MD4517B1 - Procedeu de obţinere a monocristalelor de ZnO din faza gazoasă fără germene - Google Patents

Procedeu de obţinere a monocristalelor de ZnO din faza gazoasă fără germene

Info

Publication number
MD4517B1
MD4517B1 MDA20160110A MD20160110A MD4517B1 MD 4517 B1 MD4517 B1 MD 4517B1 MD A20160110 A MDA20160110 A MD A20160110A MD 20160110 A MD20160110 A MD 20160110A MD 4517 B1 MD4517 B1 MD 4517B1
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
gaseous
seed
zno single
single crystals
zno
Prior art date
Application number
MDA20160110A
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Other versions
MD4517C1 (ro
Inventor
Глеб КОЛИБАБА
Original Assignee
Государственный Университет Молд0
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственный Университет Молд0 filed Critical Государственный Университет Молд0
Priority to MDA20160110A priority Critical patent/MD4517C1/ro
Publication of MD4517B1 publication Critical patent/MD4517B1/ro
Publication of MD4517C1 publication Critical patent/MD4517C1/ro

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Invenţia se referă la tehnica semiconductoare, şi anume la procedee de obţinere a materialelor semiconductoare, în particular la creşterea monocristalelor de ZnO din faza gazoasă fără germene într-un volum închis.Procedeul, conform invenţiei, constă în creşterea monocristalului de ZnO din faza gazoasă fără germene într-un volum închis, în care se încarcă materialul de creştere de ZnO, cu utilizarea agenţilor chimici de transport HCl, cu o presiune iniţială la temperatura de creştere de 1...4 atm, şi CO, luaţi într-un raport molar HCl:CO de 0,25...1. Creşterea monocristalului se efectuează la o temperatură de 900...1100°C în două etape. La prima etapă diferenţa de temperaturi dintre materialul de creştere şi cristalul în creştere este de 3...10°C, iar la etapa a doua diferenţa este de 10...60°C.
MDA20160110A 2016-10-11 2016-10-11 Procedeu de obţinere a monocristalelor de ZnO din faza gazoasă fără germene MD4517C1 (ro)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20160110A MD4517C1 (ro) 2016-10-11 2016-10-11 Procedeu de obţinere a monocristalelor de ZnO din faza gazoasă fără germene

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20160110A MD4517C1 (ro) 2016-10-11 2016-10-11 Procedeu de obţinere a monocristalelor de ZnO din faza gazoasă fără germene

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD4517B1 true MD4517B1 (ro) 2017-09-30
MD4517C1 MD4517C1 (ro) 2018-04-30

Family

ID=59974074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20160110A MD4517C1 (ro) 2016-10-11 2016-10-11 Procedeu de obţinere a monocristalelor de ZnO din faza gazoasă fără germene

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD4517C1 (ro)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57123969A (en) * 1981-01-26 1982-08-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Formation of zinc oxide film by vapor phase method using plasma
US20060005763A1 (en) * 2001-12-24 2006-01-12 Crystal Is, Inc. Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
CN1246508C (zh) * 2003-11-04 2006-03-22 浙江大学 生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置
MD3320G2 (ro) * 2006-03-24 2007-12-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Procedeu de obţinere a oxidului de zinc nanostructurat
CN100360720C (zh) * 2006-03-24 2008-01-09 中国科学院上海硅酸盐研究所 氧化锌单晶的通气坩埚下降生长方法
CN101328609B (zh) * 2008-04-11 2010-12-08 北京科技大学 一种气相沉积制备锡掺杂氧化锌纳米线的方法
CN101445265A (zh) * 2008-09-23 2009-06-03 河南大学 气相沉积制备掺杂单晶氧化锌纳米螺丝刀的方法及其装置
MD4455C1 (ro) * 2015-11-27 2017-07-31 Государственный Университет Молд0 Procedeu de obţinere a monocristalelor de ZnO din faza gazoasă fără germene

Also Published As

Publication number Publication date
MD4517C1 (ro) 2018-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201612179A (en) A process for preparing a crystalline organic semiconductor material
WO2012134092A3 (en) Method of manufacturing single crystal ingot, and single crystal ingot and wafer manufactured thereby
WO2019140445A3 (en) Hydride enhanced growth rates in hydride vapor phase epitaxy
GB2548501A (en) Highly twinned, oriented polycrystalline diamond film and method of manufacture thereof
WO2012002995A3 (en) Thin films and methods of making them using cyclohexasilane
TW201614083A (en) Method for forming nitride semiconductor layer and method for manufacturing semiconductor device
EP4292702A3 (en) Manufacturing apparatus and method for making silicon nanowires on carbon based powders for use in batteries
SG195154A1 (en) Method for producing gaas single crystal and gaas single crystal wafer
SG11201900051UA (en) Leuconostoc mesenteroides cjlm119 strain producing reduced amount of gas, and kimchi production method using same
SG11201805526PA (en) Single-crystal diamond, method for manufacturing single-crystal diamond, and chemical vapor deposition device used in same
MD4517C1 (ro) Procedeu de obţinere a monocristalelor de ZnO din faza gazoasă fără germene
WO2013114218A3 (en) High-throughput continuous gas-phase synthesis of nanowires with tunable properties
MX2016013566A (es) Nuevo activador de suelo que comprende lignosulfonato de amonio, y usos del mismo.
WO2014022722A3 (en) Epitaxial growth on thin lamina
MD4455C1 (ro) Procedeu de obţinere a monocristalelor de ZnO din faza gazoasă fără germene
SG11201906821PA (en) Process for manufacturing a two-dimensional film of hexagonal crystalline structure
MD20150067A2 (ro) Procedeu de obţinere a monocristalelor de ZnO din faza gazoasă
MX2020002498A (es) Método para la producción de plántulas de caña de azúcar.
MD4704B1 (ro) Procedee de obţinere a monocristalelor de ZnO cu suprafeţe diferite
WO2012177099A3 (en) Apparatus and method for deposition
MX2020007517A (es) Procedimiento para preparar cristales naturales de hidrato de clorhidrato de l-cisteina por cromatografia continua.
CA2904573C (en) Extraction of nitrogen from organic materials through ammonification by mixed bacterial populations
MD4734B1 (ro) Procedeu de obţinere a ceramicii de ZnO cu rezistivitate înaltă şi deviaţie stoichiometrică controlată
MD20110026A2 (ro) Procedeu de lichidare a deformatiei monocristalelor de ZnSe în procesul de racire dupa crestere
WO2015091605A3 (en) Method of use of a composition comprising hydrogen sulphide donor and seed composition comprising hydrogen sulphide donor

Legal Events

Date Code Title Description
FG4A Patent for invention issued
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees