LU86664A1 - Dispositif et procede de formation d'un revetement sur du verre - Google Patents

Description

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La présente invention concerne un dispositif pour la formation par pyrolyse d'un revêtement de composé métallique sur la face supérieure d'un substrat de verre chaud en forme de feuille ou de ruban/ comprenant des moyens de 5 transport pour acheminer un tel substrat vers l'aval le long d'un parcours, un poste de traitement comprenant un toit délimitant une chambre ouverte vers le bas sur le dit parcours et des moyens pour pulvériser une solution formatrice de revêtement dans la dite chambre, vers le bas et en direc-10 tion du substrat. L'invention concerne également un procédé de formation par pyrolyse d'un revêtement de composé métallique sur la face supérieure d'un substrat de verre chaud en forme de feuille ou de ruban pendant son acheminement vers l'aval le long d'un parcours au travers d'une chambre dans 15 laquelle au moins un courant de solution formatrice de revêtement est pulvérisé vers le bas et en direction du substrat.

De tels dispositifs et de tels procédés sont utiles pour fabriquer du verre portant des revêtements destiné à 20 différents usages; le revêtement est choisi pour conférer au verre des propriétés particulières. Des exemples spécialement importants de revêtements qui peuvent être appliqués sur du verre sont ceux destinés à réduire l'émissivité de la face portant le revêtement vis-à-vis du rayonnement infra-25 rouge, spécialement du rayonnement infra-rouge ayant des longueurs d'ondes supérieures à 3pm, et ceux destinés à réduire le facteur de transmission énergétique totale du verre portant le revêtement vis-à-vis du rayonnement solaire. Il est connu, par exemple, de pourvoir du verre 30 d'un -revêtement à faible émissivité vis-à-vis de l'infrarouge constitué de dioxyde d'étain, pour conserver la chaleur, et il est également connu de pourvoir du verre d'un revêtement réduisant le facteur de transmission énergétique ^ solaire constitué d'un oxyde métallique tel que du dioxyde 35 de titane ou d'un mélange d'oxydes métalliques tel que Fe203 + CoO + Cr203, dont le but principal est de réduire l'apport calorifique dû au soleil ou l'éblouissement.

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I * * 11 est évident que des revêtements appliqués sur du ’ verre destiné à des vitrages doivent posséder une qualité optique élevée et uniforme. Parce que les revêtements sont habituellement appliqués en des épaisseurs comprises entre 5 30nm et 1200nm, en fonction de la nature de la matière constituant le revêtement et des propriétés requises, des variations d'épaisseur du revêtement peuvent donner nais-sance à des effets d'interférence préjudiciables, et de ce fait, une épaisseur uniforme est importante pour une bonne ^ 10 qualité optique. Mais il est également particulièrement important que les revêtements soient exempts de taches ou d'autres défauts localisés et qu'ils possèdent une structure cristalline régulière et uniforme.

Il n'est en tout cas pas facile de former, par 15 pyrolyse, des revêtements qui ont uniformément une bonne qualité optique, particulièrement à des vitesses de dépôt assez élevées telles que celles requises pour former des revêtements épais sur des substrats en verre se déplaçant rapidement, par exemple un revêtement d'oxyde d'étain de 20 750nm d'épaisseur sur un ruban-fraîchement formé de verre flotté se déplaçant à plus de 8 mètres par minute. Des défauts d'uniformité d'épaisseur, de composition et/ou de structure sont fort susceptibles d'apparaître dans une installation de revêtement à échelle industrielle et de 25 nombreuses recherches ont été consacrées à trouver une solution à ce problème.

De telles recherches ont exploré les possibilités d'utilisation de dispositifs pour mettre en oeuvre deux techniques de dépôt de revêtements, à savoir le dépôt à 30 partir de matière formatrice de revêtement en phase vapeur, et le dépôt à partir de matière formatrice de revêtement en ’ï, phase liquide.

Dans le le cas du dépôt en phase vapeur, la recher-ehe a conduit à une technique dans laquelle on fait entrer 35 de la matière formatrice de revêtement en phase vapeur dans une chambre et on la fait s'écouler en un courant régulier, bien contrôlé, non turbulent et uniforme en contact avec le .

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i i.

jfc -tr substrat à revêtir. Cependant, quoique nous ayons trouvé que cette technique peut aboutir à la formation d'un revêtement de structure fine et uniforme, nous n'avons pas été à même d'obtenir une régularité d'épaisseur satisfaisante, compa-b tible avec les exigences commerciales, spécialement pour des vitrages de grandes dimensions, telles que la pratique ^ architecturale moderne l'exige de plus en plus. Il a simple ment été impossible de construire des dispositifs qui permettent d'exercer le degré voulu de contrôle sur l'introduc-*-i 10 tion de la matière formatrice de revêtement dans la chambre pour qu'elle s'écoule uniformément et régulièrement en contact avec le verre lorsqu'on opère à une échelle commerciale; il en résulte que des variations imprévisibles d'épaisseur sont présentes dans les revêtements formés et 15 qu'une certaine proportion de verre à couche produit n'est pas de qualité acceptable. De plus, il est nécessaire d'utiliser une matière formatrice de revêtement assez volatile et ceci représente une limitation indésirable dans le choix de réactifs disponibles. De plus, des procédés connus de 20 revêtement en phase vapeur ne se prêtent pas facilement à la formation de revêtements ayant une épaisseur supérieure à 400nm, spécialement lorsque le verre doit se déplacer assez rapidement pour obéir aux critères d'utilisation d'autres installations utilisées dans le programme de production 2b industrielle.

Afin de former des revêtements épais, il est habituel d'utiliser un dispositif de revêtement en phase liquide ou par pulvérisation, pour pulvériser un courant de gouttelettes de solution de matière formatrice de revêtement sur 30 le substrat. Un tel dispositif simplifie la manipulation de quantités importantes de matière formatrice de revêtement ~~ requises, mais il présente certains désavantages. D'abord, il existe un risque important que le contact entre les quantités habituellement assez importantes de solutions de 35 revêtement pulvérisées et le substrat en verre chaud donne naissance à des gradients thermiques raides à l'intérieur du verre, et il en résulte que, lors du refroidissement qui à.

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4.

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suit l'opération de revêtement/ des contraintes élevées s'installent dans le verre. Ceci peut rendre très difficile la découpe du verre en feuilles ou en feuilles plus petites si cela est nécessaire, et rend le verre facilement cassant. h Ensuite, il est très difficile d'obtenir un revêtement de qualité élevée et uniforme.

^ Dans la recherche d'améliorations de la qualité, l'attention a d'abord été concentrée sur les conditions à, et dans le voisinage immédiat de la zone où les gouttelettes 10 de matière pulvérisée atteignent le verre. Des défauts de revêtement sont très susceptibles de se produire dans cette région en raison de l'entraînement de produits de réaction contenus dans l'environnement gazeux, par le courant de gouttelettes pulvérisées, pu en raison de l'éclaboussement 15 des gouttelettes à leur impact sur le verre. Afin d'éviter de tels défauts, différentes propositions ont été faites, comprenant la génération de courants gazeux pour balayer la matière pouvant être nuisible hors de l'ambiance située au voisinage immédiat de la zone d'impact. Dans un procédé 20 connu, un ruban continu de verre est acheminé au travers d'une chambre où on pulvérise une solution de matière formatrice de revêtement par une tête de pulvérisation animée d'un mouvement transversal de va-et-vient. La tête de pulvérisation est contrôlée de manière à obtenir une amenée 2b stable de gouttelettes à la zone d'impact et un courant gazeux de balayage est soufflé le long du verre au travers de cette chambre, de manière à nettoyer l'ambiance dans ce parcours transversal, au devant du courant de gouttelettes. Le courant gazeux de balayage peut être continu, et dans ce 30 cas, il atteint inévitablement le courant de gouttelettes pulvérisées. Mais dans ce cas, on prend soin de réduire la vitesse du courant gazeux de balayage de manière qu'il ne trouble pas les conditions de continuité et de stabilité à la zone d'impact.

35 L'apport continu et régulier de gouttelettes requis est conditionné par une énergie cinétique de pulvérisation suffisamment basse. Pour cette raison, l'emploi de ce dispo- 5.

À.

j* sitif est limité en ce gui concerne les quantités de revêtement que l'on peut former en un temps donné (taux de formation de revêtement).

Dans le but de former plus rapidement des revê-5 tements de bonne qualité, on a proposé d'utiliser un jet pulvérisé de beaucoup plus grande énergie et de souffler simultanément des courants gazeux forts contre le et autour du courant de gouttelettes pulvérisées dans le voisinage de la 2one d'impact de sorte que les gouttelettes qui éclabous-10 seront et rebondiront du verre seront immédiatement entraînées. Quoique la formation de quantités de revêtement en un temps donné (taux de formation de revêtement) plus élevées soit possible par ce procédé, pour éviter la formation de revêtements défectueux résultant de l'éclaboussement des 15 gouttelettes, il est nécessaire que l'/les ajutage(s) de soufflage du gaz de balayage soient très soigneusement dirigés et contrôlés. Le gaz de balayage doit être délivré par des ajutages gui sont étroitement associés avec la tête de pulvérisation et se déplacent de manière solidaire avec 20 elle le long de son parcours transversal. Lorsqu'on utilise ce procédé de pulvérisation à haute énergie, le verre est particulièrement susceptible de subir des tensions élevées, et on a en outre trouvé que le revêtement peut contenir des défauts à une fréquence inacceptable, même après les ajuste-25 ments les plus soigneux de la tête de pulvérisation et des ajutages de soufflage du gaz de balayage qui lui sont associés.

Nous avons trouvé, lorsqu'on utilise le dispositif de pulvérisation connu, malgré un contrôle soigneux de 30 l'ambiance de pulvérisation, que les revêtements n'ont souvent pas les caractéristiques structurelles nécessaires t pour une qualité optique élevée et qu'il est difficile d'obtenir ces caractéristiques de manière sûre et reproduc-tible, la difficulté étant d'autant plus grande que le taux 35 de revêtement escompté est élevé. En particulier, nous avons trouvé que les revêtements résultants présentent un voile élevé et, ce qui est davantage préjudiciable, ce voile est v 6.

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irrégulier sur la surface du revêtement.

On des objets de la présente invention est de fournir un dispositif apte à former des revêtements de haute qualité optique et de structure uniforme de manière sûre et 5 reproductible, même à des taux de formation de revêtement élevés, et sans induire de contraintes thermiques élevées dans le substrat de verre.

La présente invention fournit un dispositif pour la formation par pyrolyse d'un revêtement de composé métallique 10 sur la face supérieure d'un substrat de verre chaud en forme de feuille ou de ruban, comprenant des moyens de transport pour acheminer un tel substrat vers l'aval le long d'un parcours, un poste de traitement comprenant un toit délimitant une chambre ouverte vers le bas sur le dit parcours 15 et des moyens pour pulvériser une solution formatrice de revêtement dans la dite chambre, vers le bas et en direction du substrat, caractérisé en ce que: - les moyens de pulvérisation sont disposés de manière à pulvériser la dite solution formatrice de revêtement dans 20 une zone de pulvérisation de la dite chambre depuis une hauteur d'au moins 75cm au-dessus du parcours du substrat; - des moyens de chauffage sont présents et fournissent de la chaleur à la dite zone de pulvérisation; - le toit délimite une portion de la dite chambre formant un 25 passage vers l'aval de la dite zone de pulvérisation et conférant à la chambre une longueur totale d'au moins 2 mètres; - et des moyens sont présents pour générer des forces d'aspiration agissant sur l'atmosphère située à l'intérieur du 30 passage en favorisant l'écoulement de la matière qui la constitue le long du parcours du substrat vers l'extrémité - aval du dit passage et la pénétration de celle-ci dans une canalisation d'évacuation qui l'écarte du parcours du substrat.

35 ün dispositif selon l'invention est plus économique à l'emploi qu'un dispositif traditionnel de revêtement en phase vapeur dans lequel la matière formatrice de revêtement ri 4- 7.

doit être vaporisée avant d'entrer en contact avec le verre, et il est de construction plus simple que les dispositifs de pulvérisation connus, en particulier parce qu'on évite les problèmes associés à l'éclaboussement et à l'entraînement de 5 grandes quantités pulvérisées de solution de matière formatrice de revêtement en dehors de la zone où le revêtement est formé.

Lorsqu'on utilise un dispositif selon l'invention tel que décrit ci-dessus, on a trouvé qu'il est beaucoup 10 plus facile de former de manière sûre et reproductible des revêtements de haute qualité optique et de structure uniforme, même à des taux de formation de revêtements élevés et sans induire de contraintes thermiques élevées dans le verre. En particulier, on a trouvé qu'il est beaucoup plus 15 facile d'obtenir des revêtements ayant peu de voile, et uniformément réparti.

Evidemment, afin d'obtenir une telle haute qualité reproductible de revêtement, le dispositif doit être utilisé de manière appropriée, mais la combinaison de caractéris-20 tiques du dispositif tel que décrit ci-dessus est particulièrement avantageuse pour faciliter le contrôle des conditions à l'intérieur de la chambre. On a trouvé que pour obtenir ces bons résultats, en utilisant le dispositif, il est préférable de contrôler les conditions de dépôt de 25 manière qu'une proportion substantielle de la solution de matière formatrice de revêtement soit évaporée avant qu'elle n'entre en contact avec le substrat, de telle manière que l'atmosphère dans la zone de pulvérisation soit chargée de vapeur de matière formatrice de revêtement qui est ensuite 30 emmenée le long du passage où elle recouvre le substrat et reste en contact avec lui.

En fait, ceci représente une orientation entièrement différente de l'enseignement des techniques antérieures dans ce domaine. On a cru jusqu'à présent nécessaire 35 de contrôler les conditions de dépôt de telle manière qu'aussi peu de matière formatrice de revêtement que possible soit vaporisée, de façon à éviter qu'elle ne réagisse 8.

1 «-* avec l'atmosphère au sein de la zone de pulvérisation et ne forme des produits de réaction gui pourraient se déposer sur le substrat et former des défauts sur le revêtement. On a également cru nécessaire d'aspirer l'excès de matière forma -5 trice de revêtement et les produits de réaction de l'environnement du substrat aussitôt que posssible, de nouveau pour éviter des dépôts nuisibles sur le substrat, et des longueurs de zones de revêtement de 60cm à 100cm sont typiques dans les techniques antérieures.

10 Les raisons pour lesquelles l'utilisation d'un tel dispositif favorise de meilleures normes de qualité de revêtement ne sont pas entièrement claires, mais le fait est qu'avec l'aide d'un tel dispositif, on est capable de produire des revêtements dont le voile est plus uniforme et 15 plus faible que cela n'a été possible auparavant. Les revêtements formés peuvent avoir une haute qualité optique, et une épaisseur régulière et prévisible. En outre, par l'emploi d'un tel dispositif, on peut former ces revêtements plus rapidement sur des substrats en verre, et donc fabri-20 quer des revêtements plus épais ou sur des substrats se déplaçant plus rapidement que cela n'a été possible jusqu'à maintenant.

Un usage particulièrement important d'un dispositif selon l'invention est la formation de revêtements d'oxyde 25 d'étain à partir de chlorure stanneux en tant que matière formatrice de revêtement. Des revêtements d'oxyde d'étain, qui réduisent l'émissivité vis-à-vis du rayonnement infrarouge de grande longueur d'onde des surfaces de feuilles de verre sur lesquelles ils sont déposés, sont largement uti-30 Usés pour réduire la transmission calorifique des structures vitrées. Ceci, évidemment, est seulement un exemple de i destination du dispositif. A titre d'autre exemple, le dispositif peut être utilisé pour former un revêtement de dioxyde de titane ou d'un mélange d'oxydes tel qu'un mélange 35 d'oxyde de cobalt, de fer et de chrome.

Le dispositif est particulièrement avantageux pour former rapidement des revêtements, ainsi qu'il est par t- 9.

exemple, nécessaire pour former des revêtements relativement épais, par exemple un revêtement de 500nm à lOOOnm d'épaisseur, sur un ruban de verre fraîchement formé se déplaçant de plusieurs mètres par minute depuis une cuve de flottage 5 ou une autre installation de formage de verre plat.

De préférence, la chambre a une longueur d'au moins b mètres. On a trouvé que cette disposition est particulièrement avantageuse pour la formation de revêtements relativement épais, par exemple ceux de 500nm d'épaisseur ou 10 davantage, parce que, pour une vitesse donnée de déplacement du substrat, elle permet un temps de contact plus long entre la vapeur de matière formatrice de revêtement et le substrat, pour déposer de la matière formatrice de revêtement additionnelle et/ou conditionner la matière déjà déposée.

15 Dans des formes spécialement préférées de réalisa tion de l'invention, les moyens de pulvérisation sont disposés de manière à pulvériser la dite solution formatrice de revêtement depuis une source située à au moins 1 mètre, et de préférence à au moins 1,2 mètres, au-dessus du parcours 20 du substrat. Ceci permet un long trajet de la matière pulvérisée, ce qui donne plus de temps pour l'évaporation de cette matière avant qu'elle n'entre en contact avec le verre, et implique une zone de pulvérisation élevée qui peut ainsi servir de réservoir de matière évaporée d'où 2b cette matière est extraite en aval vers l'intérieur du passage. Un dispositif comprenant cette caractéristique préférée peut être opposé aux dispositifs connus antérieurement dans lesquels une hauteur de pulvérisation de 30cm ou moins est habituelle.

30 Dans des formes spécialement avantageuses de réali sation de l'invention, à l'extrémité aval de la zone de ; pulvérisation, le toit descend substantiellement vertica lement pour délimiter une fente de sortie menant au dit passage. Ceci confère des avantages très importants. L'effet 35 de réservoir dans la zone de pulvérisation est amélioré, de sorte qu'il est plus facile d'en extraire de la matière de l'atmosphère gui soit uniformément chargée en vapeur de V- 10.

Λ matière formatrice de revêtement et de l'amener vers l'intérieur du passage, et en outre, que l'atmosphère chargée de vapeur est forcée de s'écouler vers le bas en direction du substrat.

5 De préférence, la hauteur de la dite fente de sortie est au plus égale à la moitié de la hauteur entre la source de pulvérisation et le parcours du substrat. On a trouvé que ceci procure la place nécessaire à un bon mélange de matière de l'atmosphère dans la moitié supérieure de la 10 zone de pulvérisation non en ligne avec la fente de sortie, et en outre favorise l'uniformité avec laquelle l'atmosphère peut y être chargée de vapeurs de matière formatrice de revêtement.

Avantageusement, sur une partie au moins de sa 15 longueur, le passage a une hauteur inférieure à celle de la zone de pulvérisation. La matière de l'atmosphère s'écoulant le long d'un tel passage moins haut est de la sorte forcée de s'écouler relativement près du substrat, de sorte que la vapeur de matière formatrice de revêtement qui y est entraî-20 née peut agir sur le revêtement.

Dans certaines formes préférées de réalisation de l'invention, le toit converge vers l'aval en direction du parcours du substrat sur la longueur du dit passage. Ceci améliore l'accumulation vers le bas de matière de l'atmos-25 phère à l'intérieur du passage, malgré la diminution du volume de cette matière pendant son déplacement dans la direction aval.

Dans d'autres formes préférées de réalisation de l'invention, le toit comporte une paroi au dessus du par-30 cours du substrat qui délimite une fente de sortie de la zone de pulvérisation et qui sépare cette zone du dit passage, ce passage ayant une hauteur plus grande que celle de la fente de sortie. Dans de telles constructions, des courants atmosphériques pénétrant dans le passage depuis la 35 fente de sortie ralentiront naturellement, et il est possible de compter au moins en partie sur la densité élevée des vapeurs de matière formatrice de revêtement pour qu'elles t .

y restent en contact avec un substrat se déplaçant au travers du dispositif.

Dans des formes spécialement avantageuses de réalisation de l'invention, les moyens de pulvérisation sont 5 disposés de manière à pulvériser la matière formatrice de revêtement vers le bas et dans la direction aval. Ceci favorise la distribution de la matière formatrice de revêtement tout en maintenant un écoulement général vers l'aval dans la chambre, allonge la trajectoire de la matière pulvé-10 risée par comparaison avec une pulvérisation verticale depuis la même hauteur en allongeant ainsi le temps d'évaporation de la solution, et facilite le placement de moyens de chauffage dans la zone de pulvérisation de manière qu'ils aient un effet direct sur la matière pulvérisée.

15 De préférence, des moyens sont présents pour déli vrer de la matière formatrice de revêtement et au moins un courant gazeux dans la dite zone de pulvérisation dans des directions qui s'entrecoupent. Ceci constitue un moyen très simple pour assurer le mélange des matières qui seront 20 introduites dans la zone de pulvérisation pendant l'utilisation du dispositif, sans nécessiter d'appareil de mélange spécial qui devrait être à même de résister à l'atmosphère chaude et corrosive générée dans cette zone.

Avantageusement, il y a au moins un dispositif pour 25 délivrer du gaz ayant un orifice disposé dans la moitié supérieure de la hauteur comprise entre la source de pulvérisation et la dite face de substrat. L'emploi d'un tel dispositif est très efficace pour favoriser le mélange sans trop perturber l'atmosphère immédiatement au-dessus du 30 parcours du substrat.

Dans des formes spécialement préférées de rêali-- sation de l'invention, des moyens sont présents pour pré chauffer au moins un tel courant de gaz. Ceci empêche la i condensation de la matière pulvérisée. Il est souhaitable 35 d'éviter la condensation de vapeurs de matière formatrice de revêtement sur les parois et le plafond de la chambre parce ceci provoquerait de la corrosion et ferait courir le risque .1 12.

que de la matière condensée goutte sur un substrat et salisse un revêtement formé.

Dans certaines formes préférées de réalisation de l'invention, au moins un dispositif pour délivrer du gaz est 5 disposé de manière à décharger un tel courant de gaz depuis un endroit situé en amont de l'axe de pulvérisation de matière formatrice de revêtement. L'amenée de gaz par de tels moyens favorise une bonne circulation de courants gazeux à l'intérieur de la chambre.

10 De préférence, des moyens de chauffage par rayon nement dirigés vers le bas sont placés au dessus de la zone de pulvérisation. Ceci constitue une manière très simple de fournir de la chaleur pour évaporer la solution de revêtement pulvérisée. De tels moyens de chauffage sont éga-15 lement utiles pour augmenter la température dans la zone de pulvérisation de manière que la formation du revêtement puisse au moins débuter à plus haute température, ce qui est avantageux pour le rendement et la durabilité du revêtement formé, et pour empêcher la condensation au plafond de la 20 zone de pulvérisation.

De préférence, des moyens sont présents pour chauffer le dit passage par le haut. De tels moyens de chauffage sont utiles pour augmenter la température à l'intérieur du passage de manière que le revêtement soit terminé et condi-25 tionné à plus haute température, ce qui est avantageux pour la dureté et la durabilité du revêtement formé, et pour empêcher la condensation au plafond du passage.

Dans certaines formes préférées de réalisation de l'invention, en amont de l'axe de pulvérisation des moyens 30 de pulvérisation de la matière formatrice de revêtement, des moyens sont présents pour décharger un jet de gaz vers le i bas au voisinage du dit axe de pulvérisation, de manière à protéger la matière formatrice de revêtement pulvérisée. Ceci contribue à éviter l'entraînement de toute matière 35 indésirable, par exemple des produits de réaction, dans la partie arrière du courant.

De préférence, les moyens de pulvérisation de

Jt 13.

s matière formatrice de'revêtement comprennent un ajutage de pulvérisation et des moyens pour déplacer de manière répétitive un tel ajutage le long d'un parcours transversal au parcours du substrat. Ceci favorise le mélange de la matière 5 formatrice de revêtement évaporée dans l'atmosphère de la zone de pulvérisation de la chambre.

Des moyens sont avantageusement présents pour déplacer de manière répétitive les moyens de déchargement d'un jet de gaz de protection le long d'un parcours transit) versai au dit parcours du substrat en tandem avec l'ajutage de pulvérisation de matière formatrice de revêtement. Ceci permet une protection efficace du jet pulvérisé tout en introduisant des quantités relativement faibles de gaz de protection.

15 Dans certaines formes préférées de réalisation de l'invention, des moyens sont présents pour souffler du gaz vers le haut de chaque côté du parcours du substrat dans la zone de pulvérisation. On peut utiliser de tels moyens de soufflage pour former des écrans gazeux contre les parois 20 latérales de la zone de pulvérisation de la chambre qui servent à protéger ces parois contre les effets corrosifs de la matière pulvérisée et de ses produits de réaction. De tels écrans gazeux peuvent aussi empêcher la matière pulvérisée, particulièrement lorsque des quantités relativement 25 faibles sont pulvérisées, de passer en dessous du parcours du substrat où elle pourrait former un revêtement indésiré sur la face inférieure d'un substrat.

De préférence, une canalisation d'évacuation est disposée à l'extrémité aval de la dite chambre et possède 30 une ou plusieurs entrées disposées au dessus du parcours du substrat et s'étendant au travers d'au moins la majeure t partie de sa largeur. Une telle canalisation d'évacuation est de construction simple et est très facile à placer, et ' elle permet une aspiration de matière efficace, hors du 35 parcours du substrat. L'utilisation d'une telle canalisation est particulièrement bien adaptée pour entraîner la matière aspirée substantiellement dans la direction aval jusqu'à ce Ä 14.

* qu'elle pénètre dans la canalisation, ce qui apporte un minimum de perturbation de l'écoulement à l'intérieur du passage. L'adoption de cette caractéristique est très souhaitable lorsque de grandes quantités de solution de 5 matière formatrice de revêtement sont pulvérisées dans la chambre.

Une pelle incurvée est avantageusement présente à une telle entrée d'évacuation. On a trouvé que cette disposition permet une aspiration très efficace de produits de 10 réaction et de matière formatrice de revêtement non utilisée, puisqu'une telle matière de l'atmosphère peut s'écouler régulièrement à l'intérieur de la canalisation d'évacuation. Ceci présente des avantages pratiques très importants, spécialement lorsqu'on forme des revêtements relati-15 vement épais, par exemple pour former un revêtement d'oxyde d'étain d'émissivité réduite. On préfère que cette pelle d'évacuation soit déplaçable pour ajuster le jour entre sa base et le parcours le long duquel le verre se déplace, par exemple au moyen d'un montage pivotant, de manière à fermer 20 au maximum l'extrémité aval de la chambre.

En fonction des conditions de pression qui régnent au-dessus et en-dessous du substrat dans la chambre, l'atmosphère chargée de matière formatrice de revêtement peut avoir tendance à s'écouler en-dessous du substrat où elle 25 déposera un revêtement indésiré sur sa face inférieure. En fonction du profil de courants atmosphériques dans et en dessous de la chambre, ce revêtement indésirable peut être plus ou moins régulier, et si mince qu'il donne naissance à des effets d'interférence hautement préjudiciables; par 30 exemple, ce peut être un revêtement plus ou moins régulier dont l'épaisseur décroît en direction du centre du substrat, ou ce peut être un revêtement assez irrégulier d'un profil qui pourrait rappeler les marques d'un jeu de jacquet.

£ Cette tendance est dans une certaine mesure inhibée par le 35 placement de moyens de soufflage dirigés vers le haut sur les côtés de la zone de pulvérisation ainsi qu'on l'a décrit ci-dessus. Mais alternativement, de la matière de 15 .

Λ * l'atmosphère peut avoir tendance à s'écouler vers le haut i depuis le dessous du parcours du substrat et à diluer la concentration en vapeur de matière formatrice de revêtement, spécialement sur les côtés de la chambre. Cela n'est pas 5 souhaitable puisque cela peut conduire à la formation de revêtement à partir de la phase vapeur insuffisant sur les marges du substrat ou à un conditionnement insuffisant des marges revêtues d'un tel substrat, et dès lors, dans des formes particulièrement avantageuses de réalisation de 10 l'invention, des moyens sont présents pour empêcher l'écoulement de matière de l'atmosphère au-delà des bords latéraux du parcours du substrat et entre des zones situées verticalement au-dessus et verticalement en dessous de ce parcours, sur au moins une partie de la longueur de la chambre.

15 De préférence, les moyens pour empêcher l'écou lement comprennent des déflecteurs, ce qui constitue une manière très simple d'obtenir le résultat désiré. De tels déflecteurs peuvent être disposés de manière à créer une chambre substantiellement fermée, de manière que l'atmos-20 phère à l'intérieur ne soit pas affectée par des courants gazeux externes, üne manière très simple et préférée d'obtenir une fermeture substantielle est de choisir des rouleaux de convoyeur ayant une zone de moindre diamètre à chaque bord du parcours du substrat de manière à délimiter 25 un espace qui s'adapte aux dits déflecteurs entre les rou leaux et les bords du parcours du substrat. Ceci permet de revêtir la totalité de la face supérieure du substrat.

Nous avons mentionné le placement d'une canalisation d'évacuation en travers du parcours du substrat à 30 l'extrémité aval du passage de la chambre. Cependant, disposer des moyens pour exercer des forces d'aspiration à ce ; seul emplacement peut donner naissance à une concentration de vapeur de matière formatrice de revêtement plus élevée e le long du centre du passage que sur les bords du parcours 3b du substrat. Ceci constitue une autre cause possible de revêtements non satisfaisants des bords du substrat. Afin de réduire cette tendance et d'augmenter la largeur utile du ti 16.

substrat revêtu, on préfère spécialement que des moyens soient présents pour générer des forces d'aspiration dans une canalisation d'évacuation latérale disposée de manière à faire s'écarter de la matière de l'atmosphère surmontant 5 le parcours du substrat du centre du dit parcours, sur au moins une portion du dit passage. L'adoption de- cette caractéristique préférée donne des avantages qu'on considère comme particulièrement importants. Elle favorise une bonne dispersion de l'atmosphère chargée de matière formatrice de 10 revêtement sur la totalité de la largeur du substrat, augmentant ainsi la largeur finie du revêtement du substrat. Elle est également utile pour enlever l'excès de matière formatrice de revêtement et de produits de réaction avant qu'ils n'atteignent l'extrémité du passage, en réduisant 15 ainsi le risque de corrosion des parois de ce passage. De plus, elle permet l'enlèvement de produits de réaction et l'excès de matière formatrice de revêtement qui pourraient se fixer sur le revêtement et le salir. En outre, si l'atmosphère en-dessous du parcours du substrat a tendance à 20 s'écouler vers le haut au-delà de ses bords, cette tendance est inhibée sur la zone d'aspiration latérale. Ces avantages sont accrus si, ainsi qu'on le préfère, la dite canalisation d'évacuation est disposée de manière à aspirer de la matière de l'atmosphère, latéralement, sur une zone s'étendant 25 substantiellement sur la totalité du dit passage.

Dans certaines formes préférées de réalisation de l'invention, la dite canalisation d'évacuation latérale possède des entrées qui sont disposées en-dessous du niveau du parcours du substrat. Cette disposition est avantageuse 30 parce qu'elle facilite le contrôle visuel des conditions à l'intérieur du passage par des ouvertures qui peuvent être : pratiquées dans ses parois latérales, et à l'usage, elle facilite la finition du revêtement en maintenant contre la î face du substrat qu'on revêt une couche de vapeurs denses de 35 matière formatrice de revêtement.

Une cause de défauts dans un revêtement formé par pyrolyse est due à des particules de matière étrangère qui t* 17.

peuvent être incorporées dans le revêtement pendant sa formation. Pendant l'opération de revêtement, la chambre se charge de matière formatrice de revêtement non utilisée et de produits de réaction, y compris des produits de réaction 5 intermédiaires. On notera que ces produits et d'autres polluants tels que de la poussière (la matière formatrice de revêtement est elle-même considérée comme polluant partout où elle peut entrer en contact avec le verre chaud hormis dans la chambre) tendent à se répandre vers l'amont depuis r 10 la chambre dans laquelle la matière formatrice de revêtement est déchargée, aussi petite que soit l'ouverture d'entrée du verre dans cette chambre, et en fait ces polluants peuvent entrer en contact avec le verre avant qu'il n'atteigne la zone de revêtement et former des dépôts nuisibles sur le 15 substrat, y rester et être incorporés dans le revêtement en tant que défauts, par exemple à l'interface revêtement/verre ou dans l'épaisseur du revêtement.

Avantageusement, des moyens sont présents pour décharger du gaz dans l'environnement du substrat, de mani-20 ère à former un courant continu s'écoulant vers l'aval en-dessous de chaque bord du parcours du substrat et le long d'au moins une partie de la longueur du parcours occupée par la dite chambre.

De manière surprenante, on a trouvé que l'emploi •25 d'un dispositif incorporant cette caractéristique préférée a pour résultat de clarifier de manière significative l'atmosphère qui serait en contact avec le verre avant son entrée dans la chambre, de sorte qu'il y a une réduction considérable de la quantité de polluants aptes à former des dépôts 30 nuisibles sur le verre avant son revêtement.

Une explication possible de ce phénomène est la : suivante.

En amont de la chambre, il y aura une installation de chauffage du substrat en verre, ou de formage du subs-35 trat en verre chaud, et en aval de la chambre, il y aura habituellement des moyens, tels que par exemple une galerie de recuisson, permettant le refroidissement contrôlé du t* 18.

substrat portant le revêtement. Dans de telles constructions, il peut y avoir un courant de retour de matière de l'atmosphère gui s'écoule dans la direction amont en-dessous du parcours du substrat. Ce courant de retour qui s'écoule 5 vers l'amont peut monter au-dessus du parcours du substrat, de sorte que des polluants entraînés par lui sont susceptibles de se déposer sur le substrat en formant des défauts noyés dans le revêtement.

L'emploi d'un dispositif ayant cette caractéris-^ 10 tique préférée de l'invention offre également certains avantages très importants pour la qualité du produit en réduisant le risque de formation de revêtement sur la face inférieure.

Ces avantages sont accrus si, ainsi qu'on le pré- 15 fère, les moyens pour décharger du gaz pour former un tel courant en-dessous du niveau du parcours du substrat sont disposés de manière à décharger du gaz pour former un tel courant au travers de la largeur totale du parcours du substrat.

20 De préférence, des moyens sont présents pour pré chauffer le gaz à décharger pour former un tel courant en-dessous du niveau du substrat, par exemple jusqu'à une cinquantaine de °C de la température moyenne du substrat immédiatement avant son revêtement, de manière à réduire 2b tout effet que l'injection de ce gaz peut avoir sur la température du substrat et/ou de 1'atmosphèère dans la zone de revêtement.

Dans des formes spécialement préférées de réalisation de l'invention, une paroi de barrage est disposée au-30 dessus du parcours du substrat et s'étendant au travers de la totalité de sa largeur en fermant substantiellement : l'extrémité aval de la chambre. Une telle paroi de barrage peut par exemple être constituée au moins en partie par la - dite pelle d'évacuation si le dispositif en est pourvu. Ceci 35 est une manière très simple de s'assurer que des changements des conditions immédiatement en aval de l'extrémité de la chambre n'auront pas d'effet direct sur les conditions à

V

• 19.

l'intérieur de la chambre, et vice-versa.

Dans des formes particulièrement préférées de réalisation de l'invention, le poste de traitement est disposé entre la sortie d'une installation de formage de 5 ruban et l'entrée d'une galerie de recuisson. Lorsque cette condition est réalisée, le verre peut atteindre le poste de traitement à une température gui est, ou est voisine de, celle requise pour que les réactions de revêtement par pyrolyse se produisent. De ce fait, l'adoption de cette ^ 10 caractéristique dispense de la nécessité d'un autre dispo sitif de chauffage tel que celui gui serait nécessaire pour augmenter la température du verre à revêtir depuis la température ambiante. Il est également important que le revêtement se produise dans une chambre qui est physiquement lb distincte de l'installation de formage de ruban d'une part et de la galerie de recuisson d'autre part. Si une telle distinction n'est pas faite, (et il est courant dans les techniques proposées antérieurement dans ce domaine que le revêtement soit déposé à l'intérieur de la galerie de 20 recuisson), les conditions atmosphériques à l'intérieur de la chambre sont alors perturbées par des courants de gaz s'écoulant de la galerie de recuisson et de l'installation de formage de ruban - de tels courants entraînent souvent de la poussière et d'autres polluants qui pourraient s'incor-25 porer revêtement en y créant des défauts - et également, il y aurait un risque que le profil des courants d'atmosphère dans la galerie soit perturbé et conduise à des conditions de recuisson peu favorables.

Dans des formes préférées de réalisation de l'in-30 vention, des moyens sont présents pour faire s'écouler du gaz au travers d'une fente d'entrée du substrat dans la dite chambre depuis l'amont de celle-ci et pour préchauffer ce gaz, et avantageusement, les moyens provoquant une telle entrée de gaz, et/ou la forme de la fente d'entrée, sont 35 tels qu'ils provoquent un plus grand débit d'un tel gaz sur les bords du parcours du substrat qu'en son. centre. L'emploi d'un dispositif comprenant une de ces caractéristiques ou 9

V

20.

les deux est avantageux pour favoriser un écoulement général vers l'aval de la matière de l'atmosphère à l'intérieur de la chambre et est favorable au conditionnement de l'atmosphère dans la zone où de la matière formatrice de revêtement 5 est déposée pour la première fois sur le substrat. Par exemple, il peut permettre une compensation au moins partielle du refroidissement de l'atmosphère à l'intérieur de la chambre par contact avec ses parois latérales.

Ün dispositif selon la présente invention peut ^ 10 avantageusement incorporer une ou plusieurs des caractéris tiques décrites dans la demande de brevet déposée le même jour par la Demanderesse et intitulée "Procédé et dispositif de formation d'un revêtement par pyrolyse" et bénéficiant de la priorité de la demande de brevet britannique n° 85 31425 15 du 20/12/85, qui décrit et revendique un dispositif pour la formation par pyrolyse d'un revêtement de composé métallique sur la face supérieure d'un substrat de verre chaud en forme de feuille ou de ruban, comprenant des moyens de transport pour acheminer un tel substrat vers l'aval le long d'un 20 parcours, un toit délimitant une chambre ouverte vers le bas sur le dit parcours et des moyens pour délivrer de la matière formatrice de revêtement dans la dite chambre, caractérisé en ce qu'en amont de la dite chambre est disposée une antichambre qui communique avec la chambre via une 25 fente d'entrée qui est délimitée en partie par le parcours du substrat, et via laquelle on peut faire entrer du gaz dans la chambre de manière à former (lorsque le dispositif est en fonctionnement) une couverture qui recouvre la face supérieure du substrat le long d'une première partie de la 30 longueur de la dite chambre, et en ce que des moyens sont présents pour préchauffer de manière' contrôlable le gaz formant la dite couverture.

La présente invention s'étend à un procédé de i formation par pyrolyse d'un revêtement de composé métallique 35 sur la face supérieure d'un substrat de verre chaud, ce procédé étant mis en oeuvre facultativement, mais de préférence au moyen d'un dispositif tel que décrit ci-dessus.

21.

Dès lors, la présente invention fournit également un procédé de formation par pyrolyse d'un revêtement de composé métallique sur la face supérieure d'un substrat de verre chaud en forme de feuille ou de ruban pendant son 5 acheminement vers l'aval le long d'un parcours au travers d'une chambre dans laquelle au moins un courant de solution formatrice de revêtement est pulvérisé vers le bas et en direction du substrat, caractérisé en ce que: - une zone de pulvérisation de la dite chambre est chauffée pour provoquer ' 10 l'évaporation d'une partie de la matière formatrice de revêtement avant qu'elle n'atteigne le substrat et charger l'atmosphère dans une telle zone de matière formatrice de revêtement vaporisée; - la solution est pulvérisée avec une énergie suffisante pour assurer un impact positif de matière 15 formatrice de revêtement restante contre le substrat pour amorcer le revêtement de la dite face de substrat; - et on fait s'écouler l'atmosphère chargée de matière formatrice de reevêtement en phase vapeur vers l'aval depuis la zone de pulvérisation le long de et en contact avec la face, de 20 substrat en cours de recouvrement pendant un temps de contact de 10 secondes au moins, et le résidu du courant chargé de matière formatrice de revêtement est ensuite écarté du substrat.

On tel procédé permet la formation de revêtements 25 présentant un voile faible et uniformément faible. Ceci est particulièrement surprenant puisqu'on a cru jusqu'ici nécessaire d'écarter du substrat les vapeurs de matière formatrice de revêtement et de produits de réaction aussi rapidement que possible - des temps de contact compris entre 2 30 et 5 secondes sont utilisés dans des procédés connus antérieurement - précisément afin de réduire le risque de dépôts nuisibles, à partir de ces vapeurs, gui conduiraient à une augmentation de voile.

c Les raisons pour lesquelles l'utilisation d'un tel 35 procédé favorise la qualité des revêtements ne sont pas entièrement claires. Une explication possible est qu'une proportion substantielle de l'épaisseur du revêtement serait 22.

constituée au départ de matière formatrice de revêtement en phase vapeur pendant que le substrat se déplace au travers de la portion "passage" de la chambre. Les techniques de dépôt en phase vapeur sont connues pour favoriser une 5 structure cristalline fine et uniforme du revêtement. Mais ceci n'explique pas pourquoi l'utilisation d'un procédé selon l'invention conduirait à la formation d'un revêtement qui a une épaisseur de loin plus régulière que ce qu'on peut obtenir en utilisant des procédés classiques de dépôt en c 10 phase vapeur. Une autre explication possible est que, quoi qu'une faible proportion seulement de l'épaisseur du revêtement serait imputable au dépôt en phase vapeur, il y aurait un conditionnement de la masse nouvellement formée du revêtement pendant le temps de contact d'au moins 10 secondes 15 pendant lequel le substrat est exposé à de la vapeur de matière formatrice de revêtement. La structure cristalline du revêtement en serait affectée d'une façon favorable à la qualité de revêtement, et en particulier l'exposition du revêtement fraîchement formé à de la vapeur de matière 20 formatrice de revêtement permettrait le remplissage de petits pores en formant ainsi un revêtement plus dur, plus compact et résistant aux conditions extérieures.

Il est possible qu'une partie de l'explication soit qu'une structure cristalline favorable se produise à l'in-25 terface revêtement/verre au contact de la matière formatrice de revêtement avec le verre lorsque la matière formatrice de revêtement est dépourvue, ou seulement accompagnée d'une faible proportion, de solvant. On pense que la structure du revêtement à cet interface a une forte influence sur la 30 manière dont le reste de l'épaisseur du revêtement est constitué.

: 11 est également possible que l'explication repose partiellement sur un moindre refroidissement du verre dans i. la zone où le dépôt du revêtement se produit, de sorte que 35 les réactions, qui ont lieu pendant que la totalité de l'épaisseur du revêtement se constitue, se produisent à une température plus élévée et plus uniforme. On pense que ceci » 4> 23.

est favorable pour le dépôt d'un revêtement de structure uniforme, et tend également à augmenter le rendement de formation de revêtement produit à partir d'une quantité donnée de matière formatrice de revêtement. Il faudra noter 5 ici que la vitesse des réactions de revêtement augmente avec la température, et également qu'un revêtement formé à plus haute température adhère en général plus fermement au verre qu'un revêtement de même composition, mais formé à plus basse température, de sorte qu'il est plus durable. En 10 outre, un moindre refroidissement impliquerait qu'il y a un moindre rique de contraintes thermiques indésirables dans le verre. On tel risque est très réel lorsque de grandes quantités de solution de matière formatrice de revêtement atteignent le verre, comme l'exigent certaines techniques de 15 revêtement par pulvérisation antérieures, spécialement lorsqu'on désire former des revêtements épais sur un substrat se déplaçant rapidement.

One autre théorie qui pourrait être valable et partiellement expliquer les résultats est que la pulvéri-20 sation de matière formatrice de revêtement à travers l'ambiance favorisant l'évaporation à l'intérieur de la chambre s'ouvrant vers le bas aurait pour effet que la zone dans laquelle la matière formatrice de revêtement atteint pour la première fois le verre est dominée par la fourniture conti-25 nue de réactif frais et reste dépourvue ou relativement dépourvue d'autres produits.

De préférence, la dite chambre a une longueur telle que, compte tenu de la vitesse d'acheminement du substrat, tout incrément de longueur du substrat reste exposé à de la 30 vapeur de matière formatrice de revêtement pendant au moins 20 secondes. Ceci facilite la formation de revêtements épais, par exemple de revêtements de plus de 500nm d'épaisseur comme ceux que l'on utilise comme protection contre le rayonnement infra-rouge. On a constaté de façon surprenante 35 qu'il n'y a aucun effet nuisible sur la qualité du revêtement formé. Qn notera qu'en cas de dépôt du revêtement entre la sortie d'une installation de formage de ruban de verre et X* 24.

une galerie de recuisson, la vitesse de défilement du ruban est régie par la vitesse de formation du ruban, et celle-ci variera en fonction de la capacité et du type d'installation de formage de ruban, par exemple si c'est une machine d'éti-b rage de verre ou une Installation de fabrication de verre flotté, et aussi en fonction de l'épaisseur du verre qu'on produit. Les vitesses de production du ruban de verre étant habituellement inférieures à 12 mètres par minute, un temps d'exposition de 20 secondes peut normalement être assuré si q 10 le poste de traitement a une longueur d'au moins 5 mètres.

Dans des formes spécialement préférées de réalisation de l'invention, la dite solution formatrice de revêtement est pulvérisée au départ d'une source située à au‘ moins 75 cm, et de préférence à au moins 1,2 mètre, au 15 dessus de la dite face de substrat. Ceci permet un long délai pour l'évaporation de ces gouttelettes avant qu'elles n'atteignent le substrat et permet également de réduire l'intensité avec laquelle de courant de gouttelettes résiduelles frappe la surface du substrat. En fait, cette caracté-20 ristique elle-même représente une orientation totalement différente de celle des propositions antérieurement connues. Dans les techniques de revêtement par pulvérisation antérieures, de la matière formatrice de revêtement est projetée depuis un endroit beaucoup plus proche du substrat, et une 2b hauteur de jet pulvérisé de 30cm ou moins est habituelle.

Dans des formes spécialement avantageuses de réalisation de l'invention, l'atmosphère chargée de vapeur est extraite de la zone de pulvérisation vers un passage formé d'une portion aval de la chambre via une fente de hauteur 30 moindre que la zone de pulvérisation. Ceci contribue à assurer que l'atmosphère chargée de matière formatrice de revêtement est concentrée contre le substrat, ce qui favorise le rendement de formation de revêtement.

De préférence, la hauteur de la dite fente est au 35 plus égale à la moitié de la hauteur comprise entre la source de pulvérisation et la dite face de substrat. L'adoption de cette caractéristique laisse au moins la moitié l' 25.

supérieure de la zone de pulvérisation pour la circulation * de courants gazeux et la partie supérieure de la chambre peut former un réservoir de vapeur à forte densité qui alimente la fente en continu.

5 De préférence, l'écoulement vers l'aval de gaz chargé de matière formatrice de revêtement se produit à l'intérieur d'un passage qui est chauffé. Cette caractéristique offre plusieurs avantages importants. La condensation au plafond du passage de matière formatrice de revêtement 10 et/ou de produits de réaction qui pourraient ensuite goutter et salir le substrat est ainsi empêchée, et la matière formatrice de revêtement est maintenue en phase vapeur. Une température élevée peut être maintenue à l'intérieur du passage en compensant au moins une partie de 1'énergie 15 calorifique enlevée du substrat par la réaction de formation de revêtement, de sorte que les réactions ultérieures et le conditionnement du revêtement déjà formé peuvent se produire à une température plus élevée, spécialement vers l'extrémité aval du passage. Ceci favorise à son tour une structure 20 cristalline plus uniforme du revêtement et tend également à augmenter la durabilité et la dureté du revêtement.

Dans des formes particulièrement avantageuses de réalisation de l'invention, la solution formatrice de revêtement est pulvérisée vers le bas et dans la direction aval. 25 Ceci favorise l'écoulement de la matière pulvérisée en direction de l'extrémité aval de la chambre dans laquelle elle est pulvérisée, et en même temps, par comparaison avec une pulvérisation verticale depuis une même hauteur, allonge la trajectoire du courant vers le substrat en permettant 30 ainsi un délai plus long pour l'évaporation de la solution pulvérisée.

De préférence, la matière formatrice de revêtement et au moins un courant de gaz sont introduits dans la dite „ zone de pulvérisation de manière que leurs trajectoires 35 s'entrecoupent. On a trouvé cette disposition particulièrement avantageuse pour générer des forces de mélange à l'intérieur de la zone de pulvérisation en assurant ainsi 26.

que la vapeur de matière formatrice de revêtement soit uniformément répartie dans l'atmosphère qui s'écoule vers l'aval depuis cette zone le long de et en contact avec la face supérieure du substrat.

5 Avantageusement/ au moins un tel courant de gaz est déchargé depuis un orifice situé dans la moitié supérieure de la hauteur comprise entre la source de pulvérisation et la dite face de substrat. On a trouvé que ceci est très efficace pour favoriser un tel mélange avec une moindre 10 perturbation de la trajectoire de cette matière près du substrat, ce qui favorise la formation d'un revêtement de haute qualité.

Il serait possible de fournir de la chaleur au gaz déchargé dans la chambre après qu'il ait pénétré dans cette 15 chambre, mais de préférence, au moins un tel courant de gaz est préchauffé, puisque ceci réduit ou élimine tout effet de refroidissement dû à ce gaz.

Dans des formes spécialement préférées de réalisation de l'invention, au moins un tel courant de gaz est 20 déchargé depuis le côté amont de la trajectoire de la solution formatrice de revêtement pulvérisée. Ceci favorise une circulation avantageuse de l'atmosphère à l'intérieur de la zone de pulvérisation et tend à réduire toute turbulence indésirable.

25 Avantageusement, de la chaleur est fournie à la dite zone de pulvérisation au moins partiellement en dirigeant du rayonnement calorifique vers le bas depuis en endroit situé au-dessus du trajet de la solution formatrice de revêtement pulvérisée. Ceci contribue à l'évaporation de 30 la solution de matière formatrice de revêtement pulvérisée, spécialement dans les régions supérieures de son parcours et sur son côté aval si la solution est pulvérisée dans la direction aval, ainsi qu'on l'a cité plus haut.

^ Dans certaines formes préférées de réalisation de 35 l'invention, du côté amont du courant de matière formatrice de revêtement, ce courant est protégé par un jet de gaz qui est déchargé en continu, vers le bas en direction du subs- 27.

trat, au voisinage du dit courant pulvérisé. Ceci contribue à éviter l'entraînement de toute matière indésirable, par exemple des produits de réaction, dans la partie arrière du courant. La présence de telles matières y est particuliè-5 rement désavantageuse parce qu'elle peut conduire à la formation de défauts à l'interface substrat/revêtement.

Dans des formes spécialement préférées de réalisation de l'invention, la dite solution de matière formatrice de revêtement est pulvérisée sous forme d'un courant de 10 gouttelettes qui est déplacé de manière répétée transversalement au parcours du substrat. Ceci favorise le mélange de matière formatrice de revêtement évaporée dans l'atmosphère contenue dans la zone de pulvérisation de la chambre.

Avantageusement, un tel jet de gaz de protection 15 est déplacé de manière répétitive transversalement au dit parcours, en tandem avec le courant de matière formatrice de revêtement. Cette disposition offre une protection très efficace pour un taux d'introduction de gaz donné.

Dans certaines formes préférées de réalisation de 20 l'invention, du gaz est soufflé vers le haut de chaque côté du parcours du substrat dans la zone de pulvérisation. Un tel gaz peut former des écrans qui servent à protéger les parois latérales de la zone de pulvérisation de la chambre contre les effets corrosifs de la matière pulvérisée et de 25 ses produits de réaction. De tels écrans gazeux peuvent également empêcher la matière pulvérisée, particulièrement lorsque des quantités relativement petites sont pulvérisées, de passer en-dessous du parcours du substrat où elle serait disponible pour former un revêtement indésirable sur la face 30 inférieure d'un substrat. Ce revêtement indésirable peut être plus ou moins régulier, mais si mince qu'il donne naissance à des effets d'interférence hautement préjudiciables; par exemple, il peut être plus ou moins régulier avec une épaisseur décroissant en direction du centre du 35 substrat, ou il peut être assez irrégulier avec un profil qui pourrait rappeler les marques d'un jeu de jacquet.

De la matière de l'atmosphère se trouvant en- / 28.

dessous du parcours du substrat pourrait aussi avoir tendance à s'écouler vers le haut et à diluer la concentration de vapeur de matière formatrice de revêtement spécialement sur les côtés de chambre. Cela n'est pas souhaitable puisque b cela peut conduire à un dépôt insuffisant à partir de la phase vapeur sur les bords du substrat ou à un conditionnement insuffisant des bords revêtus d'un tel substrat. Dès lors/ dans des formes particulièrement avantageuses de réalisation de l'invention, sur au moins une partie de la " 10 longueur de la chambre, on empêche l'écoulement de matière de l'atmosphère au-delà des bords latéraux du substrat et entre des zones situées verticalement au-dessus et verticalement en-dessous du substrat.'

Dans des formes spécialement préférées de réalisais tion de l'invention, des forces d'aspiration sont générées dans une canalisation d'évacuation latérale disposée de manière que de la matière de l'atmosphère au-dessus du substrat s'écarte de la partie centrale du parcours du substrat, sur au moins une portion de la longueur de la dite 20 chambre. L'adoption de cette caractéristique préférée donne des avantages qui sont considérés comme particulièrement importants. Elle favorise une bonne dispersion de l'atmosphère chargée de vapeurs de matière formatrice de revêtement sur la totalité de la largeur du substrat, en augmen-25 tant ainsi la largeur du substrat portant un revêtement bien fini. De plus, elle permet d'enlever plus tôt des produits de réaction et l'excès de matière formatrice de revêtement qui pourraient se fixer sur le revêtement et le souiller. Elle est également utile en enlevant les produits de réac-30 tion et l'excès de matière formatrice de revêtement avant qu'ils n'atteignent l'extrémité de ce passage, en réduisant ainsi le risque de corrosion des parois du passage. De plus, si de l'atmosphère en dessous du parcours du substrat tend à - s'écouler vers le haut sur ses côtés, cette tendance est 35 inhibée dans la zone d'aspiration latérale. Ces avantages sont favorisés si, ainsi qu'on le préfère, on fait s'écouler latéralement de la dite matière de l'atmosphère, sur une 29.

zone s'étendant sur au moins la majeure partie de (et de préférence substantiellement sur le totalité de) la longueur de la dite chambre, en aval de la zone du premier dépôt de matière de revêtement sur le substrat.

5 Dans certaines formes préférées de réalisation de l'invention, la dite matière de l'atmosphère est extraite par aspiration à un niveau situé en-dessous du substrat. Cette disposition est avantageuse parce qu'elle facilite la finition du revêtement en maintenant une couche de vapeurs 10 denses de matière formatrice de revêtement contre la face supérieure du substrat.

Avantageusement, du gaz est déchargé dans l'environnement du substrat de manière à former un courant continu s'écoulant vers l'aval en-dessous de chaque bord du 15 substrat et le long d'au moins une partie de la longueur de la dite chambre.

De manière étonnante, on a trouvé que l'adoption de cette caractéristique préférée a pour résultat de clarifier de manière significative l'atmosphère qui serait en contact 20 avec le verre avant son entrée dans la chambre, de sorte qu'il y a une réduction considérable de la quantité de polluants aptes à former des dépôts nuisibles sur le verre avant son revêtement. L'adoption de cette caractéristique préférée de l'invention offre également certains avantages 25 très importants en réduisant le risque de formation de revêtement sur la face inférieure, ce qui contribue à la qualité du produit formé.

Avantageusement, un tel courant de gaz s'écoule en-dessous du substrat sous la totalité de la largeur du subs-30 trat. L'adoption de cette caractéristique favorise la clarification de l'atmosphère en-dessous du parcours du substrat de manière très efficace et évite ainsi des dépôts prématurés nuisibles de matière qui a été entraînée dans des courants de retour s'écoulant en-dessous du substrat dans la 35 direction amont.

De préférence, le gaz à décharger pour former un tel courant en-dessous du niveau du substrat est préchauffé > 30.

b jusqu'à une cinquantaine de °C de la température moyenne du substrat immédiatement avant son revêtement, de manière à réduire tout effet que l'injection de ce gaz peut avoir sur la température du substrat et/ou de l'atmosphère dans la 5 zone de revêtement.

Dans des formes spécialement préférées de réalisation de l'invention, la chambre est substantiellement fermée à son extrémité aval pour prévenir l'échange de matière de l'atmosphère entre l'extrémité aval de la chambre et une 10 autre région plus en aval du parcours du substrat. Une telle fermeture peut par exemple être réalisée par la canalisation d'évacuation s'étendant sur la totalité de la largeur de la chambre à son extrémité aval. L'adoption de cette caractéristique a l'avantage d'éviter la dilution ou la pollution 15 de l'atmosphère à l'extrémité aval de la chambre par l'atmosphère de la région située plus en aval, et elle évite également que des courants de l'atmosphère de la chambre n'interfèrent avec un traitement ultérieur du substrat et le dépôt de matière supplémentaire indésirable sur le 20 revêtement.

Dans des formes particulièrement avantageuses de réalisation de l'invention, le substrat en verre est un ruban de verre chaud fraîchement formé et le revêtement est formé après que ce ruban quitte une installation de formage, 25 et avant son entrée dans une galerie de recuisson. La chambre peut donc être disposée à un endroit où le verre est à une température appropriée pour que les réactions de revêtement par pyrolyse se produisent, de sorte que des frais encourrus par le réchauffage du verre à une telle 30 température sont évités ou substantiellement réduits.· 11 est également important que le revêtement se produise dans une chambre qui est physiquement distincte de l'installation de formage de ruban d'une part et de la galerie de recuisson d'autre part. Si une telle distinction n'est pas faite (et 35 il est courant dans les techniques proposées antérieurement dans ce domaine que le revêtement soit déposé à l'intérieur de la longueur de la galerie de recuisson), les conditions 4k 31.

atmosphériques de la chambre sont alors perturbées par des courants de gaz s'écoulant de la galerie de recuisson et de l'installation de formage de ruban - de tels courants entraînent souvent de la poussière et d'autres polluants qui 5 pourraient s'incorporer dans le revêtement en y créant des défauts - et il y aurait également un risque que le profil des courants d'atmosphère dans la galerie soit perturbé et conduise à des conditions de recuisson peu favorables.

Dans des formes particulièrement préférées de 10 réalisation de l'invention, on fait entrer du gaz préchauffé et on le fait s'écouler vers l'aval dans la dite chambre en contact avec le substrat. L'adoption de cette caractéristique est avantageuse car elle favorise un écoulement général vers l'aval de la matière de .l'atmosphère à l'intérieur 15 de la chambre et conditionne favorablement l'atmosphère dans la zone où de la matière formatrice de revêtement est déposée pour la première fois sur le substrat. Par exemple, dans certaines de ces formes préférées de réalisation de l'invention, on fait entrer et s'écouler dans la chambre un plus 20 grand débit volumique de gaz préchauffé sur les bords du substrat qu'en son centre. Ceci permet une compensation au moins partielle du refroidissement de l'atmosphère à l'intérieur de la chambre par contact avec ses parois latérales.

En fait, la présente invention peut avantageusement 25 être combinée avec l'invention décrite dans la demande de brevet déposée le même jour par la Demanderesse et intitulée "Procédé et dispositif de formation d'un revêtement du verre par pyrolyse" et bénéficiant de la priorité de la demande de brevet britannique n° 85 31425 du 20/12/85, qui décrit et 30 revendique un procédé de revêtement par voie pyrolytique dans lequel un substrat de verre chaud en forme de feuille ou de ruban se déplace dans une direction aval au dessous d'une chambre ouverte vers le bas sur le substrat et dans lequel un revêtement est formé sur la face supérieure du dit 35 substrat à partir de matière formatrice de revêtement, caractérisé en ce que l'ambiance gazeuse au voisinage immédiat de la face supérieure du substrat au moins dans la zone 32.

où la formation du revêtement commence, est contrôlée en introduisant en direction aval, dans la dite chambre, du gaz préchauffé qui entre dans la chambre en contact avec le substrat et forme une couverture gui recouvre le substrat au 5 moins sur la longueur de cette zone.

La présente invention est particulièrement appropriée à la formation de revêtements à vitesse de croissance élevée, par exemple supérieure à 20nm/seconde, comme c'est par exemple le cas pour former des revêtements relativement 10 épais, tels que des revêtements de 500nm à lOOOnm d'épaisseur, sur un ruban de verre fraîchement formé se déplaçant de plusieurs mètres par minute depuis une cuve de flottage ou une autre installation de formage de verre plat.

Un usage .particulièrement important d'un procédé 15 selon l'invention est la formation de revêtements d'oxyde d'étain à partir de chlorure stanneux en tant que matière formatrice de revêtement. Des revêtements d'oxyde d'étain, qui réduisent l'émissivité vis-à-vis du rayonnement infrarouge de grande longueur d'onde des surfaces de feuilles de 20 verre sur lesquelles ils sont déposés, sont largement utilisés pour réduire la transmission calorifique depuis des structures vitrées. Ceci n'est évidemment qu'un exemple d'utilisation du procédé. A titre d'autre exemple, le procédé peut être utilisé pour former un revêtement de dioxyde 25 de titane ou d'un mélange d'oxydes tel qu'un mélange d'oxyde de cobalt, de fer et de chrome.

L'invention sera maintenant décrite plus en détail en se référant aux dessins schématiques annexés qui représentent différentes formes de réalisation de dispositifs 30 selon l'invention et par des exemples de procédés spécifiques selon l'invention mis en oeuvre au moyen de tels dispositifs.

Dans les dessins, chacune des figures 1 à 4 est une vue latérale en coupe d'une forme de réalisation des dispo-35 sitifs de revêtement selon l'invention, et

La figure 5 est une coupe suivant la ligne V-V de la figure 2.

X

33.

FIGURE 1

Dans la figure 1, un dispositif pour la formation par pyrolyse d'un revêtement de composé métallique sur la face supérieure d'un substrat de verre chaud 1 en forme de 5 feuille ou de ruban, comprend des moyens de transport tels que des rouleaux 2 pour acheminer un tel substrat dans la direction aval 3 le long d'un parcours également indiqué par la référence numérique 1. Le parcours 1 traverse un poste de traitement 4 comprenant un toit 5 délimitant une chambre 6 10 s'ouvrant vers le bas sur le parcours du substrat 1 et un ajutage de pulvérisation représenté schématiquement en 7 pulvérise un jet de solution de matière formatrice de revêtement dans la chambre 6, dans une direction 8 orientée vers le bas. en direction du substrat.

15 L'ajutage de pulvérisation 7 est disposé de mani ère à pulvériser le courant de solution de matière formatrice de revêtement dans une zone de pulvérisation 9 de la chambre 6 depuis un endroit situé à une hauteur de 75cm au moins au-dessus du parcours du substrat 1. Dans la forme de 20 réalisation illustrée, l'ajutage de pulvérisation 7 est disposé de manière à pulvériser de la matière formatrice de revêtement depuis au moins 1 mètre, et de préférence au moins 1,2 mètres, au-dessus du parcours du substrat 1, et il est d'un type bien connu en soi. L'ajutage est disposé de 25 manière à pulvériser la solution de matière formatrice de revêtement dans la direction 8 orientée vers le bas sur le substrat 1 et dans la direction aval 3, et il est déplaçable en un mouvement de va-et-vient le long d'une piste (non représentée) transversale au parcours du substrat.

30 Des moyens de chauffage sont présents pour fournir de la chaleur à la dite zone de pulvérisation. Dans la forme de réalisation illustrée, de tels moyens de chauffage comprennent des éléments radiants 10 dirigés vers le bas et disposés dans le toit de la zone de pulvérisation 9. En tant 35 que moyen additionnel de chauffage, une canalisation 11 émet un courant de gaz préchauffé dans la zone de pulvérisation dans une direction qui entrecoupe le courant de matière / > 1 34.

formatrice de revêtement pulvérisée. L'orifice de soufflage 12 de la canalisation 11 est disposé dans la moitié supérieure de la hauteur comprise entre l'ajutage de pulvérisation 7 et le substrat 1, et est disposé de manière à souffler ce 5 courant de gaz depuis une position située en amont de l'axe de déchargement 8 du jet pulvérisé de matière formatrice de revêtement. L'orifice 12 s'étend horizontalement sur la totalité de la largeur du parcours du substrat 1, et verticalement sur le tiers supérieur de la hauteur de l'ajutage 10 de pulvérisation 7 au-dessus du substrat de verre. Le gaz émis par l'orifice 12 est initialement dirigé substantiellement horizontalement/ au travers du parcours transversal du courant de gouttelettes 7, pour maintenir une circulation de gaz à l'intérieur de la zone de pulvérisation 9.

15 Le gaz soufflé est de préférence préchauffé/ par exemple à une température moyenne comprise entre 300ÖC et 500°C. Les éléments chauffants 10 favorisent l'évaporation du solvant des gouttelettes pulvérisées pendant leur trajet vers le substrat 1/ et ce solvant peut alors être entraîné 20 dans le gaz chaud déchargé.

Dans une variante facultative de forme de réalisation, la canalisation 11 est divisée en deux conduits se terminant par un orifices supérieur et un orifice inférieur de mêmes dimensions occupant la position de l'orifice 12, de 25 sorte que des courants de gaz à des températures différentes, par exemple 300°C et 500°C peuvent être émis à différents niveaux.

Le toit 5 délimite un passage 13 de la chambre 6 conduisant vers l'aval depuis la zone de pulvérisation 9 et 30 conférant à la chambre. 6 une longueur totale d'au moins 2 mètres, et de préférence une longueur d'au moins 5 mètres. Dans la forme de réalisation illustrée, le toit 5 comporte une paroi de barrage 14 au-dessus du parcours du substrat qui descend substantiellement verticalement pour délimiter 35 une fente de sortie 15 à l'extrémité aval de la zone de-pulvérisation et qui sépare cette zone du passage, et le passage 13 a une hauteur substantiellement égale à celle de » ψ· · 35.

la zone de pulvérisation 9. La hauteur de la fente de sortie 15 est inférieure à la moitié de la hauteur entre l'ajutage de pulvérisation 7 et le substrat 1.

En amont de l'axe de déchargement 8 de l'ajutage de 5 pulvérisation de la matière formatrice de revêtement, se trouve un ajutage de distribution de gaz réprésenté schématiquement en 16 qui émet un jet de gaz vers le bas dans le voisinage du courant de matière formatrice de revêtement pour protéger la matière formatrice de revêtement pulvéri-10 sée. L'ajutage émettant du gaz 16 est solidaire de l'ajutage de pulvérisation 7 de sorte qu'ils se déplacent simultanément en va-et-vient le long de la piste transversale. Un effet principal de ce courant gazeux de protection est d'éviter 1'entraînement de produits de la réaction de revê-15 tement et d'autres polluants à l'arrière du courant 7 de matière formatrice de revêtement pendant son trajet vers la surface non revêtue du substrat 1.

Des canalisations d'évacuation 17, 18, 19 sont disposées le long du passage 13, qui est élevé, et la cana-20 lisation d'évacuation 17 à l'extrémité aval de la chambre a un orifice d'admission 20 disposé au-dessus du parcours du substrat qui s'étend sur au moins la majeure partie de sa largeur. Des déflecteurs tels que 21 se dressent des parois latérales de chambre 6 pour empêcher l'écoulement de matière 25 de l'atmosphère au-delà des bords du parcours du substrat et entre des zones situées verticalement au-dessus et verticalement en dessous de ce parcours, sur la longueur de la zone de pulvérisation 9, où l'atmosphère sera plus riche en matière formatrice de revêtement. Ces déflecteurs peuvent 30 être montés sur des pivots sur les parois latérales de la chambre 6 et être supportés par exemple par des tiges filetées, de manière à pouvoir ajuster leur position pour réduire au minimum leur espacement vis-à-vis du bord du substrat 1.

35 Des moyens 22 sont présents pour décharger du gaz dans l'environnement du substrat 1 de manière à former un courant continu s'écoulant dans la direction aval 3 en * ι * 36.

dessous de chaque bord du parcours du substrat 1 et sur au moins une partie de la longueur du parcours occupée par la chambre 6.

Les moyens de soufflage de gaz en-dessous du ruban 5 comprennent quatre caissons 23 disposés deux par deux et s'étendant au travers de substantiellement la totalité de la largeur de la chambre 4. Au sommet de chaque caisson 23 est disposée une fente 24 bordée par une lèvre déflectrice 2b de manière que le gaz injecté au travers des fentes 24 soit 10 dirigé dans la direction aval 3 le long du poste de traitement 4. Les fentes 24 s'étendent sur la totalité de la longueur des caissons 23 au travers du poste de traitement 4. Si on le désire, de telles fentes peuvent être remplacées par plusieurs orifices espacés. Ainsi que le montre la 15 figure 1, une plaque déflectrice 26 est disposée au-dessus des caissons 23 de manière que le gaz injecté ne soit pas soufflé directement contre le substrat 1. Les caissons 23 peuvent être alimentés en gaz préchauffé depuis les deux côtés du poste de traitement, par exemple au départ d'échan-20 geurs de chaleur. Le gaz soufflé peut être de l'air et celui-ci peut être facilement chauffé par échange calorifique avec des gaz brûlés de four, ün tel gaz est de préférence préchauffé jusqu'à une cinquantaine de °C de la température du substrat lorsque celui-ci pénètre dans la chambre 25 6.

Le gaz déchargé en dessous du substrat 1 peut être enlevé de l'ambiance du substrat 1 par une canalisation facultative d'évacuation (non représentée) ayant une ou plusieurs admission(s) * s'étendant transversalement en 30 dessous-du parcours du substrat, disposée(s) par exemple' au droit de l'admission supérieure d'évacuation 20. Une cloison de barrage 27 est disposée au-dessus du parcours du substrat 1, s'étend sur la totalité de la largeur de l'extrémité aval de la chambre 6 et la ferme substantiellement, de manière à 35 éviter substantiellement l'écoulement de matière de l'atmosphère dans ou hors de la chambre à l'extrémité aval du passage 13.

« i 37.

Le poste de traitement 4 est disposé entre la sortie d'une installation de formage de ruban (non représentée), par exemple une cuve de flottage, et l'entrée d'une galerie de recuisson 28.

5 Un passage entre l'installation de formage de ruban et la chambre 6 a un toit 29, et l'extrémité amont de la chambre est déterminée par un barrage 30 descendant du toit du passage 29 et laissant peu de jour pour le passage via une fente d'entrée 31 du substrat 1 dans la chambre.

10 L'effet de ce barrage 30 est de limiter l'entrée de matière de l'atmosphère dans la chambre 6 depuis l'amont, de sorte que les conditions atmosphériques à l'intérieur de cette région puissent être plus facilement contrôlées.

En amont du barrage 30, entre celui-ci et une 15 seconde cloison 32, se trouve une antichambre 33 dans laquelle sont disposés des éléments chauffants 34 pour préchauffer tout gaz attiré dans la chambre 6 entre le barrage 30 et le ruban 1.

EXEMPLE 1 20 Dans une forme de réalisation pratique spécifique du dispositif représenté à la figure 1, la chambre 6 a un peu plus de 3 mètres de large de manière à traiter des rubans de verre de largeur jusqu'à 3 mètres. Le toit 5 au-dessus de la zone de pulvérisation 9 de la chambre est juste 25 à 1,5 mètres au-dessus du niveau du parcours du ruban 1, et l'orifice de pulvérisation des gouttelettes de l'ajutage 7 est proche du niveau de ce toit. Cet ajutage 7 est disposé de manière à décharger un courant conique de gouttelettes avec un demi angle conique de 10° et selon un axe 8 faisant 30 un angle de 47° sur l'horizontale; l'ajutage de déchargement de gaz 16 a son orifice à 25cm en dessous et à 7cm en aval de l'ajutage de pulvérisation et son axe est à 60° sur l'horizontale. L'orifice de soufflage de gaz 12 a 50cm de haut et son sommet est au niveau de l'ajutage 7. La paroi 14 35 à l'extrémité aval de la zone de pulvérisation est séparée de l'orifice 12 émettant un courant de gaz d'une distance de 2,8 mètres. Le passage 13 a la même hauteur que la zone de * i 38.

pulvérisation 9 et la fente de sortie 15 a une hauteur de 50cm au dessus du niveau du parcours du ruban 1. La longueur de ce passage est de 4 mètres.

Ce dispositif est particulièrement destiné au dépôt 5 de revêtements d'oxyde d'étain à partir d'une solution de chlorure stanneux en tant que matière formatrice de revêtement.

En utilisant un tel dispositif, on forme un revêtement d'oxyde d'étain de 750nm d'épaisseur sur un ruban de 10 verre de 6mm d'épaissseur se déplaçant à une vitesse de 8,5m/min. Le verre gui pénètre dans la chambre a une température de 600°C, et la matière formatrice de revêtement utilisée est une solution aqueuse de chlorure stanneux contenant du bifluorure d'ammonium pour fournir des ions 15 dopants au revêtement. Cette solution est pulvérisée à raison de 220L/h tandis que l'ajutage est animé d'un mouvement de va-et-vient au travers du parcours du ruban à raison de 22 cycles par minute.

L'antichambre 33 est substantiellement fermée et 20 l'atmosphère qui s'y trouve est chauffée par des résistance électriques chauffantes.

Des éléments chauffants radiants situés dans le toit de la zone de pulvérisation sont allumés et du gaz est soufflé par l'orifice 12 à raison de 7000Nm3/min et à une 25 température de 400°C. Du gaz est émis des caissons 23 en-dessous du ruban à une température de 600°C.

Lorsque l'opération est en cours, on a remarqué qu'au moment où le courant de matière formatrice de revêtement pulvérisée atteint le niveau du ruban, une proportion 30 substantielle de solvant s'est évaporée du courant, laissant de très petites gouttelettes de chlorure stanneux liquide et de la vapeur de chlorure stanneux pour entrer en contact avec le verre et débuter la formation du revêtement. La zone de pulvérisation 9 au dessus du ruban est remplie d'une 35 atmosphère en circulation chargée de vapeur de chlorure stanneux et celle-ci est attirée au travers de la fente de sortie 15 dans le passage 13 par des forces d'aspiration

k I

39.

générées dans la canalisation d'évacuation 17, 18, 19. On a trouvé que l'atmosphère à l'intérieur de la chambre est substantiellement claire, excepté dans le voisinage du courant de gouttelettes, ce qui indique que substantiel-5 lement tout le chlorure stanneux et le solvant hors de ce courant est en phase vapeur, de sorte que sur la majeure partie de la longueur de la chambre 6 dans laquelle le verre est exposé à de la matière formatrice de revêtement, l'atmosphère dans cette chambre 6 est substantiellement dépour-10 vue de matière en phase liquide. Evidemment, le passage 13 contient également des produits de réaction. Les forces générées et la géométrie de ce passage sont telles que la matière de l'atmosphère quittant la fente de sortie 15 ralentit et des vapeurs assez denses de chlorure stanneux 15 tendent à former une couche en contact avec le revêtement en cours de formation pour permettre le conditionnement de ce revêtement, tandis que les vapeurs moins denses de solvant et les produits de réaction ont tendance à se diriger plus directement vers la canalisation d'évacuation. Il résulte 20 de tout ceci que le revêtement formé a une structure cristalline fine à l'interface verre/revêtement qui favorise une structure uniforme et donc un revêtement de haute qualité et ayant de bonnes qualités optiques, et l'inclusion de produits de la réaction qui conduirait à des défauts tend à 25 être évitée.

Il faut particulièrement noter que le voile montré par le verre portant le revêtement est très faible et très uniforme.

FIGURES 2 & 5 30 Dans les figures 2 et 5, les éléments servant à des fonctions analogues à celles illustrées dans la figure 1 ont reçu les chiffres de référence correspondants.

Dans la zone de pulvérisation 9 à l'extrémité amont - de la chambre 6, la canalisation de déchargement de gaz 11 35 est absente, mais est remplacée par une paire de conduits 35 ayant des orifices 36 gui sont dirigés l'un vers l'autre pour décharger du gaz préchauffé depuis les côtés opposés de / 40.

l'axe 8 du courant pulvérisé de matière formatrice de revêtement. Aucun autre moyen de chauffage de la chambre n'est présent au dessus du niveau du ruban 1. Les orifices 36 s'étendent sur la quasi totalité de la largeur de la chambre 5 6 et ils sont disposés dans le tiers supérieur de la hauteur de l'ajutage de pulvérisation 7 au dessus du substrat. Dans une variante, les orifices 36 ont une largeur moindre et ils sont animés d'un mouvement de va-et-vient au travers de la zone de pulvérisation en tandem avec l'ajutage de pulvéri-10 sation 7.

Du côté aval de la zone de pulvérisation 9, le toit 5 est incliné vers le bas et forme ensuite une paroi verticale 14 dans laquelle est disposée sur toute sa largeur une admission 37 d'une canalisation d'évacuation 38 pour l'aspi-15 ration de vapeurs depuis la zone de pulvérisation, de manière à éviter la stagnation à l'intérieur de cette zone.

En aval de la fente de sortie 15 en dessous de la paroi 14, le toit se prolonge et délimite une portion de passage 13 de la chambre 6 qui a la même hauteur que la 20 fente de sortie.

Sur la longueur de ce passage 13, des moyens d'évacuation sont présents de chaque côté de la chambre, en dessous du niveau du parcours du substrat 1. Ces moyens d'évacuation comprennent plusieurs caissons d'évacuation 39 25 ouverts à leur sommet et communiquant avec des canalisations d'évacuation latérale 40. Dans la figure 2, on notera que ces caissons d'évacuation 39 s'étendent sur la totalité de la longueur du parcours du substrat occupée par le passage 13, et que le caisson d'évacuation amont est en fait disposé 30 en dessous de la zone de pulvérisation 9.Des déflecteurs 41 se projetant des caissons d'évacuation vers le haut et vers l'intérieur s'étendent en dessous des bords du parcours du substrat et vers le haut entre les rouleaux de convoyeur 2. Cette disposition procure une séparation efficace des atmos-35 phères verticalement au dessus et verticalement en dessous du parcours du substrat le long du passage.

Afin d'éviter que de la matière formatrice de * » 41.

revêtement et de la matière de 1'atmosphère ne s'écoulent au-delà des bords du parcours du substrat dans une région plus en amont de la zone de pulvérisation 9, on dispose de ventilateurs 50 gui soufflent de l'air préchauffé de manière 5 à maintenir une‘écoulement vers le haut, de gaz relativement propre contre les parois latérales de la chambre. Ceci confère également un certain degré de protection de ces parois contre la corrosion due à l'atmosphère à l'intérieur de la chambre.

10 EXEMPLE 2

Le dispositif de la figure 2 est utilisé pour former un revêtement de même épaisseur que dans l'exemple 1 au moyen de la même matière formatrice de revêtement et sur un ruban de verre de la même épaisseur qui se déplace à la 15 même vitesse. L'ajutage de pulvérisation 7 est également contrôlé comme dans l'exemple 1. La chambre a une longueur totale de 7,5 mètres.

Le verre pénètre dans le chambre 6 à une température de 600°Cet de l'air préchauffé à 500°C est déchargé à 2° raison de 3600Nm3/h par chacun des orifices 36.' 11 en résulte qu'une majeure partie de la solution pulvérisée est évaporée pendant son trajet vers le ruban, tandis qu'un courant résiduel continue et rencontre positivement le verre.

25 L'aspiration, en dessous du niveau du parcours du substrat, de matière de l'atmosphère le long du passage, tend à maintenir dans la bas de celui-ci une couche d'atmosphère chargée de vapeur de matière formatrice de revêtement, en contact avec le ruban, pour favoriser la finition du 30 revêtement. L'aspiration totale extrait environ 70 000Nm3/h à une température moyenne de 350°C.

Ceci donne également d'excellents résultats en ce qui concerne la haute qualité uniforme du revêtement formé, spécialement vis-à-vis du niveau de voile gui est bas et 3b uniformément bas.

FIGURE 3

Dans la figure 3, les éléments servant à des fonc- 42.

tions analogues à celles illustrées dans les figures 1 et 2 ont reçu les chiffres de référence correspondants.

La zone de pulvérisation 9 est de forme similaire à celle représentée à la figure 1, mais dans la figure 3, des 5 moyens pour introduire du gaz préchauffé dans cette zone comprennent une canalisation de déchargement 42 se terminant en plusieurs orifices de sortie de gaz dans le toit 5 de la chambre et répartis sur la majeure partie de sa surface. La piste de déplacement de l'ajutage de pulvérisation 7 court 10 le long d'un mur d'extrémité amont 43 de la chambre.

En dessous de ce mur d'extrémité amont 43, le barrage 30 des figures 1 et 2 est remplacé par un pont 44 permettant une fente d'entrée 31 plus haute de sorte que la matière atmosphérique peut être tirée plus facilement de 15 l'antichambre 33 vers l'intérieur de la chambre en contact avec le verre. Si on le désire, le pont 44 peut être ajustable en hauteur pour modifier l'ouverture de la fente d'entrée 31. One canalisation complémentaire de déchargement de gaz 45 est présente pour décharger du gaz préchauffé vers 20 le bas dans l'antichambre de manière à contrôler la couche d'atmosphère située immédiatement au dessus du substrat 1 au moins jusqu'à la zone où le courant de matière formatrice de revêtement 8 atteint le verre.

Cette forme de réalisation de là présente invention 25 utilise donc l'invention décrite et revendiquée dans notre demande de brevet déposée le même jour et intitulée "Procédé et dispositif de formation d'un revêtement de verre par pyrolyse" bénéficiant de la priorité de la demande de brevet britannique n° 85 31425 du 20/12/85.

30 Comme dans la figure 2, le passage a la même hauteur que la fente de sortie de la zone de pulvérisation.

A l'extrémité aval du passage 13, de la matière de l'atmosphère est aspirée dans la conduite d'évacuation 46 ayant une admission 47 délimitée en partie par une pelle 35 · d'évacuation incurvée 48 qui s'étend au dessus du parcours du substrat 1 sur la totalité de la largeur du passage et ferme substantiellement son extrémité aval. Une telle pelle 43.

48 peut en variante être montée sur pivot de manière à pouvoir ajuster sa position pour obtenir un jour minimum avec le substrat 1. Egalement à l'extrémité aval du passage 13, de la matière de l'atmosphère est aspirée dans une 5 canalisation d'évacuation 49 disposée de chaque côté de la chambre, afin de favoriser une dispersion latérale de la matière de l'atmosphère s'écoulant le long de la chambre. On empêche aussi une telle matière de s'écouler en dessous du substrat au moyen de déflecteurs tels que 21 se projetant 10 depuis les parois latérales de la chambre au dessus des marges du substrat substantiellement le long de la totalité de la longueur du passage et se prolongeant dans la zone de pulvérisation, quasi jusqu'à son extrémité amont.

EXEMPLE 3 15 On utilise le dispositif de la figure 3 pour former un revêtement d'un mélange de dioxyde de titane et d'oxyde ferrique sur des feuilles de verre de 5mm d'épaisseur se déplaçant à une vitesse de 10m/min, en utilisant une solution de départ d'acétylacétonate de titane et d'acétylacé-20 tonate de fer (III). Le verre pénètre dans la chambre à une température de 580°C et cette chambre a 6 mètres de long.

La solution est pulvérisée à raison d'environ 8QL/h sous une pression d'environ 25 bar, afin d'obtenir un revêtement de 45nm d'épaisseur; ce revêtement est jaunâtre et 25 très réfléchissant. L'ajutage de pulvérisation est disposé à une hauteur de 1,2 mètres au dessus du ruban, incliné de 30° sur l'horizontale, et est animé d'un mouvement de va-et-vient au travers du parcours du substrat à raison de 20 cycles par minute.

30 De l'air préchauffé à une température de 350°C est soufflé à travers le toit de la zone de pulvérisation à raison d'environ 1500Nm3/h, et de l'air préchauffé à une température de 580°C est soufflé vers le bas dans l'antichambre 33 à raison d'environ 3000Nm3/h. One partie du 35 courant pulvérisé est évaporé avant qu'il n'atteigne le verre, et une partie continue et frappe positivement le verre.

44.

Le débit d'aspiration à la canalisation d'évacuation aval 46, 49 est réglé de manière à compenser la quantité totale de gaz soufflé ou tiré dans la chambre, en tenant compte de la création de gaz à l'intérieur de la 5 chambre, due à l'évaporation de la matière pulvérisée.

Le processus a pour résultat la formation d'un revêtement très uniforme et substantiellement dépourvu de défauts.

FIGURE 4 10 Comme précédemment, les éléments servant à des fonctions analogues à celles illustrées dans les figures précédantes ont de nouveau reçu les chiffres de référence correspondants.

Dans la forme de réalisation de la figure 4, l'aju-15 tage de pulvérisation unique animé d'un mouvement de va-et-vient des figures précédentes est remplacé par plusieurs ajutages de ce type, quoiqu'un seul soit représenté. Ces ajutages 7 sont déplacés sur des portions de pistes (non représentées) situées entre deux canalisations de déchar-20 gement de gaz 35 ayant des orifices 51 inclinés vers le bas s'étendant sur la totalité de la largeur de la chambre.

Le toit 5 descend selon une forme continue partiellement incurvée au dessus de la zone de pulvérisation 9 et il continue à descendre de manière que le passage 13 ait une 25 hauteur décroissante dans la direction aval, en facilitant un écoulement régulier de matière vers l'aval à l'intérieur de la chambre 6. Comme dans la figure 3, des canalisations d'évacuation latérale sont présentes pour aspirer, de ce passage, de la matière de l'atmosphère à son extrémité aval, · 30 mais dans cette figure, ces aspirateurs occupent un peu plus de la moitié de la longueur du passage. Le pente du toit du passage compense la quantité réduite de matière s'écoulant le long du passage, due à cette augmentation d'aspiration.

k l'extrémité amont de la chambre, la paroi d'ex-35 trémité 43 descend près du parcours de substrat 1, fermant substantiellement cette extrémité de la chambre, et juste en aval de cette cloison d'extrémité est diposé un conduit t J t 45.

auxiliaire de soufflage de gaz 52 qui émet du gaz préchauffé dans la chambre de manière adjacente au substrat. Ce gaz s'écoule dans la direction amont, pour conditionner l'atmosphère en contact avec le substrat, là où il est pour la 5 première fois atteint par la matière formatrice de revêtement, et pour empêcher l'accumulation de vapeur contre la paroi d'extrémité amont 43.

Ä l'extrémité aval de la zone de pulvérisation, deux orifices de déchargement de gaz 53, dirigés horizontale) lement et inclinés vers l'intérieur, sont disposés de manière à entraîner la vapeur de matière formatrice de revêtement qui sera générée à l'intérieur de la zone de pulvérisation, vers l'intérieur dans la direction aval en l'écartant ainsi des parois latérales du passage.

15 EXEMPLE 4

On forme un revêtement d'oxyde d'étain dopé au fluor de 400nm d'épaisseur sur un ruban de verre de 4mm d'épaisseur se déplaçant depuis une chambre de flottage à une vitesse de 8,5m/min et pénètrent dans la chambre à une 20 température de 600°C. La chambre a une longueur totale de 8 mètres.

La matière formatrice de revêtement utilisée est une solution aqueuse de chlorure stanneux contenant du bifluorure d'ammonium pour fournir des ions dopants au 25 revêtement. Cette solution est pulvérisée par les ajutages à raison de 110L/h. Les ajutages sont tous parallèles et inclinés de 75° sur l'horizontale. Ils sont disposés à 1,5 mètres au dessus du substrat.

De l'air préchauffé à 550°C est déchargé à raison 30 de 5000Nm3/h par les deux orifices 51 pour entraîner de la solution de matière formatrice de revêtement évaporée, et l'air soufflé par le conduit auxiliaire 52 est également préchauffé à 500°C. L'aspiration au-dessus du niveau du substrat est contrôlé de manière à compenser la quantité de 35 gaz introduite ou formée dans la chambre et à favoriser un écoulement général de matière vers l'aval.

De l'air préchauffé à 600°C est déchargé à raison 46.

de 3000Nm^/h par les moyens de soufflage 22 en dessous du parcours du substrat.

Ce processus a également pour résultat la formation d'un revêtement très uniforme, substantiellement dépourvu de 5 défauts locaux et ayant un voile très bas et uniformément bas.

EXEMPLES 5 A 8

Dans une variante de chacun des exemples ci-dessus, la dispositif illustré est utilisé pour former un revêtement 10 sur du verre gui a été coupé en feuilles et ensuite réchauffé, par des procédés en tous autres points tels que décrits.

On obtient des résultats similaires.

Claims (58)

1. Dispositif pour la formation par pyrolyse d'un revêtement de composé métallique sur la face supérieure d'un substrat de verre chaud en forme de feuille ou de ruban, comprenant des moyens de transport pour acheminer un tel 5 substrat vers l'aval le long d'un parcours, un poste de traitement comprenant un toit délimitant une chambre ouverte vers le bas sur le dit parcours et des moyens pour pulvériser une solution formatrice de revêtement dans la dite chambre, vers le bas et en direction du substrat, carac- 10 térisé en ce que: - les moyens de pulvérisation sont disposés de manière à pulvériser la dite solution formatrice de revêtement dans une zone de pulvérisation de .la . dite chambre depuis une hauteur d'au moins 75cm au-dessus du parcours du substrat; 15. des moyens de chauffage sont présents et fournissent de la chaleur à la dite zone de pulvérisation; - le toit délimite une portion de la dite chambre formant un passage vers l'aval de la dite zone de pulvérisation et conférant à la chambre une longueur totale d'au moins 2 20 mètres; - et des moyens sont présents pour générer des forces d'aspiration agissant sur l'atmosphère située à l'intérieur du passage en favorisant l'écoulement de la matière qui la constitue le long du parcours du substrat vers l'extrémité 25 aval du dit passage et la pénétration de celle-ci dans une canalisation d'évacuation qui l'écarte du parcours du substrat.

2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la chambre a une longueur d'au moins 5 30 mètres.

3. Dispositif selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que les moyens de pulvérisation sont disposés de manière à pulvériser la dite solution formatrice de revêtement depuis une source située à au moins 1 mètre, 35 et de préférence à au moins 1,2 mètres, au-dessus du parcours du substrat. 48.

4. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'à l'extrémité aval de la zone de pulvérisation/ le toit descend substantiellement verticalement pour délimiter une fente de sortie menant au dit b passage.

5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que la hauteur de la dite fente de sortie est au plus égale à la moitié de la hauteur entre la source de pulvérisation et le parcours du substrat. “ 10

6. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que, sur une partie au moins de sa longueur, le passage a une hauteur inférieure à celle de la zone de pulvérisation.

7. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 15 6, caractérisé en ce que le toit converge vers l'aval en direction du parcours du substrat sur la longueur du dit passage.

8. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le toit comprend un pont au dessus 20 du parcours du substrat qui délimite une fente de sortie de la zone de pulvérisation et gui sépare cette zone du dit passage, ce passage ayant une hauteur plus grande que celle de la fente de sortie.

9. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 25 8, caractérisé en ce que les moyens de pulvérisation sont disposés de manière à pulvériser la matière formatrice de revêtement vers le bas et dans la direction aval.

10. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que des moyens sont présents pour 30 délivrer de la matière formatrice de revêtement et au moins un courant gazeux dans la dite zone de pulvérisation dans des directions qui s'entrecoupent.

11. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comprend au moins un dispositif pour déli- 35 vrer du gaz ayant un orifice disposé dans la moitié supérieure de la hauteur comprise entre la source de pulvérisation et la dite face de substrat. 49.

„ 12. Dispositif selon l'une des revendications 10 ou 11/ caractérisé en ce que des moyens sont présents pour préchauffer au moins un tel courant de gaz.

13. Dispositif selon l'une des revendications 10 à 5 12, caractérisé en ce qu'au moins un dispositif pour déli vrer du gaz est disposé de manière à décharger un tel courant de gaz depuis un endroit situé en amont de l'axe de pulvérisation de matière formatrice de revêtement.

14. Dispositif selon l'une des revendications 1 à e 10 13, caractérisé en ce que des moyens de chauffage par rayon nement dirigés vers le bas sont placés au dessus de la zone de pulvérisation.

15. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 14, caractérisé en ce que.des moyens sont présents pour 15 chauffer le dit passage par le haut.

16. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 15, caractérisé en ce qu'en amont de l'axe de pulvérisation des moyens de pulvérisation de la matière formatrice de revêtement, des moyens sont présents pour décharger un jet 20 de gaz vers le bas au voisinage du dit axe de pulvérisation, de manière à protéger de la matière formatrice de revêtement pulvérisée.

17. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 16, caractérisé en ce que les moyens de pulvérisation de 25 matière formatrice de revêtement comprennent un ajutage de pulvérisation et des moyens pour déplacer de manière répétitive un tel ajutage le long d'un parcours transversal au parcours du substrat.

18. Dispositif selon l'une des revendications 16 ou 30 17, caractérisé en ce que des moyens sont présents pour déplacer de manière répétitive de tels moyens de déchargement d'un jet de gaz de protection le long d'un parcours transversal au dit parcours du substrat en tandem avec l'ajutage de pulvérisation de matière formatrice de 35 revêtement.

19. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 18, caractérisé en ce que des moyens sont présents pour 50. » souffler du gaz vers le haut de chaque côté du parcours du substrat dans la zone de pulvérisation.

20. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 19, caractérisé en ce qu'une canalisation d'évacuation est 5 disposée à l'extrémité aval de la dite chambre et possède une ou plusieurs entrées disposées au dessus du parcours du substrat et s'étendant au travers d'au moins la majeure partie de sa largeur.

21. Dispositif selon la revendication 20, caracté-10 risé en ce qu'une pelle incurvée est présente à une telle entrée d'évacuation.

22. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 21, caractérisé en ce que des moyens sont présents pour empêcher l'écoulement de matière de l'atmosphère au-delà des 15 côtés du parcours du substrat et entre des zones situées verticalement au-dessus et verticalement en dessous de ce parcours, sur au moins une partie de la longueur de la chambre.

23. Dispositif selon la revendication 22, caracté-20 risé en ce que de tels moyens pour empêcher l'écoulement comprennent des déflecteurs.

24. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 23, caractérisé en ce que des moyens sont présents pour générer des forces d'aspiration dans une canalisation d'éva- 25 cuation latérale disposée de manière à faire s'écarter de la matière de l'atmosphère surmontant le parcours du substrat du centre du dit parcours, sur au moins une portion du dit passage.

25. Dispositif selon la revendication 24, caracté-30 risé en ce que la dite canalisation d'évacuation est disposée de manière à aspirer de la matière de l'atmosphère, : latéralement, sur une zone s'étendant substantiellement sur la totalité du dit passage.

26. Dispositif selon l'une des revendications 24 ou 35 25, caractérisé en ce que la dite canalisation d'évacuation latérale possède des entrées qui sont disposées en-dessous du niveau du parcours du substrat. 51.

27. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 26, caractérisé en ce que des moyens sont présents pour décharger du gaz dans l'environnement du substrat, de manière à former un courant continu s'écoulant vers l'aval en- 5 dessous de chaque bord du parcours du substrat et le long d'au moins une partie de la longueur du parcours occupée par la dite chambre.

28. Dispositif selon la revendication 27, caractérisé en ce que les moyens pour décharger du gaz pour former " 10 un tel courant en-dessous du niveau du parcours sont dis posés de manière à décharger du gaz pour former un tel courant au travers de la largeur totale du parcours du substrat.

29. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 15 28, caractérisé en ce qu'une paroi de barrage est disposée au-dessus du parcours du substrat en s'étendant au travers de la totalité de sa largeur et en fermant substantiellement l'extrémité aval de la dite chambre.

30. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 20 29, caractérisé en ce que le poste de traitement est disposé entre la sortie d'une installation de formage de ruban et l'entrée d'une galerie de recuisson.

31. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 30, caractérisé en ce que des moyens sont présents pour 25 taire s'écouler du gaz au travers d'une fente d'entrée du substrat dans la dite chambre depuis l'amont de celle-ci et pour préchauffer ce gaz.

32. Dispositif selon la revendication 31, caractérisé en ce que les moyens provoquant une telle entrée de 30 gaz, et/ou la forme de la fente d'entrée, sont tels qu'ils provoquent un plus grand débit d'un tel gaz sur les bords du parcours du substrat qu'en son centre.

33. Procédé de formation par pyrolyse d'un revê- - tement de composé métallique sur la face supérieure d'un 3b substrat de verre chaud en forme de feuille ou de ruban pendant son acheminement vers l'aval le long d'un parcours au travers d'une chambre dans laquelle au moins un courant - J 52. de solution formatrice de revêtement est pulvérisé vers le é bas et en direction du substrat, caractérisé en ce que: une zone de pulvérisation de la dite chambre est chauffée pour provoquer l'évaporation d'une partie de la matière 5 formatrice de revêtement avant qu'elle n'atteigne le substrat et charger l'atmosphère dans une telle zone de matière formatrice de revêtement vaporisée; - la solution est pulvé-t risée avec une énergie suffisante pour assurer un impact positif de matière formatrice de revêtement restante contre - 10 le substrat pour amorcer le revêtement de la dite face de substrat; - et on fait s'écouler l'atmosphère chargée de matière formatrice de reevêtement en phase vapeur vers l'aval depuis la zone de pulvérisation le long de et en contact avec la face de substrat en cours de recouvrement 15 pendant un temps de contact. de 10 secondes au moins, et le résidu du courant chargé de matière formatrice de revêtement est ensuite écarté du substrat.

34. Procédé selon la revendication 33, caractérisé en ce que la dite chambre a une longueur telle que, compte 20 tenu de la vitesse d'acheminement du substrat, tout incrément de longueur du substrat reste exposé à de la vapeur de matière formatrice de revêtement pendant au moins 20 secondes.

35. Procédé selon l'une des revendications 33 ou 25 34, caractérisé en ce que la dite solution formatrice de revêtement est pulvérisée au départ d'une source située à au moins 75 cm, et de préférence à au moins 1,2 mètre, au dessus de la dite face de substrat.

36. Procédé selon l'une des revendications 33 à 35, 30 caractérisé en ce que l'atmosphère chargée de vapeur est extraite de la zone de pulvérisation vers un passage formé d'une portion aval de la chambre via une fente de sortie de hauteur moindre que la zone de pulvérisation.

37. Procédé selon la revendication 36, caractérisé 35 en ce que la hauteur de la dite fente de sortie est au plus égale à la moitié de la hauteur comprise entre la source de pulvérisation et la dite face de substrat. 4 53. *

38. Procédé selon l'une des revendications 33 à 37, caractérisé en ce que le dit écoulement vers l'aval de gaz chargé de matière formatrice de revêtement se produit à l'intérieur d'un passage qui est chauffé.

39. Procédé selon l'une des revendications 33 à 38, caractérisé en ce que la solution formatrice de revêtement est pulvérisée vers le bas et dans la direction aval.

" 40. Procédé selon l'une des revendications 33 à 39, caractérisé en ce que la matière formatrice de revêtement et 10 au moins un courant de gaz sont introduits dans la dite zone de pulvérisation de manière que leurs trajectoires s'entrecoupent .

41. Procédé selon la revendication 40, caractérisé en ce qu'au moins un tel courant de gaz est déchargé depuis 15 un orifice situé dans la moitié supérieure de la hauteur comprise entre la source de pulvérisation et la dite face de substrat.

42. Procédé selon l'une des revendications 40 ou 41, caractérisé en ce qu'au moins un tel courant de gaz est 20 préchauffé.

43. Procédé selon l'une des revendications 40 à 42, caractérisé en ce qu'au moins un tel courant de gaz est déchargé depuis le côté amont de la trajectoire de la solution formatrice de revêtement pulvérisée.

44. Procédé selon l'une des revendications 33 à 43, caractérisé en ce que de la chaleur est fournie à la dite zone de pulvérisation au moins partiellement en dirigeant du rayonnement calorifique vers le bas depuis en endroit situé au-dessus du trajet de la solution formatrice de revêtement 30 pulvérisée.

45. Procédé selon l'une des revendications 33 à 44, . caractérisé en ce que, du côté amont du courant de matière formatrice de revêtement, ce courant est protégé par un jet de gaz qui est déchargé en continu, vers le bas en direction 35 du substrat, au voisinage du dit courant pulvérisé.

46. Procédé selon l'une des revendications 33 à 45, caractérisé en ce que la dite solution de matière formatrice •ν' * 54. , de revêtement est pulvérisée sous forme d'un courant de gouttelettes qui est déplacé de manière répétée transversalement au parcours du substrat.

47. Procédé selon les revendications 45 et 46, 5 caractérisé en ce qu'un tel jet de gaz de protection est déplacé de manière répétitive transversalement au dit parcours, en tandem avec le courant de matière formatrice de revêtement.

48. Procédé selon l'une des revendications 33 à 47, 10 caractérisé en ce que du gaz est soufflé vers le haut de chaque côté du parcours du substrat dans la zone de pulvérisation .

49. Procédé selon l'une des revendications 33 à 48, caractérisé en ce que sur au moins une.partie de la longueur 15 de la chambre, on empêche l'écoulement de matière de l'atmosphère au-delà des bords latéraux du substrat et entre des zones situées Verticalement au-dessus et verticalement en-dessous du substrat.

50. Procédé selon l'une des revendications 31 à 49, 20 caractérisé en ce que des forces d'aspiration sont générées dans une canalisation d'évacuation latérale disposée de manière que de la matière de l'atmosphère au-dessus du substrat s'écarte de la partie centrale du parcours du substrat, sur au moins une portion de la longueur de la dite 25 chambre.

51. Procédé selon la revendication 50, caractérisé en ce que l'on fait s'écouler latéralement de la dite matière de l'atmosphère, sur une zone s'étendant au moins sur la majeure partie de la longueur de la dite chambre, en aval de 30 la zone du premier dépôt sur le substrat de matière de revêtement.

. 52. Procédé selon l'une des revendications 50 ou 51, caractérisé en ce que la dite matière de l'atmosphère est extraite par aspiration à un niveau situé en-dessous du 35 substrat.

53. Procédé selon l'une des revendications 33 à 52, caractérisé en ce que du gaz est déchargé dans 1'environ- 55. i t nement du substrat de manière à former un courant continu s'écoulant vers l'aval en-dessous de chaque bord du substrat et le long d'au moins une partie de la longueur de la dite chambre.

54. Procédé selon la revendication 53, caractérisé en ce qu'un tel courant de gaz s'écoule en-dessous du substrat sous la totalité de la largeur du substrat.

55. Procédé selon l'une des revendications 33 à 54, caractérisé en ce que la chambre est substantiellement 10 fermée à son extrémité aval pour prévenir l'échange de matière de l'atmosphère entre l'extrémité aval de la chambre et une autre région plus en aval du parcours du substrat.

56. Procédé selon la revendication 55, caractérisé en ce que le substrat en verre est un ruban fraîchement 15 formé de verre chaud et le revêtement est formé après que ce ruban quitte une installation de formage, et avant son entrée dans une galerie de recuisson.

57. Procédé selon l'une des revendications 33 à 56, caractérisé en ce qu'on fait entrer et s'écouler vers l'aval 20 dans la dite chambre, du gaz préchauffé en contact avec le substrat.

58. Procédé selon la revendication 57, caractérisé en ce qu'on fait pénétrer dans la dite chambre un tel gaz préchauffé sous un débit volumique plus élevé sur les bords 25 du substrat qu'en son centre.