MD4734B1 - Способ получения керамики ZnO с высоким сопротивлением и контролируемым стехиометрическим отклонением - Google Patents

Способ получения керамики ZnO с высоким сопротивлением и контролируемым стехиометрическим отклонением

Info

Publication number
MD4734B1
MD4734B1 MDA20180065A MD20180065A MD4734B1 MD 4734 B1 MD4734 B1 MD 4734B1 MD A20180065 A MDA20180065 A MD A20180065A MD 20180065 A MD20180065 A MD 20180065A MD 4734 B1 MD4734 B1 MD 4734B1
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
high resistance
hcl
sintering
controlled stoichiometric
producing zno
Prior art date
Application number
MDA20180065A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD20180065A2 (ru
MD4734C1 (ru
Inventor
Глеб КОЛИБАБА
Виктор СУМАН
Думитру РУСНАК
Original Assignee
Государственный Университет Молд0
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственный Университет Молд0 filed Critical Государственный Университет Молд0
Priority to MDA20180065A priority Critical patent/MD4734C1/ru
Publication of MD20180065A2 publication Critical patent/MD20180065A2/ru
Publication of MD4734B1 publication Critical patent/MD4734B1/ru
Publication of MD4734C1 publication Critical patent/MD4734C1/ru

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способам получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в полупроводниковой технологии.Способ, согласно изобретению, состоит в спекании порошков ZnO методом химической транспортной реакции в закрытом объеме при температуре спекания 900…1150°C, в течении 48...72 часов, с градиентом температуры в области спекания ≤10°C/cm и скоростью охлаждения полученной керамики ≤100°C/час. В качестве транспортных агентов используют HCl с начальным давлением 1…6 атм, H2 с начальным давлением 50…200% от начального давления HCl, и C в количестве ≤HCl (моль).
MDA20180065A 2018-08-22 2018-08-22 Способ получения керамики ZnO с высоким сопротивлением и контролируемым стехиометрическим отклонением MD4734C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20180065A MD4734C1 (ru) 2018-08-22 2018-08-22 Способ получения керамики ZnO с высоким сопротивлением и контролируемым стехиометрическим отклонением

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20180065A MD4734C1 (ru) 2018-08-22 2018-08-22 Способ получения керамики ZnO с высоким сопротивлением и контролируемым стехиометрическим отклонением

Publications (3)

Publication Number Publication Date
MD20180065A2 MD20180065A2 (ru) 2020-02-29
MD4734B1 true MD4734B1 (ru) 2020-12-31
MD4734C1 MD4734C1 (ru) 2021-07-31

Family

ID=69723327

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20180065A MD4734C1 (ru) 2018-08-22 2018-08-22 Способ получения керамики ZnO с высоким сопротивлением и контролируемым стехиометрическим отклонением

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD4734C1 (ru)

Also Published As

Publication number Publication date
MD20180065A2 (ru) 2020-02-29
MD4734C1 (ru) 2021-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018013991A3 (en) Manufacturing apparatus and method for making silicon nanowires on carbon based powders for use in batteries
TW200610765A (en) Raw material for forming thin film and method for producing the same
CN104087772A (zh) 一种制备高致密度钛及钛合金的粉末冶金方法
MY196081A (en) A Hydrogen-Containing Rare Earth Fluoride Compound, the Preparation Method and its Application
MY170698A (en) Polycrystalline silicon rod and method for producing polysilicon
MD4734C1 (ru) Способ получения керамики ZnO с высоким сопротивлением и контролируемым стехиометрическим отклонением
CN110128128B (zh) 一种具有零温度系数及高温稳定性的铁酸铋-铝酸铋-锌钛酸铋高温压电陶瓷及其制备方法
US20190252098A1 (en) Method of producing magnetic material
JP2021511279A5 (ru)
MD4455C1 (ru) Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы без затравки
JP5982058B2 (ja) タングステン酸ジルコニウム
MX2013012096A (es) Metodos para formar materiales policristalinos que incluyen proporcionar material con granos superabrasivos antes del procesamiento hpht, y compactos policristalinos y elementos cortantes formados por tales metodos.
WO2015147933A3 (en) Grain size tuning for radiation resistance
MD151Z (ru) Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе
KR101709755B1 (ko) 등방 가압 고상반응법을 이용한 화합물 형성 방법
MD20150067A2 (ru) Способ получения монокристаллов ZnO из газовой фазы
PL436094A1 (pl) Sposób wytwarzania spieków z azotku tytanu
Liu et al. Grain growth stagnation in the dense nanocrystalline yttria prepared by combustion reaction and quick pressing with an ultra-high heating rate
MD20180024A2 (ru) Способ получения монокристаллов ZnO с контролируемым типом поверхности
MD4517C1 (ru) Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы без затравки
NO20075030L (no) Materiale og fremgangsmate for partielle oksidasjon av naturgass
CN108609656B (zh) 一种简单合成铬氧化物的方法
MD20200024A2 (ru) Способ получения керамики и тонких пленок ZnO:Ga:Cl при низких температурах
WO2017146244A8 (ja) 結晶材料およびその製造方法
PL420012A1 (pl) Bezołowiowy, piezoelektryczny materiał ceramiczny oraz sposób jego otrzymywania

Legal Events

Date Code Title Description
FG4A Patent for invention issued
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)