JP4257157B2 - 窒化処理方法及び装置 - Google Patents

窒化処理方法及び装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4257157B2
JP4257157B2 JP2003169012A JP2003169012A JP4257157B2 JP 4257157 B2 JP4257157 B2 JP 4257157B2 JP 2003169012 A JP2003169012 A JP 2003169012A JP 2003169012 A JP2003169012 A JP 2003169012A JP 4257157 B2 JP4257157 B2 JP 4257157B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
workpiece
temperature
nitriding
heat treatment
glow discharge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003169012A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005002444A (ja
Inventor
豊 竹内
均 唐澤
秀男 小島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Honda Motor Co Ltd
Original Assignee
Honda Motor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2003169012A priority Critical patent/JP4257157B2/ja
Application filed by Honda Motor Co Ltd filed Critical Honda Motor Co Ltd
Priority to PCT/JP2004/008133 priority patent/WO2004111293A1/ja
Priority to US10/559,531 priority patent/US20060124202A1/en
Priority to CN2009101415754A priority patent/CN101570847B/zh
Priority to EP04745763A priority patent/EP1640470B1/en
Priority to CNB2004800162814A priority patent/CN100513628C/zh
Priority to KR1020057023745A priority patent/KR100726821B1/ko
Publication of JP2005002444A publication Critical patent/JP2005002444A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4257157B2 publication Critical patent/JP4257157B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/06Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
    • C23C8/36Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases using ionised gases, e.g. ionitriding
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3485Sputtering using pulsed power to the target
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/548Controlling the composition
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B13/00Adaptive control systems, i.e. systems automatically adjusting themselves to have a performance which is optimum according to some preassigned criterion
    • G05B13/02Adaptive control systems, i.e. systems automatically adjusting themselves to have a performance which is optimum according to some preassigned criterion electric

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱処理炉内にてワークを窒化処理する窒化処理方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
窒化処理は、鋼材からなるワークの表面を窒化させることによって窒化鉄層を形成し、これによりワーク表面を硬化する処理であり、広汎に実施されている。窒化処理の一方法としては、グロー放電によってプラズマ加熱を行うプラズマ窒化処理が挙げられる。
【0003】
ところで、ワークが冷えているとグロー放電が不安定となり、状況によってはアーク放電が発生し、ワーク表面の一部が溶解したり、あるいは、均一な窒化処理を施すことができなくなる不具合が生じる。特に、ワークの温度分布が不均一であると、窒化の進行度合いが場所によって異なってくるため、良好な製品を得ることができなくなってしまう。
【0004】
そこで、安定した窒化処理が可能な所望の温度までワークを迅速且つ均一に加熱することを目的として、ワークの周囲に赤外線ヒータ又はグラファイトクロス発熱体等の加熱手段を配設し、グロー放電と併用してワークを加熱するように構成した従来技術が知られている(例えば、特許文献1、2参照)。
【0005】
【特許文献1】
特開昭52−82641号公報(第2頁左上欄第8行〜第13行)
【特許文献2】
特開昭53−23836号公報(第2頁第右上欄13行〜左下欄第3行)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、例えば、複雑な形状からなる複数のワークを同時に熱処理炉内に投入して加熱するような場合、上記の従来技術のように、単にグロー放電と加熱手段とを併用しただけでは、ワークを均一な温度分布とすることはできない。
【0007】
すなわち、グロー放電による発熱は、基本的には、グロー放電によって生成された窒素イオンがワークの表面に衝突することにより生じるものであるが、ワークがある温度以上に加熱されると、ワーク自身の放射熱によって周囲のワークを加熱することになるため、加熱手段に近接した部位と加熱手段から離間した部位との間に温度差が生じてしまう。なお、ワーク間に多数の加熱手段を配設すれば、この問題を解消可能となるが、例えば、異なる形状からなるワークに対して窒化処理を行うことが要求される多品種少量生産のような生産ラインにおいて、ワーク間の適切な位置に加熱手段を配設して構成することは、実質上不可能である。
【0008】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、ワークを安定して窒化処理が可能な温度まで迅速且つ均一に加熱し、ワークの温度ばらつきの少ない状態で良好な窒化処理を施すことができる窒化処理方法及び装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するために、本発明は、熱処理炉内にてワークを窒化処理する窒化処理方法であって、
前記熱処理炉と前記ワークとの間に1kHz以上の周波数からなる所定の電流密度のパルス電圧を印加し、発生するグロー放電によって前記ワークを加熱する第1ステップと、
前記ワークの温度が少なくとも350℃に到達した後、前記パルス電圧の電流密度を減少させる一方、前記ワークの周囲に配設した発熱体により前記ワークを所望の窒化処理温度まで加熱する第2ステップと、
からなり、前記グロー放電で生成された窒素イオン又は窒素ラジカルにより窒化処理を行うことを特徴とする。
【0010】
また、本発明は、熱処理炉内にてワークを窒化処理する窒化処理装置であって、
前記熱処理炉と前記ワークとの間に1kHz以上の周波数からなる所定の電流密度のパルス電圧を印加してグロー放電を発生させるグロー放電発生手段と、
前記熱処理炉内に配設される発熱体により前記ワークを加熱する加熱手段と、
前記ワークの温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段によって検出された前記ワークの温度に基づき、前記グロー放電発生手段による前記グロー放電の電流密度を制御するとともに、前記加熱手段を制御する制御手段と、
を備え
前記温度検出手段は、
前記熱処理炉内に配設したダミーワークの放射温度を検出するダミーワーク用放射温度計と、
前記ダミーワークの接触温度を検出するダミーワーク用接触温度計と、
前記ワークの放射温度を検出するワーク用放射温度計と、
前記ダミーワークの前記放射温度及び前記接触温度の温度差を算出し、前記ワークの前記放射温度を前記温度差によって補正することで前記ワークの温度を算出するワーク温度算出手段と、
を備えることを特徴とする。
【0011】
この場合、グロー放電を発生させるためのパルス電圧の周波数を1kHz以上とすることにより、電流が連続的に通電される時間を1ms以下とし、短い検知時間でアーク放電の継続を阻止することで、アーク痕が発生する電圧に到達する以前に電流を遮断するため、アーク痕の発生を防止して安定したグロー放電状態を維持し、ワーク表面を損傷させることなく加熱することができる。なお、検知時間は、より短いほうが好ましく、従って、例えば、パルス電圧を発生させる電源としては、15kHz程度のものを使用すると好適である。また、グロー放電によってワークが直接加熱されるため、ワークの形状やワークの配置等によらず、特に、対流や発熱体からの距離、ワークの個数等によりばらつきの生じ易い横型熱処理炉のような構造であっても、熱処理炉内のワーク温度を均一に上昇させることができる。なお、グロー放電と発熱体による加熱とを併用することにより、均一な温度分布を維持した状態でワークを迅速に加熱することができる。この結果、全てのワークが一定温度に到達するまでの所要時間が短く、また、ワークを一定温度に保持する必要時間も短縮することができる。
【0012】
また、加熱中におけるワークの温度を検出し、温度が350℃に到達した後、グロー放電の電流密度を減少させることにより、グロー放電によって加熱されたワーク自体からの過剰な放射熱の発生を回避し、熱処理炉内の温度分布を均一に維持することができるとともに、急激な温度上昇を回避することができる。次いで、この温度からワークの周囲に配設した発熱体を用いてワークをさらに加熱することにより、ワークを所望の窒化処理温度に高精度に設定することができる。
【0013】
この場合、ワークの温度が所望の窒化処理温度を超過すると、ワークに異常組織が生成されてしまうおそれがあるが、本発明では、グロー放電による発熱を高精度に調整することができるため、ワークをオーバーシュートすることのない高温度に設定して窒化処理に要する時間を短縮することができる。
【0014】
なお、グロー放電の電流密度としては、0.05〜7mA/cm2に設定すると好適である。0.05mA/cm2未満であると、特に低温時において、グロー放電が安定せず、均一な加熱ができない。また、電流密度を7mA/cm2よりも大きく設定すると、アーク放電に移行しワークの損傷が生じる。なお、電流密度が0.1mA/cm2未満では、昇温に時間がかかり、また、4mA/cm2を超えると、突起部等を有するワークの場合、突起部等にイオン衝突が起こり易く、異常加熱するおそれがある。従って、電流密度は、0.1〜4mA/cm2の範囲に設定することが好ましい。
【0015】
さらに、本発明では、ワークの温度を接触式の温度計を用いることなく高精度に検出するため、熱処理炉内にダミーワークを配設し、ダミーワークの接触温度と放射温度とを検出するとともに、ワークの放射温度を検出し、ダミーワークの接触温度及び放射温度の温度差からワークの放射温度を補正してワーク自体の温度を推定する。このようにして推定したワークの温度に基づいて、グロー放電や発熱体による加熱を制御することにより、ワークの温度を高精度に管理して極めて良好な窒化処理を行うことができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
図1は、本実施形態の窒化処理装置を含む窒化処理システム10の概略構成図である。この窒化処理システム10には、図2に示すように、ワークである複数のクランクシャフト12が治具14に位置決めされたマガジン16として供給される。
【0017】
窒化処理システム10は、コンベア18によって搬送されるクランクシャフト12に付着した塵や油等を除去する洗浄機20と、洗浄されたクランクシャフト12をコンベア18から受け取って各作業ステーションに搬送するコンベア22と、コンベア22に沿った複数の作業ステーションに配置される横型熱処理炉24と、コンベア22の最終端に接続されるコンベア27によって搬送されるクランクシャフト12を冷却する冷却槽25とを備える。
【0018】
図3は、各作業ステーションに配置される横型熱処理炉24及びその制御回路の構成説明図である。
【0019】
横型熱処理炉24は、クランクシャフト12に対してプラズマ窒化処理を施す熱処理炉であり、クランクシャフト12が位置決めされたマガジン16を水平方向に出入する横型として構成される。横型熱処理炉24には、基台26上に内側隔壁28及び外側隔壁30が配設される。
【0020】
内側隔壁28は、治具14とともにクランクシャフト12を収納する窒化雰囲気からなる窒化処理室32を形成する。また、内側隔壁28と外側隔壁30との間の空間は、内側隔壁28を冷却して熱放射の影響をなくし、窒化処理室32の温度上昇時の制御を容易にする冷却液通路33を形成する。
【0021】
窒化処理室32には、内側隔壁28及び基台26に沿って複数の電気ヒータ34(発熱体)が配設される。また、窒化処理室32には、物性がクランクシャフト12と同等のダミーワーク36が配設される。なお、ダミーワーク36は、クランクシャフト12そのものであってもよい。
【0022】
基台26には、マガジン16に電気的に接続される負電極38が絶縁体40を介して配設されるとともに、ダミーワーク36に電気的に接続される負電極42が絶縁体44を介して配設される。また、窒化処理室32の電気ヒータ34の内側には、電極板45が配設される。この電極板45には、正電極46が接続される。これらの負電極38、42と正電極46との間には、1kHz以上の周波数からなるパルス電圧を印加する放電用電源ユニット48(グロー放電発生手段)が接続される。電気ヒータ34には、ヒータ電源ユニット50(加熱手段)が接続される。
【0023】
また、窒化処理室32には、クランクシャフト12の放射温度を検出するワーク用放射温度計52と、ダミーワーク36の放射温度を検出するダミーワーク用放射温度計54と、ダミーワーク36に固定され、ダミーワーク36の接触温度を検出する熱電対からなるダミーワーク用接触温度計56とが配設される。ワーク用放射温度計52、ダミーワーク用放射温度計54及びダミーワーク用接触温度計56は、温度検出ユニット58(温度検出手段)に接続される。温度検出ユニット58は、検出された各温度データからクランクシャフト12の温度を推定する。
【0024】
窒化処理室32には、窒化処理室32の内部のガスを吸引して所望の真空度を得るための真空吸引ポンプ60がバルブ62を介して接続される。また、窒化処理室32には、窒化処理室32の内部にプラズマ窒化処理を行うためのガス、例えば、窒素ガス、水素ガス、アンモニアガス、アルゴンガス等の混合ガスである窒化処理ガスを供給する窒化処理ガス供給ユニット64がバルブ66を介して接続される。冷却液通路33には、冷却液を供給する冷却液供給ユニット68がバルブ70を介して接続される。なお、冷却液通路33に供給された冷却液は、バルブ72を介して外部に排出可能に構成される。
【0025】
放電用電源ユニット48、ヒータ電源ユニット50、温度検出ユニット58、真空吸引ポンプ60、窒化処理ガス供給ユニット64及び冷却液供給ユニット68は、制御ユニット74(制御手段)によって制御される。
【0026】
本実施形態の窒化処理システム10は、基本的には以上のように構成されるものであり、次にその動作及び作用効果につき、図4に示すフローチャートに従って説明する。
【0027】
先ず、図2に示すように、治具14に複数のクランクシャフト12を位置決めしたマガジン16を準備し、このマガジン16をコンベア18によって洗浄機20に搬入し、各クランクシャフト12に付着している塵や油の除去を行う(ステップS1)。
【0028】
次いで、クランクシャフト12が洗浄されたマガジン16をコンベア22によって搬送し、各横型熱処理炉24の窒化処理室32に投入する(ステップS2)。この場合、横型熱処理炉24は、横型であるため、縦型に比較すると、クランクシャフト12を保持した複数のマガジン16を窒化処理室32に対して容易に出入することができるとともに、窒化処理システム10のレイアウトを簡略化できる利点がある。また、一度に処理できるクランクシャフト12の処理数を容易に増加することができる。これに対して、縦型の場合、熱処理室を上方に大型に構成しなければならない。
【0029】
マガジン16が窒化処理室32に投入されると、治具14の底部が基台26に配設された負電極38と接続される。なお、窒化処理室32には、クランクシャフト12と物性が同等のダミーワーク36が予め配設されている。
【0030】
マガジン16が窒化処理室32に投入され、横型熱処理炉24を密閉した後、窒化処理室32を窒化雰囲気に設定する(ステップS3)。この場合、制御ユニット74は、真空吸引ポンプ60を駆動し、窒化処理室32の内部の空気を所定の真空度まで吸引した後、窒化処理ガス供給ユニット64を駆動し、窒素ガス、水素ガス、アンモニアガス、アルゴンガス等の混合ガスからなる窒化処理ガスを窒化処理室32に導入する。
【0031】
次いで、冷却液供給ユニット68を駆動し、内側隔壁28と外側隔壁30との間の冷却液通路33に冷却液を導入し、内側隔壁28の壁面の冷却を開始する(ステップS4)。また、制御ユニット74は、放電用電源ユニット48に対して、周波数が15kHz、電流密度ρが2.5mA/cm2からなるパルス電圧を設定する(ステップS5)。さらに、制御ユニット74は、ヒータ電源ユニット50の出力Hを40%に設定する(ステップS6)。
【0032】
処理条件を前記のように設定した後、窒化処理室32の窒化雰囲気の加熱及び窒化処理が開始される(ステップS7)。この場合、図5に示すように、クランクシャフト12が投入され、各処理条件の設定が完了して放電用電源ユニット48及びヒータ電源ユニット50が駆動されると(処理時間t0)、負電極38と正電極46との間に印加されるパルス電圧によってグロー放電が発生し、このグロー放電によって窒化処理室32の窒化処理ガスがイオン化してクランクシャフト12の表面に衝突することにより、クランクシャフト12が加熱される。また、クランクシャフト12を保持するマガジン16の外周部に配設されている電気ヒータ34が発熱し、その発熱による放射熱によって窒化処理室32の窒化雰囲気が加熱される。なお、グロー放電は、ダミーワーク36の表面においても発生するため、ダミーワーク36も同様にして加熱される。
【0033】
ここで、負電極38、42と正電極46との間には、パルス周波数が15kHzの電圧が印加されているため、窒化雰囲気が安定した窒化処理を開始できる温度まで十分に昇温されていない状態であっても、アーク放電が発生することのない安定したグロー放電状態が維持される。すなわち、電流が連続的に通電される時間が極めて短く、短い検知時間でアーク放電の継続を阻止することで、アーク痕が発生する電圧に到達する以前に電流を遮断し、アーク痕の発生を防止して安定したグロー放電状態を維持することができる。従って、クランクシャフト12の表面がアーク放電によって損傷する事態が生じることはない。また、グロー放電による加熱は、放射熱によるものではなく、グロー放電によって生成された窒素イオン又は窒素ラジカルがクランクシャフト12に衝突することによるものであるため、350℃未満では、クランクシャフト12の放射熱による影響が少なく、隣接して配設されるクランクシャフト12の位置関係やクランクシャフト12の形状の影響を受けることがない。従って、クランクシャフト12は、グロー放電によってむらなく加熱される。さらに、内側隔壁28に沿って配設され、出力が低く設定された電気ヒータ34からの放射熱により、窒化処理室32の窒化雰囲気が加熱されるため、クランクシャフト12は、温度分布を均一に維持した状態で安定した所望の窒化処理温度まで迅速に加熱される。
【0034】
なお、昇温中において、冷却液通路33には、冷却液が供給されており、例えば、内側隔壁28を冷却液で100℃以下に冷却維持することにより、電気ヒータ34からの放射熱が内側隔壁28によって反射して内側に配設されたクランクシャフト12を必要以上に加熱してしまう事態を回避することができる。従って、クランクシャフト12を一層均一に昇温させることができる。
【0035】
一方、クランクシャフト12の温度は、窒化処理室32に配設したダミーワーク36の温度と、クランクシャフト12の放射温度とを用いて高精度に推定される(ステップS8、S9)。
【0036】
すなわち、クランクシャフト12に近接して配設されたワーク用放射温度計52は、クランクシャフト12から放射された放射熱の温度である放射温度Trwを検出する。また、ダミーワーク36に近接して配設されたダミーワーク用放射温度計54は、ダミーワーク36から放射された放射熱の温度である放射温度Trdを検出する。さらに、ダミーワーク36に固定されたダミーワーク用接触温度計56は、ダミーワーク36の正確な接触温度Tcdを検出する。
【0037】
そこで、温度検出ユニット58は、ダミーワーク用放射温度計54によって検出されたダミーワーク36の放射温度Trdと、ダミーワーク用接触温度計56によって検出されたダミーワーク36の接触温度Tcdとの差を温度補正値ΔTとして求め、この温度補正値ΔTを用いて、クランクシャフト12の温度Twを、
Tw=Trw+ΔT
として算出する。このようにしてクランクシャフト12の温度を算出することにより、クランクシャフト12に熱電対等の温度計を固定することなく、クランクシャフト12の温度Twを非接触で高精度に推定することができる。
【0038】
次に、制御ユニット74は、窒化処理室32の窒化雰囲気の加熱中において、温度検出ユニット58によって推定したクランクシャフト12の温度Twが400℃以上であるか否かの判定処理を行う(ステップS10)。この場合、クランクシャフト12の温度Twが400℃以上になると、クランクシャフト12自身の熱放射の影響を無視することができなくなり、このままグロー放電による加熱を継続すると、クランクシャフト12に温度むらの発生するおそれがある。
【0039】
そこで、クランクシャフト12の温度Twが400℃に到達したことが判定されると(処理時間t1)、制御ユニット74は、放電用電源ユニット48を制御し、負電極38と正電極46との間に印加されるグロー放電の電流密度ρを0.5mA/cm2まで降下させるとともに(ステップS11)、ヒータ電源ユニット50の出力を90%まで上昇させる(ステップS12)。
【0040】
この場合、電流密度ρを0.5mA/cm2まで降下させることにより、グロー放電により加熱されたクランクシャフト12から放射熱が放射される事態を抑制することができるとともに、クランクシャフト12のグロー放電による急激な加熱を抑制することができる。また、ヒータ電源ユニット50の出力を90%まで上昇させることにより、クランクシャフト12の温度分布を均一に維持した状態で、電気ヒータ34からの放射熱によりオーバーシュートすることのない所望の窒化処理温度までクランクシャフト12を加熱することができる。なお、放電用電源ユニット48及びヒータ電源ユニット50によるクランクシャフト12の温度制御を行う場合、例えば、温度検出ユニット58によって推定したクランクシャフト12の温度Twに従い、電流密度ρを処理時間t1からt2まで徐々に降下させる一方、ヒータ電源ユニット50の出力を処理時間t1からクランクシャフト12の所望の窒化処理温度となるまで徐々に上昇させるように制御すると好適である。
【0041】
クランクシャフト12の温度Twが所望の窒化処理温度570℃に到達した後(ステップS13)、制御ユニット74は、ヒータ電源ユニット50を制御してクランクシャフト12の温度Twを窒化処理温度570℃に維持する(ステップS14)。この間、クランクシャフト12の表面では、窒素イオンと鉄イオンとが反応することで窒化処理が進行する。
【0042】
そして、所定の時間が経過して窒化処理が完了すると(ステップS15、処理時間t3)、クランクシャフト12がマガジン16とともに横型熱処理炉24から排出される(ステップS16)。横型熱処理炉24から排出されたマガジン16は、コンベア22によって搬送され、冷却槽25に搬入されて冷却処理された後(ステップS17)、コンベア27を介して外部に排出される。
【0043】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る窒化処理方法及び装置によれば、ワークを均一な温度に加熱して処理できるため、昇温時間の短縮、設定温度の高温化による処理時間の短縮が可能である。従って、ワークの品質を均一化することができるとともに、短時間で窒化処理を遂行することができる。
【0044】
また、グロー放電によりワークを加熱する際、ワークの温度が少なくとも350℃以上となった時点でグロー放電の電流密度を低減させ、発熱体による加熱を主体として加熱することにより、ワークの温度分布を均一に維持した状態で所望の窒化処理温度まで加熱することができる。これにより、一層良好な窒化処理を遂行することができる。
【0045】
さらに、グロー放電を行う際、1kHz以上の周波数からなるパルス電圧をワークに印加することにより、アーク放電が生じることのない安定したグロー放電状態を継続することができるため、損傷のない良好な処理面を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態の窒化処理装置を含む窒化処理システムの概略構成図である。
【図2】窒化処理の対象であるワーク及びそれを収納したマガジンの説明図である。
【図3】本実施形態の横型熱処理炉及びその制御回路の構成説明図である。
【図4】本実施形態の窒化処理方法のフローチャートである。
【図5】本実施形態の窒化処理方法におけるワーク温度、電流密度及びヒータ出力の関係説明図である。
【符号の説明】
10…窒化処理システム 12…クランクシャフト
14…治具 16…マガジン
20…洗浄機 24…横型熱処理炉
25…冷却槽 28…内側隔壁
30…外側隔壁 32…窒化処理室
33…冷却液通路 34…電気ヒータ
36…ダミーワーク 48…放電用電源ユニット
50…ヒータ電源ユニット 52…ワーク用放射温度計
54…ダミーワーク用放射温度計 56…ダミーワーク用接触温度計
58…温度検出ユニット 60…真空吸引ポンプ
64…窒化処理ガス供給ユニット 68…冷却液供給ユニット
74…制御ユニット

Claims (6)

  1. 熱処理炉内にてワークを窒化処理する窒化処理方法であって、
    前記熱処理炉と前記ワークとの間に1kHz以上の周波数からなる所定の電流密度のパルス電圧を印加し、発生するグロー放電によって前記ワークを加熱する第1ステップと、
    前記ワークの温度が少なくとも350℃に到達した後、前記パルス電圧の電流密度を減少させる一方、前記ワークの周囲に配設した発熱体により前記ワークを所望の窒化処理温度まで加熱する第2ステップと、
    からなり、前記グロー放電で生成された窒素イオン又は窒素ラジカルにより窒化処理を行うことを特徴とする窒化処理方法。
  2. 請求項1記載の方法において、
    前記第1ステップでは、前記グロー放電及び前記発熱体により発生する熱によって前記ワークを加熱することを特徴とする窒化処理方法。
  3. 請求項1記載の方法において、
    前記パルス電圧の電流密度は、0.05〜7mA/cm2に設定することを特徴とする窒化処理方法。
  4. 請求項1記載の方法において、
    前記ワークの温度は、前記熱処理炉内に配設したダミーワークの放射温度及び接触温度の温度差を検出するとともに、前記ワークの放射温度を検出し、前記ワークの前記放射温度を前記温度差によって補正して求めることを特徴とする窒化処理方法。
  5. 熱処理炉内にてワークを窒化処理する窒化処理装置であって、
    前記熱処理炉と前記ワークとの間に1kHz以上の周波数からなる所定の電流密度のパルス電圧を印加してグロー放電を発生させるグロー放電発生手段と、
    前記熱処理炉内に配設される発熱体により前記ワークを加熱する加熱手段と、
    前記ワークの温度を検出する温度検出手段と、
    前記温度検出手段によって検出された前記ワークの温度に基づき、前記グロー放電発生手段による前記グロー放電の電流密度を制御するとともに、前記加熱手段を制御する制御手段と、
    を備え
    前記温度検出手段は、
    前記熱処理炉内に配設したダミーワークの放射温度を検出するダミーワーク用放射温度計と、
    前記ダミーワークの接触温度を検出するダミーワーク用接触温度計と、
    前記ワークの放射温度を検出するワーク用放射温度計と、
    前記ダミーワークの前記放射温度及び前記接触温度の温度差を算出し、前記ワークの前記放射温度を前記温度差によって補正することで前記ワークの温度を算出するワーク温度算出手段と、
    を備えることを特徴とする窒化処理装置。
  6. 請求項5記載の装置において、
    前記熱処理炉は、横型熱処理炉であることを特徴とする窒化処理装置。
JP2003169012A 2003-06-13 2003-06-13 窒化処理方法及び装置 Expired - Fee Related JP4257157B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003169012A JP4257157B2 (ja) 2003-06-13 2003-06-13 窒化処理方法及び装置
US10/559,531 US20060124202A1 (en) 2003-06-13 2004-06-10 Nitriding method and device
CN2009101415754A CN101570847B (zh) 2003-06-13 2004-06-10 渗氮装置
EP04745763A EP1640470B1 (en) 2003-06-13 2004-06-10 Nitriding method and device
PCT/JP2004/008133 WO2004111293A1 (ja) 2003-06-13 2004-06-10 窒化処理方法及び装置
CNB2004800162814A CN100513628C (zh) 2003-06-13 2004-06-10 渗氮方法和装置
KR1020057023745A KR100726821B1 (ko) 2003-06-13 2004-06-10 질화 처리 방법 및 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003169012A JP4257157B2 (ja) 2003-06-13 2003-06-13 窒化処理方法及び装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005002444A JP2005002444A (ja) 2005-01-06
JP4257157B2 true JP4257157B2 (ja) 2009-04-22

Family

ID=33549350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003169012A Expired - Fee Related JP4257157B2 (ja) 2003-06-13 2003-06-13 窒化処理方法及び装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20060124202A1 (ja)
EP (1) EP1640470B1 (ja)
JP (1) JP4257157B2 (ja)
KR (1) KR100726821B1 (ja)
CN (2) CN101570847B (ja)
WO (1) WO2004111293A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101812661B (zh) * 2010-03-29 2012-04-25 中北大学 一种压电式超声波盐浴加热渗氮装置
DE102010052894A1 (de) * 2010-12-01 2012-06-06 Oerlikon Trading Ag Kunststoffverarbeitungskomponente mit modifizierter Stahloberfläche
CN103981480B (zh) * 2014-04-28 2017-03-15 浙江省舟山中学 一种快速渗氮工艺
WO2016022685A1 (en) 2014-08-08 2016-02-11 Regents Of The University Of Minnesota Forming iron nitride hard magnetic materials using chemical vapor deposition or liquid phase epitaxy
CN106282909B (zh) * 2015-05-29 2018-12-21 比亚迪股份有限公司 基板渗金属设备
JP6990162B2 (ja) 2018-10-15 2022-01-12 株式会社神戸製鋼所 窒化処理装置および窒化処理方法
CN109321869B (zh) * 2018-11-21 2021-11-09 中国航发哈尔滨东安发动机有限公司 一种钛合金零件离子氮化工装

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5282641A (en) 1975-12-29 1977-07-11 Kawasaki Heavy Ind Ltd Ionitriding
JPS5323836A (en) 1976-08-19 1978-03-04 Kawasaki Heavy Ind Ltd Ionitriding
JPS5425274A (en) * 1977-07-27 1979-02-26 Chugai Ro Kogyo Kaisha Ltd Ion nitrogenation treatment apparatus
JPS5514839A (en) * 1978-07-14 1980-02-01 Kawasaki Heavy Ind Ltd Treating method for ion nitriding
FR2501727A1 (fr) * 1981-03-13 1982-09-17 Vide Traitement Procede de traitements thermochimiques de metaux par bombardement ionique
GB2100023B (en) * 1981-06-05 1985-01-09 Aizenshtein Anatoly Gdalievich Method of control of chemico-thermal treatment of workpieces in glow discharge and a device for carrying out the same
US4859247A (en) * 1987-11-02 1989-08-22 Basf Corporation Low viscosity, highly concentrated pigment dispersions and method of making same
US5859404A (en) * 1995-10-12 1999-01-12 Hughes Electronics Corporation Method and apparatus for plasma processing a workpiece in an enveloping plasma
DE19815019B4 (de) * 1998-04-03 2007-08-16 HQM Härterei und Qualitätsmanagement GmbH Verfahren zur Herstellung von Aluminiumnitridschichten auf Bauteilen aus Aluminiumwerkstoffen auf der Grundlage des Plasmanitrierens
JP2000045061A (ja) * 1998-07-27 2000-02-15 Pascal Kk グロー放電処理に供するパルスモードでの狭グロー放電制御方法及び処理温度制御方法及びその狭グロー放電処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2004111293A1 (ja) 2004-12-23
CN101570847B (zh) 2011-05-25
KR100726821B1 (ko) 2007-06-12
EP1640470A4 (en) 2009-07-15
US20060124202A1 (en) 2006-06-15
CN101570847A (zh) 2009-11-04
EP1640470B1 (en) 2011-09-28
KR20060018886A (ko) 2006-03-02
CN100513628C (zh) 2009-07-15
EP1640470A1 (en) 2006-03-29
JP2005002444A (ja) 2005-01-06
CN1826422A (zh) 2006-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9295107B2 (en) Heat treatment apparatus heating substrate by irradiation with light
US9449825B2 (en) Heat treatment apparatus for heating substrate by irradiation with flashes of light, and heat treatment method
US20120261400A1 (en) Heat treatment apparatus and method for heating substrate by irradiation thereof with light
JP7313509B2 (ja) プラズマ処理装置、温度制御方法および温度制御プログラム
US8498525B2 (en) Heat treatment apparatus and method for heating substrate by light irradiation
TWI782133B (zh) 電漿處理裝置、溫度控制方法及溫度控制程式
TWI364786B (ja)
US20090285568A1 (en) Heat treatment apparatus and method for heating substrate by photo-irradiation
JP4257157B2 (ja) 窒化処理方法及び装置
US8559799B2 (en) Heat treatment apparatus and method for heating substrate by photo-irradiation
US20130148948A1 (en) Heat treatment apparatus and method for heating substrate by light-irradiation
CN111933508A (zh) 等离子体处理装置、温度控制方法以及记录介质
JP2003347305A (ja) 熱処理方法及び熱処理装置
JP2007537591A (ja) 半導体素子の熱処理システム
JP2011196621A (ja) ミスト冷却装置、熱処理装置及び冷却方法
JP2000045061A (ja) グロー放電処理に供するパルスモードでの狭グロー放電制御方法及び処理温度制御方法及びその狭グロー放電処理装置
JP2010190526A (ja) 熱処理炉の運転方法と制御装置
JPH09162176A (ja) プラズマ処理装置
JP2008255404A (ja) プラズマ処理炉
JP2020205457A (ja) 熱処理装置及び温度制御方法
JPH09279227A (ja) 誘導加熱による圧延材の均一加熱装置および加熱方法
JP2007002300A (ja) 熱処理炉における加熱方法
JP2002348666A (ja) 真空薄膜形成装置
JPH0533042A (ja) 金属材料の加熱制御方法
KR20020062074A (ko) 전열기를 이용한 정전척의 표면 온도 제어 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051205

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081111

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081219

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090127

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090202

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140206

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees