MD1240G2 - Метод тестирования оперативного запоминающего устройства - Google Patents

Метод тестирования оперативного запоминающего устройства

Info

Publication number
MD1240G2
MD1240G2 MD98-0156A MD980156A MD1240G2 MD 1240 G2 MD1240 G2 MD 1240G2 MD 980156 A MD980156 A MD 980156A MD 1240 G2 MD1240 G2 MD 1240G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
testing
signals
storage locations
operative
signal
Prior art date
Application number
MD98-0156A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD1240F1 (en
Inventor
Генадие БОДЯН
Original Assignee
Генадие БОДЯН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Генадие БОДЯН filed Critical Генадие БОДЯН
Priority to MD98-0156A priority Critical patent/MD1240G2/ru
Publication of MD1240F1 publication Critical patent/MD1240F1/xx
Publication of MD1240G2 publication Critical patent/MD1240G2/ru

Links

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

Изобретение относится к вычислительной технике, микроэлектронике и может быть использовано при производстве и эксплуатации сверхбольших схем со встроенными компактными средствами контроля и диагностики.Метод тестирования оперативного запоминающего устройства с одноразрядными логическими ячейками заключается в том, что число тестовых сигналов выбирают равным числу разных устойчивых состояний одной ячейки памяти, в начале цикла тестирования записывают первый и второй тестовые сигналы соответственно в первые две ячейки устройства емкости m (m - число ячеек). Затем повторяют m-2 раза следующую последовательность операций: считывают и суммируют по модулю два содержимое ячеек, где хранятся текущие тестовые сигналы, после чего второй тестовый сигнал считают первым тестовым сигналом, а результат суммирования по модулю два считают вторым тестовым сигналом, записывают второй тестовый сигнал в следующую ячейку оперативного запоминающего устройства. Сравнивают результирующую комбинацию тестовых сигналов с контрольной комбинацией и в случае совпадения выполняют циклы тестирования с другими начальными комбинациями значений тестовых сигналов до первого несовпадения результирующей и контрольной комбинаций, в результате чего делают вывод о неработоспособности оперативного запоминающего устройства.Технический результат заключается в обнаружении константных неисправностей и неисправностей взаимного влияния ячеек памяти за счет введения "обратной связи" и формирования последовательности тестовых сигналов средствами устройства.
MD98-0156A 1998-07-22 1998-07-22 Метод тестирования оперативного запоминающего устройства MD1240G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MD98-0156A MD1240G2 (ru) 1998-07-22 1998-07-22 Метод тестирования оперативного запоминающего устройства

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MD98-0156A MD1240G2 (ru) 1998-07-22 1998-07-22 Метод тестирования оперативного запоминающего устройства

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD1240F1 MD1240F1 (en) 1999-05-31
MD1240G2 true MD1240G2 (ru) 1999-10-31

Family

ID=19739191

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MD98-0156A MD1240G2 (ru) 1998-07-22 1998-07-22 Метод тестирования оперативного запоминающего устройства

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD1240G2 (ru)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD1995G2 (ru) * 2000-07-25 2003-02-28 Генадие БОДЯН Оперативная память с самотестированием
MD2088G2 (ru) * 2001-04-20 2003-08-31 Генадие БОДЯН Устройство псевдокольцевого диагностирования оперативной памяти
MD2292G2 (ru) * 2002-12-31 2004-05-31 Генадие БОДЯН Двухпортовая оперативная память с самотестированием
MD3870G2 (ru) * 2007-03-06 2009-10-31 Генадие БОДЯН Оперативная память с самотестированием и анализом сигнатур
MD3984G2 (ru) * 2008-07-14 2010-06-30 Генадие БОДЯН Оперативная память с компактным самотестированием

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2537323B1 (fr) * 1982-12-01 1988-11-18 Singer Co Procede de controle de l'integrite d'une memoire supplementaire dans une machine a coudre electronique
SU1594612A1 (ru) * 1988-01-18 1990-09-23 Минское Высшее Инженерное Зенитное Ракетное Училище Противовоздушной Обороны Способ контрол сдвигового регистра

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2537323B1 (fr) * 1982-12-01 1988-11-18 Singer Co Procede de controle de l'integrite d'une memoire supplementaire dans une machine a coudre electronique
SU1594612A1 (ru) * 1988-01-18 1990-09-23 Минское Высшее Инженерное Зенитное Ракетное Училище Противовоздушной Обороны Способ контрол сдвигового регистра

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD1995G2 (ru) * 2000-07-25 2003-02-28 Генадие БОДЯН Оперативная память с самотестированием
MD2088G2 (ru) * 2001-04-20 2003-08-31 Генадие БОДЯН Устройство псевдокольцевого диагностирования оперативной памяти
MD2292G2 (ru) * 2002-12-31 2004-05-31 Генадие БОДЯН Двухпортовая оперативная память с самотестированием
MD3870G2 (ru) * 2007-03-06 2009-10-31 Генадие БОДЯН Оперативная память с самотестированием и анализом сигнатур
MD3984G2 (ru) * 2008-07-14 2010-06-30 Генадие БОДЯН Оперативная память с компактным самотестированием

Also Published As

Publication number Publication date
MD1240F1 (en) 1999-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6337894A (ja) ランダムアクセスメモリ
JPH04293135A (ja) メモリアクセス方式
US6577547B2 (en) Semiconductor memory device
JPS60261148A (ja) 半導体装置
JP3201335B2 (ja) メモリアドレス発生回路及び半導体記憶装置
MD1240G2 (ru) Метод тестирования оперативного запоминающего устройства
KR950014551B1 (ko) 반도체기억장치 및 그 출력제어방법
CN1133173C (zh) 用于检测数字半导体电路装置的测试电路和方法
EP0263312A2 (en) Semiconductor memory device with a self-testing function
US6611929B1 (en) Test circuit for memory
KR100371476B1 (ko) 반도체 집적 회로
JPH02260200A (ja) 複数ビット並列テスト機能を有する半導体記憶装置における複数ビット並列機能テスト方法
JPH0812226B2 (ja) 半導体装置
KR19990067519A (ko) 메모리테스트회로
KR100556469B1 (ko) 인터리브/디인터리브 장치
JPH03194800A (ja) リアルタイムアドレス切換回路
JPH02122500A (ja) 半導体メモリ
JPS63108747A (ja) ゲ−トアレイ集積回路
JPH0376090A (ja) 半導体記憶装置
JP2615062B2 (ja) 半導体記憶装置
JPH02244490A (ja) ランダムアクセスメモリ
JPS637600A (ja) 半導体メモリのテスト回路
JPS63228493A (ja) 半導体メモリ
JPH02244481A (ja) ランダムアクセスメモリ
JP3281898B2 (ja) メモリ搭載半導体装置及びメモリテスト方法

Legal Events

Date Code Title Description
PD99 Pending application