PL398029A1 - Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożach półprzewodnikowych - Google Patents

Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożach półprzewodnikowych

Info

Publication number
PL398029A1
PL398029A1 PL398029A PL39802912A PL398029A1 PL 398029 A1 PL398029 A1 PL 398029A1 PL 398029 A PL398029 A PL 398029A PL 39802912 A PL39802912 A PL 39802912A PL 398029 A1 PL398029 A1 PL 398029A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
semiconductor substrates
zno nano
hydrothermal process
nano pillars
producing zno
Prior art date
Application number
PL398029A
Other languages
English (en)
Other versions
PL225326B1 (pl
Inventor
Bartłomiej WITKOWSKI
Łukasz WACHNICKI
Marek GODLEWSKi
Original Assignee
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk filed Critical Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Priority to PL398029A priority Critical patent/PL225326B1/pl
Publication of PL398029A1 publication Critical patent/PL398029A1/pl
Publication of PL225326B1 publication Critical patent/PL225326B1/pl

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Przedmiotem wynalazku jest hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożach półprzewodnikowych, a zwłaszcza na podłożach z arsenku galu. Sposób charakteryzuje się tym, że najpierw podłoże półprzewodnikowe zawierające eutektyczne kulki zarodkujące wzrost umieszcza w mieszaninie reakcyjnej o pH wynoszącym 7-12. Mieszanina ta zawiera rozpuszczalnik co najmniej jeden prekursor tlenu i co najmniej jeden prekursor cynku. Następnie temperaturę mieszaniny podnosi się do temperatury 60-95°C i przy ciśnieniu atmosferycznym, przez co najmniej 5 minut prowadzi się wzrost nanosłupków ZnO.
PL398029A 2012-02-06 2012-02-06 Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożach półprzewodnikowych PL225326B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL398029A PL225326B1 (pl) 2012-02-06 2012-02-06 Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożach półprzewodnikowych

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL398029A PL225326B1 (pl) 2012-02-06 2012-02-06 Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożach półprzewodnikowych

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL398029A1 true PL398029A1 (pl) 2013-08-19
PL225326B1 PL225326B1 (pl) 2017-03-31

Family

ID=58408231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL398029A PL225326B1 (pl) 2012-02-06 2012-02-06 Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożach półprzewodnikowych

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL225326B1 (pl)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL241026B1 (pl) * 2019-02-26 2022-07-18 Inst Fizyki Polskiej Akademii Nauk Hydrotermalny sposób wytwarzania warstwy CuO na podłożu

Also Published As

Publication number Publication date
PL225326B1 (pl) 2017-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012094537A3 (en) Multi-nary group ib and via based semiconductor
EA201890238A1 (ru) Способ выращивания нанопроволок или нанопирамидок на графитовых подложках
TW201612179A (en) A process for preparing a crystalline organic semiconductor material
JP2015091740A5 (pl)
SG136030A1 (en) Method for manufacturing compound material wafers and method for recycling a used donor substrate
JP2012084860A5 (pl)
AR086206A1 (es) Proceso para preparar un precursor de catalizador y proceso de sintesis de hidrocarburos
EP2548999A4 (en) GALLIUM NITRIDE CRYSTAL, NITRIDE CRYSTAL OF GROUP 13 ELEMENT, CRYSTALLINE SUBSTRATE, AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF
TWD153878S (zh) 基板運送用固持構件
MX2015006843A (es) Composiciones de liberacion controlada y metodos para su uso.
GR1008013B (el) Μεθοδος ετεροεπιταξιακης αναπτυξης ιιι-νιτριδιων, πολικοτητας μετωπου-μεταλλου ιιι, πανω σε υποστρωματα αδαμαντα
MY174160A (en) Polyvinylidene fluoride resin particles and method for producing same
AR085349A1 (es) Metodo para preparar un precursor de catalizador y proceso de sintesis de hidrocarburos
WO2010060630A3 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von reinstsilzium
AU2014246723A8 (en) A method of preparing pure precious metal nanoparticles with large fraction of (100) facets, nanoparticles obtained by this method and their use
WO2014008453A3 (en) Controlled epitaxial boron nitride growth for graphene based transistors
PL398029A1 (pl) Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożach półprzewodnikowych
EP3042978A4 (en) Method for depositing oxide layer, and layered substrate for epitaxial growth and process for producing same
GB2498854B (en) Semiconductor substrates using bandgap material between III-V channel material and insulator layer
WO2009075321A1 (ja) ＧａＮ層含有積層基板及びその製造方法並びにデバイス
MD4280C1 (ro) Procedeu de creştere a structurii pInP-nCdS
WO2014176186A3 (en) Microbial alkanes from c-1 substrate
PL419727A1 (pl) Sposób wytwarzania nanostruktur kwantowych/heterostruktur oraz trójskładnikowych związków ZnMgO na podłożach zawierających nanostruktury
PL402753A1 (pl) Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO
MD4455B1 (ro) Procedeu de obţinere a monocristalelor de ZnO din faza gazoasă fără germene