MATERIAL DE PELICULA DELGADA SUPERCONDUCTORA Y METODO PARA PRODUCIR MATERIAL DE PELICULA DELGADA SUPERCONDUCTORA
CAMPO DE LA INVENCION La presente invención se refiere a un material de película delgada superconductora y método para la fabricación del material de película delgada superconductora, y por ejemplo a un material de película delgada superconductora que es superior en superconductividad y un método para la fabricación del material de película delgada superconductora. ANTECEDENTES DE LA INVENCION Convencionalmente , como se muestra en la Figura 5, se forma un material de película delgada superconductora en una capa intermedia 102 laminada en un sustrato 101 y una capa superconductora 103 además depositada en la capa intermediaria 102. Con el fin de que dicho material de película delgada superconductora 100 obtenga buena superconductividad, por ejemplo la Patente Japonesa Divulgada No. 11-53967 (Documento de Patente 1) describe un material base policristalino orientado con una capa intermedia policristalina orientada. Observar que la Figura 5 es una vista transversal que muestra un material de película delgada superconductora convencional. El Documento de Patente 1 antes mencionado describe un método en el cual la capa intermedia se forma en un sustrato con una orientación de cristal en su superficie, Ref. 197572
seguido por una capa superconductora además formada sobre la misma, con el fin de mejorar la orientación de la capa superconductora . Documento de Patente 1: Patente Japonesa Divulgada No. 11-53967 BREVE DESCRIPCION DE LA INVENCION Sin embargo, con el material base policristalino orientado descrito en el Documento de Patente 1 antes mencionado, puede ocurrir una reacción de difusión del elemento, es decir, los elementos constituyentes de la capa superconductora pueden difundirse hacia el lado del sustrato mientras los elementos constituyentes del sustrato pueden difundirse hacia el lado de la capa superconductora, porque la capa superconductora está depositada mediante la utilización de la reacción térmica. Cuando los elementos constituyentes del sustrato llegan a la capa superconductora más allá de la capa intermedia, tienden a reaccionar con los elementos superconductores de los cuales la capa superconductora está compuesta, conduciendo a un problema de baja superconductividad. Por lo tanto, la presente invención se hizo para resolver el problema anterior, y un objeto de la presente invención es proporcionar un material de película delgada superconductora que logra una superconductividad superior mediante la prevención de la reacción de difusión del
elemento y un método de fabricación de dicho material de película delgada superconductora. Los inventores encontraron que el grosor de la capa intermediaria se relaciona con el problema de desarrollar la reacción de difusión del elemento en el material de película delgada superconductora. Los elementos constituyentes del sustrato alcanzan la capa superconductora más allá de la capa intermedia para causar el problema de la reacción de difusión del elemento entre ellos si la capa intermedia tiene un grosor insuficiente. Los inventores han trabajado arduamente para prevenir dicha reacción de difusión del elemento y consecuentemente encontraron que el grosor de la película de la capa intermedia es requerido para evitar la reacción de difusión del elemento. El material de película delgada superconductora de acuerdo con la presente invención es provisto con un sustrato, una capa intermedia, y una capa superconductora. Una o por lo menos dos de las capas constituyen la capa intermedia, formada en el sustrato, con un grosor de no más de 0.4 µ??\. La capa superconductora se forma en la capa intermedia . De acuerdo con el material de película delgada superconductora de la presente invención, la difusión del elemento entre el sustrato y la capa superconductora puede evitarse proporcionando a la capa intermedia no menos de 0.4
pm en grosor. De esta forma la degradación de la superconductividad de la capa superconductora formada puede evitarse, haciendo posible proporcionar el material de película delgada superconductora con una buena superconductividad. Un material para formar la capa intermedia en el material de película delgada superconductora antes mencionado es preferiblemente un óxido que tiene una estructura de cristal que es al menos una de un tipo de halita, un tipo fluorita, un tipo perovsquita, y un tipo pirocloro. Este material para la capa intermediaria tiende a desarrollar menos reacciones de difusión del elemento con la capa superconductora, aún si la capa intermediaria está en contacto con la capa superconductora, porque tienen muy baja reactividad con la capa superconductora. Preferiblemente, el material para formar el sustrato en el material de película delgada superconductora antes mencionado es un metal orientado mientras el material para formar la capa intermedia incluye por lo menos uno de una circonia estabilizada con itria, óxido de cerio, óxido de magnesio, y titanato de estroncio. De esta forma la reacción de difusión del elemento entre el sustrato y la capa superconductora puede suprimirse cuando se utiliza un metal orientado con excelente propiedad para un sustrato.
Un método para fabricar el material de película delgada superconductora de acuerdo con la presente invención está dirigido a un método para fabricar la película delgada superconductora antes mencionada incluyendo los pasos de preparar un sustrato, formar una capa intermedia constituida de un capa o al menos dos capas en el sustrato, y formar una capa superconductora. En el paso de formación de la capa superconductora, la capa superconductora está formada en la capa intermedia por al menos uno de los métodos de deposición de vapor y líquido. De acuerdo con el método de fabricación del material de película delgada superconductora de la presente invención, la capa superconductora con su superficie siendo excelente en la orientación del cristal así como finura pueden formarse en el paso de la formación de la capa superconductora. Por consiguiente, el material de película delgada superconductora con buena superconductividad que muestra un gran valor de corriente crítico y una gran densidad de corriente crítica se puede fabricar. De acuerdo con el material de película delgada superconductora de la presente invención, al proporcionar una capa intermedia de no más de 0.4 pm en grosor, que es suficiente para evitar una reacción de difusión del elemento, logra una conductividad superior.
BREVE DESCRIPCION DE LAS FIGURAS La Figura 1 es una vista transversal que muestra el material de película delgada superconductora de acuerdo con una modalidad de la invención. La Figura 2 es una vista transversal que muestra otro ejemplo del material de película delgada superconductora de acuerdo con una modalidad de la invención. La Figura 3 es una gráfica de flujo para describir el método de fabricación del material de película delgada superconductora de acuerdo con una modalidad de la invención. La Figura 4 muestra un valor de corriente crítico para el material de película delgada superconductora de acuerdo con un ejemplo de la invención. La Figura 5 es una vista transversal que muestra un material de película delgada superconductora convencional. DESCRIPCION DE LOS SIGNOS DE REFERENCIA 10 material de película delgada superconductora, 11 sustrato, 12 capa intermedia, 12a primera capa, 12b segunda capa, 12c tercera capa, 13 capa superconductora. DESCRIPCION DETALLADA DE LA INVENCION Se describirá a continuación una modalidad de la presente invención con referencia a las figuras. Los mismos o los elementos correspondientes tienen los mismos caracteres de referencia asignados. Su etiqueta y función también son idénticas. Por consiguiente, la descripción detallada de los
mismos no se repetirá. La Figura 1 es una vista transversal que muestra el material de película delgada superconductora de acuerdo con una modalidad de la presente invención. Con referencia a la Figura 1, ahora se describe el material de película delgada superconductora de acuerdo con la modalidad de la presente invención . Como se muestra en la Figura 1, un material de película delgada superconductora 10 de acuerdo con esta modalidad es provisto con un sustrato 11, una capa intermedia 12 constituida de una capa o por lo menos dos capas y formados en el sustrato 11 y una capa superconductora 13 formada en la capa intermedia 12. La capa intermedia 12 tiene un grosor de no menos de 0.4 pm. Más específicamente, el sustrato que forma el material 11 es preferiblemente metal. Más preferiblemente, el sustrato 11 es un sustrato de metal orientado. Observar que un sustrato de metal orientado significa un sustrato en el cual la orientación del cristal es uniforme con respecto a las direcciones biaxiales dentro del plano en la superficie del sustrato. Una aleación que se compone de dos o más metales entre los siguientes, por ejemplo, puede adecuadamente utilizarse como un sustrato de metal orientado: Ni (níquel), Cr (cromo), Mn (manganeso), Co (cobalto), Fe (hierro), Pd (paladio) , Cu (cobre), Ag (plata) y Au (oro).
Dichos metales también se pueden laminar con otros metales o aleaciones. Por ejemplo las aleaciones tales como SUS, que es un material de alta resistencia, también se pueden utilizar. Observar que el material del sustrato 11 no está particularmente limitado a los anteriores y otros materiales diferentes del metal, por ejemplo, también se pueden utilizar . El sustrato 11 puede tener un grosor de 50-200 µ?? y tener una forma de tipo correa larga. Un grosor x de la capa intermedia 12 no es menor de
0.4 µ??. El grosor x preferiblemente no es menor de 0.8 µp?, más preferiblemente no menor de 1.1 µp?. Si un grosor y de la capa intermedia 102 es tan pequeño como el material de la película delgada superconductora convencional 100 mostrada en la Figura 5, puede ocurrir la reacción de difusión del elemento, es decir, los elementos constituyentes del sustrato 101 se mueven hacia la capa superconductora 103 y los elementos constituyentes de la capa superconductora 103 se mueven hacia el sustrato 101. Los inventores encontraron que la capa intermedia 12 debería tener un grosor no menor de 0.4 µp? con el fin de evitar la reacción de difusión del elemento. Es decir, la reacción de difusión del elemento puede evitarse estableciendo un grosor x de la capa intermedia no menor de 0.4 µp? y puede lograrse una buena superconductividad como un resultado. Al establecer el grosor x a no menos de 0.8 µp?, la
reacción de difusión del elemento además puede evitarse y la reacción de difusión del elemento puede aún evitarse estableciendo un grosor x no menor de 1.1 µ?t El material para formar la capa intermedia 12 preferiblemente es un óxido que tiene una estructura de cristal que es al menos una de un tipo halita, un tipo fluorita, un tipo perovsquita, y un tipo pirocloro. Los ejemplos de óxido que tienen dicha estructura de cristal incluyen: óxidos de elementos tórreos raros tales como óxido de cerio (Ce02) , óxido de holmio (HO2O3) , óxido de itrio (Y203) , y óxido de iterbio (Yb203) ; circonia estabilizada con itria (YSZ) , óxido de magnesio (MgO) , titanato de estroncio (SrTi02); BZO (BaZr03) ; óxido de aluminio (A1203) ; y un compuesto Ln-M-0 (Ln es uno o más elementos lantánidos, M es uno o más elementos seleccionados de Sr, Zr, y Ga, y O es oxigeno) . En particular, la circonia estabilizada con itria (YSZ), el óxido de cerio (Ce02) , el óxido de magnesio (MgO); el titanato de estroncio (SrTi03) y similares pueden adecuadamente utilizarse como un material para formar la capa intermedia 12 a partir del punto de vista de la constante de cristal y la orientación del cristal. Estos materiales tienen muy baja reactividad con la capa superconductora 13 de tal forma que no degradan la superconductividad de la capa superconductora 13 aún en la interfaz en donde la capa intermedia 12 con estos materiales se pone en contacto con la
capa superconductora 13. En particular, en el caso en donde el material se utiliza como un material para formar el sustrato 11, la diferencia entre el sustrato 11 que tiene una orientación de cristal en su superficie y la capa superconductora 13 se reduce y se evita que los átomos de metal fluyan hacia afuera del sustrato 11, que está compuesto de metal orientado con una orientación de cristal en su superficie, la capa superconductora 13, cuando la capa superconductora 13 se forma a una alta temperatura. Observar que el material para formar la capa intermedia 12 no está limitado al material antes mencionado. Además, la capa intermedia 12 tiene preferiblemente una buena orientación de cristal. Los materiales antes mencionados son ejemplos de dichos materiales que tienen una buena orientación de cristal. La capa intermedia 12 puede constituirse de una pluralidad de capas como se muestra en la Figura 2. En dicho caso, cuando una pluralidad de capas constituye la capa intermedia 12, el grosor total de cada una de las capas sirve como el grosor x de la capa intermedia 12, la cual también deberá no ser menor de 0.4 µ?t?. Observar que la Figura 2 es una vista transversal que muestra otro ejemplo del material de película delgada superconductora de acuerdo con una modalidad de la presente invención. Cuando la capa intermedia 12 está constituida de
una pluralidad de capas, cada capa constituye la capa intermedia 12 que puede formarse de diferentes materiales. Por ejemplo como se muestra en la Figura 2, la capa intermedia 12 puede ser de tres capas, una primera capa 12a, una segunda capa 12b, y una tercera capa 12c. Preferiblemente, en este caso, la primera capa 12a se forma en el sustrato 11 como una capa de cristal simiente que sirve como un núcleo para el crecimiento del cristal. La segunda capa 12b preferiblemente se forma en la primera capa 12a como una capa que evita la difusión evitando . la reacción de difusión del elemento. La tercera capa 12c preferiblemente se forma como una capa combinada entrelazada para combinar el tamaño del entrelazamiento con la de la capa superconductora 13 que se forma en la misma. Observar que el óxido de cerio por ejemplo puede adecuadamente utilizarse para la capa de cristal simiente. La circonia estabilizada con itria por ejemplo adecuadamente se usa para la capa de prevención de la difusión. El óxido de cerio por ejemplo se usa adecuadamente para la capa combinada entrelazada. La capa intermedia 12 no está particularmente limitada como anteriormente, pero puede formarse de cualquier número de capas, por ejemplo dos, no menos de cuatro, o una capa como se muestra en la Figura 1. Cuando una capa o dos capas constituyen la capa intermedia, se prefiere que la capa(s) sirva (n) como la capa de cristal simiente, la capa
que evita la difusión, y la capa combinada entrelazada. Observar que el grado de diferencia del entrelazamiento entre la capa intermedia 12 y la capa superconductora 13 preferiblemente no es más de 10%, y que el grado de diferencia de entrelazamiento entre la capa intermedia 12 y el sustrato 11 no es más de 10%. Se prefiere que la superficie de la capa intermedia 12 en la cual se forma la capa superconductiva 13 sea plana. Por ejemplo, la capa intermedia 12 tiene preferiblemente una rugosidad de superficie de 10 nm o menor. Aunque los materiales para formar la capa superconductora 13 no están particularmente limitados, se prefiere utilizar por ejemplo un superconductor RE-123. Observar que el superconductor RE-123 se refiere a un superconductor expresado como ReBa2Cu3Oy (y está entre 6 y 8, más preferiblemente aproximadamente 7, RE es un elemento térreo raro tal como itrio, Gd, Sm, o Ho) . La formación de la capa intermedia 12 y la capa superconductora 13 en el sustrato 11, que se compone de un metal flexible, puede lograr el material de película delgado superconductor que muestra un gran valor de corriente crítico y una densidad de corriente crítica. El grosor de la capa superconductiva 13 puede ser por ejemplo, de entre 0.2 pm y 5 m. Cuando se utiliza el material de película delgada superconductora por ejemplo como un material cableado
superconductor, la capa estabilizada con Ag (plata) o la capa estabilizada con Cu (cobre) puede formarse en la capa superconductora 13 como una capa protectora de superficie o una capa estabilizada (no mostrada) con el fin de proteger la superficie de la capa superconductora 13. Ahora con referencia a las Figuras 1 y 3, se describe el método de fabricación del material de película delgada superconductora de acuerdo con la modalidad de la presente invención. Observar que la Figura 3 es una gráfica de flujo para explicar el método de fabricación del material de película delgada superconductora de acuerdo con la modalidad de la presente invención. Como se muestra en la Figura 3, inicialmente se lleva a cabo un paso de preparar el sustrato 11 (S10) . En este paso (S10), el sustrato 11 sirve como una base para preparar el material de película delgada superconductora 10. Preferiblemente el material para el sustrato 11 puede ser un material de metal orientado, tal como una cinta de metal de tipo correa hecha por ejemplo de níquel. Subsiguientemente, se realiza un paso para formar la capa intermedia 12 (S20). En este paso (S20), la capa intermedia 12 se forma en el sustrato preparado 11 de tal forma que su grosor no es más de 0.4 µ??. El óxido que tiene una estructura de cristal tal como un tipo halita, tipo fluorita, tipo perovsquita, y tipo pirocloro, por ejemplo, se
pueden utilizar como la capa intermedia 12. En el paso (S20), se puede utilizar cualquier método de deposición como un método de deposición física incluyendo un método de deposición láser pulsado (método PLD, por sus siglas en inglés) y similar. Observar que en el paso (S20) , la primera capa 12a se forma en el sustrato 11 por ejemplo a través del método de deposición física, la segunda capa 12b se forma en la primera capa 12a por ejemplo a través del método de deposición física, y la tercera capa 12c se forma en la segunda capa 12b, por ejemplo a través del método de deposición física, en la misma forma como se describió anteriormente, aún cuando la capa intermedia 12 está constituida de múltiples capas como se muestra en la Figura 2. Enseguida, se lleva a cabo el paso de formar la capa superconductora 13 en la superficie de la capa intermedia 12 (S30). En este paso (S30), la capa superconductora 13 se forma a través de ya sea el método de deposición de vapor o líquido. Específicamente, el método de deposición láser, el método de pulverización, el método de deposición de rayo de electrón y similares puede mencionarse, por ejemplo, como el método de deposición de vapor. El método de deposición de metal orgánico y similares, por ejemplo, se mencionan como el método de deposición líquida. Si la capa superconductora 13
está formada de al menos uno del método de deposición láser, el método de pulverización, el método de rayo de electrón, y el método de deposición de metal orgánico, la capa puede ser provista con la superficie con la orientación de cristal superior asi como finura. En el paso (S30), en la formación de la capa superconductora 13, preferiblemente se fija una temperatura de 600°C a 900°C. Aún cuando la capa superconductora 13 de asi formada bajo dicha alta temperatura, la reacción de difusión atómica difícilmente se genera entre la capa superconductora 13 y el sustrato 11, porque la capa intermedia 12 es lo suficientemente gruesa. Observar que un paso de aplanamiento para aplanar la superficie del sustrato 11, la capa intermedia 12 y la capa superconductora 13 puede llevarse a cabo después de los pasos (S10, 20, 30) . El paso de aplanamiento puede llevarse a cabo a través de cualquier método tal como el método C P (Pulido Mecánico Químico), el método de grabado en húmedo, el método de pulido mecánico, y similares. El material de película delgada superconductora 10 puede fabricarse llevando a cabo los pasos (S10-S30) antes descritos . Además, cuando se utiliza el material de película delgado superconductor como un material cableado superconductor, por ejemplo, puede además ser provisto otro
paso para formar la capa protectora de superficie (no mostrada) en la superficie de la capa superconductora 13. En este paso, por ejemplo, la capa protectora de superficie, que es una capa estabilizada con Ag, se forma en la capa superconductora 13. El material de película delgada superconductora 10 de acuerdo con la modalidad de la presente invención evita la reacción de difusión de los elementos en donde los elementos constituyentes del sustrato 11 se mueven hacia la capa superconductora 13 y los elementos constituyentes de la capa superconductora 13 se mueven hacia el sustrato 11, porque la capa intermedia 12 tiene un grosor no mayor de 0.4 pm, como se describió anteriormente. Además el material de película delgada superconductora 10 de acuerdo con la modalidad sirve para proporcionar una buena orientación de cristal así como para evitar la reacción de difusión del elemento. De esta forma, el material de película delgada superconductora 10 puede lograr una excelente superconductividad porque la propiedad de la capa superconductora 13 no se degrada. EJEMPLO 1 Se condujeron los siguientes ejemplos con el fin de confirmar el efecto del material de película delgada superconductora de acuerdo con la presente invención. Es decir, se prepararon los materiales de película delgada superconductora con la capa intermedia del grosor mostrado en
la Tabla 1 de acuerdo con los Ejemplos 1-3 y los Ejemplos Comparativos 1 y 2 y se midieron los valores actuales críticos. El grosor de la película de la capa intermedia de cada material de película delgada superconductora y el valor medido actual crítico se muestran en la Tabla 1. TABLA 1
EJEMPLO 1 Material de película delgada superconductora En el Ejemplo 1, el material de película delgada superconductora se fabricó básicamente de acuerdo con el método de fabricación de la modalidad antes mencionada. Específicamente, primero se preparó un sustrato de aleación Ni en el paso de preparación de un sustrato (S10) . Después en el paso para formar la capa intermedia (S20), la capa intermedia compuesta de óxido de metal se formó en el sustrato a través del método de deposición de vapor. Específicamente, la capa intermedia se constituyó de tres capas y el óxido de cerio se formó a un grosor de 0.1 pm como una capa de cristal simiente (una primera capa) para hacer
crecer los cristales en el sustrato. Después se formó YSZ a un grosor de 0.2 µp?, como una capa de prevención de difusión (una segunda capa) en la capa de cristal simiente, y el óxido de cerio se formó con un grosor de 0.1 µ?t?, como una capa combinada entrelazada (una tercera capa) . Después en el paso de formar la capa superconductora (S30) , se depositó HoBa2Cu3Ox (HoBCO) como una capa superconductora mediante el método de deposición láser para asi tener un grosor de película de 0.8 ym. De esta forma se obtuvo el material de película delgada superconductora de acuerdo con el Ejemplo 1. Observar que el grosor de la película de la capa intermedia en la Tabla 1 muestra el grosor total de la primera, segunda y tercera capas. EJEMPLO 2 Material de película delgada superconductora El material de película delgada superconductora en el Ejemplo 2 básicamente se proveyó con la misma estructura que en el Ejemplo 1 excepto que la capa intermedia en el Ejemplo 2 tuvo un grosor de película de 0.8 µ?t?. Específicamente, la capa intermedia del material de película delgada superconductora en el Ejemplo 2 tuvo la capa de cristal simiente (primera capa) con un grosor de 0.1 µp?, la capa de prevención de la difusión (segunda capa) con un grosor de 0.6 µ?t?, y la capa combinada entrelazada (tercera capa) con un grosor de 0.1 µ??.
EJEMPLO 3 Material de película delgada superconductora El material de película delgada superconductora en el Ejemplo 3 básicamente fue provisto con la misma estructura que en el Ejemplo 1, excepto que la capa intermedia en el Ejemplo 3 tuvo un grosor de película de 1.1 µp?. Específicamente, la capa intermedia del material de película delgada superconductora en el Ejemplo 3 tuvo la capa de cristal simiente (primera capa) con un grosor de 0.1 µ??, la capa de prevención de la difusión (segunda capa) con un grosor de 0.9 µ??, y la capa combinada entrelazada (tercera capa) con un grosor de 0.1 µ??. EJEMPLO COMPARATIVO 1 Material de película delgada superconductora El material de película delgada superconductora en el Ejemplo Comparativo 1 fue provisto básicamente con la misma estructura que en el Ejemplo 1, excepto que el grosor de la capa intermedia en el Ejemplo Comparativo 1 tuvo un grosor de película de 0.2 µp\. Específicamente, la capa intermedia del material de película delgada superconductora en el Ejemplo Comparativo 1 tuvo una capa de cristal simiente (primera capa) con un grosor de 0.2 µ??, la capa de prevención de la difusión (segunda capa) con un grosor de 0 µp?, y la capa combinada entrelazada (tercera capa) con un grosor de 0.1 µ??.
EJEMPLO COMPARATIVO 2 Material de película delgada superconductora El material de película delgada superconductora en el Ejemplo Comparativo 2 fue provista básicamente con la misma estructura que en el Ejemplo 1 excepto que la capa intermedia en el Ejemplo Comparativo 2 tuvo un grosor de película de 0.3 µp?. Específicamente, la capa intermedia del material de película delgada superconductora en el Ejemplo Comparativo 2 tuvo la capa de cristal simiente (primera capa) con un grosor de 0.1 µp?, y la capa de prevención de la difusión (segunda capa) con un grosor de 0.1 µ??, y la capa combinada entrelazada (tercera capa) con un grosor de 0.1 µp? Resultado de la Medición Los resultados de la medición, como se describió anteriormente, de los valores de la corriente crítica para el material de película delgada superconductora en los Ejemplos 1-3 y los Ejemplos Comparativos 1 y 2 se presenta en la Figura 4. En la Figura 4, el eje horizontal muestra el grosor de la película de la capa intermedia (unidad: µp\) y el eje vertical muestra el valor de la corriente crítica (unidad: ancho A/cm) de la capa superconductora. Como se muestra en la Tabla 1 y en la Figura 4, el valor de la corriente crítica del material de película delgada superconductora en los Ejemplos 1-3 en donde el grosor de la película de la capa intermedia es de 0.4 µp\ o
superior no fue menos de un ancho de 128A/cm, proporcionó una superconductividad superior. Por el otro lado, el valor de la corriente critica en los Ejemplos Comparativos 1 y 2 fue bajo debido a la reacción de difusión del elemento entre la capa superconductora y el sustrato, porque el material de película delgada superconductora en los Ejemplos Comparativos 1 y 2 tuvo la capa intermedia que fue menor de 0.4 ym en grosor. De acuerdo con los ejemplos de la presente invención, se encontró que el material de película delgada superconductora de la presente invención podría mejorar las propiedades de la capa superconductora tales como el valor de la corriente crítica haciendo la capa intermedia no menor de 0.4 µ?? en grosor . Las modalidades y ejemplos descritos en la presente no deberán tomarse a manera de limitación sino ilustrativas en todos los aspectos. Se pretende que el alcance de la presente invención sea expresado por los términos de las reivindicaciones anexas, en lugar de las descripciones antes mencionadas, y todas las modificaciones dentro del significado y alcance de las reivindicaciones y sus equivalentes serán incluidas. Se hace constar que con relación a esta fecha, el mejor método conocido por la solicitante para llevar a la práctica la citada invención, es el que resulta claro de la presente descripción de la invención.