MD1545C2 - Purtător pentru imprimarea imaginilor optice şi a informaţiei holografice - Google Patents

Purtător pentru imprimarea imaginilor optice şi a informaţiei holografice Download PDF

Info

Publication number
MD1545C2
MD1545C2 MD99-0219A MD990219A MD1545C2 MD 1545 C2 MD1545 C2 MD 1545C2 MD 990219 A MD990219 A MD 990219A MD 1545 C2 MD1545 C2 MD 1545C2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
thickness
layer
carrier
registration
electrode
Prior art date
Application number
MD99-0219A
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Other versions
MD1545B1 (ro
Inventor
Валериу БИВОЛ
Maria Iovu
Михай ЙОВУ
Elena Hancevschi
Ion Ciumacov
Original Assignee
Biroul Specializat De Constructie Si Tehnologie A Electronicii Corpului Solid Al Institutului De Fizica Aplicata Al Academiei De Stiinte A Republicii Moldova
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Biroul Specializat De Constructie Si Tehnologie A Electronicii Corpului Solid Al Institutului De Fizica Aplicata Al Academiei De Stiinte A Republicii Moldova filed Critical Biroul Specializat De Constructie Si Tehnologie A Electronicii Corpului Solid Al Institutului De Fizica Aplicata Al Academiei De Stiinte A Republicii Moldova
Priority to MD99-0219A priority Critical patent/MD1545C2/ro
Publication of MD1545B1 publication Critical patent/MD1545B1/ro
Publication of MD1545C2 publication Critical patent/MD1545C2/ro

Links

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Holo Graphy (AREA)

Abstract

Invenţia se referă la domeniul fotografiei cu semiconductori fără argint.Purtătorul conţine un substrat dielectric pe care consecutiv sunt plasaţi primul electrod, un strat fotoinjector cu conductibilitatea de tip p, un strat de semiconductor calcogenic vitros şi al doilea electrod, în care stratul fotoinjector este confecţionat din zece perechi de semistraturi alternându-se, cel inferior este confecţionat din As2Se3 cu grosimea de 8-10 nm, iar cel superior din In2S3 cu grosimea de 10-12 nm sau din In2Se3 cu grosimea de 40-50 nm, stratul de imprimare având grosimea de 0,2-0,5 µm, iar al doilea electrod fiind confecţionat din aluminiu cu grosimea de 10-50 nm.Rezultatul constă în majorarea sensibilităţii la lumină a purtătorului de informaţie.
MD99-0219A 1999-08-25 1999-08-25 Purtător pentru imprimarea imaginilor optice şi a informaţiei holografice MD1545C2 (ro)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MD99-0219A MD1545C2 (ro) 1999-08-25 1999-08-25 Purtător pentru imprimarea imaginilor optice şi a informaţiei holografice

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MD99-0219A MD1545C2 (ro) 1999-08-25 1999-08-25 Purtător pentru imprimarea imaginilor optice şi a informaţiei holografice

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD1545B1 MD1545B1 (ro) 2000-09-30
MD1545C2 true MD1545C2 (ro) 2001-04-30

Family

ID=19739458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MD99-0219A MD1545C2 (ro) 1999-08-25 1999-08-25 Purtător pentru imprimarea imaginilor optice şi a informaţiei holografice

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD1545C2 (ro)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD313Z (ro) * 2009-07-08 2011-08-31 Государственный Университет Молд0 Purtător fototermoplastic pentru înregistrarea informaţiei optice

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD313Z (ro) * 2009-07-08 2011-08-31 Государственный Университет Молд0 Purtător fototermoplastic pentru înregistrarea informaţiei optice

Also Published As

Publication number Publication date
MD1545B1 (ro) 2000-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1069605A3 (en) Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon
EP1022773A3 (en) Chip carrier substrate
EP1505648A3 (en) Active matrix display device
SE9403609L (sv) Förfarande för framställning av tunnfilmssolceller
EP1022771A3 (en) Improved contact and deep trench patterning
KR850002172A (ko) 반도체장치 제조방법
EP0390509A3 (en) Semi-conductor device and method of manufacturing the same
MD1545C2 (ro) Purtător pentru imprimarea imaginilor optice şi a informaţiei holografice
EP0414618B1 (fr) Transistor MOS en couche mince avec la zone de canal reliée à la source et son procédé de fabrication
TW345743B (en) Method for forming side contact of semiconductor device
KR920003451A (ko) 자기정렬 방식에 의한 전하 촬상소자의 제조방법
FR2829291A1 (fr) Procede de fabrication de capteur d'image couleur avec ouvertures de contact creusees avant amincissement
KR890005845A (ko) 배리어층을 가지고 있는 알루미늄 합금 반도체 장치 및 그 제조방법
ES550464A0 (es) Un metodo para formar un contacto ohmico
EP1207562A3 (en) Semiconductor device with heavily doped shallow region and process for fabricating the same
HK25484A (en) Semiconductor device and fabrication method
JPS5642366A (en) Manufacture of semiconductor device
EP0936668A3 (en) Method of producing thin film transistor
TW200504927A (en) Method for forming aluminum containing interconnect
KR910015005A (ko) 반도체 디바이스 제조 방법
KR920013787A (ko) 포토 다이오드 제조방법
KR970052367A (ko) 반도체 장치의 콘택홀 형성방법
KR970052434A (ko) 반도체 소자의 금속층 형성 방법
JPS5637666A (en) Semiconductor integrated circuit
KR950015642A (ko) 반도체장치의 금속배선 형성방법