MD4517B1 - Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы без затравки - Google Patents
Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы без затравкиInfo
- Publication number
- MD4517B1 MD4517B1 MDA20160110A MD20160110A MD4517B1 MD 4517 B1 MD4517 B1 MD 4517B1 MD A20160110 A MDA20160110 A MD A20160110A MD 20160110 A MD20160110 A MD 20160110A MD 4517 B1 MD4517 B1 MD 4517B1
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- gaseous
- seed
- zno single
- single crystals
- zno
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полупроводниковой технике, a именно к способам получения полупроводниковых материалов, в частности к выращиванию монокристаллов ZnO из паровой фазы без затравки в замкнутом объеме.Способ, согласно изобретению, состоит в выращивании монокристалла ZnO из паровой фазы без затравки в замкнутом объеме, в котором загружают шихту ZnO, с использованием химических транспортных агентов HCl с начальным давлением при температуре роста равном 1...4 атм и CO, взятых в молярном соотношении HCl:CO 0,25...1. Выращивание монокристалла осуществляют при температуре 900...1100°C в два этапа. На первом этапе разность температур между шихтой и растущим кристаллом составляет 3...10°C, а на втором этапе разность составляет 10...60°C.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20160110A MD4517C1 (ru) | 2016-10-11 | 2016-10-11 | Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы без затравки |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20160110A MD4517C1 (ru) | 2016-10-11 | 2016-10-11 | Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы без затравки |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD4517B1 true MD4517B1 (ru) | 2017-09-30 |
| MD4517C1 MD4517C1 (ru) | 2018-04-30 |
Family
ID=59974074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20160110A MD4517C1 (ru) | 2016-10-11 | 2016-10-11 | Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы без затравки |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD4517C1 (ru) |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57123969A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Formation of zinc oxide film by vapor phase method using plasma |
| US20060005763A1 (en) * | 2001-12-24 | 2006-01-12 | Crystal Is, Inc. | Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride |
| CN1246508C (zh) * | 2003-11-04 | 2006-03-22 | 浙江大学 | 生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置 |
| CN100360720C (zh) * | 2006-03-24 | 2008-01-09 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 氧化锌单晶的通气坩埚下降生长方法 |
| MD3320G2 (ru) * | 2006-03-24 | 2007-12-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Способ получения наноструктур оксида цинка |
| CN101328609B (zh) * | 2008-04-11 | 2010-12-08 | 北京科技大学 | 一种气相沉积制备锡掺杂氧化锌纳米线的方法 |
| CN101445265A (zh) * | 2008-09-23 | 2009-06-03 | 河南大学 | 气相沉积制备掺杂单晶氧化锌纳米螺丝刀的方法及其装置 |
| MD4455C1 (ru) * | 2015-11-27 | 2017-07-31 | Государственный Университет Молд0 | Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы без затравки |
-
2016
- 2016-10-11 MD MDA20160110A patent/MD4517C1/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD4517C1 (ru) | 2018-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2966474B1 (fr) | Procede de fabrication d'un materiau nanocristallin | |
| TW201612179A (en) | A process for preparing a crystalline organic semiconductor material | |
| WO2019140445A3 (en) | Hydride enhanced growth rates in hydride vapor phase epitaxy | |
| WO2012002995A3 (en) | Thin films and methods of making them using cyclohexasilane | |
| GB2548501A (en) | Highly twinned, oriented polycrystalline diamond film and method of manufacture thereof | |
| EP4292702A3 (en) | Manufacturing apparatus and method for making silicon nanowires on carbon based powders for use in batteries | |
| TW201614083A (en) | Method for forming nitride semiconductor layer and method for manufacturing semiconductor device | |
| CA3010533A1 (en) | Device and method for producing silicon carbide | |
| SG11201805526PA (en) | Single-crystal diamond, method for manufacturing single-crystal diamond, and chemical vapor deposition device used in same | |
| MD4517C1 (ru) | Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы без затравки | |
| SG11201900051UA (en) | Leuconostoc mesenteroides cjlm119 strain producing reduced amount of gas, and kimchi production method using same | |
| WO2014022722A3 (en) | Epitaxial growth on thin lamina | |
| MD4455B1 (ru) | Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы без затравки | |
| MD20150067A2 (ru) | Способ получения монокристаллов ZnO из газовой фазы | |
| CN103943467A (zh) | 利用应力梯度分离氮化物自支撑衬底的方法 | |
| SG11201906821PA (en) | Process for manufacturing a two-dimensional film of hexagonal crystalline structure | |
| MD4704B1 (ru) | Способы получения монокристаллов ZnO с различными поверхностями | |
| WO2012177099A3 (en) | Apparatus and method for deposition | |
| MD4734C1 (ru) | Способ получения керамики ZnO с высоким сопротивлением и контролируемым стехиометрическим отклонением | |
| MD20110026A2 (en) | Method for removing the deformation of ZnSe single crystals in the cooling process after growth | |
| Okuma et al. | Reaction of Fenchone Hydrazone with Diselenium Dibromide: Novel Formation of Bicyclic Diselenide | |
| MY194470A (en) | Method for preparing natural l-cysteine hydrochloride hydrate crystals by continuous chromatography | |
| WO2015091605A3 (en) | Method of use of a composition comprising hydrogen sulphide donor and seed composition comprising hydrogen sulphide donor | |
| MD865Z (ru) | Способ получения порошкообразного сброженного молочного продукта | |
| PL398029A1 (pl) | Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożach półprzewodnikowych |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG4A | Patent for invention issued | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
| MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |