NL156863B - Halfgeleiderinrichting omvattende een dragerlichaam met ten minste twee in een vlak gelegen halfgeleidende gebieden die onderling en ten opzichte van een dragerlichaam elektrisch zijn geisoleerd en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting. - Google Patents

Halfgeleiderinrichting omvattende een dragerlichaam met ten minste twee in een vlak gelegen halfgeleidende gebieden die onderling en ten opzichte van een dragerlichaam elektrisch zijn geisoleerd en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.

Info

Publication number
NL156863B
NL156863B NL7700303.A NL7700303A NL156863B NL 156863 B NL156863 B NL 156863B NL 7700303 A NL7700303 A NL 7700303A NL 156863 B NL156863 B NL 156863B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
carrier body
manufacturing
flat
semiconductor device
respect
Prior art date
Application number
NL7700303.A
Other languages
English (en)
Other versions
NL7700303A (nl
Original Assignee
North American Aviation Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from NL646413430A external-priority patent/NL151843B/nl
Application filed by North American Aviation Inc filed Critical North American Aviation Inc
Publication of NL7700303A publication Critical patent/NL7700303A/nl
Publication of NL156863B publication Critical patent/NL156863B/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76297—Dielectric isolation using EPIC techniques, i.e. epitaxial passivated integrated circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Element Separation (AREA)
NL7700303.A 1963-12-04 1977-01-13 Halfgeleiderinrichting omvattende een dragerlichaam met ten minste twee in een vlak gelegen halfgeleidende gebieden die onderling en ten opzichte van een dragerlichaam elektrisch zijn geisoleerd en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting. NL156863B (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US32799063A 1963-12-04 1963-12-04
NL646413430A NL151843B (nl) 1963-12-04 1964-11-18 Halfgeleiderinrichting met ten minste twee in een vlak gelegen halfgeleidende gebieden, die onderling en ten opzichte van een dragerlichaam elektrisch zijn geisoleerd.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL7700303A NL7700303A (nl) 1977-04-29
NL156863B true NL156863B (nl) 1978-05-16

Family

ID=26643829

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7700303.A NL156863B (nl) 1963-12-04 1977-01-13 Halfgeleiderinrichting omvattende een dragerlichaam met ten minste twee in een vlak gelegen halfgeleidende gebieden die onderling en ten opzichte van een dragerlichaam elektrisch zijn geisoleerd en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.

Country Status (1)

Country Link
NL (1) NL156863B (nl)

Also Published As

Publication number Publication date
NL7700303A (nl) 1977-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL152114B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL153374B (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting voorzien van een oxydelaag en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL160680C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL154366B (nl) Elektrisch buscontact met veerkrachtige draden, alsmede een werkwijze en inrichting voor het maken van zulk een buscontact.
NL161616C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL154870B (nl) Metalen montageband te gebruiken bij de fabricage van halfgeleiderinrichtingen, werkwijze voor het met behulp van deze montageband fabriceren van halfgeleiderinrichtingen en met deze werkwijze verkregen halfgeleiderinrichting.
NL144764B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van voorwerpen met twee op geringe afstand van elkaar gelegen elektrisch geleidende lagen, alsmede voorwerpen, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL145396B (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een geintegreerde halfgeleiderinrichting en geintegreerde halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze.
NL142526B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen.
NL152116B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL143072B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL141031B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met ten minste een elektrisch geisoleerd halfgeleidergebied, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL154876B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van elektrisch werkzame inrichtingen met monokorrellagen met actieve korrels in een isolerende vulstof, alsmede volgens deze werkwijze verkregen elektrisch werkzame inrichting.
NL154061B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL154062B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze.
NL149638B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL155663B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, alsmede voorwerp vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL160988C (nl) Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, be- vattende ten minste een eerste veldeffecttransistor met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor de vervaar- diging van de halfgeleiderinrichting.
NL145730B (nl) Elektrische keten voorzien van een veldeffecttransistor met geisoleerde poortelektrode, alsmede een werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor en een volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffecttransistor.
NL150270B (nl) Elektrische omzetter, omvattende een halfgeleiderlichaam, twee elektroden en een medium voor het overbrengen van druk.
NL140363B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL139414B (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een gelijkrichtende p,n-keerlaag in een kristallijn halfgeleiderplaatje en halfgeleiderinrichting voorzien van het halfgeleiderplaatje vervaardigd volgens de werkwijze.
NL143627B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde inrichtingen.
NL147884B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van halfgeleiderinrichtingen met een vlak systeem van een of meer geleidende en isolerende lagen.
NL156863B (nl) Halfgeleiderinrichting omvattende een dragerlichaam met ten minste twee in een vlak gelegen halfgeleidende gebieden die onderling en ten opzichte van een dragerlichaam elektrisch zijn geisoleerd en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee
NL80 Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent

Owner name: N A AVIATION