MD4734B1 - Procedeu de obţinere a ceramicii de ZnO cu rezistivitate înaltă şi deviaţie stoichiometrică controlată - Google Patents
Procedeu de obţinere a ceramicii de ZnO cu rezistivitate înaltă şi deviaţie stoichiometrică controlatăInfo
- Publication number
- MD4734B1 MD4734B1 MDA20180065A MD20180065A MD4734B1 MD 4734 B1 MD4734 B1 MD 4734B1 MD A20180065 A MDA20180065 A MD A20180065A MD 20180065 A MD20180065 A MD 20180065A MD 4734 B1 MD4734 B1 MD 4734B1
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- high resistance
- hcl
- sintering
- controlled stoichiometric
- producing zno
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title abstract 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Invenţia se referă la procedee de obţinere a materialelor semiconductoare şi poate fi utilizată în tehnologia semiconductoare.Procedeul, conform invenţiei, constă în sinterizarea pulberilor de ZnO prin metoda reacţiei chimice de transport într-un volum închis la o temperatură de sinterizare de 900…1150°C, timp de 48...72 ore, cu un gradient de temperatură în regiunea de sinterizare de ≤10°C/cm şi cu o viteză de răcire a ceramicii obţinute de ≤100°C/oră. În calitate de agenţi de transport se utilizează HCl cu presiunea iniţială de 1…6 atm, H2 cu presiunea iniţială de 50…200% din presiunea iniţială a HCl, şi C în cantitatea de ≤HCl (mol).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20180065A MD4734C1 (ro) | 2018-08-22 | 2018-08-22 | Procedeu de obţinere a ceramicii de ZnO cu rezistivitate înaltă şi deviaţie stoichiometrică controlată |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20180065A MD4734C1 (ro) | 2018-08-22 | 2018-08-22 | Procedeu de obţinere a ceramicii de ZnO cu rezistivitate înaltă şi deviaţie stoichiometrică controlată |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD20180065A2 MD20180065A2 (ro) | 2020-02-29 |
| MD4734B1 true MD4734B1 (ro) | 2020-12-31 |
| MD4734C1 MD4734C1 (ro) | 2021-07-31 |
Family
ID=69723327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20180065A MD4734C1 (ro) | 2018-08-22 | 2018-08-22 | Procedeu de obţinere a ceramicii de ZnO cu rezistivitate înaltă şi deviaţie stoichiometrică controlată |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD4734C1 (ro) |
-
2018
- 2018-08-22 MD MDA20180065A patent/MD4734C1/ro not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD20180065A2 (ro) | 2020-02-29 |
| MD4734C1 (ro) | 2021-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2018013991A3 (en) | Manufacturing apparatus and method for making silicon nanowires on carbon based powders for use in batteries | |
| TW200610765A (en) | Raw material for forming thin film and method for producing the same | |
| CN104087772A (zh) | 一种制备高致密度钛及钛合金的粉末冶金方法 | |
| MY196081A (en) | A Hydrogen-Containing Rare Earth Fluoride Compound, the Preparation Method and its Application | |
| MY170698A (en) | Polycrystalline silicon rod and method for producing polysilicon | |
| MD4734C1 (ro) | Procedeu de obţinere a ceramicii de ZnO cu rezistivitate înaltă şi deviaţie stoichiometrică controlată | |
| CN110128128B (zh) | 一种具有零温度系数及高温稳定性的铁酸铋-铝酸铋-锌钛酸铋高温压电陶瓷及其制备方法 | |
| US20190252098A1 (en) | Method of producing magnetic material | |
| JP2021511279A5 (ro) | ||
| MD4455C1 (ro) | Procedeu de obţinere a monocristalelor de ZnO din faza gazoasă fără germene | |
| JP5982058B2 (ja) | タングステン酸ジルコニウム | |
| MX2013012096A (es) | Metodos para formar materiales policristalinos que incluyen proporcionar material con granos superabrasivos antes del procesamiento hpht, y compactos policristalinos y elementos cortantes formados por tales metodos. | |
| WO2015147933A3 (en) | Grain size tuning for radiation resistance | |
| MD151Z (ro) | Procedeu de creştere a straturilor epitaxiale GaAs într-un reactor orizontal | |
| KR101709755B1 (ko) | 등방 가압 고상반응법을 이용한 화합물 형성 방법 | |
| MD20150067A2 (ro) | Procedeu de obţinere a monocristalelor de ZnO din faza gazoasă | |
| PL436094A1 (pl) | Sposób wytwarzania spieków z azotku tytanu | |
| Liu et al. | Grain growth stagnation in the dense nanocrystalline yttria prepared by combustion reaction and quick pressing with an ultra-high heating rate | |
| MD20180024A2 (ro) | Procedeu de obţinere a monocristalelor de ZnO cu tipul suprafeţei controlabil | |
| MD4517C1 (ro) | Procedeu de obţinere a monocristalelor de ZnO din faza gazoasă fără germene | |
| NO20075030L (no) | Materiale og fremgangsmate for partielle oksidasjon av naturgass | |
| CN108609656B (zh) | 一种简单合成铬氧化物的方法 | |
| MD20200024A2 (ro) | Procedeu de obţinere a ceramicii şi filmelor subţiri de ZnO:Ga:Cl la temperaturi scăzute | |
| WO2017146244A8 (ja) | 結晶材料およびその製造方法 | |
| PL420012A1 (pl) | Bezołowiowy, piezoelektryczny materiał ceramiczny oraz sposób jego otrzymywania |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG4A | Patent for invention issued | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) |