NL1019917C2 - Hoogefficiente fluorescerende stof. - Google Patents

Hoogefficiente fluorescerende stof. Download PDF

Info

Publication number
NL1019917C2
NL1019917C2 NL1019917A NL1019917A NL1019917C2 NL 1019917 C2 NL1019917 C2 NL 1019917C2 NL 1019917 A NL1019917 A NL 1019917A NL 1019917 A NL1019917 A NL 1019917A NL 1019917 C2 NL1019917 C2 NL 1019917C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
fluorescent material
radiation
fluorescent substance
light source
fluorescent
Prior art date
Application number
NL1019917A
Other languages
English (en)
Other versions
NL1019917A1 (nl
Inventor
Andries Ellens
Guenter Huber
Original Assignee
Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh filed Critical Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh
Publication of NL1019917A1 publication Critical patent/NL1019917A1/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL1019917C2 publication Critical patent/NL1019917C2/nl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/59—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7715—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Description

Hoogefficiënte fluorescerende stof Technisch gebied 5 De uitvinding betreft een fluorescerende stof uit de klasse van de nitridosilicaten volgens de kop van conclusie 1. Het gaat hierbij in het bijzonder om nitridosilicaten die in het geel spectrum oplichten.
Stand van de techniek 10
Fluorescerende stoffen van het nitridosilicaattype zoals S^SisNg en BajSisNg zijn uit het artikel van Schlieper, Millus en Schlick: Nitridosilicate Π, Hochtemperatursyn-thesen und Kristallstrukturen von Sr2Si5N8 and BaaSisNg, Z. anorg. allg. Chem. 621, (1995), p. 1380), al bekend. Daarin zijn echter geen activatoren aangegeven, die aanlei-15 ding geven tot een efficiënte emissie in bepaalde gebieden van het zichtbare spectrum.
Beschrijving van de uitvinding
Het doel van de onderhavige uitvinding is om een fluorescerende stof volgens de 20 kop van conclusie 1 tot stand te brengen, waarvan de efficiëntie zo hoog mogelijk is en die zich goed door UV-straling in het gebied van 370 tot 430 nm laat exciteren.
Dit doel wordt door de karakteristieke kenmerken van conclusie 1 bereikt. Bijzonder voordelige uitvoeringsvormen worden in de afhankelijke conclusies voorgesteld.
25 Tot nu toe bestaat er geen geel emitterende fluorescerende stof met hoge effici ëntie, die zich in het gebied rondom 400 nm goed laat exciteren. De welbekende normaliter gebruikte fluorescerende stof YAG:Ce laat zich weliswaar onder 370 nm en boven 430 nm goed exciteren, maar niet in het gebied rondom 400 nm. Ook andere Ce-gedoteerde granaten vertonen in het betreffende toepassingsgebied slechts geringe ex-30 citeerbaarheid. Daarom moest een volledig ander systeem ontwikkeld worden.
Volgens de uitvinding wordt de samenstelling van de fluorescerende stof zodanig gekozen, dat het een Sr-nitridosilicaat vormt, dat met driewaardig Ce geactiveerd is. De tot nu toe onbekende fluorescerende stof SrsSisNg'.Ce3* absorbeert efficiënt in het na J 019917__ 2 bije UV, in het bijzonder in het gebied van 370 tot 430 nm, en heeft een efficiënte gele luminescentie. Bij voorkeur is deze met 1 tot 10 mol-% Ce (voor Sr) geactiveerd.
Daarbij kan het Sr gedeeltelijk (voordelig tot maximaal 30 mol-%) door Ba en/of Ca vervangen zijn. Een andere uitvoeringsvorm betreft een nitridosilicaat van het type 5 SrSi7Nio:Ce3+. Ook hier kan het Sr gedeeltelijk door Ba en/of Ca vervangen zijn.
Deze fluorescerende stof is goed geschikt als gele component voor de excitatie door een primaire UV-stralingsbron, zoals bijvoorbeeld een UV-LÊD of ook lampen.
Daarmee kan een wit of geel emitterende lichtbron gerealiseerd worden, gelijksoortig zoals in WO 98/39807 beschreven. Een geel emitterende lichtbron berust op een pri-10 maire UV-straling emitterende LED, waarvan de straling door een fluorescerende stof volgens de uitvinding volledig in geel licht omgezet wordt.
In het bijzonder kan deze fluorescerende stof in verbinding met een UV-LED (bijvoorbeeld van het InGaN type) gebruikt worden, die door middel van blauw en geel emitterende fluorescerende stoffen wit licht voortbrengt. Kandidaten voor de blauwe 15 component zijn op zich bekend, bijvoorbeeld zijn BaMgAlioOniEu (bekend als BAM) of Ba5Si04(Cl,Br)6:Eu2+ of CaLa2S4:Ce3+ of ook (Sr,Ba,Ca)5(P04)3Cl:Eu2+ (bekend als SCAP) geschikt. Ter verbetering van de kleur van dit systeem kan aanvullend een rode fluorescerende stof ingezet worden. Bijzonder geschikt zijn ((Y,La,Gd,Lu)202S:Eu3+, SrS:Eu2+ of ook Sr2SisN8:Eu2+ (nog niet gepubliceerd, zie 20 EP-A 99 123 747.0).
Figuren
Onderstaand zal de uitvinding aan de hand van twee uitvoeringsvooibeelden na-25 der worden toegelicht. Er wordt getoond:
Figuur 1 een emissiespectrum van een eerste nitridosilicaat;
Figuur 2 het reflectiespectrum van dit nitridosilicaat;
Figuur 3 een emissiespectrum van een tweede nitridosilicaat; 30 Figuur 4 het reflectiespectrum van dit nitridosilicaat;
Figuur 5 een halfgeleidereenheid, die als lichtbron voor wit licht dient;
Figuur 6 een emissiespectrum van een mengsel van drie fluorescerende stoffen.
1019917 __ « 3
Beschrijving van de figuren
Een concreet voorbeeld van de fluorescerende stof volgens de uitvinding wordt in figuur 1 getoond. Het gaat hier om de emissie van de fluorescerende stof Sr2Si5N8:Ce3+, 5 waarbij het Ce-gehalte 4 mol-% van de door Sr bezette roosterplaatsen uitmaakt. Het emissiemaximum ligt bij 545 nm, de gemiddelde golflengte bij 572 nm. Het kleurpunt is x=0,395; y=0,514. De excitatie vond plaats bij 400 nm.
De synthese vond plaats volgens de gebruikelijke manier, waarbij allereerst de uitgangsstoffen Sr3N2, S13N4 en CeÜ2 met elkaar vermengd werden en het mengsel aan-10 sluitend in een oven bij 1400°C onder N2 en H2 reducerend bij 5 h. verhit werd.
Figuur 2 toont het diffuse reflectiespectrum van deze fluorescerende stof. Het vertoont een uitgesproken minimum in het gebied van 370 tot 440 nm, dat daarmee de goede exciteerbaarheid in dit gebied demonstreert.
Een tweede voorbeeld van de fluorescerende stof volgens de uitvinding wordt in 15 figuur 3 getoond. Het gaat hier om de emissie van de fluorescerende stof Sr2SisNe:Ce3*, waarbij het Ce-gehalte 8 mol-% van de door Sr bezette roosterplaatsen uitmaakt. Het emissiemaximum ligt bij 554 nm, de gemiddelde golflengte bij 579 nm. Het kleurpunt is x=0,414; y=0,514.
De synthese vindt plaats op de hierboven beschreven manier, waarbij het mengsel 20 in een oven bij 1400°C onder N2 reducerend voor 6 h. verhit werd.
Figuur 4 toont het diffuse reflectiespectrum van deze fluorescerende stof. Het vertoont een uitgesproken minimum in het gebied van 370 tot 440 nm, dat hiermee de goede exciteerbaarheid in dit gebied demonstreert.
De opbouw van een lichtbron voor wit licht wordt in figuur 5 expliciet getoond. 25 De lichtbron is een halfgeleideronderdeel met een chip 1 van het type InGaN met een piekemissiegolflengte van bijvoorbeeld 390 nm, dat in een voor licht ondoorlaatbaar basisomhulsel 8 in het gebied van een uitsparing 9 ingebed is. De chip 1 wordt door een verbindingsdraad 14 met een eerste aansluiting 3 en direct met een tweede elektrische aansluiting 2 verbonden. De uitsparing 9 is met een gietmassa 5 gevuld, die als hoofd-30 bestanddelen een epoxygiethars (80 tot 90 gew.-%) en pigmenten van fluorescerende stoffen 6 (minder dan 15 gew.-%) bevat. Een eerste fluorescerende stof is het als eerste uitvoeringsvoorbeeld voorgestelde nitridosilicaat, het tweede is een blauw emitterende fluorescerende stof, hier in het bijzonder Ba5Si04(Cl,Br)6:Eu2+. De uitsparing heeft een 1 rs 1 q_q 17 4 wand 17, die als reflector voor de primaire en secundaire straling van chip 1, respectievelijk de pigmenten 6 dient. De combinatie van de blauwe en gele secundaire straling vermengt zich tot wit.
In een volgend uitvoeringsvooibeeld wordt als pigment van een fluorescerende 5 stof een mengsel van drie fluorescerende stoffen gebruikt. Een eerste fluorescerende stof (1) is het in het eerste uitvoeringsvooibeeld voorgestelde geel emitterende nitrido-silicaat Sr2SisNs:Ce3+, de tweede (2) is als blauw emitterende fluorescerende stof het hierboven genoemde SCAP, de derde (3) is een rood emitterende fluorescerende stof van het type S^SisNgrEu2*. Figuur 6 toont het emissiespectrum van een dergelijke LED 10 met primaire emissie bij 375 nm, waarbij de afzonderlijke componenten geel (1), blauw (2) en rood (3) zich tot een totaalspectrum (G) adderen, dat een witte kleurindruk van hoge kwaliteit verschaft. Het hierbij horende kleurpunt is x=0,333 en y= 0,331. De toepassing van drie componenten verzekert een bijzonder goede kleurweergave.
1019917 __

Claims (8)

4
1. Hoogefficiënte fluorescerende stof uit de klasse van de nitridosilicaten met een kation A en de basisformule AxSiyNz, met het kenmerk, dat als kation Sr gebruikt 5 wordt, waarbij het nitridosilicaat met driewaardig Ce gedoteerd is, dat als activator werkt. 0
2. Fluorescerende stof volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de fluorescerende stof Sr2Si5N8:Ce3+ of SrSi7Nio:Ce3+ is. 10
3. Fluorescerende stof volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het Ce-gehalte tussen 1 en 10 mol-% van het Sr uitmaakt.
4. Fluorescerende stof volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat een deel van het
15 Sr, in het bijzonder tot 30 mol-%, door Ba en/of Ca vervangen is.
5. Lichtbron met een primaire stralingsbron, die straling in het kortgolvige gebied van het optische spectrale bereik in het golflengtegebied van 370 tot 430 nm emitteert, waarbij deze straling door middel van een eerste fluorescerende stof volgens één van de 20 voorgaande conclusies geheel of gedeeltelijk in secundaire straling met grotere golflengte in het zichtbare spectraalgebied geconverteerd wordt.
6. Lichtbron volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat als primaire stralingsbron een lichtdiode op basis van InGaN gebruikt wordt. 25
7. Lichtbron volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat een deel van de primaire straling verder door middel van een tweede fluorescerende stof in straling met grotere golflengte geconverteerd wordt, waarbij de eerste en tweede fluorescerende stof in het bijzonder geschikt gekozen en gemengd worden om wit licht voort te brengen. 30
8. Lichtbron volgens conclusie 7, met het kenmerk, dat een deel van de primaire straling verder door middel van een derde fluorescerende stof in straling met een gro 1019917 tere golflengte geconverteerd wordt, waarbij deze derde fluorescerende stof in het rode spectraalgebied emitteert. 0 1019917_
NL1019917A 2001-02-07 2002-02-07 Hoogefficiente fluorescerende stof. NL1019917C2 (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10105800.4A DE10105800B4 (de) 2001-02-07 2001-02-07 Hocheffizienter Leuchtstoff und dessen Verwendung
DE10105800 2001-02-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL1019917A1 NL1019917A1 (nl) 2002-08-08
NL1019917C2 true NL1019917C2 (nl) 2006-01-17

Family

ID=7673330

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1019917A NL1019917C2 (nl) 2001-02-07 2002-02-07 Hoogefficiente fluorescerende stof.

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6724142B2 (nl)
JP (1) JP2002322474A (nl)
KR (1) KR20020065843A (nl)
DE (1) DE10105800B4 (nl)
FR (1) FR2820429B3 (nl)
GB (1) GB2373510B (nl)
NL (1) NL1019917C2 (nl)
TW (1) TW570970B (nl)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003051622A (ja) * 2001-08-07 2003-02-21 Rohm Co Ltd 白色系半導体発光装置
EP1554914B1 (en) * 2002-10-14 2006-06-07 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Light-emitting device comprising an eu(ii)-activated phosphor
JP4418758B2 (ja) * 2002-12-13 2010-02-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 放射源と発光体を有する照射システム
JP4581540B2 (ja) * 2003-06-30 2010-11-17 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子とそれを用いた発光装置
US7723740B2 (en) * 2003-09-18 2010-05-25 Nichia Corporation Light emitting device
JP4805829B2 (ja) * 2003-09-24 2011-11-02 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング 定義された色温度を有する白色発光ｌｅｄ
US7825574B2 (en) * 2003-09-24 2010-11-02 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung High-efficiency led-based illumination system with improved color rendering
TWI359187B (en) * 2003-11-19 2012-03-01 Panasonic Corp Method for preparing nitridosilicate-based compoun
JP3837588B2 (ja) 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
JP3931239B2 (ja) * 2004-02-18 2007-06-13 独立行政法人物質・材料研究機構 発光素子及び照明器具
JP4976857B2 (ja) * 2004-02-20 2012-07-18 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 放射線源および蛍光材料を有する照明システム
KR100865624B1 (ko) * 2004-04-27 2008-10-27 파나소닉 주식회사 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을이용한 발광 장치
WO2006012234A2 (en) * 2004-06-25 2006-02-02 Sarnoff Corporation Nitride phosphors and devices
US20060049414A1 (en) * 2004-08-19 2006-03-09 Chandran Ramachandran G Novel oxynitride phosphors
EP2360225B1 (en) 2004-09-22 2013-06-26 National Institute for Materials Science Phosphor, production method thereof and light emitting instrument
JP4756261B2 (ja) * 2005-01-27 2011-08-24 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法および発光器具
US8545722B2 (en) 2005-02-21 2013-10-01 Koninklijke Philips N.V. Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material
US7439668B2 (en) 2005-03-01 2008-10-21 Lumination Llc Oxynitride phosphors for use in lighting applications having improved color quality
US7887718B2 (en) 2005-03-04 2011-02-15 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method therefore, and light emission device using the phosphor
US7524437B2 (en) 2005-03-04 2009-04-28 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
WO2006126567A1 (ja) 2005-05-24 2006-11-30 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその利用
KR101264580B1 (ko) 2005-09-27 2013-05-14 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 형광체 및 그 제조방법, 및 상기 형광체를 사용한 발광장치
US7942556B2 (en) * 2007-06-18 2011-05-17 Xicato, Inc. Solid state illumination device
US7984999B2 (en) 2007-10-17 2011-07-26 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes and moveable light adjustment member
US9086213B2 (en) * 2007-10-17 2015-07-21 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes
EP2163593A1 (en) * 2008-09-15 2010-03-17 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Production of nitride-based phosphors
US8220971B2 (en) 2008-11-21 2012-07-17 Xicato, Inc. Light emitting diode module with three part color matching
TWI374704B (en) 2009-11-09 2012-10-21 Ind Tech Res Inst Light transformation particle and photobioreactor
US9631782B2 (en) * 2010-02-04 2017-04-25 Xicato, Inc. LED-based rectangular illumination device
US8104908B2 (en) 2010-03-04 2012-01-31 Xicato, Inc. Efficient LED-based illumination module with high color rendering index
KR100984273B1 (ko) * 2010-05-25 2010-10-01 충남대학교산학협력단 질화물 형광체, 이의 제조방법 및 상기 형광체를 포함하는 발광 소자
US20120051045A1 (en) 2010-08-27 2012-03-01 Xicato, Inc. Led Based Illumination Module Color Matched To An Arbitrary Light Source
KR101292320B1 (ko) * 2011-03-11 2013-07-31 금호전기주식회사 형광체 및 그 제조방법
TWI516572B (zh) 2012-12-13 2016-01-11 財團法人工業技術研究院 螢光材料、及包含其之發光裝置
WO2014175385A1 (ja) 2013-04-25 2014-10-30 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置
CN103275705B (zh) * 2013-06-21 2017-08-25 北京有色金属研究总院 荧光粉、其制备方法及包括其的发光装置
JP6210577B2 (ja) * 2016-10-06 2017-10-11 日立化成株式会社 光半導体素子搭載用基板および光半導体装置
US20200161506A1 (en) * 2018-11-21 2020-05-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for Producing a Ceramic Converter Element, Ceramic Converter Element, and Optoelectronic Component

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1104799A1 (en) * 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
EP0896739A1 (de) 1997-03-04 1999-02-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Diodenadressiertes farbdisplay mit lanthanoidphosphoren
US6165631A (en) 1997-03-04 2000-12-26 U.S. Philips Corporation Diode-addressed color display with lanthanoid phosphors
US6068383A (en) * 1998-03-02 2000-05-30 Robertson; Roger Phosphorous fluorescent light assembly excited by light emitting diodes

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1104799A1 (en) * 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SCHNICK W ET AL: "HIGH TEMPERATURE SYNTHESES OF NOVEL NITRIDO- AND OXONITRIDO- SILICATES AND SIALONS USING RF FURNACES", JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY, THE ROYAL SOCIETY OF CHEMISTRY, CAMBRIDGE, GB, vol. 9, no. 1, January 1999 (1999-01-01), pages 289 - 296, XP000828954, ISSN: 0959-9428 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002322474A (ja) 2002-11-08
FR2820429B3 (fr) 2003-01-03
US6724142B2 (en) 2004-04-20
DE10105800B4 (de) 2017-08-31
FR2820429A3 (fr) 2002-08-09
KR20020065843A (ko) 2002-08-14
NL1019917A1 (nl) 2002-08-08
US20020105269A1 (en) 2002-08-08
TW570970B (en) 2004-01-11
DE10105800A1 (de) 2002-08-08
GB0201264D0 (en) 2002-03-06
GB2373510A (en) 2002-09-25
GB2373510B (en) 2004-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL1019917C2 (nl) Hoogefficiente fluorescerende stof.
BE1014027A6 (nl) Verlichtingseenheid met ten minste een led als lichtbron.
KR100784573B1 (ko) 발광다이오드에 기반을 둔 백색광을 방출하는 조명 기구
JP5097999B2 (ja) クロロシリケート蛍光体
US7825574B2 (en) High-efficiency led-based illumination system with improved color rendering
JP5320993B2 (ja) 照明装置
KR101204413B1 (ko) 발광소자 및 조명기구
US7791265B2 (en) Red-emitting luminescent substance and light source comprising such a luminescent substance
CN101348715B (zh) 荧光体和发光装置
WO2004029177A1 (en) Luminescent material and light emitting diode using the same
KR20030025814A (ko) 광원으로서 적어도 하나의 ｌｅｄ를 갖는 조명 유닛
JP2003273409A (ja) 赤色不足補償蛍光発光素子
JP2003124527A (ja) 光源として少なくとも１つのｌｅｄを備えた照明ユニット
TW200536160A (en) Oxynitride phosphor and a light emitting device
US7851988B2 (en) Green-emitting LED
WO2007001117A2 (en) White light emitting diode based on mixing of tri-color phosphors
KR20050089490A (ko) 자색 발광 다이오드 광원을 이용한 백색 발광 다이오드
CN103119736B (zh) 光电半导体元器件
JP2005109085A (ja) 発光ダイオード

Legal Events

Date Code Title Description
AD1A A request for search or an international type search has been filed
RD2N Patents in respect of which a decision has been taken or a report has been made (novelty report)

Effective date: 20051114

PD2B A search report has been drawn up
VD1 Lapsed due to non-payment of the annual fee

Effective date: 20060901