JP2002356516A - シリコンを含むアルキルビニルエーテルの重合体よりなる感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物 - Google Patents
シリコンを含むアルキルビニルエーテルの重合体よりなる感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンを含むアルキルビニルエーテルと無
水マレイン酸との共重合体よりなる感光性ポリマー及び
これを含むレジスト組成物を提供する。 【解決手段】 本発明の感光性ポリマーは次の式で表さ
れるアルキルビニルエーテルと無水マレイン酸との共重
合体を含む。 【化１】 式中、Ｒ1は−Ｈ、−ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）3、
または−ＯＳｉ（ＣＨ3）3であり、Ｒ2は−Ｈ、−Ｏ
Ｈ、−ＯＣＯＣＨ3、−ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ（Ｃ
Ｈ3）3、または−ＯＳｉ（ＣＨ（ＣＨ3）2）3であり、
Ｒ3は−Ｈ、−ＯＨまたは−ＯＣＯＣＨ3であり、Ｒ4は
−Ｈ、−ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）3、−ＣＨ2ＯＳ
ｉ（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）3、または−ＣＨ2ＯＳｉ（Ｃ
Ｈ（ＣＨ3）2）3であり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4のうち
少なくとも一つはＳｉ含有基である。
水マレイン酸との共重合体よりなる感光性ポリマー及び
これを含むレジスト組成物を提供する。 【解決手段】 本発明の感光性ポリマーは次の式で表さ
れるアルキルビニルエーテルと無水マレイン酸との共重
合体を含む。 【化１】 式中、Ｒ1は−Ｈ、−ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）3、
または−ＯＳｉ（ＣＨ3）3であり、Ｒ2は−Ｈ、−Ｏ
Ｈ、−ＯＣＯＣＨ3、−ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ（Ｃ
Ｈ3）3、または−ＯＳｉ（ＣＨ（ＣＨ3）2）3であり、
Ｒ3は−Ｈ、−ＯＨまたは−ＯＣＯＣＨ3であり、Ｒ4は
−Ｈ、−ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）3、−ＣＨ2ＯＳ
ｉ（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）3、または−ＣＨ2ＯＳｉ（Ｃ
Ｈ（ＣＨ3）2）3であり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4のうち
少なくとも一つはＳｉ含有基である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学増幅型レジス
ト組成物に係り、特にシリコンを含む感光性ポリマー及
びこれを含むレジスト組成物に関する。
ト組成物に係り、特にシリコンを含む感光性ポリマー及
びこれを含むレジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程が複雑化し、半導体素子
の集積度が増加するにつれて微細なパターン形成が要求
される。さらに、半導体素子の容量が１ギガビット級以
上の素子において、デザインルールが０．２μｍ以下の
微細パターンサイズが要求される。それにより既存のＫ
ｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）を利用したレジス
ト材料を使用するのに限界がある。したがって、もっと
短波長領域の光波長を使用するエネルギー露光源である
ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）を利用したリソ
グラフィー技術が登場した。
の集積度が増加するにつれて微細なパターン形成が要求
される。さらに、半導体素子の容量が１ギガビット級以
上の素子において、デザインルールが０．２μｍ以下の
微細パターンサイズが要求される。それにより既存のＫ
ｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）を利用したレジス
ト材料を使用するのに限界がある。したがって、もっと
短波長領域の光波長を使用するエネルギー露光源である
ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）を利用したリソ
グラフィー技術が登場した。
【０００３】ＡｒＦエキシマレーザーを利用したリソグ
ラフィーに使われるレジスト材料は既存のレジスト材料
に比べて商用化するには多くの問題点がある。最も代表
的な問題点は、アスペクト比の増加によってパターンの
崩壊現象が現れるということである。したがって、レジ
スト膜の厚さを４０００Å以下にしてパターンを形成し
なければならない。ＡｒＦ用レジストの他の問題点とし
てポリマーの透過度が挙げられる。ＡｒＦ用レジスト
は、ＫｒＦ用レジストと比較すると透過度が相対的に悪
い。これはＡｒＦ用レジスト膜を薄くしなければならな
いさらに他の原因となっている。
ラフィーに使われるレジスト材料は既存のレジスト材料
に比べて商用化するには多くの問題点がある。最も代表
的な問題点は、アスペクト比の増加によってパターンの
崩壊現象が現れるということである。したがって、レジ
スト膜の厚さを４０００Å以下にしてパターンを形成し
なければならない。ＡｒＦ用レジストの他の問題点とし
てポリマーの透過度が挙げられる。ＡｒＦ用レジスト
は、ＫｒＦ用レジストと比較すると透過度が相対的に悪
い。これはＡｒＦ用レジスト膜を薄くしなければならな
いさらに他の原因となっている。
【０００４】現在開発されているＡｒＦ用レジストは、
大部分その乾式エッチングに対する耐性がＫｒＦ用レジ
ストと同じかそれより劣る。したがって、既存に開発さ
れたレジスト材料から得られたレジストパターンを使用
して写真エッチング方法によって下地膜をパターニング
したとき良好なプロファイルを得られなかった。
大部分その乾式エッチングに対する耐性がＫｒＦ用レジ
ストと同じかそれより劣る。したがって、既存に開発さ
れたレジスト材料から得られたレジストパターンを使用
して写真エッチング方法によって下地膜をパターニング
したとき良好なプロファイルを得られなかった。
【０００５】最近では、前記問題点を解決するためにＢ
ＬＲ(bi-layer resist)を使用する技術が提案された。
ＢＬＲを使用する工程ではシリコンが含まれていたレジ
スト材料を使用して写真エッチング工程を進行する。Ｂ
ＬＲを使用する工程では、Ｏ 2プラズマによる乾式エッ
チングの際にレジスト物質内のシリコン原子がＳｉＯx
の形でガラス化してレジスト層の表面に硬化層が形成さ
れ、このように形成された硬化層が後続の乾式エッチン
グ工程の際にエッチングマスクとして作用する。したが
って、アスペクト比が大きい場合にも前記硬化層によっ
て乾式エッチングに対する耐性が増加してパターンを形
成しやすいだけでなくパターンの崩壊現象も防止でき
る。その結果、アスペクト比が大きいパターンを高解像
度で形成できる長所がある。
ＬＲ(bi-layer resist)を使用する技術が提案された。
ＢＬＲを使用する工程ではシリコンが含まれていたレジ
スト材料を使用して写真エッチング工程を進行する。Ｂ
ＬＲを使用する工程では、Ｏ 2プラズマによる乾式エッ
チングの際にレジスト物質内のシリコン原子がＳｉＯx
の形でガラス化してレジスト層の表面に硬化層が形成さ
れ、このように形成された硬化層が後続の乾式エッチン
グ工程の際にエッチングマスクとして作用する。したが
って、アスペクト比が大きい場合にも前記硬化層によっ
て乾式エッチングに対する耐性が増加してパターンを形
成しやすいだけでなくパターンの崩壊現象も防止でき
る。その結果、アスペクト比が大きいパターンを高解像
度で形成できる長所がある。
【０００６】一方、ＢＬＲでポリマーに含まれているシ
リコンの含量が重要な因子として作用する。一般に、シ
リコン含量が増加するほどレジスト膜の熱的安定性及び
現像液に対する湿潤性が悪くなる問題点がある。したが
って、ＢＬＲ工程に適した含量でシリコンを含むが、熱
的安定性及び現像液に対する湿潤性に優れるレジスト材
料の開発が切実に要求されている。
リコンの含量が重要な因子として作用する。一般に、シ
リコン含量が増加するほどレジスト膜の熱的安定性及び
現像液に対する湿潤性が悪くなる問題点がある。したが
って、ＢＬＲ工程に適した含量でシリコンを含むが、熱
的安定性及び現像液に対する湿潤性に優れるレジスト材
料の開発が切実に要求されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、十分
なシリコン含量を有しつつ製造コストが低く、レジスト
の原料として使われたときに優れたリソグラフィー特性
を提供できる感光性ポリマーを提供することである。
なシリコン含量を有しつつ製造コストが低く、レジスト
の原料として使われたときに優れたリソグラフィー特性
を提供できる感光性ポリマーを提供することである。
【０００８】本発明の他の目的は、ＡｒＦエキシマレー
ザーリソグラフィーに使用するためのＢＬＲとして使用
するのに十分なシリコン含量を持つと同時に熱的安定性
及び現像液に対する湿潤性に優れるレジスト組成物を提
供することである。
ザーリソグラフィーに使用するためのＢＬＲとして使用
するのに十分なシリコン含量を持つと同時に熱的安定性
及び現像液に対する湿潤性に優れるレジスト組成物を提
供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の第１様態による感光性ポリマーは、次の式
１で表されるアルキルビニルエーテルの重合体を含むも
のである。
に、本発明の第１様態による感光性ポリマーは、次の式
１で表されるアルキルビニルエーテルの重合体を含むも
のである。
【００１０】
【化５】
【００１１】式中、Ｒ1は−Ｈ、−ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ
（ＣＨ3）3、または−ＯＳｉ（ＣＨ3）3であり、Ｒ2は
−Ｈ、−ＯＨ、−ＯＣＯＣＨ3、−ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ
（ＣＨ3）3、または−ＯＳｉ（ＣＨ（ＣＨ3）2）3であ
り、Ｒ3は−Ｈ、−ＯＨまたは−ＯＣＯＣＨ3であり、Ｒ
4は−Ｈ、−ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）3、−ＣＨ2Ｏ
Ｓｉ（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）3、または−ＣＨ2ＯＳｉ
（ＣＨ（ＣＨ3）2）3であり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4の
うち少なくとも一つはＳｉ含有基である。より詳しく
は、本発明の第１様態による感光性ポリマーは、上記式
の化学構造を有する重合体（特に共重合体）を含むもの
である。
（ＣＨ3）3、または−ＯＳｉ（ＣＨ3）3であり、Ｒ2は
−Ｈ、−ＯＨ、−ＯＣＯＣＨ3、−ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ
（ＣＨ3）3、または−ＯＳｉ（ＣＨ（ＣＨ3）2）3であ
り、Ｒ3は−Ｈ、−ＯＨまたは−ＯＣＯＣＨ3であり、Ｒ
4は−Ｈ、−ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）3、−ＣＨ2Ｏ
Ｓｉ（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）3、または−ＣＨ2ＯＳｉ
（ＣＨ（ＣＨ3）2）3であり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4の
うち少なくとも一つはＳｉ含有基である。より詳しく
は、本発明の第１様態による感光性ポリマーは、上記式
の化学構造を有する重合体（特に共重合体）を含むもの
である。
【００１２】また、前記目的を達成するために、本発明
の第２様態による感光性ポリマーは、次の式２で表され
るアルキルビニルエーテルと無水マレイン酸との共重合
体を含む。
の第２様態による感光性ポリマーは、次の式２で表され
るアルキルビニルエーテルと無水マレイン酸との共重合
体を含む。
【００１３】
【化６】
【００１４】式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は前記式１で
定義した通りであり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ 3及びＲ4のうち少な
くとも一つはＳｉ含有基である。また、上記式の共重合
体の配列は、交互(alternating)配列となる。また、上
記式の共重合体の各モノマーユニット（繰り返し単位）
の比率の範囲については、特に制限されるべきものでは
なく、例えば、後述する実施例にて合成した共重合体
（コポリマー）では、大体１：１（モル比）重合された
ものである。
定義した通りであり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ 3及びＲ4のうち少な
くとも一つはＳｉ含有基である。また、上記式の共重合
体の配列は、交互(alternating)配列となる。また、上
記式の共重合体の各モノマーユニット（繰り返し単位）
の比率の範囲については、特に制限されるべきものでは
なく、例えば、後述する実施例にて合成した共重合体
（コポリマー）では、大体１：１（モル比）重合された
ものである。
【００１５】前記他の目的を達成するために、本発明の
第１様態によるレジスト組成物は、（ａ）次の式で表さ
れるアルキルビニルエーテルの重合体を含む感光性ポリ
マーと、（ｂ）光酸発生剤（photoacid generator；以
下、単にＰＡＧとも称する。）と、を含むものである。
第１様態によるレジスト組成物は、（ａ）次の式で表さ
れるアルキルビニルエーテルの重合体を含む感光性ポリ
マーと、（ｂ）光酸発生剤（photoacid generator；以
下、単にＰＡＧとも称する。）と、を含むものである。
【００１６】
【化７】
【００１７】式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は前記式1で
定義した通りであり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4のうち少な
くとも一つはＳｉ含有基である。
定義した通りであり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4のうち少な
くとも一つはＳｉ含有基である。
【００１８】また、前記他の目的を達成するために、本
発明の第２様態によるレジスト組成物は、（ａ）次の式
で表されるアルキルビニルエーテルと無水マレイン酸と
の共重合体を含む感光性ポリマーと、（ｂ）ＰＡＧと、
を含む。
発明の第２様態によるレジスト組成物は、（ａ）次の式
で表されるアルキルビニルエーテルと無水マレイン酸と
の共重合体を含む感光性ポリマーと、（ｂ）ＰＡＧと、
を含む。
【００１９】
【化８】
【００２０】式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は前記式１で
定義した通りであり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ 3及びＲ4のうち少な
くとも一つはＳｉ含有基である。
定義した通りであり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ 3及びＲ4のうち少な
くとも一つはＳｉ含有基である。
【００２１】前記第１態様及び第２様態のいずれにおい
ても、前記感光性ポリマーの重量平均分子量は、１，０
００〜１００，０００である。感光性ポリマーの重量平
均分子量が１０００未満の場合には、コーティング特性
が不良になるおそれがあり、１００，０００を超える場
合には、分解能ないし解像能(resolution)が不良になる
おそれがある。
ても、前記感光性ポリマーの重量平均分子量は、１，０
００〜１００，０００である。感光性ポリマーの重量平
均分子量が１０００未満の場合には、コーティング特性
が不良になるおそれがあり、１００，０００を超える場
合には、分解能ないし解像能(resolution)が不良になる
おそれがある。
【００２２】前記ＰＡＧの量は、前記感光性ポリマーの
質量を基準に１〜３０質量％である。ＰＡＧの量が感光
性ポリマーの質量を基準にして１質量％未満の場合に
は、光感受性(Photosensitivity)が得られなくなるおそ
れがあり、３０質量％を超える場合には、吸光度が高く
なりすぎるおそれがある。
質量を基準に１〜３０質量％である。ＰＡＧの量が感光
性ポリマーの質量を基準にして１質量％未満の場合に
は、光感受性(Photosensitivity)が得られなくなるおそ
れがあり、３０質量％を超える場合には、吸光度が高く
なりすぎるおそれがある。
【００２３】前記ＰＡＧは、望ましくは、トリアリルス
ルホニウム塩、ジアリルヨードニウム塩、スルホン酸塩
またはその混合物よりなる。より望ましくは、前記ＰＡ
Ｇは、トリフェニルスルホニウムトリフレート(triphen
ylsulfonium triflate)、トリフェニルスルホニウムア
ンチモネート(triphenylsulfonium antimonate)、ジフ
ェニルヨードニウムトリフレート(diphenyliodonium tr
iflate)、ジフェニルヨードニウムアンチモネート(diph
enyliodonium antimonate)、メトキシジフェニルヨード
ニウムトリフレート(methoxydiphenyliodonium triflat
e)、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨードニウムトリフレー
ト(di-t-butyldiphenyliodonium triflate)、２，６−
ジニトロベンジルスルホン酸塩(2,6-dinitrobenzyl sul
fonates)、ピロガロールトリス（アルキルスルホン酸
塩）(pyrogallol tris(alkylsulfonates))、Ｎ−ヒドロ
キシスクシンイミドトリフレート(N-hydroxysuccinimid
e triflate)、ノルボルネン−ジカルボキシイミド−ト
リフレート(norbornene-dicarboximide-triflate)、ト
リフェニルスルホニウムノナフレート(triphenylsulfon
ium nonaflate)、ジフェニルヨードニウムノナフレート
(diphenyliodonium nonaflate)、メトキシジフェニルヨ
ードニウムノナフレート(methoxydiphenyliodonium non
aflate)、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨードニウムノナ
フレート(di-t-butyldiphenyliodonium nonaflate)、Ｎ
−ヒドロキシスクシンイミドノナフレート(N-hydroxysu
ccinimide nonaflate)、ノルボルネン−ジカルボキシイ
ミド−ノナフレート(norbornene-dicarboximide-nonafl
ate)、トリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタン
スルホン酸塩＝トリフェニルスルホニウムＰＦＯＳ(tri
phenylsulfonium PFOS(=perfluorooctanesulfonate))、
ジフェニルヨードニウムＰＦＯＳ((diphenyliodonium P
FOS)、メトキシジフェニルヨードニウムＰＦＯＳ(metho
xydiphenyliodonium PFOS)、ジ−ｔ−ブチルジフェニル
ヨードニウムＰＦＯＳ(di-t-butyldiphenyliodonium PF
OS)、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドＰＦＯＳ(N-hydrox
ysuccinimide PFOS)、ノルボルネン−ジカルボキシイミ
ドＰＦＯＳ(norbornene-dicarboximide PFOS)、または
これらの混合物よりなる。
ルホニウム塩、ジアリルヨードニウム塩、スルホン酸塩
またはその混合物よりなる。より望ましくは、前記ＰＡ
Ｇは、トリフェニルスルホニウムトリフレート(triphen
ylsulfonium triflate)、トリフェニルスルホニウムア
ンチモネート(triphenylsulfonium antimonate)、ジフ
ェニルヨードニウムトリフレート(diphenyliodonium tr
iflate)、ジフェニルヨードニウムアンチモネート(diph
enyliodonium antimonate)、メトキシジフェニルヨード
ニウムトリフレート(methoxydiphenyliodonium triflat
e)、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨードニウムトリフレー
ト(di-t-butyldiphenyliodonium triflate)、２，６−
ジニトロベンジルスルホン酸塩(2,6-dinitrobenzyl sul
fonates)、ピロガロールトリス（アルキルスルホン酸
塩）(pyrogallol tris(alkylsulfonates))、Ｎ−ヒドロ
キシスクシンイミドトリフレート(N-hydroxysuccinimid
e triflate)、ノルボルネン−ジカルボキシイミド−ト
リフレート(norbornene-dicarboximide-triflate)、ト
リフェニルスルホニウムノナフレート(triphenylsulfon
ium nonaflate)、ジフェニルヨードニウムノナフレート
(diphenyliodonium nonaflate)、メトキシジフェニルヨ
ードニウムノナフレート(methoxydiphenyliodonium non
aflate)、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨードニウムノナ
フレート(di-t-butyldiphenyliodonium nonaflate)、Ｎ
−ヒドロキシスクシンイミドノナフレート(N-hydroxysu
ccinimide nonaflate)、ノルボルネン−ジカルボキシイ
ミド−ノナフレート(norbornene-dicarboximide-nonafl
ate)、トリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタン
スルホン酸塩＝トリフェニルスルホニウムＰＦＯＳ(tri
phenylsulfonium PFOS(=perfluorooctanesulfonate))、
ジフェニルヨードニウムＰＦＯＳ((diphenyliodonium P
FOS)、メトキシジフェニルヨードニウムＰＦＯＳ(metho
xydiphenyliodonium PFOS)、ジ−ｔ−ブチルジフェニル
ヨードニウムＰＦＯＳ(di-t-butyldiphenyliodonium PF
OS)、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドＰＦＯＳ(N-hydrox
ysuccinimide PFOS)、ノルボルネン−ジカルボキシイミ
ドＰＦＯＳ(norbornene-dicarboximide PFOS)、または
これらの混合物よりなる。
【００２４】本発明によるレジスト組成物は、有機塩基
をさらに含むことが望ましい。前記有機塩基の量は、フ
ォトリソグラフィー工程において優れた特性が得られる
よう通常使われている範囲であればよく、前記感光性ポ
リマーの質量を基準に０．０１〜２．０質量％である。
望ましくは、前記有機塩基は、第三級アミン（tertiary
amine）よりなる化合物を単独または２種以上混合して
なされる。さらに望ましくは、前記有機塩基は、トリエ
チルアミン、トリイソブチルアミン、トリイソオクチル
アミン、トリイソデシルアミン、ジエタノールアミン、
トリエタノールアミン、Ｎ−アルキル置換されたピロリ
ジノン、Ｎ−アルキル置換されたカプロラクタム、Ｎ−
アルキル置換されたバレロラクタムまたはその混合物で
ある。ここで、Ｎ−アルキル置換されたピロリジノンの
具体例としては、例えば、Ｎ−メチルピロリジノンが挙
げられる。Ｎ−アルキル置換されたカプロラクタムの具
体例としては、例えば、Ｎ−エチルカプロラクタム、Ｎ
−メチルカプロラクタムが挙げられる。Ｎ−アルキル置
換されたバレロラクタムの具体例としては、例えば、Ｎ
−エチルバレロラクタムが挙げられる。ただし、本発明
では、これらの具体例に何ら制限されるべきものでない
ことはいうまでもない。
をさらに含むことが望ましい。前記有機塩基の量は、フ
ォトリソグラフィー工程において優れた特性が得られる
よう通常使われている範囲であればよく、前記感光性ポ
リマーの質量を基準に０．０１〜２．０質量％である。
望ましくは、前記有機塩基は、第三級アミン（tertiary
amine）よりなる化合物を単独または２種以上混合して
なされる。さらに望ましくは、前記有機塩基は、トリエ
チルアミン、トリイソブチルアミン、トリイソオクチル
アミン、トリイソデシルアミン、ジエタノールアミン、
トリエタノールアミン、Ｎ−アルキル置換されたピロリ
ジノン、Ｎ−アルキル置換されたカプロラクタム、Ｎ−
アルキル置換されたバレロラクタムまたはその混合物で
ある。ここで、Ｎ−アルキル置換されたピロリジノンの
具体例としては、例えば、Ｎ−メチルピロリジノンが挙
げられる。Ｎ−アルキル置換されたカプロラクタムの具
体例としては、例えば、Ｎ−エチルカプロラクタム、Ｎ
−メチルカプロラクタムが挙げられる。Ｎ−アルキル置
換されたバレロラクタムの具体例としては、例えば、Ｎ
−エチルバレロラクタムが挙げられる。ただし、本発明
では、これらの具体例に何ら制限されるべきものでない
ことはいうまでもない。
【００２５】また、本発明によるレジスト組成物は、界
面活性剤をさらに含むことが望ましい。該界面活性剤の
量は、フォトリソグラフィー工程において優れた特性が
得られるよう通常使われている範囲であればよく、３０
〜２００質量ｐｐｍである。また、本発明に用いられる
界面活性剤は、レジスト組成物の１種として通常使用さ
れている界面活性剤であれば、全て使用可能である。
面活性剤をさらに含むことが望ましい。該界面活性剤の
量は、フォトリソグラフィー工程において優れた特性が
得られるよう通常使われている範囲であればよく、３０
〜２００質量ｐｐｍである。また、本発明に用いられる
界面活性剤は、レジスト組成物の１種として通常使用さ
れている界面活性剤であれば、全て使用可能である。
【００２６】本発明の第１様態による感光性ポリマー、
およびアルキルビニルエーテルと無水マレイン酸との共
重合体よりなる本発明の第２様態による感光性ポリマー
は、いずれも下地膜に対する接着力に非常に優れ、既存
の材料に比べて優秀なエッチング選択比を提供できる。
また、本発明によるレジスト組成物は、乾式エッチング
に対する充分の耐性を提供でき、優秀な熱的安定性及び
現像液に対する湿潤性を確保できる。
およびアルキルビニルエーテルと無水マレイン酸との共
重合体よりなる本発明の第２様態による感光性ポリマー
は、いずれも下地膜に対する接着力に非常に優れ、既存
の材料に比べて優秀なエッチング選択比を提供できる。
また、本発明によるレジスト組成物は、乾式エッチング
に対する充分の耐性を提供でき、優秀な熱的安定性及び
現像液に対する湿潤性を確保できる。
【００２７】なお、本発明の感光性ポリマー及びレジス
ト組成物の製造方法に関しては、特に制限されるべきも
のではなく、以下の実施例に示すような方法が利用でき
るほか、当業者にとって変形可能は他の多くの方法が利
用できるものである。
ト組成物の製造方法に関しては、特に制限されるべきも
のではなく、以下の実施例に示すような方法が利用でき
るほか、当業者にとって変形可能は他の多くの方法が利
用できるものである。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につき、
実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明は、決してこ
れらに制限されるべきものでない。
実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明は、決してこ
れらに制限されるべきものでない。
【００２９】下記実施例１〜５のコポリマー（感光性ポ
リマー）の合成では、得ようとするコポリマーの重量平
均分子量が９０００〜１００００になるよう溶媒及び重
合開始剤の使用量を調節して合成したものである。すな
わち、溶媒の使用量としては、全体モノマーの質量を基
準に０．１〜３倍の範囲が、所望の分子量範囲を得るの
に適した範囲である。同様に、重合開始剤の使用量とし
ては、全体モノマーのモル数を基準に０．１〜２０モル
％の範囲が、所望の分子量範囲を得るのに適した範囲で
ある。
リマー）の合成では、得ようとするコポリマーの重量平
均分子量が９０００〜１００００になるよう溶媒及び重
合開始剤の使用量を調節して合成したものである。すな
わち、溶媒の使用量としては、全体モノマーの質量を基
準に０．１〜３倍の範囲が、所望の分子量範囲を得るの
に適した範囲である。同様に、重合開始剤の使用量とし
ては、全体モノマーのモル数を基準に０．１〜２０モル
％の範囲が、所望の分子量範囲を得るのに適した範囲で
ある。
【００３０】実施例１ コポリマーの合成１
【００３１】
【化９】
【００３２】無水マレイン酸９．８ｇ（０．１ｍｏｌ）
と、４−ｏ−アセチル−３，６−ジ−ｏ−（ｔ−ブチル
ジメチルシリル）−Ｄ−グルカル４１．７ｇ（０．１ｍ
ｏｌ）とを全体モノマーの質量を基準に０．１〜３倍の
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ベンゼン、ジオキサン
またはエチルアセテートに溶かす。その後、ここに重合
開始剤である２，２’−アゾビスイソブチロニトリル
（ＡＩＢＮ）またはジメチル−２，２’−アゾビスイソ
ブチレート（日本のＷＡＫＯ社製、商品名Ｖ６０１、以
下同様である。）を全体モノマーのモル数を基準に０．
１〜２０モル％で溶かす。得られた溶液から脱気によっ
て溶存酸素を取り、窒素を利用してパージする。得られ
た溶液を５０〜９０℃の温度で２〜４８時間重合させた
後、ＴＨＦで希釈して過量のイソプロパノール、エーテ
ル、ヘキサンまたはこれらの混合物に沈殿させる。この
沈殿物を再びＴＨＦに溶かした後、イソプロパノール、
エーテル、ヘキサンまたはこれらの混合物に２回程度さ
らに再沈殿させる。得られた沈殿物をろ過させた後５０
℃に維持される真空オーブンで２４時間乾燥させる。前
記構造のコポリマーを構成する各々のモノマーユニット
の比率は合成原料として使われる二つのモノマーの添加
量を調節することによって調整できる。
と、４−ｏ−アセチル−３，６−ジ−ｏ−（ｔ−ブチル
ジメチルシリル）−Ｄ−グルカル４１．７ｇ（０．１ｍ
ｏｌ）とを全体モノマーの質量を基準に０．１〜３倍の
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ベンゼン、ジオキサン
またはエチルアセテートに溶かす。その後、ここに重合
開始剤である２，２’−アゾビスイソブチロニトリル
（ＡＩＢＮ）またはジメチル−２，２’−アゾビスイソ
ブチレート（日本のＷＡＫＯ社製、商品名Ｖ６０１、以
下同様である。）を全体モノマーのモル数を基準に０．
１〜２０モル％で溶かす。得られた溶液から脱気によっ
て溶存酸素を取り、窒素を利用してパージする。得られ
た溶液を５０〜９０℃の温度で２〜４８時間重合させた
後、ＴＨＦで希釈して過量のイソプロパノール、エーテ
ル、ヘキサンまたはこれらの混合物に沈殿させる。この
沈殿物を再びＴＨＦに溶かした後、イソプロパノール、
エーテル、ヘキサンまたはこれらの混合物に２回程度さ
らに再沈殿させる。得られた沈殿物をろ過させた後５０
℃に維持される真空オーブンで２４時間乾燥させる。前
記構造のコポリマーを構成する各々のモノマーユニット
の比率は合成原料として使われる二つのモノマーの添加
量を調節することによって調整できる。
【００３３】前記説明した方法で前記構造のコポリマー
を合成した結果８０％の収率が得られた。
を合成した結果８０％の収率が得られた。
【００３４】実施例２ コポリマーの合成２
【００３５】
【化１０】
【００３６】無水マレイン酸９．８ｇ（０．１ｍｏｌ）
と、６−ｏ−（ｔ−ブチルジメチルシリル）−Ｄ−グル
カル２６．０ｇ（０．１ｍｏｌ）を全体モノマーの質量
を基準に０．１〜３倍のＴＨＦ、ベンゼン、ジオキサ
ン、またはエチルアセテートに溶かす。その後、ここに
重合開始剤である２，２’−ＡＩＢＮまたはジメチル−
２，２’−アゾビスイソブチレート（Ｖ６０１）を全体
モノマーのモル数を基準に０．１〜２０モル％で溶か
す。得られた溶液から脱気によって溶存酸素を取り、窒
素を利用してパージする。得られた溶液を５０〜９０℃
の温度で２〜４８時間重合させた後、ＴＨＦで希釈して
過量のイソプロパノール、エーテル、ヘキサンまたはこ
れらの混合物に沈殿させる。この沈殿物を再びＴＨＦに
溶かした後、イソプロパノール、エーテル、ヘキサンま
たはこれらの混合物に２回程度さらに再沈殿させる。得
られた沈殿物をろ過させた後５０℃に維持される真空オ
ーブンで２４時間乾燥させる。前記構造のコポリマーを
構成する各々のモノマーユニットの比率は合成原料とし
て使われる二つのモノマーの添加量を調節することによ
って調整できる。
と、６−ｏ−（ｔ−ブチルジメチルシリル）−Ｄ−グル
カル２６．０ｇ（０．１ｍｏｌ）を全体モノマーの質量
を基準に０．１〜３倍のＴＨＦ、ベンゼン、ジオキサ
ン、またはエチルアセテートに溶かす。その後、ここに
重合開始剤である２，２’−ＡＩＢＮまたはジメチル−
２，２’−アゾビスイソブチレート（Ｖ６０１）を全体
モノマーのモル数を基準に０．１〜２０モル％で溶か
す。得られた溶液から脱気によって溶存酸素を取り、窒
素を利用してパージする。得られた溶液を５０〜９０℃
の温度で２〜４８時間重合させた後、ＴＨＦで希釈して
過量のイソプロパノール、エーテル、ヘキサンまたはこ
れらの混合物に沈殿させる。この沈殿物を再びＴＨＦに
溶かした後、イソプロパノール、エーテル、ヘキサンま
たはこれらの混合物に２回程度さらに再沈殿させる。得
られた沈殿物をろ過させた後５０℃に維持される真空オ
ーブンで２４時間乾燥させる。前記構造のコポリマーを
構成する各々のモノマーユニットの比率は合成原料とし
て使われる二つのモノマーの添加量を調節することによ
って調整できる。
【００３７】前述した方法で前記構造のコポリマーを合
成した結果８７％の収率が得られた。
成した結果８７％の収率が得られた。
【００３８】実施例３ コポリマーの合成３
【００３９】
【化１１】
【００４０】無水マレイン酸９．８ｇ（０．１ｍｏｌ）
と、６−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−３，４
−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン２１．４ｇ（０．１ｍｏｌ）
を全体モノマーの質量を基準に０．１〜３倍のＴＨＦ、
ベンゼン、ジオキサン、またはエチルアセテートに溶か
す。その後、ここに重合開始剤である２，２’−ＡＩＢ
Ｎまたはジメチル−２，２’−アゾビスイソブチレート
（Ｖ６０１）を全体モノマーのモル数を基準に０．１〜
２０モル％で溶かす。得られた溶液から脱気によって溶
存酸素を取り、窒素を利用してパージする。得られた溶
液を５０〜９０℃の温度で２〜４８時間重合させた後、
ＴＨＦで希釈して過量のイソプロパノール、エーテル、
ヘキサンまたはこれらの混合物に沈殿させる。この沈殿
物を再びＴＨＦに溶かした後、イソプロパノール、エー
テル、ヘキサンまたはこれらの混合物に２回程度さらに
再沈殿させる。得られた沈殿物をろ過させた後５０℃に
維持される真空オーブンで２４時間乾燥させる。前記構
造のコポリマーを構成する各々のモノマーユニットの比
率は合成原料として使われる二つのモノマーの添加量を
調節することによって調整できる。
と、６−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−３，４
−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン２１．４ｇ（０．１ｍｏｌ）
を全体モノマーの質量を基準に０．１〜３倍のＴＨＦ、
ベンゼン、ジオキサン、またはエチルアセテートに溶か
す。その後、ここに重合開始剤である２，２’−ＡＩＢ
Ｎまたはジメチル−２，２’−アゾビスイソブチレート
（Ｖ６０１）を全体モノマーのモル数を基準に０．１〜
２０モル％で溶かす。得られた溶液から脱気によって溶
存酸素を取り、窒素を利用してパージする。得られた溶
液を５０〜９０℃の温度で２〜４８時間重合させた後、
ＴＨＦで希釈して過量のイソプロパノール、エーテル、
ヘキサンまたはこれらの混合物に沈殿させる。この沈殿
物を再びＴＨＦに溶かした後、イソプロパノール、エー
テル、ヘキサンまたはこれらの混合物に２回程度さらに
再沈殿させる。得られた沈殿物をろ過させた後５０℃に
維持される真空オーブンで２４時間乾燥させる。前記構
造のコポリマーを構成する各々のモノマーユニットの比
率は合成原料として使われる二つのモノマーの添加量を
調節することによって調整できる。
【００４１】前記説明した方法で前記構造のコポリマー
を合成した結果８５％の収率が得られた。
を合成した結果８５％の収率が得られた。
【００４２】実施例４ コポリマーの合成４
【００４３】
【化１２】
【００４４】無水マレイン酸９．８ｇ（０．１ｍｏｌ）
と、３，４−ジ−ｏ−アセチル−６−ｏ−（トリイソプ
ロピルシリル）−Ｄ−ガラクタール３８．７ｇ（０．１
ｍｏｌ）を全体モノマーの質量を基準に０．１〜３倍の
ＴＨＦ、ベンゼン、ジオキサン、またはエチルアセテー
トに溶かす。その後、ここに重合開始剤である２，２’
−ＡＩＢＮまたはジメチル−２，２’−アゾビスイソブ
チレート（Ｖ６０１）を全体モノマーのモル数を基準に
０．１〜２０モル％で溶かす。得られた溶液から脱気に
よって溶存酸素を取り、窒素を利用してパージする。得
られた溶液を５０〜９０℃の温度で２〜４８時間重合さ
せた後、ＴＨＦで希釈して過量のイソプロパノール、エ
ーテル、ヘキサンまたはこれらの混合物に沈殿させる。
この沈殿物を再びＴＨＦに溶かした後、イソプロパノー
ル、エーテル、ヘキサンまたはこれらの混合物に２回程
度さらに再沈殿させる。得られた沈殿物をろ過させた後
５０℃に維持される真空オーブンで２４時間乾燥させ
る。前記構造のコポリマーを構成する各々のモノマーユ
ニットの比率は合成原料として使われる二つのモノマー
の添加量を調節することによって調整できる。
と、３，４−ジ−ｏ−アセチル−６−ｏ−（トリイソプ
ロピルシリル）−Ｄ−ガラクタール３８．７ｇ（０．１
ｍｏｌ）を全体モノマーの質量を基準に０．１〜３倍の
ＴＨＦ、ベンゼン、ジオキサン、またはエチルアセテー
トに溶かす。その後、ここに重合開始剤である２，２’
−ＡＩＢＮまたはジメチル−２，２’−アゾビスイソブ
チレート（Ｖ６０１）を全体モノマーのモル数を基準に
０．１〜２０モル％で溶かす。得られた溶液から脱気に
よって溶存酸素を取り、窒素を利用してパージする。得
られた溶液を５０〜９０℃の温度で２〜４８時間重合さ
せた後、ＴＨＦで希釈して過量のイソプロパノール、エ
ーテル、ヘキサンまたはこれらの混合物に沈殿させる。
この沈殿物を再びＴＨＦに溶かした後、イソプロパノー
ル、エーテル、ヘキサンまたはこれらの混合物に２回程
度さらに再沈殿させる。得られた沈殿物をろ過させた後
５０℃に維持される真空オーブンで２４時間乾燥させ
る。前記構造のコポリマーを構成する各々のモノマーユ
ニットの比率は合成原料として使われる二つのモノマー
の添加量を調節することによって調整できる。
【００４５】前記説明した方法で前記構造のコポリマー
を合成した結果７８％の収率が得られた。
を合成した結果７８％の収率が得られた。
【００４６】実施例５ コポリマーの合成５
【００４７】
【化１３】
【００４８】無水マレイン酸９．８ｇ（０．１ｍｏｌ）
と、３，６−ジ−ｏ−（ｔ−ブチルジメチルシリル）−
Ｄ−ガラクタール３７．５ｇ（０．１ｍｏｌ）を全体モ
ノマーの質量を基準に０．１〜３倍のＴＨＦ、ベンゼ
ン、ジオキサン、またはエチルアセテートに溶かす。そ
の後、ここに重合開始剤である２，２’−ＡＩＢＮまた
はジメチル−２，２’−アゾビスイソブチレート（Ｖ６
０１）を全体モノマーのモル数を基準に０．１〜２０モ
ル％で溶かす。得られた溶液から脱気によって溶存酸素
を取り、窒素を利用してパージする。得られた溶液を５
０〜９０℃の温度で２〜４８時間重合させた後、ＴＨＦ
で希釈して過量のイソプロパノール、エーテル、ヘキサ
ンまたはこれらの混合物に沈殿させる。この沈殿物を再
びＴＨＦに溶かした後、イソプロパノール、エーテル、
ヘキサンまたはこれらの混合物に２回程度さらに再沈殿
させる。得られた沈殿物をろ過させた後５０℃に維持さ
れる真空オーブンで２４時間乾燥させる。前記構造のコ
ポリマーを構成する各々のモノマーユニットの比率は合
成原料として使われる二つのモノマーの添加量を調節す
ることによって調整できる。
と、３，６−ジ−ｏ−（ｔ−ブチルジメチルシリル）−
Ｄ−ガラクタール３７．５ｇ（０．１ｍｏｌ）を全体モ
ノマーの質量を基準に０．１〜３倍のＴＨＦ、ベンゼ
ン、ジオキサン、またはエチルアセテートに溶かす。そ
の後、ここに重合開始剤である２，２’−ＡＩＢＮまた
はジメチル−２，２’−アゾビスイソブチレート（Ｖ６
０１）を全体モノマーのモル数を基準に０．１〜２０モ
ル％で溶かす。得られた溶液から脱気によって溶存酸素
を取り、窒素を利用してパージする。得られた溶液を５
０〜９０℃の温度で２〜４８時間重合させた後、ＴＨＦ
で希釈して過量のイソプロパノール、エーテル、ヘキサ
ンまたはこれらの混合物に沈殿させる。この沈殿物を再
びＴＨＦに溶かした後、イソプロパノール、エーテル、
ヘキサンまたはこれらの混合物に２回程度さらに再沈殿
させる。得られた沈殿物をろ過させた後５０℃に維持さ
れる真空オーブンで２４時間乾燥させる。前記構造のコ
ポリマーを構成する各々のモノマーユニットの比率は合
成原料として使われる二つのモノマーの添加量を調節す
ることによって調整できる。
【００４９】前記説明した方法で前記構造のコポリマー
を合成した結果７４％の収率が得られた。
を合成した結果７４％の収率が得られた。
【００５０】なお、上記実施例１〜５のコポリマー（感
光性ポリマー）の合成においては、重合条件（重合温
度、時間）範囲において合成する際、概略記載した収率
が得られるものであることが確認されたものである。
光性ポリマー）の合成においては、重合条件（重合温
度、時間）範囲において合成する際、概略記載した収率
が得られるものであることが確認されたものである。
【００５１】そして、上記重合温度の範囲である５０〜
９０℃の範囲は、フォトリソグラフィー工程において優
れた特性が得られるような通常使われる範囲である。同
様に、上記重合時間の範囲である２〜４８時間の範囲
も、フォトリソグラフィー工程において優れた特性が得
られるような通常使われる範囲である。
９０℃の範囲は、フォトリソグラフィー工程において優
れた特性が得られるような通常使われる範囲である。同
様に、上記重合時間の範囲である２〜４８時間の範囲
も、フォトリソグラフィー工程において優れた特性が得
られるような通常使われる範囲である。
【００５２】実施例６ レジスト組成物の製造１ 実施例１で合成したコポリマー（１．０ｇ）と、ＰＡＧ
であるトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンス
ルホン酸塩（トリフレート）０．０１ｇと、有機塩基で
あるトリイソブチルアミン２ｍｇをＰＧＭＥＡ(propyle
ne glycol monomethyl ether acetate；プロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート)（１０．０ｇ）
溶液に入れて完全に溶かした後、０．２μｍメンブレン
フィルタを利用してろ過してレジスト組成物を得た。有
機ＡＲＣ(Anti-Reflective Coating；反射防止膜)処理
されたＳｉウェーハ上にまずｉ−ライン用レジスト組成
物を約１μｍの厚さにコーティングし、２００℃の温度
でハードベーキングを実施して完全に架橋結合させた
後、その上に前記得られたレジスト組成物を約０．２μ
ｍの厚さにコーティングした。
であるトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンス
ルホン酸塩（トリフレート）０．０１ｇと、有機塩基で
あるトリイソブチルアミン２ｍｇをＰＧＭＥＡ(propyle
ne glycol monomethyl ether acetate；プロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート)（１０．０ｇ）
溶液に入れて完全に溶かした後、０．２μｍメンブレン
フィルタを利用してろ過してレジスト組成物を得た。有
機ＡＲＣ(Anti-Reflective Coating；反射防止膜)処理
されたＳｉウェーハ上にまずｉ−ライン用レジスト組成
物を約１μｍの厚さにコーティングし、２００℃の温度
でハードベーキングを実施して完全に架橋結合させた
後、その上に前記得られたレジスト組成物を約０．２μ
ｍの厚さにコーティングした。
【００５３】その後、前記レジスト組成物がコーティン
グされたウェーハを１２０℃の温度で９０秒間ソフトベ
ーキングし、ＡｒＦエキシマレーザー（開口数ＮＡ＝
０．６）を利用して露光した後、１２０℃の温度で６０
秒間ＰＥＢ(post-exposure bake；後露光焼付け)を実施
した。
グされたウェーハを１２０℃の温度で９０秒間ソフトベ
ーキングし、ＡｒＦエキシマレーザー（開口数ＮＡ＝
０．６）を利用して露光した後、１２０℃の温度で６０
秒間ＰＥＢ(post-exposure bake；後露光焼付け)を実施
した。
【００５４】その後、２．３８質量％ＴＭＡＨ(tetrame
thylammonium hydroxide；水酸化テトラメチルアンモニ
ウム)溶液を使用して約６０秒間現像した。その結果、
露光ドーズ量を５ｍＪ／ｃｍ2としたとき０．１５μｍ
ラインアンドスペースパターンが得られることを確認し
た。
thylammonium hydroxide；水酸化テトラメチルアンモニ
ウム)溶液を使用して約６０秒間現像した。その結果、
露光ドーズ量を５ｍＪ／ｃｍ2としたとき０．１５μｍ
ラインアンドスペースパターンが得られることを確認し
た。
【００５５】前記得られたレジストパターンを使用して
Ｏ2−ＲＩＥ(reactive ion etch；リアクティブイオン
エッチング）によって下地膜のｉ−ラインレジスト膜に
パターンを転写して所望のパターンを得た。
Ｏ2−ＲＩＥ(reactive ion etch；リアクティブイオン
エッチング）によって下地膜のｉ−ラインレジスト膜に
パターンを転写して所望のパターンを得た。
【００５６】実施例７ レジスト組成物の製造２ 実施例１で合成したコポリマー（１．０ｇ）と、ＰＡＧ
であるトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンス
ルホン酸塩０．０１５ｇと、有機塩基であるトリイソブ
チルアミン２ｍｇをシクロヘキサノン１０．０ｇに入れ
て完全に溶かしてレジスト組成物を製造し、実施例６と
同じ方法でリソグラフィーパフォーマンスを評価した。
その結果、露光ドーズ量を３．５ｍＪ／ｃｍ2にしたと
き０．１５μｍラインアンドスペースパターンが得られ
ることを確認した。前記のように得られたレジストパタ
ーンを使用してＯ2−ＲＩＥによって下地膜であるｉ−
ラインレジスト膜にパターンを転写して所望のパターン
を得た。
であるトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンス
ルホン酸塩０．０１５ｇと、有機塩基であるトリイソブ
チルアミン２ｍｇをシクロヘキサノン１０．０ｇに入れ
て完全に溶かしてレジスト組成物を製造し、実施例６と
同じ方法でリソグラフィーパフォーマンスを評価した。
その結果、露光ドーズ量を３．５ｍＪ／ｃｍ2にしたと
き０．１５μｍラインアンドスペースパターンが得られ
ることを確認した。前記のように得られたレジストパタ
ーンを使用してＯ2−ＲＩＥによって下地膜であるｉ−
ラインレジスト膜にパターンを転写して所望のパターン
を得た。
【００５７】実施例８ レジスト組成物の製造３ 実施例２で合成したコポリマー（１．０ｇ）と、ＰＡＧ
であるトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンス
ルホン酸塩０．０１５ｇと、有機塩基であるＮ−アリル
カプロラクタム１．８ｍｇをＰＧＭＥＡに入れて完全に
溶かしてレジスト組成物を製造し、実施例６と同じ方法
でリソグラフィーパフォーマンスを評価した。その結
果、露光ドーズ量を５ｍＪ／ｃｍ2にしたとき０．１５
μｍラインアンドスペースパターンが得られることを確
認した。前記のように得られたレジストパターンを使用
してＯ2−ＲＩＥによって下地膜であるｉ−ラインレジ
スト膜にパターンを転写して所望のパターンを得た。
であるトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンス
ルホン酸塩０．０１５ｇと、有機塩基であるＮ−アリル
カプロラクタム１．８ｍｇをＰＧＭＥＡに入れて完全に
溶かしてレジスト組成物を製造し、実施例６と同じ方法
でリソグラフィーパフォーマンスを評価した。その結
果、露光ドーズ量を５ｍＪ／ｃｍ2にしたとき０．１５
μｍラインアンドスペースパターンが得られることを確
認した。前記のように得られたレジストパターンを使用
してＯ2−ＲＩＥによって下地膜であるｉ−ラインレジ
スト膜にパターンを転写して所望のパターンを得た。
【００５８】実施例９ レジスト組成物の製造４ 実施例３で合成したコポリマー（１．０ｇ）と、ＰＡＧ
であるトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンス
ルホン酸塩０．０１５ｇと、有機塩基であるＮ−アリル
カプロラクタム１．８ｍｇをＰＧＭＥＡに入れて完全に
溶かしてレジスト組成物を製造し、実施例６と同じ方法
でリソグラフィーパフォーマンスを評価した。その結
果、露光ドーズ量を５ｍＪ／ｃｍ2にしたとき０．１５
μｍラインアンドスペースパターンが得られることを確
認した。前記のように得られたレジストパターンを使用
してＯ2−ＲＩＥによって下地膜であるｉ−ラインレジ
スト膜にパターンを転写して所望のパターンを得た。
であるトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンス
ルホン酸塩０．０１５ｇと、有機塩基であるＮ−アリル
カプロラクタム１．８ｍｇをＰＧＭＥＡに入れて完全に
溶かしてレジスト組成物を製造し、実施例６と同じ方法
でリソグラフィーパフォーマンスを評価した。その結
果、露光ドーズ量を５ｍＪ／ｃｍ2にしたとき０．１５
μｍラインアンドスペースパターンが得られることを確
認した。前記のように得られたレジストパターンを使用
してＯ2−ＲＩＥによって下地膜であるｉ−ラインレジ
スト膜にパターンを転写して所望のパターンを得た。
【００５９】実施例１０ レジスト組成物の製造５ 実施例４で合成したコポリマー（１．０ｇ）と、ＰＡＧ
であるトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンス
ルホン酸塩０．０１５ｇと、有機塩基であるＮ−アリル
カプロラクタム１．８ｍｇをＰＧＭＥＡに入れて完全に
溶かしてレジスト組成物を製造し、実施例６と同じ方法
でリソグラフィーパフォーマンスを評価した。その結
果、露光ドーズ量を５ｍＪ／ｃｍ2にしたとき０．１５
μｍラインアンドスペースパターンが得られることを確
認した。前記のように得られたレジストパターンを使用
してＯ2−ＲＩＥによって下地膜であるｉ−ラインレジ
スト膜にパターンを転写して所望のパターンを得た。
であるトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンス
ルホン酸塩０．０１５ｇと、有機塩基であるＮ−アリル
カプロラクタム１．８ｍｇをＰＧＭＥＡに入れて完全に
溶かしてレジスト組成物を製造し、実施例６と同じ方法
でリソグラフィーパフォーマンスを評価した。その結
果、露光ドーズ量を５ｍＪ／ｃｍ2にしたとき０．１５
μｍラインアンドスペースパターンが得られることを確
認した。前記のように得られたレジストパターンを使用
してＯ2−ＲＩＥによって下地膜であるｉ−ラインレジ
スト膜にパターンを転写して所望のパターンを得た。
【００６０】実施例１１ レジスト組成物の製造６ 実施例５で合成したコポリマー（１．０ｇ）と、ＰＡＧ
であるトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンス
ルホン酸塩０．０１５ｇと、有機塩基であるＮ−アリル
カプロラクタム１．８ｍｇをＰＧＭＥＡに入れて完全に
溶かしてレジスト組成物を製造し、実施例６と同じ方法
でリソグラフィーパフォーマンスを評価した。その結
果、露光ドーズ量を５ｍＪ／ｃｍ2にしたとき０．１５
μｍラインアンドスペースパターンが得られることを確
認した。前記のように得られたレジストパターンを使用
してＯ2−ＲＩＥによって下地膜であるｉ−ラインレジ
スト膜にパターンを転写して所望のパターンを得た。
であるトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンス
ルホン酸塩０．０１５ｇと、有機塩基であるＮ−アリル
カプロラクタム１．８ｍｇをＰＧＭＥＡに入れて完全に
溶かしてレジスト組成物を製造し、実施例６と同じ方法
でリソグラフィーパフォーマンスを評価した。その結
果、露光ドーズ量を５ｍＪ／ｃｍ2にしたとき０．１５
μｍラインアンドスペースパターンが得られることを確
認した。前記のように得られたレジストパターンを使用
してＯ2−ＲＩＥによって下地膜であるｉ−ラインレジ
スト膜にパターンを転写して所望のパターンを得た。
【００６１】以上の実験結果より、いずれも微細パター
ンがよく形成されていることからして、上記コポリマー
は、下地膜に対する接着力に非常に優れ、既存の材料に
比べて優秀なエッチング選択比を提供でき、また上記レ
ジスト組成物は、乾式エッチングに対する充分の耐性を
提供でき、優秀な熱的安定性及び現像液に対する湿潤性
を確保できるといえる。
ンがよく形成されていることからして、上記コポリマー
は、下地膜に対する接着力に非常に優れ、既存の材料に
比べて優秀なエッチング選択比を提供でき、また上記レ
ジスト組成物は、乾式エッチングに対する充分の耐性を
提供でき、優秀な熱的安定性及び現像液に対する湿潤性
を確保できるといえる。
【００６２】
【発明の効果】本発明の第１様態による感光性ポリマー
は、シリコンを含む保護基を有するアルキルビニルエー
テルからなる重合体、すなわち上記式１で表される化学
構造を有する重合体よりなる。また本発明の第２様態に
よる感光性ポリマーは、シリコンを含む保護基を有する
アルキルビニルエーテルと無水マレイン酸との共重合
体、すなわち上記式２で表される化学構造を有する共重
合体よりなる。このような感光性ポリマーよりなるレジ
スト組成物を使用してパターンを形成するとき、シリコ
ンを含む保護基はＫｒＦまたはＡｒＦのような遠紫外線
によって生じる酸とＰＥＢによって加水分解されて脱離
される。これにより、露光部と非露光部でのシリコン含
量が異なり、同時に露光部と非露光部でのアルカリ性溶
媒に対する溶解性も異なる。このように形成された潜像
に対してＯ2−ＲＩＥを利用して直ちにエッチングした
り、前記潜像をアルカリ性溶液で現像してパターニング
した後、下地膜をＯ2−ＲＩＥを利用してエッチングで
きる。このとき、レジスト膜のうちシリコンが存在する
非露光部ではＯ2−ＲＩＥによる乾式エッチングの際に
ＳｉＯxのような物質よりなる酸化膜が形成され、露光
部ではこのような酸化膜が存在しない。したがって、非
露光部と露光部でのシリコン含量差と、これによって生
じるＯ2−ＲＩＥに対する選択比の差を利用して下地膜
をパターニングできる。
は、シリコンを含む保護基を有するアルキルビニルエー
テルからなる重合体、すなわち上記式１で表される化学
構造を有する重合体よりなる。また本発明の第２様態に
よる感光性ポリマーは、シリコンを含む保護基を有する
アルキルビニルエーテルと無水マレイン酸との共重合
体、すなわち上記式２で表される化学構造を有する共重
合体よりなる。このような感光性ポリマーよりなるレジ
スト組成物を使用してパターンを形成するとき、シリコ
ンを含む保護基はＫｒＦまたはＡｒＦのような遠紫外線
によって生じる酸とＰＥＢによって加水分解されて脱離
される。これにより、露光部と非露光部でのシリコン含
量が異なり、同時に露光部と非露光部でのアルカリ性溶
媒に対する溶解性も異なる。このように形成された潜像
に対してＯ2−ＲＩＥを利用して直ちにエッチングした
り、前記潜像をアルカリ性溶液で現像してパターニング
した後、下地膜をＯ2−ＲＩＥを利用してエッチングで
きる。このとき、レジスト膜のうちシリコンが存在する
非露光部ではＯ2−ＲＩＥによる乾式エッチングの際に
ＳｉＯxのような物質よりなる酸化膜が形成され、露光
部ではこのような酸化膜が存在しない。したがって、非
露光部と露光部でのシリコン含量差と、これによって生
じるＯ2−ＲＩＥに対する選択比の差を利用して下地膜
をパターニングできる。
【００６３】また、本発明の第１態様による感光性ポリ
マーは、上記式１で表される化学構造を有する重合体よ
りなされたので、下地膜に対する接着力が非常に優秀で
ある。同様に、本発明の第２態様による感光性ポリマー
は、上記式２で表される化学構造を有する共重合体、す
なわちアルキルビニルエーテルと無水マレイン酸との共
重合体よりなされたので、下地膜に対する接着力が非常
に優秀である。特に、ポリマー内で接着プロモータとし
て作用する無水マレイン酸モノマーユニットまたは環状
のビニルエーテルモノマーユニット部分の大きさがポリ
マー全体の大きさに比べて非常に小さいため、ポリマー
全体構造のうちシリコンが占める比重が相対的に大きく
なる。したがって、既存の材料に比べて優秀なエッチン
グ選択比を提供できる。また、無水マレイン酸と、シリ
コンを含む環状のビニルエーテルはいずれも現在商用さ
れており、そのコストが非常にやすい。したがって、本
発明による感光性ポリマーは低コストで製造でき、これ
より得られるレジスト組成物は乾式エッチングに対する
十分の耐性を提供でき、優秀な熱的安定性及び現像液に
対する湿潤性を確保できる。
マーは、上記式１で表される化学構造を有する重合体よ
りなされたので、下地膜に対する接着力が非常に優秀で
ある。同様に、本発明の第２態様による感光性ポリマー
は、上記式２で表される化学構造を有する共重合体、す
なわちアルキルビニルエーテルと無水マレイン酸との共
重合体よりなされたので、下地膜に対する接着力が非常
に優秀である。特に、ポリマー内で接着プロモータとし
て作用する無水マレイン酸モノマーユニットまたは環状
のビニルエーテルモノマーユニット部分の大きさがポリ
マー全体の大きさに比べて非常に小さいため、ポリマー
全体構造のうちシリコンが占める比重が相対的に大きく
なる。したがって、既存の材料に比べて優秀なエッチン
グ選択比を提供できる。また、無水マレイン酸と、シリ
コンを含む環状のビニルエーテルはいずれも現在商用さ
れており、そのコストが非常にやすい。したがって、本
発明による感光性ポリマーは低コストで製造でき、これ
より得られるレジスト組成物は乾式エッチングに対する
十分の耐性を提供でき、優秀な熱的安定性及び現像液に
対する湿潤性を確保できる。
【００６４】以上、本発明を望ましい実施例をあげて詳
細に説明したが、本発明は前記実施例に限定されず、本
発明の技術的思想範囲内で当業者によって多様な変形が
可能である。
細に説明したが、本発明は前記実施例に限定されず、本
発明の技術的思想範囲内で当業者によって多様な変形が
可能である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 姜 律 大韓民国京畿道城南市盆唐区二梅洞133番 地 斗山アパート420棟404号 Ｆターム(参考） 2H025 AA09 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CB08 CB10 CB34 CB41 FA17 4J100 AK32Q AR32P BA03P BA10P BA76P CA01 CA04 JA38
Claims (22)
- 【請求項１】 次の式で表されるアルキルビニルエーテ
ルの重合体を含むことを特徴とする感光性ポリマー。 【化１】 式中、 Ｒ1は−Ｈ、−ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）3または−
ＯＳｉ（ＣＨ3）3であり、 Ｒ2は−Ｈ、−ＯＨ、−ＯＣＯＣＨ3、−ＯＳｉ（Ｃ
Ｈ3）2Ｃ（ＣＨ3）3または−ＯＳｉ（ＣＨ（ＣＨ3）2）
3であり、 Ｒ3は−Ｈ、−ＯＨまたは−ＯＣＯＣＨ3であり、 Ｒ4は−Ｈ、−ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）3、−ＣＨ2
ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）3または−ＣＨ2ＯＳｉ
（ＣＨ（ＣＨ3）2）3であり、 Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4のうち少なくとも一つはＳｉ含有
基である。 - 【請求項２】 次の式で表されるアルキルビニルエーテ
ルと無水マレイン酸との共重合体を含むことを特徴とす
る感光性ポリマー。 【化２】 式中、 Ｒ1は−Ｈ、−ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）3または−
ＯＳｉ（ＣＨ3）3であり、 Ｒ2は−Ｈ、−ＯＨ、−ＯＣＯＣＨ3、−ＯＳｉ（Ｃ
Ｈ3）2Ｃ（ＣＨ3）3、または−ＯＳｉ（ＣＨ（Ｃ
Ｈ3）2）3であり、 Ｒ3は−Ｈ、−ＯＨまたは−ＯＣＯＣＨ3であり、 Ｒ4は−Ｈ、−ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）3、−ＣＨ2
ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）3、または−ＣＨ2ＯＳｉ
（ＣＨ（ＣＨ3）2）3であり、 Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4のうち少なくとも一つはＳｉ含有
基である。 - 【請求項３】 （ａ）次の式で表されるアルキルビニル
エーテルの重合体を含む感光性ポリマーと、 【化３】 式中、 Ｒ1は−Ｈ、−ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）3または−
ＯＳｉ（ＣＨ3）3であり、 Ｒ2は−Ｈ、−ＯＨ、−ＯＣＯＣＨ3、−ＯＳｉ（Ｃ
Ｈ3）2Ｃ（ＣＨ3）3または−ＯＳｉ（ＣＨ（ＣＨ3）2）
3であり、 Ｒ3は−Ｈ、−ＯＨまたは−ＯＣＯＣＨ3であり、 Ｒ4は−Ｈ、−ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）3、−ＣＨ2
ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）3または−ＣＨ2ＯＳｉ
（ＣＨ（ＣＨ3）2）3であり、 Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4のうち少なくとも一つはＳｉ含有
基である； （ｂ）光酸発生剤と、を含むことを特徴とするレジスト
組成物。 - 【請求項４】 前記感光性ポリマーの重量平均分子量
は、１，０００〜１００，０００であることを特徴とす
る請求項３に記載のレジスト組成物。 - 【請求項５】 前記光酸発生剤の量は、前記感光性ポリ
マーの質量を基準に１〜３０質量％であることを特徴と
する請求項３に記載のレジスト組成物。 - 【請求項６】 前記光酸発生剤は、トリアリルスルホニ
ウム塩、ジアリルヨードニウム塩、スルホン酸塩または
その混合物よりなることを特徴とする請求項３に記載の
レジスト組成物。 - 【請求項７】 前記光酸発生剤は、トリフェニルスルホ
ニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムアンチ
モネート、ジフェニルヨードニウムトリフレート、ジフ
ェニルヨードニウムアンチモネート、メトキシジフェニ
ルヨードニウムトリフレート、ジ−ｔ−ブチルジフェニ
ルヨードニウムトリフレート、２，６−ジニトロベンジ
ルスルホン酸塩、ピロガロールトリス（アルキルスルホ
ン酸塩）、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフレー
ト、ノルボルネン−ジカルボキシイミド−トリフレー
ト、トリフェニルスルホニウムノナフレート、ジフェニ
ルヨードニウムノナフレート、メトキシジフェニルヨー
ドニウムノナフレート、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨー
ドニウムノナフレート、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド
ノナフレート、ノルボルネン−ジカルボキシイミド−ノ
ナフレート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロオ
クタンスルホン酸塩（ＰＦＯＳ）、ジフェニルヨードニ
ウムＰＦＯＳ、メトキシジフェニルヨードニウムＰＦＯ
Ｓ、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨードニウムＰＦＯＳ、
Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドＰＦＯＳ、ノルボルネン
−ジカルボキシイミドＰＦＯＳ、またはこれらの混合物
よりなることを特徴とする請求項３に記載のレジスト組
成物。 - 【請求項８】 有機塩基をさらに含むことを特徴とする
請求項３に記載のレジスト組成物。 - 【請求項９】 前記有機塩基の量は、前記感光性ポリマ
ーの質量を基準に０．０１〜２．０質量％であることを
特徴とする請求項８に記載のレジスト組成物。 - 【請求項１０】 前記有機塩基は、第三級アミンよりな
る化合物を単独または２種以上混合してなされることを
特徴とする請求項８に記載のレジスト組成物。 - 【請求項１１】 前記有機塩基は、トリエチルアミン、
トリイソブチルアミン、トリイソオクチルアミン、トリ
イソデシルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノー
ルアミン、Ｎ−アルキル置換されたピロリジノン、Ｎ−
アルキル置換されたカプロラクタム、Ｎ−アルキル置換
されたバレロラクタムまたはその混合物であることを特
徴とする請求項８に記載のレジスト組成物。 - 【請求項１２】 ３０〜２００質量ｐｐｍの界面活性剤
をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載のレジス
ト組成物。 - 【請求項１３】 （ａ） 次の式で表されるアルキルビ
ニルエーテルと無水マレイン酸との共重合体を含む感光
性ポリマーと、 【化４】 式中、 Ｒ1は−Ｈ、−ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）3または−
ＯＳｉ（ＣＨ3）3であり、 Ｒ2は−Ｈ、−ＯＨ、−ＯＣＯＣＨ3、−ＯＳｉ（Ｃ
Ｈ3）2Ｃ（ＣＨ3）3または−ＯＳｉ（ＣＨ（ＣＨ3）2）
3であり、 Ｒ3は−Ｈ、−ＯＨまたは−ＯＣＯＣＨ3であり、 Ｒ4は−Ｈ、−ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）3、−ＣＨ2
ＯＳｉ（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）3または−ＣＨ2ＯＳｉ
（ＣＨ（ＣＨ3）2）3であり、 Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4のうち少なくとも一つはＳｉ含有
基である； （ｂ）光酸発生剤と、を含むことを特徴とするレジスト
組成物。 - 【請求項１４】 前記感光性ポリマーの重量平均分子量
は、１，０００〜１００，０００であることを特徴とす
る請求項１３に記載のレジスト組成物。 - 【請求項１５】 前記光酸発生剤の量は、前記感光性ポ
リマーの質量を基準に１〜３０質量％であることを特徴
とする請求項１３に記載のレジスト組成物。 - 【請求項１６】 前記光酸発生剤は、トリアリルスルホ
ニウム塩、ジアリルヨードニウム塩、スルホン酸塩また
はその混合物よりなることを特徴とする請求項１３に記
載のレジスト組成物。 - 【請求項１７】 前記光酸発生剤は、トリフェニルスル
ホニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムアン
チモネート、ジフェニルヨードニウムトリフレート、ジ
フェニルヨードニウムアンチモネート、メトキシジフェ
ニルヨードニウムトリフレート、ジ−ｔ−ブチルジフェ
ニルヨードニウムトリフレート、２，６−ジニトロベン
ジルスルホン酸塩、ピロガロールトリス（アルキルスル
ホン酸塩）、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフレー
ト、ノルボルネン−ジカルボキシイミド−トリフレー
ト、トリフェニルスルホニウムノナフレート、ジフェニ
ルヨードニウムノナフレート、メトキシジフェニルヨー
ドニウムノナフレート、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨー
ドニウムノナフレート、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド
ノナフレート、ノルボルネン−ジカルボキシイミド−ノ
ナフレート、トリフェニルスルホニウムＰＦＯＳ、ジフ
ェニルヨードニウムＰＦＯＳ、メトキシジフェニルヨー
ドニウムＰＦＯＳ、ジ−ｔ−ブチルジフェニルヨードニ
ウムＰＦＯＳ、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドＰＦＯ
Ｓ、ノルボルネン−ジカルボキシイミドＰＦＯＳ、また
はこれらの混合物よりなることを特徴とする請求項１３
に記載のレジスト組成物。 - 【請求項１８】 有機塩基をさらに含むことを特徴とす
る請求項１３に記載のレジスト組成物。 - 【請求項１９】 前記有機塩基の量は、前記感光性ポリ
マーの質量を基準に０．０１〜２．０質量％であること
を特徴とする請求項１８に記載のレジスト組成物。 - 【請求項２０】 前記有機塩基は、第三級アミンよりな
る化合物を単独または２種以上混合してなされることを
特徴とする請求項１８に記載のレジスト組成物。 - 【請求項２１】 前記有機塩基は、トリエチルアミン、
トリイソブチルアミン、トリイソオクチルアミン、トリ
イソデシルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノー
ルアミンアミン、Ｎ−アルキル置換されたピロリジノ
ン、Ｎ−アルキル置換されたカプロラクタム、Ｎ−アル
キル置換されたバレロラクタムまたはその混合物である
ことを特徴とする請求項１８に記載のレジスト組成物。 - 【請求項２２】 ３０〜２００質量ｐｐｍの界面活性剤
をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載のレジ
スト組成物。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0017948A KR100442859B1 (ko) | 2001-04-04 | 2001-04-04 | 실리콘을 함유하는 알킬 비닐 에테르의 중합체로이루어지는 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트조성물 |
| KR2001-017948 | 2001-04-04 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002102697A Expired - Fee Related JP4137489B2 (ja) | 2001-04-04 | 2002-04-04 | シリコンを含むアルキルビニルエーテルの重合体よりなる感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP4137489B2 (ja) |
| KR (1) | KR100442859B1 (ja) |
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| US6962768B2 (en) * | 2002-04-24 | 2005-11-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ether monomers and polymers having multi-ring structures, and photosensitive polymers and resist compositions obtained from the same |
| US20060108710A1 (en) * | 2004-11-24 | 2006-05-25 | Molecular Imprints, Inc. | Method to reduce adhesion between a conformable region and a mold |
| US7307118B2 (en) * | 2004-11-24 | 2007-12-11 | Molecular Imprints, Inc. | Composition to reduce adhesion between a conformable region and a mold |
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| US8076386B2 (en) * | 2004-02-23 | 2011-12-13 | Molecular Imprints, Inc. | Materials for imprint lithography |
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| US8808808B2 (en) | 2005-07-22 | 2014-08-19 | Molecular Imprints, Inc. | Method for imprint lithography utilizing an adhesion primer layer |
| US8557351B2 (en) | 2005-07-22 | 2013-10-15 | Molecular Imprints, Inc. | Method for adhering materials together |
| US8142703B2 (en) | 2005-10-05 | 2012-03-27 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography method |
| KR100919350B1 (ko) * | 2008-04-24 | 2009-09-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
| US20100109195A1 (en) | 2008-11-05 | 2010-05-06 | Molecular Imprints, Inc. | Release agent partition control in imprint lithography |
| CN103809378A (zh) | 2014-01-26 | 2014-05-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种负性光刻胶及其制备方法、使用方法 |
| US10527935B2 (en) | 2016-12-31 | 2020-01-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Radiation-sensitive compositions and patterning and metallization processes |
| KR20240063408A (ko) | 2022-11-03 | 2024-05-10 | 한화오션 주식회사 | 컨테이너 선박의 전용 벤치 구조 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1150348A (en) * | 1965-11-15 | 1969-04-30 | Canadian Ind | Mixed Esters and Foames Polymers therefrom |
| US3784594A (en) * | 1971-05-25 | 1974-01-08 | Union Carbide Corp | Cellular material produced from copolymers of cyclic vinyl ethers and cyclic acetals |
| US3860422A (en) * | 1972-02-28 | 1975-01-14 | Canon Kk | Photoconductive element with unsaponified alkyl vinyl ether-maleic anhydride copolymer interlayer |
| DE58909383D1 (de) * | 1988-04-14 | 1995-09-21 | Hoechst Ag | Verfahren zur hochregioselektiven Veresterung und Esterspaltung an ungesättigten Zuckerverbindungen mit Hilfe von Lipasen und Esterasen und mit diesem Verfahren herstellbare Produkte. |
| DE4027436C1 (ja) * | 1990-08-30 | 1992-01-23 | Th. Goldschmidt Ag, 4300 Essen, De | |
| GB9110418D0 (en) * | 1991-05-14 | 1991-07-03 | Du Pont Howson Ltd | Radiation-sensitive material |
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| JPH09241304A (ja) * | 1996-03-12 | 1997-09-16 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | 照射硬化性組成物の重合に用いる水性酸素遮断組成物 |
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