nl) Werkwijze voor het stabiliseren van polycarbonaten tegen de invloed van ultraviolette straling en voorwerpen, vervaardigd onder toepassing van deze werkwijze.
NL172710C (nl) Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen van deze laser.
NL153947B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, waarbij een selectief elektrolytisch etsproces wordt toegepast en halfgeleiderinrichting verkregen met toepassing van de werkwijze.
NL160680C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL141029B (nl) Werkwijze voor het vormen van een halfgeleiderinrichting en inrichting of stel inrichtingen gevormd volgens deze werkwijze.
NL7502844A (nl) Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van incoherente straling, en werkwijze ter ver- vaardiging daarvan.
NL154868B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen en halfgeleiderinrichtingen volgens deze werkwijze verkregen.
NL152116B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL149095B (nl) Inrichting voor het smeden van werkstukken.
NL154062B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze.
NL155663B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, alsmede voorwerp vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL159232B (nl) Werkwijze voor het vormen van metalen contacten van zeer smalle afmetingen op een geintegreerde silicium halfgeleiderinrichting, en produkt van deze werkwijze.
NL139843B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, alsmede aldus vervaardigde halfgeleiderinrichtingen.
NL144776B (nl) Werkwijze voor het bevestigen van een halfgeleiderlichaam op een gemakkelijk te bevochtigen metaallaag op een keramische drager en met deze werkwijze vervaardigd produkt.
NL144777B (nl) Werkwijze voor het gelijktijdig vervaardigen van een aantal in een halfgeleiderlichaam opgenomen halfgeleiderinrichtingen en halfgeleiderlichaam vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL154059B (nl) Werkwijze voor het etsen van siliciumnitride in aanwezigheid van gedoteerd silicium.
NL148411B (nl) Inrichting voor het onderzoeken van metalen voorwerpen.
NL153580B (nl) Werkwijze voor de bereiding van homopolymeren of copolymeren van propeen en voorwerpen, die geheel of ten dele bestaan uit de aldus bereide homopolymeren of copolymeren.
NL143627B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde inrichtingen.
NL148086B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een oxymethyleencopolymeer bevattend voorwerp alsmede aldus vervaardigd voorwerp.
NL158518B (nl) Werkwijze voor het bereiden van blokcopolymeren en daaruit vervaardigde voorwerpen.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee
NL80 Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent

Owner name: I B M