CN108807529A - 赝配高电子迁移率晶体管的外延材料及赝配高电子迁移率晶体管 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种赝配高电子迁移率晶体管的外延材料，选用半绝缘GaAs作为衬底层，在所述衬底层上依次逐层生长GaAs缓冲层、AlGaAs/GaAs超晶格层、未掺杂的AlGaAs层、第一掺杂层、第一AlGaAs隔离层、InGaAs沟道层、第二AlGaAs隔离层、第二掺杂层、AlGaAs势垒层、掺杂帽层，InGaAs沟道层包括依次逐层生长的第一InGaAs沟道层、第二InGaAs沟道层和第三InGaAs沟道层，第一InGaAs沟道层和第三InGaAs沟道层中的In组分均小于第二InGaAs沟道层中的In组分。本发明能够减少电子迁移率受界面散射的影响和降低中间InGaAs沟道层中由于晶格失配而产生晶体缺陷的风险。本发明还提供了一种具有上述外延材料的赝配高电子迁移率晶体管。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种赝配高电子迁移率晶体管的外延材料及赝配高电子迁移率晶体管。
背景技术
在赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)外延结构中，主要结构是在GaAs衬底上生长AlGaAs隔离层和InGaAs沟道层。为了获得更高的迁移率，提高器件的性能，目前常用的手段是提高InGaAs沟道层中的In组份，以此适度获得更高的迁移率。但是由于InGaAs与GaAs/AlGaAs材料体系晶格常数差别较大，而且In组分越高，两种材料之间的晶格失配越大，因此提高In组分生长InGaAs沟道时，在InGaAs 沟道层中容易发生弛豫，产生晶体缺陷，这些晶体缺陷会显著降低InGaAs沟道中的迁移率。为了避免InGaAs沟道层中弛豫和晶体缺陷的产生，通常需要降低 InGaAs层的厚度。但当InGaAs层较薄时，沟道层与其两侧隔离层之间界面处的界面散射会显著影响沟道层中的电子迁移率。
目前，生长赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)外延结构时，通常选择一个20％左右的组分作为InGaAs沟道层中的In组分，继续提高In组分时，因受到晶格失配、界面散射等因素的限制，无法继续显著提高沟道层中的电子迁移率以及 PHEMT器件的性能。
有鉴于此，特提出本发明。
发明内容
本发明的目的是提供一种赝配高电子迁移率晶体管的外延材料，至少能够解决目前技术中存在的部分问题。
为了实现上述目的，第一方面，本发明提供的一种赝配高电子迁移率晶体管的外延材料，选用半绝缘GaAs作为衬底层，在所述衬底层上依次逐层生长GaAs 缓冲层、AlGaAs/GaAs超晶格层、未掺杂的AlGaAs层、第一掺杂层、第一AlGaAs 隔离层、InGaAs沟道层、第二AlGaAs隔离层、第二掺杂层、AlGaAs势垒层、掺杂帽层，所述InGaAs沟道层包括依次逐层生长的第一InGaAs沟道层、第二 InGaAs沟道层和第三InGaAs沟道层，所述第一InGaAs沟道层和所述第三InGaAs 沟道层中的In组分均小于所述第二InGaAs沟道层中的In组分。
可选地或优选地，所述第一InGaAs沟道层和所述第三InGaAs沟道层中的 In组分相同。
可选地或优选地，所述第一InGaAs沟道层和所述第三InGaAs沟道层中的 In组分均为25％，所述第二InGaAs沟道中的In组分为35％。
可选地或优选地，所述第一InGaAs沟道层和所述第三InGaAs沟道层的厚度均小于所述第二InGaAs沟道层的厚度。
可选地或优选地，所述第一InGaAs沟道层和所述第三InGaAs沟道层的厚度相同。
可选地或优选地，所述第一InGaAs沟道层和所述第三InGaAs沟道层的厚度均为2nm，所述第二InGaAs沟道层的厚度为4nm。
可选地或优选地，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层均为硅杂质掺杂。
第二方面，本发明提供了一种赝配高电子迁移率晶体管，包括晶体管主体，所述晶体管主体上设有第一方面中所述的外延材料。
本发明提供的赝配高电子迁移率晶体管的外延材料，采用三层InGaAs沟道层的设计，同时将中间沟道层的In组分设计为大于两侧沟道层的In组分，可以使中间沟道层导带能量更低，从而使沟道层中的电子更集于在中间In组分较高的InGaAs沟道层中，远离沟道层与隔离层之间的界面，因此电子迁移率受界面散射的影响也较小；另外，采用中间In组份较高和两侧In组分较低的InGaAs 沟道层的结构，使得两侧的InGaAs沟道层能够起到缓冲的作用，降低了中间 InGaAs沟道层中由于晶格失配而产生晶体缺陷的风险。
附图说明
图1为本发明实施例赝配高电子迁移率晶体管的外延材料的结构示意图；
图2为本发明实施例赝配高电子迁移率晶体管的外延材料的隔离层与沟道层的能带结构示意图；
图3为现有技术中赝配高电子迁移率晶体管的外延材料的隔离层与沟道层的能带结构示意图。
图中：
1.GaAs衬底层；2.GaAs缓冲层；3.AlGaAs/GaAs超晶格层；4.未掺杂的AlGaAs层；5.第一掺杂层；6.第一AlGaAs隔离层；7.第一InGaAs沟道层；8.第二InGaAs沟道层；9.第三InGaAs沟道层；10.第二AlGaAs隔离层； 11.第二掺杂层；12.AlGaAs势垒层；13.掺杂帽层。
具体实施方式
为了使本领域技术人员更好的理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
需要理解的是，使用“第一”、“第二”、“第三”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对上述零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本发明保护范围的限制。
参考图1，本实施例提供的一种赝配高电子迁移率晶体管的外延材料，其选用半绝缘GaAs作为衬底层1，在衬底层1上可以通过分子束外延或金属有机化学气相沉淀等方式依次逐层生长GaAs缓冲层2、AlGaAs/GaAs超晶格层3、未掺杂的AlGaAs层4、第一掺杂层5、第一AlGaAs隔离层6、第一InGaAs沟道层7、第二InGaAs沟道层8、第三InGaAs沟道层9、第二AlGaAs隔离层10、第二掺杂层11、AlGaAs势垒层12、掺杂帽层13；其中第一InGaAs沟道层7和第三InGaAs 沟道层9中的In组分均小于所述第二InGaAs沟道层8中的In组分，且第一InGaAs沟道层7和第三InGaAs沟道层9的厚度均小于第二InGaAs沟道层8的厚度。另外，第一掺杂层5和第二掺杂层11均为硅杂质掺杂。应当理解的是，第一InGaAs沟道层7、第二InGaAs沟道层8和第三InGaAs沟道层9共同组成了新的沟道层。
具体的，第一InGaAs沟道层7和第三InGaAs沟道层9中的In组分相同，这可以保证这两个沟道层中的电子迁移率等同；此外，第一InGaAs沟道层7和第三InGaAs沟道层9的厚度也应等同。
具体的，在本实施例中，第二InGaAs沟道层8中的In组分可以超过30％，这样可以获得更高的沟道层电子迁移率。此外，选用的第一InGaAs沟道层7和第三InGaAs沟道层9中的In组分均为25％，第二InGaAs沟道层8中的In组分为35％。对于沟道层的厚度可以根据实际情况进行选择，在本实施例中选用的第一InGaAs沟道层7和第三InGaAs沟道层9的厚度均为2nm，第二InGaAs沟道层8的厚度为4nm。
在本实施例中，InGaAs沟道层中的In组分最高可以超过30％，达到35％，在该层中，电子迁移率会比20％组分的InGaAs沟道层有显著提高。另外，参考图2和图3，在现有技术中，沟道层的设计使得导带能量在沟道层与隔离层界面处最低，这导致界面处电子浓度较高，进而使得电子迁移率更容易受到界面散射的影响；而本发明中的沟道层设计可以使沟道层中间部分导带能量更低，从而使沟道中的电子更集于在中间In组分较高的InGaAs沟道层中，远离沟道层与隔离层之间的界面，因此电子迁移率受界面散射的影响也较小。同时采用中间组分较高的InGaAs沟道层和两侧In组分较低的InGaAs沟道层的结构设计，使得两侧 In组分较低的InGaAs沟道层能够起到缓冲的作用，降低了中间InGaAs沟道层中由于晶格失配而产生晶体缺陷的风险。
应当理解的是，本实施例提供的赝配高电子迁移率晶体管的外延材料的生长方法采用MBE或MOCVD，其中，MBE是分子束外延的一种简称，它是一种新的晶体生长技术，其方法是将半导体衬底放置在超高真空腔体中，和将需要生长的单晶物质按元素的不同分别放在喷射炉中(也在腔体内)，由分别加热到相应温度的各元素喷射出的分子流能在上述衬底上生长出极薄的(可薄至单原子层水平) 单晶体和几种物质交替的超晶格结构；MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术，其是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和 V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料，通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr) 下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃,用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。在材料生长过程中，对环境的温度控制要求较高，温度过高或过低都不利于材料生长，如温度过低可能生长出多晶或非晶，温度过高可能会使吸附的原子再次蒸发而脱落，因此，在本实施例中，当采用MBE技术时，材料的生长温度控制在400-520℃间，优选450-470℃。
本发明还提供了一种赝配高电子迁移率晶体管，包括晶体管主体，在晶体管主体上设有如上述所述的外延材料。
综上所述，本发明提供的赝配高电子迁移率晶体管的外延材料采用的InGaAs 沟道层结构，可以最大限度的提高沟道层的In组份，同时减少界面散射对沟道迁移率的影响，提高器件的性能；此外，这种外延结构与现有技术中的InGaAs 沟道层结构相比，仅增加了一个单一组分的InGaAs层，易于在实际生长中实现并实现精确控制。将上述外延材料应用到赝配高电子迁移率晶体管上时，可以提高晶体管的性能。
以上对本发明所提供的赝配高电子迁移率晶体管的外延材料及赝配高电子迁移率晶体管进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
Claims (8)
1.一种赝配高电子迁移率晶体管的外延材料，选用半绝缘GaAs作为衬底层(1)，在所述衬底层(1)上依次逐层生长GaAs缓冲层(2)、AlGaAs/GaAs超晶格层(3)、未掺杂的AlGaAs层(4)、第一掺杂层(5)、第一AlGaAs隔离层(6)、InGaAs沟道层、第二AlGaAs隔离层(10)、第二掺杂层(11)、AlGaAs势垒层(12)、掺杂帽层(13)，其特征在于，所述InGaAs沟道层包括依次逐层生长的第一InGaAs沟道层(7)、第二InGaAs沟道层(8)和第三InGaAs沟道层(9)，所述第一InGaAs沟道层(7)和所述第三InGaAs沟道层(9)中的In组分均小于所述第二InGaAs沟道层(8)中的In组分。
2.根据权利要求1所述的外延材料，其特征在于，所述第一InGaAs沟道层(7)和所述第三InGaAs沟道层(9)中的In组分相同。
3.根据权利要求2所述的外延材料，其特征在于，所述第一InGaAs沟道层(7)和所述第三InGaAs沟道层(9)中的In组分均为25％，所述第二InGaAs沟道层(8)中的In组分为35％。
4.根据权利要求1所述的外延材料，其特征在于，所述第一InGaAs沟道层(7)和所述第三InGaAs沟道层(9)的厚度均小于所述第二InGaAs沟道层(8)的厚度。
5.根据权利要求4所述的外延材料，其特征在于，所述第一InGaAs沟道层(7)和所述第三InGaAs沟道层(9)的厚度相同。
6.根据权利要求5所述的外延材料，其特征在于，所述第一InGaAs沟道层(7)和所述第三InGaAs沟道层(9)的厚度均为2nm，所述第二InGaAs沟道层(8)的厚度为4nm。
7.根据权利要求1至6中任一所述的外延材料，其特征在于，所述第一掺杂层(5)和所述第二掺杂层(11)均为硅杂质掺杂。
8.一种赝配高电子迁移率晶体管，包括晶体管主体，其特征在于，所述晶体管主体上设有如权利要求1至7中任一所述的外延材料。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115274826A (zh) * | 2022-08-18 | 2022-11-01 | 上海新微半导体有限公司 | 赝配高电子迁移率晶体管、外延结构及制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0368143A (ja) * | 1989-08-05 | 1991-03-25 | Sanyo Electric Co Ltd | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
| US5373168A (en) * | 1991-12-05 | 1994-12-13 | Nec Corporation | Two-dimensional electron gas field effect transistor including an improved InGaAs channel layer |
| CN1428870A (zh) * | 2001-12-28 | 2003-07-09 | 韩国电子通信研究院 | 假同晶高电子迁移率晶体管功率器件及其制造方法 |
| US20060113563A1 (en) * | 2002-12-25 | 2006-06-01 | Takenori Osada | Compound semiconductor epitaxial substrate and method for manufacturing the same |
-
2018
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0368143A (ja) * | 1989-08-05 | 1991-03-25 | Sanyo Electric Co Ltd | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
| US5373168A (en) * | 1991-12-05 | 1994-12-13 | Nec Corporation | Two-dimensional electron gas field effect transistor including an improved InGaAs channel layer |
| CN1428870A (zh) * | 2001-12-28 | 2003-07-09 | 韩国电子通信研究院 | 假同晶高电子迁移率晶体管功率器件及其制造方法 |
| US20060113563A1 (en) * | 2002-12-25 | 2006-06-01 | Takenori Osada | Compound semiconductor epitaxial substrate and method for manufacturing the same |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115274826A (zh) * | 2022-08-18 | 2022-11-01 | 上海新微半导体有限公司 | 赝配高电子迁移率晶体管、外延结构及制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20181113 |
|
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