KR980006434A - 메모리 테스트를 위한 온-칩 자동 절차 - Google Patents

메모리 테스트를 위한 온-칩 자동 절차 Download PDF

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Abstract

본 발명의 온-칩 내구력 테스트(자동 사이클)와 파라메트릭 특성 테스트(자동 VccMax/Min)는 테스터로부터 칩상에 단일 명령(CONTROL CODE)의 전송으로 메모리 칩상에서 자동적으로 수행됨에 의해 테스트 시간과 하드웨어를 절약한다. 본 발명의 자동화된 테스트 절차는 온-칩 테스터가 외부로 내보내는 명령들(CONTROL CODEs)을 더 적게 요구하고 외부 상태 체크를 더 적게 요구하기 때문에 더 빠르게 구동된다. 본 발명의 절차는 더 적은 수의 입출력 핀들(CONTROL)을 가지며, 외부 테스트 하드웨어의 비용을 감소시키는 외부 테스터를 허용한다. 특히, 내구력 테스트(Autocycle)는 고장(failure)이 검출되던지 요구되는 수의 테스트 사이클이 완료될 때까지 프로그래밍, 소거 및/또는 압축 동작의 어떤 결합을 통해 메모리 칩을 자동적으로 사이클한다. 파라메트릭 특성 테스트(AutoVccMax/Min)는 메모리 칩의 데이터 동작을 위한 최대 공급 전압 및 최소 공급 전압을 자동적으로 결정한다. 내구력 테스트(Autocycle)은 제어 독출 전용 메모리(CROM)에서 정보를 체크하기 위하여 마이크로 순차기(MC)와 온-칩 빌트-인-로직-블럭-조사(BILBO) 레지스터를 사용한다. 제어 독출 전용 메모리로 부터의 출력 데이터는 큰 카운트를 위한 카운터로서 사용하기 위해 향상된 BILBO레지스트내에 래치 된다. 내구력 테스트(Autocycle) 동안, 향상된 카운터를 사용하는 마이크로 순차기(MC)는 내구력 테스트 사이클을 제어하는 다수의 온-칩을 모니터한다. 파라메트릭 특성 테스트(Auto VccMax/Min)동안, 온-칩 디지탈 아날로그 변환기(DAC)는 메모리의 데이터 셀들(10)과 기준 셀들( 10)에 제공되는 공급전압(Vcc)의 단계적인 변화를 만든다.

Description

메모리 테스트를 위한 온-칩 자동 절차
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 메모리 칩의 파라메트릭 특성을 위한 전형적인 셋업의 실시예에 따라 도시된 블록 형태의 회로도.
제4도는 “Autocycle”테스트 모드 같은 자동화된 내구력 테스트 흐름을 나타낸 블록 형태의 흐름도.
제5도는 현존하는 카운터를 변형함에 의해 부가적인 카운터를 창출하는 실시예를 나타낸 블록 형태의 회로도.
제6도는 메모리 셀 어레이내에 저장된 데이터를 사용하는 동작을 위한 VccMax 혹은 VccMin을 찾기 위한 온-칩 제어 방법을 도시한 블록 형태의 회로도.
제7도는 “AutoVccMax/Min”테스트 모드 같은 자동화된 파라메트릭 특성 테스트 흐름을 나타낸 블록 형태의 흐름도.

Claims (18)

  1. 외부 소오스로 부터의 마이크로 코드들에 따라 단일 직적 회로 칩상에 형성된 메모리 어레이상에서 내구력 테스트를 수행하기 위한 방법에 있어서: 상기 칩상에 제어 독출 전용 메모리를 형성하는 단계와; 상기 제어 독출 전용 메모리내에서 상기 내구력 테스트를 수행하기 위한 명령들을 프로그램하는 단계와; 상기 외부 소오스로 부터의 상기 마이크로 코드들에 응답하여, 상기 제어 독출 전용 메모리내에 프로그램된 상기 명령들에 따라 상기 메모리 어레이의 상기 내구력 테스트를 수행하기 위해 상기 칩상에 마이크로 순차기를 형성하되, 상기 마이크로 순차기는 상기 외부 소오스로 부터의 마이크로 코드들을 수신하고 명령 디코더에 제1 신호를 커플링하기 위한 테스트 멀티플렉서를 포함하고, 상기 명령 디코더는 상기 제어 독출 전용 메모리로 부터의 동작 코드를 수신도 하고 서브루틴 스택을 제어하며, 상기 동작 코드를 수신하고 상기 서브 루틴 스택으로부터 제2 신호를 수신하며 증분기로부터 제3 신호를 수신하기 위한 프로그램 카운터 멀티플렉서를 포함하고, 상기 프로그램 카운터 멀티플렉서는 상기 제어 독출 전용 메모리에 제4 신호를 제공하며, 상기 증분기는 상기 프로그램 카운터 멀티플렌서로부터 상기 제4 신호를 취하고 상기 제4 신호로부터 다음 마이크로 코드 어드레스로서 상기 제3 신호를 발생하는 단계와; 상기 제어 독출 전용 메모리내의 정보를 체크하고 상기 제어 독출 전용 메모리로부터 출력 데이터를 래치하기 위하여 상기 칩상에 카운터로서 사용 가능한 빌트-인-로직-블럭-조사 레지스터(built-in-logic-block-observation register)를 적어도 하나 형성하는 단계와; 상기 마이크로 순차기가 내구력 테스트 명령을 수신하도록 만드는 단계와; 내구력 테스트 사이클의 수를 카운트하기 위해 상기 빌트-인-로직-블럭-조사 레지스터를 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 내구력 테스트 수행 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 메모리 어레이는 불휘발성 메모리 어레이임을 특징으로 하는 내구력 테스트 수행 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어 독출 전용 메모리 어레이는 마스크 프로그램 가능한 불휘발성 메모리 어레이임 특징으로 하는 내구력 테스트 수행 방법.
  4. 외부 소오스로 부터의 마이크로 코드들에 따라 단일 집적 회로 칩상에 형성된 메모리 어레이상에서 파라메트릭 데이터 테스트를 수행하기 위한 방법에 있어서: 상기 칩상에 제어 독출 전용 메모리를 형성하는 단계와: 상기 제어 독출 전용 메모리내에서 상기 파라메트릭 데이터 테스트를 수행하기 위한 명령들을 프로그램하는 단계와; 상기 외부 소오스로 부터의 상기 마이크로 코드들에 응답하여, 상기 제어 독출 전용 메모리내에 프로그램된 상기 명령들에 따라 상기 메모리 어레이의 상기 파라메트릭 데이터 테스트를 수행하기 위해 상기 칩상에 마이크로 순차기를 형성하되, 상기 마이크로 순차기는 상기 외부 소오스로 부터의 마이크로 코드들을 수신하고 명령 디코더에 제1 신호를 커플링하기 위한 테스트 멀티플렉서를 포함하고, 상기 명령 디코더는 상기 제어 독출 전용 메모리로 부터의 동작 코드를 수신도 하고 서브루틴 스택을 제어하며, 상기 동작 코드를 수신하고 상기 서브 루틴 스택으로부터 제2 신호를 수신하며 증분기로부터 제3 신호를 수신하기 위한 프로그램 카운터 멀티플렉서를 포함하고, 상기 프로그램 카운터 멀티플렉서는 상기 제어 독출 전용 메모리에 제4 신호를 제공하며, 상기 증분기는 상기 프로그램 카운터 멀티플렉서로부터 상기 제4 신호를 취하고 상기 제4 신호로부터 다음 마이크로 코드 어드레스로서 상기 제3 신호를 발생하는 단계와; 상기 메모리의 데이터 셀들과 기준 셀들에 제공되는 공급 전압에서의 단계화된 변화를 야기시키기 위해 상기 칩상에 디지탈 아날로그 변환기를 형성하는 단계와; 상기 마이크로 순차기가 파라메트릭 데이터 테스트 명령을 수신하도록 만드는 단계와; 상기 파라메트릭 데이터 테스트를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 파라메트릭 데이터 테스트 수행 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 파라메트릭 데이터 테스트는 상기 메모리 어레이의 동작을 위한 공급 전압의 최대값을 결정함을 특징으로 하는 파라메트릭 데이터 테스트 수행 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 파라메트릭 데이터 테스트는 상기 메모리 어레이의 동작을 위한 공급 전압의 최소값을 결정함을 특징으로 하는 파라메트릭 데이터 테스트 수행 방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 메모리 어레이는 불휘발성 메모리 어레이임을 특징으로 하는 파라메트릭 데이터 테스트 수행 방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 제어 독출 전용 메모리 어레이는 마스크 프로그램 가능한 불휘발성 메모리 어레이임을 특징으로 하는 파라메트릭 데이터 테스트 수행 방법.
  9. 외부 소오스로 부터의 마이크로 코드들에 따라 단일 집적 회로 칩상에 형성된 메모리 어레이상에서의 특별 형태의 온-칩 테스트의 수를 모니터링하는 방법에 있어서: 상기 칩상에 제어 독출 전용 메모리를 형성하는 단계와; 상기 제어 독출 전용 메모리 내에서의 순차적인 상기 온-칩 테스트를 수행하기 위한 명령들을 프로그램하는 단계와; 상기 외부 소오스로 부터의 상기 마이크로 코드들에 응답하여, 상기 제어 독출 전용 메모리내에 프로그램된 상기 명령들에 따라 상기 메모리 어레이의 상기 온-칩 테스트의 수를 모니터링하기 위해 상기 칩상에 마이크로 순차기를 형성하되, 상기 마이크로 순차기는 상기 외부 소오스로 부터의 마이크로 코드들을 수신하고 명령 디코더에 제1 신호를 커플링하기 위한 테스트 멀티플렉서를 포함하고, 상기 명령 디코더는 상기 제어 독출 전용 메모리로 부터의 동작 코드를 수신도 하고 서브루틴스택을 제어하며, 상기 동작 코드를 수신하고 상기 서브 루틴 스택으로부터 제2 신호를 수신하며 증분기로부터 제3 신호를 수신하기 위한 프로그램 카운터 멀티플렉서를 포함하고, 상기 프로그램 카운터 멀티플렉서는 상기 제어 독출 전용 메모리에 제4 신호를 제공하며, 상기 증분기는 상기 프로그램 카운터 멀티플렉서로부터 제4 신호를 취하고 상기 제4 신호로부터 다음 마이크로 코드 어드레스로서 상기 제3 신호를 발생하는 단계와; 상기 외부 소오스로 부터의 초기 카운트와 신호를 수신하고 개별 카운트 종료 검출기와 프로그램 카운터 멀티프렉서에 카운트 정보를 전송하는 m-비트 카운터와, 스캐닝 출력을 제공하는 상기 칩상의 개별 카운트 종료 검출기를 상기 마이크로 순차기의 일부로서 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 온-칩 테스트 모니터링 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 메모리 어레이는 불휘발성 메모리 어레이임을 특징으로 하는 온-칩 테스트 모니터링 방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 제어 독출 전용 메모리 어레이는 마스크 프로그램 가능한 불휘발성 메모리 어레이임을 특징으로 하는 온-칩 테스트 모니터링 방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 특별 형태의 온-칩 테스트는 내구력 테스트임을 특징으로 하는 온-칩 테스트 모니터링 방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 특별 형태의 온-칩 테스트는 파라메트릭 테스트임을 특징으로 하는 온-칩 테스트 모니터링 방법.
  14. 외부 소오스로 부터의 마이크로 코드들에 따라 단일 집적 회로 칩상에 형성된 메모리 어레이의 특별 형태의 온-칩 테스트의 수를 모니터링하기 위한 회로에 있어서: 상기 온-칩 테스트를 수행하기 위한 명령를 저장하는 상기 칩상의 제어 독출 전용 메모리와; 상기 외부 소오스로 부터의 상기 마이크로 코드들에 응답하여, 상기 제어 독출 전용 메모리내에 프로그램된 상기 명령들에 따라 상기 메모리 어레이의 상기 온-칩 테스트의 수를 모니터링하기 위한 상기 칩상에 마이크로 순차기를 포함하며, 상기 마이크로 순차기는 상기 외부 소오스로 부터의 마이크로 코드들을 수신하고 명령 디코더에 제1 신호를 커플링하기 위한 테스트 멀티플렉서를 포함하고, 상기 명령 디코더는 상기 제어 독출 전용 메모리로 부터의 동작 코드를 수신도 하고 서브루틴 스택을 제어하며, 상기 서브 루틴 스택으로부터 제2 신호를 수신하며 증분기로부터 제3 신호를 수신하기 위한 프로그램 카운터 멀티플렉서를 포함하고, 상기 프로그램 카운터 멀티플렉서는 상기 제어 독출 전용 메모리에 제4 신호를 제공하며, 상기 증분기는 상기 제4 신호를 취하고 다음 마이크로 코드 어드레스로서 상기 제3 신호를 발생하고, 상기 마이크로 순차기는 상기 외부 소오스로 부터의 신호들을 수신하고 초기 카운트를 수신하며 개별 카운트 종료 검출기에 카운트 정보를 전송하는 m-비트 카운터와, 스캐닝 출력을 제공하는 상기 칩상의 개별 카운트 종료 검출기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 온-칩 테스트 수 모니터링 회로.
  15. 제14항에 있어서, 상기 특별 형태의 테스트는 내구력 테스트임을 특징으로 하는 온-칩 테스트 수 모니터링 회로.
  16. 제14항에 있어서, 상기 특별 형태의 테스트는 파라메트릭 데이터 테스트임을 특징으로 하는 온-칩 테스트 수 모니터링 회로.
  17. 제14항에 있어서, 상기 메모리 어레이는 불휘발성 메모리 어레이임을 특징으로 하는 온-칩 테스트 수 모니터링 회로.
  18. 제 14항에 있어서, 상기 제어 독출 전용 메모리 어레이는 미스크 프로그램 가능한 불휘발성 메모리 어레이임을 특징으로 하는 온-칩 테스트 수 모니터링 회로.
KR1019970023324A 1996-06-07 1997-06-05 메모리 테스트를 위한 온-칩 자동 절차 KR980006434A (ko)

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