KR980006881A - 반도체 메로리 장치의 입력 버퍼 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 입력단으로 TTL레벨을 입력받아 출력단으로 CMOS레벨을 출력하기 위한 반도체 메모리 장치의 입력버퍼에 있어서, 상기 입력단의 게이트 제어에 의해 상기 출력단을 CMOS레벨로 풀업 구동하는 풀업트랜지스터; 및 상기 입력단과 상기 출력단의 레벨에 제어받아 정적 전류를 차단하며, 상기 풀업트랜지스터의 게이트단 전압레벨을 제어하는 정적전류차단수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 입력버퍼에 관한것으로, 최소한의 정적전류(static current)가 흐르도록하여 전력소모의 감소 및 휴대용 제품의 배터리 수명 연장의 효과를 가져온다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일실시예에 따른 입력버퍼 회로도.
Claims (4)
- 입력단으로 TTL레벨을 입력받아 출력단으로 CMOS 레벨을 출력하기 위한 반도체 메로리 장치의 입력버퍼에 있어서, 상기 입력단의 게이트 제어에 의해 상기 출력단을 CMOS레벨로 풀다운 구동하는 풀다운 트랜지스터; 상기 출력단을 CMOS레벨로 풀업 구동하는 풀업트랜지스터; 상기 출력단의 레벨에 제어받아 정적 전류를 차단하며, 상기 풀업트랜지스터의 게이트단 전압레벨을 제어하는 정적전류차단수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 입력버퍼.
- 제 1 항에 있어서, 상기 정적전류차단수단은 상기 출력단 레벨을 게이트로 인가받고 상기 제2모스트랜지스터의 게이트단에 연결된 제1노드(N1)와 공급전원단과의 사이에 채널이 형성되는 제1피모스트랜지스터; 상기 입력단 레벨을 게이트로 인가받고 소정의 제2노드(N2)와 접지전원단과의 사이에 채널이 형성되는 제2피모스트랜지스터; 상기 제1노드(N1)과 상기 제2노드(N2)와의 사이에 채널이 형성되고 상기 제1노드(N1)에 게이트가 연결된 제1엔모스트랜지스터를 더 포함하여 이루어지는것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 입력버퍼.
- 제 2 항에 있어서, 상기 풀다운트랜지스터는 접지전원단과 상기 출력단 사이에 채널을 갖는 제2엔모스트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 입력버퍼.
- 제 3 항에 있어서, 상기 풀업트랜지스터는 공급전원단과 상기 출력단 사이에 채널을 갖는 제3피모스트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 입력버퍼.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024691A KR980006881A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 메로리 장치의 입력 버퍼 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024691A KR980006881A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 메로리 장치의 입력 버퍼 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006881A true KR980006881A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960024691A KR980006881A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 메로리 장치의 입력 버퍼 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006881A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100365425B1 (ko) * | 1999-06-28 | 2002-12-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 정적 전류를 줄이고 고속 동작이 가능한 레퍼런스 신호 발생 회로 |
-
1996
- 1996-06-27 KR KR1019960024691A patent/KR980006881A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100365425B1 (ko) * | 1999-06-28 | 2002-12-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 정적 전류를 줄이고 고속 동작이 가능한 레퍼런스 신호 발생 회로 |
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