KR980700675A - 플라즈마 처리를 위한 방법 및 장치(Method and Apparatus for Plasma Processing) - Google Patents

플라즈마 처리를 위한 방법 및 장치(Method and Apparatus for Plasma Processing)

Info

Publication number
KR980700675A
KR980700675A KR1019970703915A KR19970703915A KR980700675A KR 980700675 A KR980700675 A KR 980700675A KR 1019970703915 A KR1019970703915 A KR 1019970703915A KR 19970703915 A KR19970703915 A KR 19970703915A KR 980700675 A KR980700675 A KR 980700675A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
workpiece
plasma
source
heating
Prior art date
Application number
KR1019970703915A
Other languages
English (en)
Inventor
롱후아 알. 웨이
제시 엔. 마토시안
피터 미쿠라
데보라 클라크
Original Assignee
완다 케이. 덴슨-로우
에이치이 홀딩스, 인크. 두잉 비지네스 에즈 휴우즈 일렉트로닉스
바바라 에이. 리스트
제너럴 모터스 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 완다 케이. 덴슨-로우, 에이치이 홀딩스, 인크. 두잉 비지네스 에즈 휴우즈 일렉트로닉스, 바바라 에이. 리스트, 제너럴 모터스 코포레이션 filed Critical 완다 케이. 덴슨-로우
Publication of KR980700675A publication Critical patent/KR980700675A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
    • C23C8/36—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases using ionised gases, e.g. ionitriding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/336—Changing physical properties of treated surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/338—Changing chemical properties of treated surfaces

Abstract

작업물(26)을 가열하기 위한 플라즈마 가열 장치(20)은 내부에 작업물(26)을 수용하기에 충분한 크기의 챔버(22)와 약 0.01 밀리토르 내지 약 100 밀리토르 정도의 감소된 개스압원을 챔버 내에 포함한다. 플라즈마 가열 장치(20)은 엔빌로핑 플라즈마(enveloping plasma)의 플라즈마원(40)을 더 포함한다. 선택적으로, 작업물 전압이 작업물(26)과 챔버(22)의 벽(24) 사이에 인가될 수도 있고, 반응성 개스원(34)가 챔버를 백필링(backfilling)하기 위해 제공될 수도 있으며, 작업물(26) 부분의 독립적인 가열을 위해 복사 히터(radiant heater, 25)가 제공될 수도 있다. 동작에 있어서, 플라즈마원(40)은 작업물(26)을 둘러싸는 플라즈마를 생성한다. 플라즈마와 작업물(26)의 가열은 작업물(26)의 제어가능한 균일 또는 불균일 처리 및/또는 표면 처리를 이루기 위해 조절된다. 장치(20)은 작업물(26)을 진공에서 열 처리하기 위해 사용될 수 있으며, 질소, 탄소, 또는 붕소 개스원과 같은 반응성 개스가 작업물(26)의 표면의 화학적 특성을 바꾸기 위해 챔버(22) 내에 백필링될 수 있다.

Description

플라즈마 처리를 위한 방법 및 장치(Method and Apparatus for Plasma Processing)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 불규칙한 모양의 작업물 주위에 위치한 필라멘트와 히터를 갖는 플라즈마 이온 가열 장치의 개략도.
제4도는 성형된 필라멘트를 갖는 플라즈마 이온 가열 장치의 개략도.
제5도는 복수의 필라멘트를 갖는 플라즈마 이온 가열 장치의 개략도.
제6도는 복수의 작업물을 갖는 플라즈마 이온 가열 장치의 개략도.
제7도는 원격 플라즈마원을 갖는 플라즈마 이온 가열 장치의 개략도.
제8도는 무선 주파수 에너지에 의해 여기되는 플리멘트를 갖는 플라즈마 이온 가열 장치의 개략도.

Claims (12)

  1. 작업물을 가열하기 위한 플라즈마 가열 장치에 있어서, 챔버벽을 가지며 내부에 작업물을 수용하기에 충분한 크기의 챔버; 약 0. 01 내지 100 밀리토르 (millitorr)의 감소된 개스 압력을 상기 챔버 내에 생성하기 위한 수단; 및 상기 챔버벽을 애노우드(anode)로서 가지며 상기 작업물이 아닌 다른 전자방출기를 포함하는 엔빌로핑 플라즈마(enveloping plasma)의 플라즈마원을 포함하는 것을 특징으로 하는 작업물을 가열하기 위한 플라즈마 가열 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마원으로부터의 이온의 이온 충돌 에너지와 플라즈마 밀도를 독립적으로 제어하기 위한 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 작업물을 가열하기 위한 플라즈마 가열 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 작업물의 가열에 있어서 보조적인 역할을 하도록 상기 챔버 내에 위치하며, 상기 플라즈마원과 독립되어 동작할 수 있는 복사 히터 (radiant heater)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 작업물을 가열하기 위한 플라즈마 가열 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 챔버내에 위치한 작업물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 작업물을 가열하기 위한 플라즈마 가열 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 작업물과 상기 챔버력 사이에 접속된 작업물 바이어스 전압원(workpiece bias voltage source)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 작업물을 가열하기 위한 플라즈마 가열 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마원은 상기 작업물에 관해 다른 위치에서 제어 가능한 가변 밀도를 가지는 플라즈마를 생성하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 작업물을 가열하기 위한 플라즈마 가열 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 생성 수단은 상기 챔버의 내부와 통하는 비-반응성 개스원을 포함하는 것을 특징으로 하는 작업물을 가열하기 위한 플라즈마 가열 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 생성 수단은 상기 챔버의 상기 내부와 통하는 반응성 개스원을 포함하는 것을 특징으로 하는 작업물을 가열하기 위한 플라즈마 가열 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 감소된 압력을 생상하기 위한 수단은 상기 진공 챔버의 내부와 통하는 진공 펌프, 및 상기 챔버의 내부와 제어가능하게 통하는 개스원을 포함하며, 상기 엔빌로핑 플라즈마의 플라즈마원은 상기 챔버 내에 위치한 열이온 필라멘트, 상기 열이온 필라멘트를 위한 전류원, 및 상기 필라멘트와 상기 챔버력 사이에 접속된 필라멘트 바이어스 전압원을 포함하는 것을 특징으로 하는 반응성 개스원을 포함하는 것을 특징으로 하는 작업물을 가열하기 위한 플라즈마 가열 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 필라멘트는 최소한 2개의 필라멘트를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응성 개스원을 포함하는 것을 특징으로 하는 작업물을 가열하기 위한 플라즈마 가열 장치.
  11. 작업물을 처리하기 위한 방법에 있어서, 챔버벽을 가지며 내부에 작업물을 수용하기에 충분한 크기의 챔버와 상기 챔버벽을 애노우드로서 가지며 상기 챔버 내에 국부적으로 위치한 엔빌로핑 플라즈마의 플라즈마원을 포함하는 장치를 제공하는 단계; 작업물을 상기 챔버 내에 위치시키는 단계; 상기 챔버 내에 약 0.01 내지 100 밀리토르의 개스압을 생성하는 단계; 및 상기 작업물을 가열하기 위해 상기 플라즈마원을 동작시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 작업물을 처리하기 위한 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 동작 단계 중에 수행되며 상기 플라즈마 내의 전하 교환을 제어하기 위해 상기 개스압을 변화시키는 추가적인 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 작업물을 처리하기 위한 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970703915A 1995-10-12 1996-10-10 플라즈마 처리를 위한 방법 및 장치(Method and Apparatus for Plasma Processing) KR980700675A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/543,860 US5859404A (en) 1995-10-12 1995-10-12 Method and apparatus for plasma processing a workpiece in an enveloping plasma
US543,860 1995-10-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR980700675A true KR980700675A (ko) 1998-03-30

Family

ID=24169830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970703915A KR980700675A (ko) 1995-10-12 1996-10-10 플라즈마 처리를 위한 방법 및 장치(Method and Apparatus for Plasma Processing)

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5859404A (ko)
EP (1) EP0797838B1 (ko)
JP (1) JPH10503554A (ko)
KR (1) KR980700675A (ko)
DE (1) DE69626782T9 (ko)
WO (1) WO1997014172A1 (ko)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2210480T3 (es) * 1997-04-18 2004-07-01 Plasma Metal S.A. Proceso de nitruracion y horno de nitruracion para su realizacion.
JP4643798B2 (ja) * 2000-05-31 2011-03-02 パナソニック株式会社 表面処理装置
EP1288329A1 (de) * 2001-09-03 2003-03-05 C C R GmbH Beschichtungstechnologie Verfahren zur Herstellung dünner Oxid- oder Nitridschichten
US7049539B2 (en) * 2002-04-01 2006-05-23 Nagata Seiki Kabushiki Kaisha Method for surface treating a die by electron beam irradiation and a die treated thereby
EP1361437A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-12 Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) A novel biological cancer marker and methods for determining the cancerous or non-cancerous phenotype of cells
US7560657B2 (en) * 2002-05-08 2009-07-14 Btu International Inc. Plasma-assisted processing in a manufacturing line
US7498066B2 (en) * 2002-05-08 2009-03-03 Btu International Inc. Plasma-assisted enhanced coating
US20060057016A1 (en) * 2002-05-08 2006-03-16 Devendra Kumar Plasma-assisted sintering
US7638727B2 (en) * 2002-05-08 2009-12-29 Btu International Inc. Plasma-assisted heat treatment
US20060062930A1 (en) * 2002-05-08 2006-03-23 Devendra Kumar Plasma-assisted carburizing
US20060237398A1 (en) * 2002-05-08 2006-10-26 Dougherty Mike L Sr Plasma-assisted processing in a manufacturing line
US7465362B2 (en) * 2002-05-08 2008-12-16 Btu International, Inc. Plasma-assisted nitrogen surface-treatment
US7494904B2 (en) * 2002-05-08 2009-02-24 Btu International, Inc. Plasma-assisted doping
US7445817B2 (en) * 2002-05-08 2008-11-04 Btu International Inc. Plasma-assisted formation of carbon structures
CN1302843C (zh) * 2002-05-08 2007-03-07 达纳公司 等离子体辅助渗碳
US20060228497A1 (en) * 2002-05-08 2006-10-12 Satyendra Kumar Plasma-assisted coating
US20050233091A1 (en) * 2002-05-08 2005-10-20 Devendra Kumar Plasma-assisted coating
US20060233682A1 (en) * 2002-05-08 2006-10-19 Cherian Kuruvilla A Plasma-assisted engine exhaust treatment
EP1501690B1 (en) * 2002-05-08 2007-11-21 Leonhard Kurz GmbH & Co. KG Method of decorating large plastic 3d objects
US7497922B2 (en) * 2002-05-08 2009-03-03 Btu International, Inc. Plasma-assisted gas production
JP4257157B2 (ja) * 2003-06-13 2009-04-22 本田技研工業株式会社 窒化処理方法及び装置
US7261914B2 (en) * 2003-09-02 2007-08-28 Southwest Research Institute Method and apparatus for forming a nitride layer on a biomedical device
WO2006127037A2 (en) * 2004-11-05 2006-11-30 Dana Corporation Atmospheric pressure processing using microwave-generated plasmas
US7591057B2 (en) * 2005-04-12 2009-09-22 General Electric Company Method of repairing spline and seal teeth of a mated component
US7687151B2 (en) * 2005-04-12 2010-03-30 General Electric Company Overlay for repairing spline and seal teeth of a mated component
US20070172689A1 (en) * 2006-01-24 2007-07-26 Standard Aero (San Antonio), Inc. Treatment apparatus and method of treating surfaces
JP5606707B2 (ja) * 2009-09-04 2014-10-15 学校法人 名城大学 窒化処理装置及び窒化処理方法
ES2344981B1 (es) * 2010-03-01 2011-05-06 Asociacion De La Industria Navarra (Ain) Procedimiento para la nitruracion de aleaciones metalicas y dispositivo para llevar a cabo dicho procedimiento.
KR101403989B1 (ko) * 2010-11-09 2014-06-10 포항공과대학교 산학협력단 그래핀 피복 강판 및 이의 제조 방법
US8884525B2 (en) * 2011-03-22 2014-11-11 Advanced Energy Industries, Inc. Remote plasma source generating a disc-shaped plasma
JP5956302B2 (ja) * 2012-10-15 2016-07-27 清水電設工業株式会社 プラズマ処理装置、ヘテロ膜の形成方法
DE102013006589A1 (de) * 2013-04-17 2014-10-23 Ald Vacuum Technologies Gmbh Verfahren und Vorrichtung für das thermochemische Härten von Werkstücken
RU2611248C2 (ru) * 2015-06-25 2017-02-21 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" Способ азотирования деталей в тлеющем разряде на различную глубину азотированного слоя
JP2022552568A (ja) * 2019-10-16 2022-12-16 ユー．エス．エレクトロン・インコーポレイテッド プラズマカソードを用いた電子ビーム溶接システム
CN115287583B (zh) * 2022-07-11 2024-01-30 华南理工大学 一种适用于钟表圈口强化的离子渗镀夹具装置及方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH611938A5 (ko) * 1976-05-19 1979-06-29 Battelle Memorial Institute
JPS581186B2 (ja) * 1977-12-13 1983-01-10 双葉電子工業株式会社 イオンプレ−テイング装置
US4394234A (en) * 1979-02-02 1983-07-19 Hitachi, Ltd. Method of processing electrically conductive material by glow discharge
US4342631A (en) * 1980-06-16 1982-08-03 Illinois Tool Works Inc. Gasless ion plating process and apparatus
US4600464A (en) * 1985-05-01 1986-07-15 International Business Machines Corporation Plasma etching reactor with reduced plasma potential
US4764394A (en) * 1987-01-20 1988-08-16 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and apparatus for plasma source ion implantation
JP2572438B2 (ja) * 1989-01-30 1997-01-16 ホーヤ株式会社 ガラスプレス成形型の製造方法
US5078847A (en) * 1990-08-29 1992-01-07 Jerry Grosman Ion plating method and apparatus
GB2251631B (en) * 1990-12-19 1994-10-12 Mitsubishi Electric Corp Thin-film forming apparatus
GB2261227B (en) * 1991-11-08 1995-01-11 Univ Hull Surface treatment of metals
US5374456A (en) * 1992-12-23 1994-12-20 Hughes Aircraft Company Surface potential control in plasma processing of materials
US5498290A (en) * 1993-08-27 1996-03-12 Hughes Aircraft Company Confinement of secondary electrons in plasma ion processing
US5571332A (en) * 1995-02-10 1996-11-05 Jet Process Corporation Electron jet vapor deposition system
DE19746332C2 (de) * 1997-02-19 1999-10-07 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung zum Beschichten von Bauteilen oder anderen Materialien

Also Published As

Publication number Publication date
DE69626782D1 (de) 2003-04-24
DE69626782T9 (de) 2004-07-22
EP0797838A1 (en) 1997-10-01
WO1997014172A1 (en) 1997-04-17
MX9704311A (es) 1998-06-28
DE69626782T2 (de) 2004-02-12
JPH10503554A (ja) 1998-03-31
US5859404A (en) 1999-01-12
EP0797838B1 (en) 2003-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR980700675A (ko) 플라즈마 처리를 위한 방법 및 장치(Method and Apparatus for Plasma Processing)
US4438368A (en) Plasma treating apparatus
EP0271341B1 (en) Method and apparatus for ion etching
US8357912B2 (en) Techniques for providing a multimode ion source
KR100571015B1 (ko) 데카보란 이온화기
US5948283A (en) Method and apparatus for enhancing outcome uniformity of direct-plasma processes
KR960015721A (ko) 플라즈마 막형성방법과 장치 및 플라즈마 처리장치
TW376547B (en) Method and apparatus for plasma processing
JPS63274762A (ja) 反応蒸着膜の形成装置
KR950011847B1 (ko) 플라즈마 소스 이온 주입 장치 및 방법
US4555611A (en) Method and apparatus for uniformly heating articles in a vacuum container
US5216241A (en) Fast atom beam source
US20060060566A1 (en) Method and device for substrate etching with very high power inductively coupled plasma
JP2002194527A (ja) 電子ビーム励起プラズマを用いた窒化処理装置
WO2001005197A3 (en) High-speed symmetrical plasma treatment system
US6773558B2 (en) Fluorine generator
JPH01302645A (ja) 放電装置
US20070119375A1 (en) Dual large area plasma processing system
CA2207273C (en) Method and apparatus for plasma processing
KR100317731B1 (ko) 고밀도 플라즈마 이온질화 방법 및 그 장치
JP2656503B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理方法
JP2654769B2 (ja) イオン注入装置
JPH01225764A (ja) プラズマ浸炭装置およびプラズマ浸炭方法
RU2175817C1 (ru) Устройство для химико-термической обработки металлических изделий в несамостоятельном разряде
JPH0211762A (ja) 表面加工容器中高エネルギーイオン注入法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application