JP4137489B2 - シリコンを含むアルキルビニルエーテルの重合体よりなる感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、化学増幅型レジスト組成物に係り、特にシリコンを含む感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造工程が複雑化し、半導体素子の集積度が増加するにつれて微細なパターン形成が要求される。さらに、半導体素子の容量が1ギガビット級以上の素子において、デザインルールが0.2μm以下の微細パターンサイズが要求される。それにより既存のKrFエキシマレーザー(248nm)を利用したレジスト材料を使用するのに限界がある。したがって、もっと短波長領域の光波長を使用するエネルギー露光源であるArFエキシマレーザー(193nm)を利用したリソグラフィー技術が登場した。
【0003】
ArFエキシマレーザーを利用したリソグラフィーに使われるレジスト材料は既存のレジスト材料に比べて商用化するには多くの問題点がある。最も代表的な問題点は、アスペクト比の増加によってパターンの崩壊現象が現れるということである。したがって、レジスト膜の厚さを4000Å以下にしてパターンを形成しなければならない。ArF用レジストの他の問題点としてポリマーの透過度が挙げられる。ArF用レジストは、KrF用レジストと比較すると透過度が相対的に悪い。これはArF用レジスト膜を薄くしなければならないさらに他の原因となっている。
【0004】
現在開発されているArF用レジストは、大部分その乾式エッチングに対する耐性がKrF用レジストと同じかそれより劣る。したがって、既存に開発されたレジスト材料から得られたレジストパターンを使用して写真エッチング方法によって下地膜をパターニングしたとき良好なプロファイルを得られなかった。
【0005】
最近では、前記問題点を解決するためにBLR(bi-layer resist)を使用する技術が提案された。BLRを使用する工程ではシリコンが含まれていたレジスト材料を使用して写真エッチング工程を進行する。BLRを使用する工程では、O2プラズマによる乾式エッチングの際にレジスト物質内のシリコン原子がSiOxの形でガラス化してレジスト層の表面に硬化層が形成され、このように形成された硬化層が後続の乾式エッチング工程の際にエッチングマスクとして作用する。したがって、アスペクト比が大きい場合にも前記硬化層によって乾式エッチングに対する耐性が増加してパターンを形成しやすいだけでなくパターンの崩壊現象も防止できる。その結果、アスペクト比が大きいパターンを高解像度で形成できる長所がある。
【0006】
一方、BLRでポリマーに含まれているシリコンの含量が重要な因子として作用する。一般に、シリコン含量が増加するほどレジスト膜の熱的安定性及び現像液に対する湿潤性が悪くなる問題点がある。したがって、BLR工程に適した含量でシリコンを含むが、熱的安定性及び現像液に対する湿潤性に優れるレジスト材料の開発が切実に要求されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、十分なシリコン含量を有しつつ製造コストが低く、レジストの原料として使われたときに優れたリソグラフィー特性を提供できる感光性ポリマーを提供することである。
【0008】
本発明の他の目的は、ArFエキシマレーザーリソグラフィーに使用するためのBLRとして使用するのに十分なシリコン含量を持つと同時に熱的安定性及び現像液に対する湿潤性に優れるレジスト組成物を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明の第1様態による感光性ポリマーは、次の式1で表されるアルキルビニルエーテルの重合体を含むものである。
【0010】
【化5】
【0011】
式中、
R1は−H、−OSi(CH3)2C(CH3)3、または−OSi(CH3)3であり、
R2は−H、−OH、−OCOCH3、−OSi(CH3)2C(CH3)3、または−OSi(CH(CH3)2)3であり、
R3は−H、−OHまたは−OCOCH3であり、
R4は−H、−OSi(CH3)2C(CH3)3、−CH2OSi(CH3)2C(CH3)3、または−CH2OSi(CH(CH3)2)3であり、
R1、R2、R3及びR4のうち少なくとも一つはSi含有基である。より詳しくは、本発明の第1様態による感光性ポリマーは、上記式の化学構造を有する重合体(特に共重合体)を含むものである。
【0012】
また、前記目的を達成するために、本発明の第2様態による感光性ポリマーは、次の式2で表されるアルキルビニルエーテルと無水マレイン酸との共重合体を含む。
【0013】
【化6】
【0014】
式中、R1、R2、R3及びR4は前記式1で定義した通りであり、R1、R2、R3及びR4のうち少なくとも一つはSi含有基である。また、上記式の共重合体の配列は、交互(alternating)配列となる。また、上記式の共重合体の各モノマーユニット(繰り返し単位)の比率の範囲については、特に制限されるべきものではなく、例えば、後述する実施例にて合成した共重合体(コポリマー)では、大体1:1(モル比)重合されたものである。
【0015】
前記他の目的を達成するために、本発明の第1様態によるレジスト組成物は、(a)次の式で表されるアルキルビニルエーテルの重合体を含む感光性ポリマーと、(b)光酸発生剤(photoacid generator;以下、単にPAGとも称する。)と、を含むものである。
【0016】
【化7】
【0017】
式中、R1、R2、R3及びR4は前記式1で定義した通りであり、R1、R2、R3及びR4のうち少なくとも一つはSi含有基である。
【0018】
また、前記他の目的を達成するために、本発明の第2様態によるレジスト組成物は、(a)次の式で表されるアルキルビニルエーテルと無水マレイン酸との共重合体を含む感光性ポリマーと、(b)PAGと、を含む。
【0019】
【化8】
【0020】
式中、R1、R2、R3及びR4は前記式1で定義した通りであり、R1、R2、R3及びR4のうち少なくとも一つはSi含有基である。
【0021】
前記第1態様及び第2様態のいずれにおいても、前記感光性ポリマーの重量平均分子量は、1,000〜100,000である。感光性ポリマーの重量平均分子量が1000未満の場合には、コーティング特性が不良になるおそれがあり、100,000を超える場合には、分解能ないし解像能(resolution)が不良になるおそれがある。
【0022】
前記PAGの量は、前記感光性ポリマーの質量を基準に1〜30質量%である。PAGの量が感光性ポリマーの質量を基準にして1質量%未満の場合には、光感受性(Photosensitivity)が得られなくなるおそれがあり、30質量%を超える場合には、吸光度が高くなりすぎるおそれがある。
【0023】
前記PAGは、望ましくは、トリアリルスルホニウム塩、ジアリルヨードニウム塩、スルホン酸塩またはその混合物よりなる。より望ましくは、前記PAGは、トリフェニルスルホニウムトリフレート(triphenylsulfonium triflate)、トリフェニルスルホニウムアンチモネート(triphenylsulfonium antimonate)、ジフェニルヨードニウムトリフレート(diphenyliodonium triflate)、ジフェニルヨードニウムアンチモネート(diphenyliodonium antimonate)、メトキシジフェニルヨードニウムトリフレート(methoxydiphenyliodonium triflate)、ジ−t−ブチルジフェニルヨードニウムトリフレート(di-t-butyldiphenyliodonium triflate)、2,6−ジニトロベンジルスルホン酸塩(2,6-dinitrobenzyl sulfonates)、ピロガロールトリス(アルキルスルホン酸塩)(pyrogallol tris(alkylsulfonates))、N−ヒドロキシスクシンイミドトリフレート(N-hydroxysuccinimide triflate)、ノルボルネン−ジカルボキシイミド−トリフレート(norbornene-dicarboximide-triflate)、トリフェニルスルホニウムノナフレート(triphenylsulfonium nonaflate)、ジフェニルヨードニウムノナフレート(diphenyliodonium nonaflate)、メトキシジフェニルヨードニウムノナフレート(methoxydiphenyliodonium nonaflate)、ジ−t−ブチルジフェニルヨードニウムノナフレート(di-t-butyldiphenyliodonium nonaflate)、N−ヒドロキシスクシンイミドノナフレート(N-hydroxysuccinimide nonaflate)、ノルボルネン−ジカルボキシイミド−ノナフレート(norbornene-dicarboximide-nonaflate)、トリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホン酸塩=トリフェニルスルホニウムPFOS(triphenylsulfonium PFOS(=perfluorooctanesulfonate))、ジフェニルヨードニウムPFOS((diphenyliodonium PFOS)、メトキシジフェニルヨードニウムPFOS(methoxydiphenyliodonium PFOS)、ジ−t−ブチルジフェニルヨードニウムPFOS(di-t-butyldiphenyliodonium PFOS)、N−ヒドロキシスクシンイミドPFOS(N-hydroxysuccinimide PFOS)、ノルボルネン−ジカルボキシイミドPFOS(norbornene-dicarboximide PFOS)、またはこれらの混合物よりなる。
【0024】
本発明によるレジスト組成物は、有機塩基をさらに含むことが望ましい。前記有機塩基の量は、フォトリソグラフィー工程において優れた特性が得られるよう通常使われている範囲であればよく、前記感光性ポリマーの質量を基準に0.01〜2.0質量%である。望ましくは、前記有機塩基は、第三級アミン(tertiary amine)よりなる化合物を単独または2種以上混合してなされる。さらに望ましくは、前記有機塩基は、トリエチルアミン、トリイソブチルアミン、トリイソオクチルアミン、トリイソデシルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N−アルキル置換されたピロリジノン、N−アルキル置換されたカプロラクタム、N−アルキル置換されたバレロラクタムまたはその混合物である。ここで、N−アルキル置換されたピロリジノンの具体例としては、例えば、N−メチルピロリジノンが挙げられる。N−アルキル置換されたカプロラクタムの具体例としては、例えば、N−エチルカプロラクタム、N−メチルカプロラクタムが挙げられる。N−アルキル置換されたバレロラクタムの具体例としては、例えば、N−エチルバレロラクタムが挙げられる。ただし、本発明では、これらの具体例に何ら制限されるべきものでないことはいうまでもない。
【0025】
また、本発明によるレジスト組成物は、界面活性剤をさらに含むことが望ましい。該界面活性剤の量は、フォトリソグラフィー工程において優れた特性が得られるよう通常使われている範囲であればよく、30〜200質量ppmである。また、本発明に用いられる界面活性剤は、レジスト組成物の1種として通常使用されている界面活性剤であれば、全て使用可能である。
【0026】
本発明の第1様態による感光性ポリマー、およびアルキルビニルエーテルと無水マレイン酸との共重合体よりなる本発明の第2様態による感光性ポリマーは、いずれも下地膜に対する接着力に非常に優れ、既存の材料に比べて優秀なエッチング選択比を提供できる。また、本発明によるレジスト組成物は、乾式エッチングに対する充分の耐性を提供でき、優秀な熱的安定性及び現像液に対する湿潤性を確保できる。
【0027】
なお、本発明の感光性ポリマー及びレジスト組成物の製造方法に関しては、特に制限されるべきものではなく、以下の実施例に示すような方法が利用できるほか、当業者にとって変形可能は他の多くの方法が利用できるものである。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態につき、実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明は、決してこれらに制限されるべきものでない。
【0029】
下記実施例1〜5のコポリマー(感光性ポリマー)の合成では、得ようとするコポリマーの重量平均分子量が9000〜10000になるよう溶媒及び重合開始剤の使用量を調節して合成したものである。すなわち、溶媒の使用量としては、全体モノマーの質量を基準に0.1〜3倍の範囲が、所望の分子量範囲を得るのに適した範囲である。同様に、重合開始剤の使用量としては、全体モノマーのモル数を基準に0.1〜20モル%の範囲が、所望の分子量範囲を得るのに適した範囲である。
【0030】
実施例1
コポリマーの合成1
【0031】
【化9】
【0032】
無水マレイン酸9.8g(0.1mol)と、4−o−アセチル−3,6−ジ−o−(t−ブチルジメチルシリル)−D−グルカル41.7g(0.1mol)とを全体モノマーの質量を基準に0.1〜3倍のテトラヒドロフラン(THF)、ベンゼン、ジオキサンまたはエチルアセテートに溶かす。その後、ここに重合開始剤である2,2’−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)またはジメチル−2,2’−アゾビスイソブチレート(日本のWAKO社製、商品名V601、以下同様である。)を全体モノマーのモル数を基準に0.1〜20モル%で溶かす。得られた溶液から脱気によって溶存酸素を取り、窒素を利用してパージする。得られた溶液を50〜90℃の温度で2〜48時間重合させた後、THFで希釈して過量のイソプロパノール、エーテル、ヘキサンまたはこれらの混合物に沈殿させる。この沈殿物を再びTHFに溶かした後、イソプロパノール、エーテル、ヘキサンまたはこれらの混合物に2回程度さらに再沈殿させる。得られた沈殿物をろ過させた後50℃に維持される真空オーブンで24時間乾燥させる。前記構造のコポリマーを構成する各々のモノマーユニットの比率は合成原料として使われる二つのモノマーの添加量を調節することによって調整できる。
【0033】
前記説明した方法で前記構造のコポリマーを合成した結果80%の収率が得られた。
【0034】
実施例2
コポリマーの合成2
【0035】
【化10】
【0036】
無水マレイン酸9.8g(0.1mol)と、6−o−(t−ブチルジメチルシリル)−D−グルカル26.0g(0.1mol)を全体モノマーの質量を基準に0.1〜3倍のTHF、ベンゼン、ジオキサン、またはエチルアセテートに溶かす。その後、ここに重合開始剤である2,2’−AIBNまたはジメチル−2,2’−アゾビスイソブチレート(V601)を全体モノマーのモル数を基準に0.1〜20モル%で溶かす。得られた溶液から脱気によって溶存酸素を取り、窒素を利用してパージする。得られた溶液を50〜90℃の温度で2〜48時間重合させた後、THFで希釈して過量のイソプロパノール、エーテル、ヘキサンまたはこれらの混合物に沈殿させる。この沈殿物を再びTHFに溶かした後、イソプロパノール、エーテル、ヘキサンまたはこれらの混合物に2回程度さらに再沈殿させる。得られた沈殿物をろ過させた後50℃に維持される真空オーブンで24時間乾燥させる。前記構造のコポリマーを構成する各々のモノマーユニットの比率は合成原料として使われる二つのモノマーの添加量を調節することによって調整できる。
【0037】
前述した方法で前記構造のコポリマーを合成した結果87%の収率が得られた。
【0038】
実施例3
コポリマーの合成3
【0039】
【化11】
【0040】
無水マレイン酸9.8g(0.1mol)と、6−(t−ブチルジメチルシリルオキシ)−3,4−ジヒドロ−2H−ピラン21.4g(0.1mol)を全体モノマーの質量を基準に0.1〜3倍のTHF、ベンゼン、ジオキサン、またはエチルアセテートに溶かす。その後、ここに重合開始剤である2,2’−AIBNまたはジメチル−2,2’−アゾビスイソブチレート(V601)を全体モノマーのモル数を基準に0.1〜20モル%で溶かす。得られた溶液から脱気によって溶存酸素を取り、窒素を利用してパージする。得られた溶液を50〜90℃の温度で2〜48時間重合させた後、THFで希釈して過量のイソプロパノール、エーテル、ヘキサンまたはこれらの混合物に沈殿させる。この沈殿物を再びTHFに溶かした後、イソプロパノール、エーテル、ヘキサンまたはこれらの混合物に2回程度さらに再沈殿させる。得られた沈殿物をろ過させた後50℃に維持される真空オーブンで24時間乾燥させる。前記構造のコポリマーを構成する各々のモノマーユニットの比率は合成原料として使われる二つのモノマーの添加量を調節することによって調整できる。
【0041】
前記説明した方法で前記構造のコポリマーを合成した結果85%の収率が得られた。
【0042】
実施例4
コポリマーの合成4
【0043】
【化12】
【0044】
無水マレイン酸9.8g(0.1mol)と、3,4−ジ−o−アセチル−6−o−(トリイソプロピルシリル)−D−ガラクタール38.7g(0.1mol)を全体モノマーの質量を基準に0.1〜3倍のTHF、ベンゼン、ジオキサン、またはエチルアセテートに溶かす。その後、ここに重合開始剤である2,2’−AIBNまたはジメチル−2,2’−アゾビスイソブチレート(V601)を全体モノマーのモル数を基準に0.1〜20モル%で溶かす。得られた溶液から脱気によって溶存酸素を取り、窒素を利用してパージする。得られた溶液を50〜90℃の温度で2〜48時間重合させた後、THFで希釈して過量のイソプロパノール、エーテル、ヘキサンまたはこれらの混合物に沈殿させる。この沈殿物を再びTHFに溶かした後、イソプロパノール、エーテル、ヘキサンまたはこれらの混合物に2回程度さらに再沈殿させる。得られた沈殿物をろ過させた後50℃に維持される真空オーブンで24時間乾燥させる。前記構造のコポリマーを構成する各々のモノマーユニットの比率は合成原料として使われる二つのモノマーの添加量を調節することによって調整できる。
【0045】
前記説明した方法で前記構造のコポリマーを合成した結果78%の収率が得られた。
【0046】
実施例5
コポリマーの合成5
【0047】
【化13】
【0048】
無水マレイン酸9.8g(0.1mol)と、3,6−ジ−o−(t−ブチルジメチルシリル)−D−ガラクタール37.5g(0.1mol)を全体モノマーの質量を基準に0.1〜3倍のTHF、ベンゼン、ジオキサン、またはエチルアセテートに溶かす。その後、ここに重合開始剤である2,2’−AIBNまたはジメチル−2,2’−アゾビスイソブチレート(V601)を全体モノマーのモル数を基準に0.1〜20モル%で溶かす。得られた溶液から脱気によって溶存酸素を取り、窒素を利用してパージする。得られた溶液を50〜90℃の温度で2〜48時間重合させた後、THFで希釈して過量のイソプロパノール、エーテル、ヘキサンまたはこれらの混合物に沈殿させる。この沈殿物を再びTHFに溶かした後、イソプロパノール、エーテル、ヘキサンまたはこれらの混合物に2回程度さらに再沈殿させる。得られた沈殿物をろ過させた後50℃に維持される真空オーブンで24時間乾燥させる。前記構造のコポリマーを構成する各々のモノマーユニットの比率は合成原料として使われる二つのモノマーの添加量を調節することによって調整できる。
【0049】
前記説明した方法で前記構造のコポリマーを合成した結果74%の収率が得られた。
【0050】
なお、上記実施例1〜5のコポリマー(感光性ポリマー)の合成においては、重合条件(重合温度、時間)範囲において合成する際、概略記載した収率が得られるものであることが確認されたものである。
【0051】
そして、上記重合温度の範囲である50〜90℃の範囲は、フォトリソグラフィー工程において優れた特性が得られるような通常使われる範囲である。同様に、上記重合時間の範囲である2〜48時間の範囲も、フォトリソグラフィー工程において優れた特性が得られるような通常使われる範囲である。
【0052】
実施例6
レジスト組成物の製造1
実施例1で合成したコポリマー(1.0g)と、PAGであるトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩(トリフレート)0.01gと、有機塩基であるトリイソブチルアミン2mgをPGMEA(propylene glycol monomethyl ether acetate;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)(10.0g)溶液に入れて完全に溶かした後、0.2μmメンブレンフィルタを利用してろ過してレジスト組成物を得た。有機ARC(Anti-Reflective Coating;反射防止膜)処理されたSiウェーハ上にまずi−ライン用レジスト組成物を約1μmの厚さにコーティングし、200℃の温度でハードベーキングを実施して完全に架橋結合させた後、その上に前記得られたレジスト組成物を約0.2μmの厚さにコーティングした。
【0053】
その後、前記レジスト組成物がコーティングされたウェーハを120℃の温度で90秒間ソフトベーキングし、ArFエキシマレーザー(開口数NA=0.6)を利用して露光した後、120℃の温度で60秒間PEB(post-exposure bake;後露光焼付け)を実施した。
【0054】
その後、2.38質量%TMAH(tetramethylammonium hydroxide;水酸化テトラメチルアンモニウム)溶液を使用して約60秒間現像した。その結果、露光ドーズ量を5mJ/cm2としたとき0.15μmラインアンドスペースパターンが得られることを確認した。
【0055】
前記得られたレジストパターンを使用してO2−RIE(reactive ion etch;リアクティブイオンエッチング)によって下地膜のi−ラインレジスト膜にパターンを転写して所望のパターンを得た。
【0056】
実施例7
レジスト組成物の製造2
実施例1で合成したコポリマー(1.0g)と、PAGであるトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホン酸塩0.015gと、有機塩基であるトリイソブチルアミン2mgをシクロヘキサノン10.0gに入れて完全に溶かしてレジスト組成物を製造し、実施例6と同じ方法でリソグラフィーパフォーマンスを評価した。その結果、露光ドーズ量を3.5mJ/cm2にしたとき0.15μmラインアンドスペースパターンが得られることを確認した。前記のように得られたレジストパターンを使用してO2−RIEによって下地膜であるi−ラインレジスト膜にパターンを転写して所望のパターンを得た。
【0057】
実施例8
レジスト組成物の製造3
実施例2で合成したコポリマー(1.0g)と、PAGであるトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホン酸塩0.015gと、有機塩基であるN−アリルカプロラクタム1.8mgをPGMEAに入れて完全に溶かしてレジスト組成物を製造し、実施例6と同じ方法でリソグラフィーパフォーマンスを評価した。その結果、露光ドーズ量を5mJ/cm2にしたとき0.15μmラインアンドスペースパターンが得られることを確認した。前記のように得られたレジストパターンを使用してO2−RIEによって下地膜であるi−ラインレジスト膜にパターンを転写して所望のパターンを得た。
【0058】
実施例9
レジスト組成物の製造4
実施例3で合成したコポリマー(1.0g)と、PAGであるトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホン酸塩0.015gと、有機塩基であるN−アリルカプロラクタム1.8mgをPGMEAに入れて完全に溶かしてレジスト組成物を製造し、実施例6と同じ方法でリソグラフィーパフォーマンスを評価した。その結果、露光ドーズ量を5mJ/cm2にしたとき0.15μmラインアンドスペースパターンが得られることを確認した。前記のように得られたレジストパターンを使用してO2−RIEによって下地膜であるi−ラインレジスト膜にパターンを転写して所望のパターンを得た。
【0059】
実施例10
レジスト組成物の製造5
実施例4で合成したコポリマー(1.0g)と、PAGであるトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホン酸塩0.015gと、有機塩基であるN−アリルカプロラクタム1.8mgをPGMEAに入れて完全に溶かしてレジスト組成物を製造し、実施例6と同じ方法でリソグラフィーパフォーマンスを評価した。その結果、露光ドーズ量を5mJ/cm2にしたとき0.15μmラインアンドスペースパターンが得られることを確認した。前記のように得られたレジストパターンを使用してO2−RIEによって下地膜であるi−ラインレジスト膜にパターンを転写して所望のパターンを得た。
【0060】
実施例11
レジスト組成物の製造6
実施例5で合成したコポリマー(1.0g)と、PAGであるトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホン酸塩0.015gと、有機塩基であるN−アリルカプロラクタム1.8mgをPGMEAに入れて完全に溶かしてレジスト組成物を製造し、実施例6と同じ方法でリソグラフィーパフォーマンスを評価した。その結果、露光ドーズ量を5mJ/cm2にしたとき0.15μmラインアンドスペースパターンが得られることを確認した。前記のように得られたレジストパターンを使用してO2−RIEによって下地膜であるi−ラインレジスト膜にパターンを転写して所望のパターンを得た。
【0061】
以上の実験結果より、いずれも微細パターンがよく形成されていることからして、上記コポリマーは、下地膜に対する接着力に非常に優れ、既存の材料に比べて優秀なエッチング選択比を提供でき、また上記レジスト組成物は、乾式エッチングに対する充分の耐性を提供でき、優秀な熱的安定性及び現像液に対する湿潤性を確保できるといえる。
【0062】
【発明の効果】
本発明の第1様態による感光性ポリマーは、シリコンを含む保護基を有するアルキルビニルエーテルからなる重合体、すなわち上記式1で表される化学構造を有する重合体よりなる。また本発明の第2様態による感光性ポリマーは、シリコンを含む保護基を有するアルキルビニルエーテルと無水マレイン酸との共重合体、すなわち上記式2で表される化学構造を有する共重合体よりなる。このような感光性ポリマーよりなるレジスト組成物を使用してパターンを形成するとき、シリコンを含む保護基はKrFまたはArFのような遠紫外線によって生じる酸とPEBによって加水分解されて脱離される。これにより、露光部と非露光部でのシリコン含量が異なり、同時に露光部と非露光部でのアルカリ性溶媒に対する溶解性も異なる。このように形成された潜像に対してO2−RIEを利用して直ちにエッチングしたり、前記潜像をアルカリ性溶液で現像してパターニングした後、下地膜をO2−RIEを利用してエッチングできる。このとき、レジスト膜のうちシリコンが存在する非露光部ではO2−RIEによる乾式エッチングの際にSiOxのような物質よりなる酸化膜が形成され、露光部ではこのような酸化膜が存在しない。したがって、非露光部と露光部でのシリコン含量差と、これによって生じるO2−RIEに対する選択比の差を利用して下地膜をパターニングできる。
【0063】
また、本発明の第1態様による感光性ポリマーは、上記式1で表される化学構造を有する重合体よりなされたので、下地膜に対する接着力が非常に優秀である。同様に、本発明の第2態様による感光性ポリマーは、上記式2で表される化学構造を有する共重合体、すなわちアルキルビニルエーテルと無水マレイン酸との共重合体よりなされたので、下地膜に対する接着力が非常に優秀である。特に、ポリマー内で接着プロモータとして作用する無水マレイン酸モノマーユニットまたは環状のビニルエーテルモノマーユニット部分の大きさがポリマー全体の大きさに比べて非常に小さいため、ポリマー全体構造のうちシリコンが占める比重が相対的に大きくなる。したがって、既存の材料に比べて優秀なエッチング選択比を提供できる。また、無水マレイン酸と、シリコンを含む環状のビニルエーテルはいずれも現在商用されており、そのコストが非常にやすい。したがって、本発明による感光性ポリマーは低コストで製造でき、これより得られるレジスト組成物は乾式エッチングに対する十分の耐性を提供でき、優秀な熱的安定性及び現像液に対する湿潤性を確保できる。
【0064】
以上、本発明を望ましい実施例をあげて詳細に説明したが、本発明は前記実施例に限定されず、本発明の技術的思想範囲内で当業者によって多様な変形が可能である。
Claims (22)
- 前記感光性ポリマーの重量平均分子量は、1,000〜100,000であることを特徴とする請求項3に記載のレジスト組成物。
- 前記光酸発生剤の量は、前記感光性ポリマーの質量を基準に1〜30質量%であることを特徴とする請求項3に記載のレジスト組成物。
- 前記光酸発生剤は、トリアリルスルホニウム塩、ジアリルヨードニウム塩、スルホン酸塩またはその混合物よりなることを特徴とする請求項3に記載のレジスト組成物。
- 前記光酸発生剤は、トリフェニルスルホニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムアンチモネート、ジフェニルヨードニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムアンチモネート、メトキシジフェニルヨードニウムトリフレート、ジ−t−ブチルジフェニルヨードニウムトリフレート、2,6−ジニトロベンジルスルホン酸塩、ピロガロールトリス(アルキルスルホン酸塩)、N−ヒドロキシスクシンイミドトリフレート、ノルボルネン−ジカルボキシイミド−トリフレート、トリフェニルスルホニウムノナフレート、ジフェニルヨードニウムノナフレート、メトキシジフェニルヨードニウムノナフレート、ジ−t−ブチルジフェニルヨードニウムノナフレート、N−ヒドロキシスクシンイミドノナフレート、ノルボルネン−ジカルボキシイミド−ノナフレート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホン酸塩(PFOS)、ジフェニルヨードニウムPFOS、メトキシジフェニルヨードニウムPFOS、ジ−t−ブチルジフェニルヨードニウムPFOS、N−ヒドロキシスクシンイミドPFOS、ノルボルネン−ジカルボキシイミドPFOS、またはこれらの混合物よりなることを特徴とする請求項3に記載のレジスト組成物。
- 有機塩基をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載のレジスト組成物。
- 前記有機塩基の量は、前記感光性ポリマーの質量を基準に0.01〜2.0質量%であることを特徴とする請求項8に記載のレジスト組成物。
- 前記有機塩基は、第三級アミンよりなる化合物を単独または2種以上混合してなされることを特徴とする請求項8に記載のレジスト組成物。
- 前記有機塩基は、トリエチルアミン、トリイソブチルアミン、トリイソオクチルアミン、トリイソデシルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N−アルキル置換されたピロリジノン、N−アルキル置換されたカプロラクタム、N−アルキル置換されたバレロラクタムまたはその混合物であることを特徴とする請求項8に記載のレジスト組成物。
- 30〜200質量ppmの界面活性剤をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載のレジスト組成物。
- (a) 次の式で表されるアルキルビニルエーテルと無水マレイン酸との共重合体を含む感光性ポリマーと、
R1は−H、−OSi(CH3)2C(CH3)3または−OSi(CH3)3であり、
R2は−H、−OH、−OCOCH3、−OSi(CH3)2C(CH3)3または−OSi(CH(CH3)2)3であり、
R3は−H、−OHまたは−OCOCH3であり、
R4は−H、−OSi(CH3)2C(CH3)3、−CH2OSi(CH3)2C(CH3)3または−CH2OSi(CH(CH3)2)3であり、
R1、R2、R3及びR4のうち少なくとも一つはSi含有基である;
(b)光酸発生剤と、を含むことを特徴とするレジスト組成物。 - 前記感光性ポリマーの重量平均分子量は、1,000〜100,000であることを特徴とする請求項13に記載のレジスト組成物。
- 前記光酸発生剤の量は、前記感光性ポリマーの質量を基準に1〜30質量%であることを特徴とする請求項13に記載のレジスト組成物。
- 前記光酸発生剤は、トリアリルスルホニウム塩、ジアリルヨードニウム塩、スルホン酸塩またはその混合物よりなることを特徴とする請求項13に記載のレジスト組成物。
- 前記光酸発生剤は、トリフェニルスルホニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムアンチモネート、ジフェニルヨードニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムアンチモネート、メトキシジフェニルヨードニウムトリフレート、ジ−t−ブチルジフェニルヨードニウムトリフレート、2,6−ジニトロベンジルスルホン酸塩、ピロガロールトリス(アルキルスルホン酸塩)、N−ヒドロキシスクシンイミドトリフレート、ノルボルネン−ジカルボキシイミド−トリフレート、トリフェニルスルホニウムノナフレート、ジフェニルヨードニウムノナフレート、メトキシジフェニルヨードニウムノナフレート、ジ−t−ブチルジフェニルヨードニウムノナフレート、N−ヒドロキシスクシンイミドノナフレート、ノルボルネン−ジカルボキシイミド−ノナフレート、トリフェニルスルホニウムPFOS、ジフェニルヨードニウムPFOS、メトキシジフェニルヨードニウムPFOS、ジ−t−ブチルジフェニルヨードニウムPFOS、N−ヒドロキシスクシンイミドPFOS、ノルボルネン−ジカルボキシイミドPFOS、またはこれらの混合物よりなることを特徴とする請求項13に記載のレジスト組成物。
- 有機塩基をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載のレジスト組成物。
- 前記有機塩基の量は、前記感光性ポリマーの質量を基準に0.01〜2.0質量%であることを特徴とする請求項18に記載のレジスト組成物。
- 前記有機塩基は、第三級アミンよりなる化合物を単独または2種以上混合してなされることを特徴とする請求項18に記載のレジスト組成物。
- 前記有機塩基は、トリエチルアミン、トリイソブチルアミン、トリイソオクチルアミン、トリイソデシルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンアミン、N−アルキル置換されたピロリジノン、N−アルキル置換されたカプロラクタム、N−アルキル置換されたバレロラクタムまたはその混合物であることを特徴とする請求項18に記載のレジスト組成物。
- 30〜200質量ppmの界面活性剤をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載のレジスト組成物。
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