MD4704B1 - Способы получения монокристаллов ZnO с различными поверхностями - Google Patents
Способы получения монокристаллов ZnO с различными поверхностямиInfo
- Publication number
- MD4704B1 MD4704B1 MDA20180024A MD20180024A MD4704B1 MD 4704 B1 MD4704 B1 MD 4704B1 MD A20180024 A MDA20180024 A MD A20180024A MD 20180024 A MD20180024 A MD 20180024A MD 4704 B1 MD4704 B1 MD 4704B1
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- single crystals
- hcl
- processes
- different surfaces
- growth
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к способам получения полупроводниковых материалов, в частности к выращиванию монокристаллов ZnO без затравки с различными поверхностями в замкнутом объеме.Предложены три способа получения монокристаллов ZnO с различными поверхностями, первый способ состоит в выращивании монокристалла ZnO из паровой фазы без затравки в замкнутом объеме, в котором загружают шихту ZnO, с использованием химических транспортных агентов HCl, с начальным давлением при температуре роста равном 1...8 атм, и C, взятых в молярном соотношении C:HCl=0,35…0,48 для выращивания монокристаллов с неполярной поверхностью. Выращивание монокристалла осуществляют при температуре 900...1100°С, с разностью температур между шихтой и растущим кристаллом 10...100°С. Во втором способе молярное соотношение составляет C:HCl=0,5…0,58 для выращивания монокристаллов с полярной поверхностью, а в третьем способе молярное соотношение составляет C:HCl=0,6…0,75 для выращивания монокристаллов с полуполярной поверхностью.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20180024A MD4704C1 (ru) | 2018-04-05 | 2018-04-05 | Способы получения монокристаллов ZnO с различными поверхностями |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20180024A MD4704C1 (ru) | 2018-04-05 | 2018-04-05 | Способы получения монокристаллов ZnO с различными поверхностями |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD20180024A2 MD20180024A2 (ru) | 2019-10-31 |
| MD4704B1 true MD4704B1 (ru) | 2020-07-31 |
| MD4704C1 MD4704C1 (ru) | 2021-02-28 |
Family
ID=68424464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20180024A MD4704C1 (ru) | 2018-04-05 | 2018-04-05 | Способы получения монокристаллов ZnO с различными поверхностями |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD4704C1 (ru) |
-
2018
- 2018-04-05 MD MDA20180024A patent/MD4704C1/ru active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD4704C1 (ru) | 2021-02-28 |
| MD20180024A2 (ru) | 2019-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Noor-A-Alam et al. | Ferroelectricity and large piezoelectric response of AlN/ScN superlattice | |
| WO2019140445A3 (en) | Hydride enhanced growth rates in hydride vapor phase epitaxy | |
| Kanoun et al. | Prediction study of elastic properties under pressure effect for zincblende BN, AlN, GaN and InN | |
| GB2548501A (en) | Highly twinned, oriented polycrystalline diamond film and method of manufacture thereof | |
| WO2020068200A3 (en) | Unusual high thermal conductivity in boron arsenide bulk crystals | |
| Karpov et al. | Sublimation growth of AlN in vacuum and in a gas atmosphere | |
| MD4704C1 (ru) | Способы получения монокристаллов ZnO с различными поверхностями | |
| Henderson et al. | A versatile metal-halide vapor chemistry for the epitaxial growth of metallic, insulating and semiconducting films | |
| SG11201906821PA (en) | Process for manufacturing a two-dimensional film of hexagonal crystalline structure | |
| US20230200245A1 (en) | Hybrid chemical and physical vapor deposition of transition-metal-alloyed piezoelectric semiconductor films | |
| JP2015216381A5 (ru) | ||
| MD4455C1 (ru) | Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы без затравки | |
| Tokuda et al. | 4H-SiC bulk growth using high-temperature gas source method | |
| JP6773635B2 (ja) | 結晶成長方法および結晶積層構造 | |
| MD4517C1 (ru) | Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы без затравки | |
| Ito et al. | Growth of AlN on lattice-matched MnO substrates by pulsed laser deposition | |
| Sharofidinov et al. | GaN growth via HVPE on SiC/Si substrates: growth mechanisms | |
| WO2018166802A3 (de) | Beschichtetes produkt und verfahren zur herstellung | |
| Avdeev et al. | Development of 2 ″AlN substrates using SiC seeds | |
| Yoshida et al. | Selective-Area Growth of Vertical InGaAs Nanowires on Ge for Transistor Applications | |
| CN108807529A (zh) | 赝配高电子迁移率晶体管的外延材料及赝配高电子迁移率晶体管 | |
| CN102817073A (zh) | 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 | |
| Lin et al. | Synthesis and Properties of 2D Semiconductors | |
| MD20150067A2 (ru) | Способ получения монокристаллов ZnO из газовой фазы | |
| Bazhenov et al. | Terrestrial development of the experiments on the fullerite C60 crystal growth in microgravity |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG4A | Patent for invention issued |