KR980010617A - 레지스트조성물 - Google Patents

레지스트조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR980010617A
KR980010617A KR1019960026828A KR19960026828A KR980010617A KR 980010617 A KR980010617 A KR 980010617A KR 1019960026828 A KR1019960026828 A KR 1019960026828A KR 19960026828 A KR19960026828 A KR 19960026828A KR 980010617 A KR980010617 A KR 980010617A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resist composition
group
present
photoacid generator
base resin
Prior art date
Application number
KR1019960026828A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0183901B1 (ko
Inventor
최상준
박춘근
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019960026828A priority Critical patent/KR0183901B1/ko
Priority to US08/705,723 priority patent/US5733704A/en
Priority to JP8249037A priority patent/JPH1048828A/ja
Priority to TW085110645A priority patent/TW446854B/zh
Publication of KR980010617A publication Critical patent/KR980010617A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0183901B1 publication Critical patent/KR0183901B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing
    • Y10S430/111—Polymer of unsaturated acid or ester

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

본 발명은 레지스트 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 레지스트 조성물은 그 측쇄의 특정 부분에 t-부틸기가 두 개씩 형성되어 있는 베이스 수지를 포함하고 있어서, 노광 전, 후의 용해도 차이가 매우 클 뿐만 아니라 열적 특성도 우수하다. 따라서, 본 발명의 레지스트 조성물은 고집적의 반도체 칩을 제조하기 위한 리소그래피 공정에 적합하다.

Description

레지스트조성물
반도체 칩의 집적도가 증가함에 따라 리소그래피 공정에서 미세 패턴 형성에 대한 요구는 증대되고 있다. 이러한 요구에 부응하여 기존의 g-라인(436nm) 및 i-라인(365nm)보다 더욱 단파장의 심자외선(deep- UV : 248nm)을 이용한 필요성이 제기되었는데, 이에 따라 화학 증폭형 레지스트(Chemically Amplified Resist : CAR)라는 새로운 개념의 재료가 도입되었다.
일반적으로, 화학 증폭형 레지스트를 이루는 필수 구성 성분으로소 베이스 수지(base resin)와 이것의 용해 속도를 제어하기 위하여 도입된 용해 억제 그룹(dissolution inhibiting group) 및 노광에 의해 프로톤(H+, proton)을 발생하는 물질인 PAG(Photoacid Generator : 이하 "광산발생제"라 칭함)가 있다. 이러한 레지스트는 노광에 의해 광산발생제로부터 생성된 프로톤 촉매를 이용하는 것이다. 예를 들면, 보호(protecting)기를 갖는 수지가 촉매에 의해 탈보호(deprotecting)되어 용해도가 커지게 되며, H+의 확산에 의한 수지의 탈보호화 반응이 연쇄적으로 일어나 고투명도를 유지하면서 패턴을 형성할 수 있는 재료이다.
화학 증폭형 레지스트의 성능을 좌우하는 주요한 요소는 포토레지스트가 노광 전, 후에 얼마만큼의 용해도 차이를 갖는 지를 나타내는 지표인 콘트리스트(contrast)이다. 이러한 콘트라스트는 베이스 수지의 용해도를 조절하기 위하여 도입된 보호 그룹에 결정된다.
미국 특허 제4, 491, 628호에는 폴리하이드록시스티렌에 t-BOC(tert-brtoxycarbonl) 그룹이 부분적으로 치환되어 있는 베이스 수지를 이용하는 레지스트 조성물에 대하여 개시되어 있다. 그러나, 이러한 베이스 수지는 분해 온도가 유리전이 온도보다 낮다는 문제점이 있을 뿐만 아니라, PED(Post Exposure Delay) 효과로 인해 티-탑(T-top) 프로파일이 생성되는 문제점도 있다.
본 발명의 목적은 상기 문제점을 해결하여 조광 전, 후의 용해도 차이가 매우 커서 고 해상도의 패턴을 형성하는데 유리할 뿐만 아니라, 열적 특성도 우수한 레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 하기식 (I)로 표시되며 중량 평균 분자량이 5,000 내지 200,000인 베이스 수지 및 이에 대하여 1 내지 20중량%의 광산 발생제를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물이 제공된다.
여기에서, R1은 t-부틸기 또는 테트라히드로피라닐기이고, k는 20 내지 500임.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 하기식 (II)로 표시되며 중량 평균 분자량이 5,000 내지 200,000인 베이스 및 이에 대하여 1 내지 20중량%의 광산발생제를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물도 제공된다.
여기에서, R1은 t-부틸기 또는 테트라히드로피라닐기이고, R2및 R3각각은 수소 원자 또는 메틸기이며,임.
특히, 상기 광산발생제는 트라아릴설포늄염, 디아릴요오듐염, 설폰산염 등이 바람직하다.
도1A 내지 1D는 본 발명의 일실시예 따라 형성된 포토레지스트 패턴에 대한 셈사진이다.
도2는 도우즈의 변화에 따른 포토레지스트 층의 두께비를 나타내는 그래프이다.
본 발명에 따른 레지스트 조성물은 용해 억제 작용을 하는 t-부틸 그룹이 특정 부위에 두 개씩 형성되어 있는 베이스 수지를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이러한 베이스 수지는 말로네이트를 이용하여 합성된 것으로서 t-BOC를 갖는 고분자에 비해 분해 온도가 높고, 용해 억제 효과가 크다는 장점이 있다. 즉,폴리하이드록시스티렌에 t-BOC 그룹이 부분적으로 치환되어 있는 종래의 베이스 수지는 120℃ 이상의 온도에서 분해가 활발히 진행되는 반면, 본 발명의 베이스 수지는 160℃ 이상의 온도에서 분해되기 시작하는 것이 일반적이다 뿐만 아니라, 그 측쇄의 특정 부분에 t-부틸기가 두 개씩 형성되어 있어서, 산 분해 작용 결과 그 측쇄의 특정 부분에 카르복실기가 두 개 씩 형성되어 현상액에 대한 용해도가 매우 증가될 수 있다. 따라서, 본 발명의 레지스트 조성물을 이용하면 리소그래피 공정을 용이하게 수행할 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명에 대하여 보다 구체적으로 설명하되, 본발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
디(t-부틸) 말로닐메틸 스타이렌 3g(9mmol)과 별도로 준비된 아세톡시 스티렌 3g(18mmol)을 톨루엔 25ml에 녹였다. 여기에, 중합개시제인 아조비스이소부티로니트릴 0.22g을 투여하고 70℃에서 24시간 동안 반응시킨 다음, 그 결과물에 과량의 석유 에테르를 부어서 반응 생성물을 침전시켰다. 침전물을 메탄올로 씻어준 다음, 여과하였다. 얻어진 침전물을 진공 오븐에 넣고 50℃에서 24시간 동안 건조하여 고분자를 얻었다. (수율 85%)
실시예 2
실시예 1에서 제조된 고분자 5g을 디옥산 60ml에 녹였다. 여기에 80% 히드라진 수용액 5ml를 넣은 후, 상온에서 5시간 동안 반응시켰다. 반응이 종료된 후, 반응 결과물을 과량의 물에 떨어뜨린 다음, 염산을 이용하여 중화시켰다. 이어, 침전된 고분자를 유리-필터를 이용하여 여과하고, 침전물을 테트라히드로퓨란에 다시 용해시킨 다음, n-헥산에 재 침전시켰다. 침전된 고분자를 여과한 다음, 여과물을 진공 오븐에 넣고 50℃에서 24시간 동안 건조하여 하기식(II-20)로 표시되는 공중합체를 얻었다(수율 95%).
실시예 3
실시예 2에서 얻어진 공중합체 1g을 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이니트(Propylene Glycol Monomethyl ether acetate) 8㎛에 용해시킨 다음, 트리페닐설포늄 트리플레이크(triphenylsulfonium trifla-
te) 0.05g을 넣고 교반하여 레지스트 조성물을 제조하였다.
실리콘 웨이퍼 표면을 헥사메틸디실라잔으로 처리한 다음, 상기 준비된 레지스트 조성물을 도포하여 0.60㎛ 두께의 모토레지스트 층을 형성하였다. 포토레지스트 층을 110℃에서 60초 동안 프리베이크하였다. KrF 엑시머 레이저(NA 0.45)로서 포토레지스크 층을 노광한 다음, 110℃에서 60초 동안 베이크화하였다. 마지막으로, 테트라메틸암모늄하이드록사이드 2.38중량% 및 순수로 이루어진 현상액을 이용하여 60초 동안 현상하여, 포토레지스트 패턴을 형성하였다.
도1A내지 1D는 본 발명의 일실시예 따라 형성된 포토레지스트 패턴에 대한 셈사진(V-SEM)으로서, 각각 패턴의 하부 크기가 220nm(도1A), 240nm(도1B), 260nm(도1C) 및 280nm(도1D)인 패턴을 나타내고 있다. 도면으로 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 레지스트 조성물을 이용하면 미세 패턴을 형성할 수 있다.
실시예 4
본 발명의 레지스트의 콘트라스트 커브를 측정하기 위하여, 도우즈의 크기를 다르게 하면서 노광하는 것을 제외하고는, 실시예 3과 동일한 방법을 통하여 패턴을 형성하였다. 도우즈에 따른 레지스트층의 환산 두께[normalized thicknessc(μm), 최초에 도포된 레지스트층의 두께를 1㎛으로 정하였을 때 노광부에 잔존하는 레스트층의 두께]를 계산하여 도2에 나타냈다. 도2에는 특정 도우즈 이상에서 매우 매우 가파른 부분이 나타나 있는데, 이는 본 발명의 레지스트 조성물이 콘트라스트가 매우 크다는 것을 의미한다.
본 발명에 따른 레지스트는 노광 전, 후의 용해도 차이가 매우 클뿐만 아니라 열적 특성도 우수하다. 따라서, 리소그래피 공정에서 이를 이용하면, 고 해상도의 패턴을 형성할 수 있어서 고집적의 반도체 칩을 제조하는데 적합하다.
※ 참고사항：최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.

Claims (4)

  1. 하기식 (I)로 표시되며 중량 평균 분자량이 5,000 내지 200,000인 베이스 수지 및 이에 대하여 1 내지 20중량%의 광산발생제를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물.
    여기에서 R1는 t-부킬기 또는 테트라히드로피라닐기이고 K는 20 내지 500임.
  2. 제1항에 있어서 상기 광산발생제는 트리아릴설포늄염, 디아릴요오듐염 및 설폰산염으로 이루어진 군에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물.
  3. 하기식 (II)로 표시되며 중령 평균 분자량이 5,000 내지 200,000인 베이스 수지 및 이에 대하여 1 내지 20중량%의 광산발생제를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물.
    여기에서, R1은 t-부틸기 또는 테트라히드로피라닐기이고, R2및 R3각각은 수소 원자 또는 메틸기이며임.
  4. 제1항에 있어서, 상기 광산발생제는 트리아릴설포늄염, 디아릴요오듐염 및 설폰산 염으로 이루어진 군에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 레지스트 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960026828A 1996-07-03 1996-07-03 레지스트 조성물 KR0183901B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960026828A KR0183901B1 (ko) 1996-07-03 1996-07-03 레지스트 조성물
US08/705,723 US5733704A (en) 1996-07-03 1996-08-30 Resist compositions for chemically amplified resists comprising a di(t-butyl)malonyl methyl side group in the base polymer
JP8249037A JPH1048828A (ja) 1996-07-03 1996-08-30 レジスト組成物
TW085110645A TW446854B (en) 1996-07-03 1996-08-31 Resist composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960026828A KR0183901B1 (ko) 1996-07-03 1996-07-03 레지스트 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR980010617A true KR980010617A (ko) 1998-04-30
KR0183901B1 KR0183901B1 (ko) 1999-04-01

Family

ID=19465387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960026828A KR0183901B1 (ko) 1996-07-03 1996-07-03 레지스트 조성물

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5733704A (ko)
JP (1) JPH1048828A (ko)
KR (1) KR0183901B1 (ko)
TW (1) TW446854B (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5958654A (en) * 1997-08-25 1999-09-28 Lucent Technologies Inc. Lithographic process and energy-sensitive material for use therein
US6037107A (en) * 1997-08-28 2000-03-14 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions
KR100252062B1 (ko) * 1998-04-20 2000-06-01 윤종용 포토레지스트용 중합체 혼합물, 이를 포함하는포토레지스트 조성물 및 이의 제조방법
KR100252061B1 (ko) * 1998-04-20 2000-06-01 윤종용 포토레지스트용 중합체, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및이의 제조방법
KR100287175B1 (ko) * 1998-05-20 2001-09-22 윤종용 화학 증폭형 포토레지스트의 용해 억제제 및 이를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물
KR100275748B1 (ko) * 1998-10-29 2001-03-02 윤종용 베이스 폴리머에 디알킬 말로네이트를 포함하는 레지스트 조성물
KR100316974B1 (ko) * 1999-02-19 2001-12-22 주식회사 동진쎄미켐 화학 증폭 레지스트 수지
KR100316973B1 (ko) * 1999-02-19 2001-12-22 주식회사 동진쎄미켐 화학 증폭 레지스트 수지
US6797451B2 (en) * 1999-07-30 2004-09-28 Hynix Semiconductor Inc. Reflection-inhibiting resin used in process for forming photoresist pattern
US6692890B2 (en) 2001-04-04 2004-02-17 Kodak Polychrome Graphics Llc Substrate improvements for thermally imageable composition and methods of preparation
JP4434762B2 (ja) 2003-01-31 2010-03-17 東京応化工業株式会社 レジスト組成物

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
DE3837513A1 (de) * 1988-11-04 1990-05-10 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
DE3837438A1 (de) * 1988-11-04 1990-05-10 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
DE69125634T2 (de) * 1990-01-30 1998-01-02 Wako Pure Chem Ind Ltd Chemisch verstärktes Photolack-Material
US5403695A (en) * 1991-04-30 1995-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Resist for forming patterns comprising an acid generating compound and a polymer having acid decomposable groups
JPH04359906A (ja) * 1991-06-07 1992-12-14 Shin Etsu Chem Co Ltd ポリ（パラ−ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン）及びその製造方法
US5412050A (en) * 1992-08-19 1995-05-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer having a narrow dispersion of molecular weight and a manufacturing process thereof
US5532106A (en) * 1994-08-31 1996-07-02 Cornell Research Foundation, Inc. Positive-tone photoresist containing diester dissolution inhibitors

Also Published As

Publication number Publication date
JPH1048828A (ja) 1998-02-20
US5733704A (en) 1998-03-31
TW446854B (en) 2001-07-21
KR0183901B1 (ko) 1999-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11322856A (ja) シリコンを含有するポリマー及びこれを含む化学増幅型レジスト組成物
WO2003100523A1 (fr) Composition de resist negatif
JP2002088124A (ja) 縮合環の芳香族環を含む保護基を有する感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物
KR100520183B1 (ko) 두 개의 이중결합을 가지는 가교제를 단량체로 포함하는 포토레지스트용 공중합체
KR100830868B1 (ko) 극자외선 및 심자외선용 감광성 고분자 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물
US7270936B2 (en) Negative resist composition comprising hydroxy-substituted base polymer and Si-containing crosslinker having epoxy ring and a method for patterning semiconductor devices using the same
US6143466A (en) Chemically amplified photoresist composition
KR0183901B1 (ko) 레지스트 조성물
JP4137489B2 (ja) シリコンを含むアルキルビニルエーテルの重合体よりなる感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物
JPH11269234A (ja) 感光性ポリマー及びそれを利用した化学増幅型レジスト組成物
KR100647379B1 (ko) 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물
JP3736994B2 (ja) 化学増幅型レジスト用感光性ポリマー及びこれを含む化学増幅型レジスト組成物
KR100557554B1 (ko) 불소가 치환된 벤질 카르복실레이트 그룹을 포함하는단량체 및 이를 함유한 포토레지스트 중합체
US7078156B2 (en) Negative resist composition comprising base polymer having epoxy ring and Si-containing crosslinker and patterning method for semiconductor device using the same
KR20080037139A (ko) 술포닐기를 포함하는 포토레지스트 모노머, 폴리머 및 이를포함하는 포토레지스트 조성물
US6653047B2 (en) Photoresist monomers containing fluorine-substituted benzylcarboxylate and photoresist polymers comprising the same
KR100557529B1 (ko) 화학증폭형 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를함유하는 포토레지스트 조성물
JP3824131B2 (ja) 感光性リトコレイトエステル誘導体及びこれを含む化学増幅型フォトレジスト組成物
KR100520187B1 (ko) 할로겐을 포함하는 신규의 포토레지스트
JPH11352696A (ja) 化学増幅型フォトレジストの溶解抑制剤及びこれを含む化学増幅型フォトレジスト組成物
KR101253272B1 (ko) 감광성 고분자 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물
KR100732284B1 (ko) 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를함유하는 포토레지스트 조성물
KR100680427B1 (ko) 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물
KR100787853B1 (ko) 아크릴계 포토레지스트 모노머, 폴리머 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물
KR100261225B1 (ko) 지환식 시클로폴리머 및 이를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20071203

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee