KR20160039461A

KR20160039461A - 반도체 메모리 장치

Info

Publication number: KR20160039461A
Application number: KR1020140132576A
Authority: KR
Inventors: 오상묵
Original assignee: 에스케이하이닉스 주식회사
Priority date: 2014-10-01
Filing date: 2014-10-01
Publication date: 2016-04-11
Also published as: US20160099076A1

Abstract

압축 테스트(compress test) 동작이 수행 가능한 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 다수의 테스트 영역으로 구분되는 메모리 뱅크, 상기 다수의 테스트 영역 각각에서 제공되는 테스트 데이터를 입력받아 다수의 압축 데이터를 생성하기 위한 데이터 압축부, 상기 다수의 압축 데이터를 아날로그 타입으로 변형하기 위한 데이터 변형부, 및 압축 테스트 동작에 대한 읽기 동작시 상기 데이터 변형부의 출력 신호를 최종 압축 데이터로 출력하기 위한 출력부를 구비하는 반도체 메모리 장치가 제공된다.

Description

반도체 메모리 장치{SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE}

본 발명은 반도체 설계 기술에 관한 것으로, 특히 압축 테스트(compress test) 동작이 수행 가능한 반도체 메모리 장치에 관한 것이다.

요즈음 DDR SDRAM(Double Data Rate Synchronous DRAM)을 비롯한 반도체 메모리 장치의 공정 기술이 급속도로 발전함에 따라 반도체 메모리 장치의 집적도 역시 급속도로 증가하고 있다. 반도체 메모리 장치의 집적도가 증가한다는 것은 반도체 메모리 장치 내에 구비되는 메모리 셀(memory cell)의 개수가 동일한 면적 대비 증가할 수 있음을 의미한다. 메모리 셀의 개수는 반도체 메모리 장치에 저장될 수 있는 데이터의 용량을 판단하는 가장 기본적인 요인이 된다. 따라서, 반도체 메모리 장치의 고용량화를 요구하는 사용자를 만족시키기 위하여 가장 우선적으로 고려되고 있는 부분이 바로 메모리 셀의 개수를 증가시키는 것이다.

반도체 메모리 장치의 메모리 셀의 개수는 사용자 입장에서 많으면 많을수록 좋다. 하지만, 반도체 메모리 장치의 정상/불량 여부를 판단하는 테스트 수행자 입장에서는 무수히 많은 메모리 셀을 모두 테스트 해봐야 하기 때문에 사용자와 다르게 좋은 상황만은 아니다. 수천만 개 이상의 메모리 셀을 모두 테스트하는 것은 결코 쉬운 일이 아니며, 수천만 개 이상의 메모리 셀을 테스트하여 정상/불량 여부를 판단하는 데에는 많은 테스트 시간이 소요된다. 특히, 테스트 시간은 반도체 메모리 장치를 생산하는 생산자 입장에서 생산 비용에 포함되기 때문에, 테스트 시간이 길면 길수록 반도체 메모리 장치의 생산 단가는 높아지고 이는 반도체 메모리 장치의 경쟁력을 떨어뜨리는 결과를 가져온다.

따라서, 보다 효율적인 테스트 동작을 위한 방안들이 제시되고 있으며, 이중 하나가 압축 테스트(compress test)이다. 압축 테스트는 다수의 메모리 셀에 예정된 테스트 데이터를 저장하고, 이후 이를 압축하여 출력하는 테스트 동작으로써, 테스트 수행자는 압축되어 출력되는 압축 데이터를 근거로 다수의 메모리 셀의 정상/불량 여부를 판단하는 것이 가능하다. 이러한, 압축 테스트 동작은 다수의 메모리 셀의 정상/불량 여부를 판단하는 시간을 줄이고자 하는 것을 근복적인 목적으로 하며, 압축 테스트 동작시 사용하는 채널(channel)의 개수를 최소화하는 것 역시 이 이러한 목적에 부합된다.

도 1 및 도 2 는 기존의 반도체 메모리 장치의 압축 테스트 동작을 설명하기 위한 블록도이다. 설명의 편의를 위하여, 도 1 의 실시예는 메모리 뱅크(110)를 2 개의 테스트 영역으로 구분하여 압축 테스트 동작을 수행하는 반도체 메모리 장치라고 가정하기로 한다.

도 1 을 참조하면, 반도체 메모리 장치는 메모리 뱅크(110)와, 제1 데이터 압축부(120)와, 제2 데이터 압축부(130)와, 제1 버퍼링부(140)와, 제2 버퍼링부(150), 및 출력 다중화부(160)를 구비한다.

메모리 뱅크(110)는 데이터를 저장하기 위한 다수의 메모리 셀을 구비한다. 설명의 편의를 위하여, 메모리 뱅크(110)를 8 개의 메모리 영역으로 구분하기로 한다. 8 개로 구분되는 제1 내지 제8 메모리 영역(111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118) 각각에는 압축 테스트 동작시 예정된 논리 레벨 값을 가지는 테스트 데이터가 저장된다.

제1 데이터 압축부(120)는 제1 내지 제4 메모리 영역(111, 112, 113, 114)에서 제공되는 테스트 데이터를 압축하여 제1 압축 데이터(DAT_CMP1)를 생성하고, 제2 데이터 압축부(130)는 제5 내지 제8 메모리 영역(115, 116, 117, 118)에서 제공되는 테스트 데이터를 압축하여 제2 압축 데이터(DAT_CMP2)를 생성한다. 이하, 설명의 편의를 위하여, 제1 내지 제4 메모리 영역(111, 112, 113, 114)을 '제1 테스트 영역'이라 칭하고, 제5 내지 제8 메모리 영역(115, 116, 117, 118)을 '제2 테스트 영역'이라 칭하기로 한다.

그래서, 제1 데이터 압축부(120)는 제1 테스트 영역에서 출력되는 테스트 데이터를 제공받아 이 테스트 데이터가 동일한 논리 레벨 값을 가지고 있는지 아닌지를 검출하여 제1 압축 데이터(DAT_CMP1)로 출력하고, 제2 데이터 압축부(130)는 제2 테스트 영역에서 출력되는 테스트 데이터를 제공받아 이 테스트 데이터가 동일한 논리 레벨 값을 가지고 있는지 아닌지를 검출하여 제2 압축 데이터(DAT_CMP2)로 출력한다. 여기서, 제1 및 제2 압축 데이터(DAT_CMP1, DAT_CMP2)는 이 검출 결과에 따라 논리 레벨 값이 정해진다.

이어서, 제1 및 제2 버퍼링부(140, 150) 각각은 제1 및 제2 압축 데이터(DAT_CMP1, DAT_CMP2) 각각을 버퍼링하여 출력하고, 출력 다중화부(160)는 출력 제어 신호(CTR_OUT)에 응답하여 제1 버퍼링부(140)의 출력 신호 또는 제2 버퍼링부(150)의 출력 신호를 출력 패드(DOUT)로 출력한다. 여기서, 출력 제어 신호(CTR_OUT)는 압축 테스트 동작에 대한 읽기 동작시 활성화되는 신호로써, 출력 다중화부(160)는 압축 테스트 동작에 대한 읽기 동작이 두 번 활성화됨에 따라 제1 버퍼링부(140)의 출력 신호와 제2 버퍼링부(150)의 출력 신호를 순차적으로 출력하는 것이 가능하다.

도면에서 볼 수 있듯이, 제1 압축 데이터(DAT_CMP1)는 제1 테스트 영역인 제1 내지 제4 메모리 영역(111, 112, 113, 114)을 압축한 결과이고, 제2 압축 데이터(DAT_CMP2)는 제2 테스트 영역인 제5 내지 제8 메모리 영역(115, 116, 117, 118)를 압축한 결과이다. 만약, 제1 테스트 영역에 불량이 발생한 경우 제1 압축 테이터(DAT_CMP1)를 통해 이 불량을 검출하는 것이 가능하고, 만약, 제2 테스트 영역에 불량이 발생한 경우 제2 압축 데이터(DAT_CMP2)를 통해 이 불량을 검출하는 것이 가능하다. 다시 말하면, 제1 테스트 영역에서 불량이 발생했는지, 아니면 제2 테스트 영역에서 불량이 발생했는지를 정확하게 검출하기 위해서는 제1 압축 데이터(DAT_CMP1)와 제2 압축 데이터(DAT_CMP2)가 모두 필요하다. 따라서, 메모리 뱅크(110)에 발생하는 불량을 검출하기 위해서는 압축 테스트 동작에 대한 읽기 동작이 두번 수행되어야만 한다.

다음으로, 도 2 의 실시예는 메모리 뱅크(210)를 별도의 테스트 영역으로 구분하지 않고 압축 테스트 동작을 수행하는 반도체 메모리 장치이다.

도 2 를 참조하면, 반도체 메모리 장치는 메모리 뱅크(210)와, 데이터 압축부(220)와, 버퍼링부(230), 및 출력부(240)를 구비한다.

메모리 뱅크(210)는 압축 테스트 동작시 예정된 논리 레벨 값을 가지는 테스트 데이터가 저장된다. 그리고, 데이터 압축부(220)는 제1 내지 제8 메모리 영역(211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218)에서 제공되는 테스트 데이터를 압축하여 압축 데이터(DAT_CMP)를 생성한다. 여기서, 데이터 압축부(220)는 제1 내지 제8 메모리 영역(211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218)에서 출력되는 테스트 데이터를 제공받아 이 테스트 데이터가 동일한 논리 레벨 값을 가지고 있는지 아닌지를 검출하여 압축 데이터(DAT_CMP)로 출력한다. 여기서, 압축 데이터(DAT_CMP)는 이 검출 결과에 따라 논리 레벨 값이 정해진다.

이어서, 버퍼링부(230)는 압축 데이터(DAT_CMP)를 버퍼링하여 출력하고, 출력부(240)는 출력 제어 신호(CTR_OUT)에 응답하여 버퍼링부(230)의 출력 신호를 출력 패드(DOUT)로 출력한다.

도면에서 볼 수 있듯이, 압축 데이터(DAT_CMP)는 메모리 뱅크(210)의 모든 영역 즉, 제1 내지 제8 메모리 영역(211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218)을 압축한 결과이다. 따라서, 압축 데이터(DAT_CMP)를 통해 불량이 검출되었다는 것은 제1 내지 제8 메모리 영역(211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218) 중 어떤 테스트 영역인가에 불량이 발생하였다는 것을 의미한다. 따라서, 메모리 뱅크(210)에 발생하는 불량을 검출하기 위해서는 압축 테스트 동작에 대한 읽기 동작이 한번 수행되기만 하면 된다.

이하, 도 1 의 실시예와 도 2 의 실시예 각각의 장단점에 대하여 살펴보기로 한다.

도 1 의 실시예의 경우 메모리 뱅크(110)를 2 개의 테스트 영역으로 구분하여 압축 테스트 동작을 수행하기 때문에, 불량이 발생한 메모리 영역이 제1 내지 제4 메모리 영역(111, 112, 113, 114) 또는/및 제5 내지 제8 메모리 영역(115, 116, 117, 118) 인지를 정확하게 검출하는 것이 가능하다. 하지만, 이에 반하여 도 2 의 실시예는 메모리 뱅크(210)를 별도의 테스트 영역으로 구분하지 않기 때문에, 제1 내지 제8 메모리 영역(211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218) 중 어느 테스트 영역에 불량이 발생하였는지 정확하게 검출하는 것이 불가능하다.

다시 말하면, 도 1 의 실시예의 경우 압축 테스트 동작을 통해 제1 내지 제4 메모리 영역(111, 112, 113, 114) 또는/및 제5 내지 제8 메모리 영역(115, 116, 117, 118)에 발생한 불량을 검출하는 것이 가능하고, 이를 통해 제1 내지 제4 메모리 영역(111, 112, 113, 114) 또는/및 제5 내지 제8 메모리 영역(115, 116, 117, 118)를 리페어(refair)하는 것이 가능하다. 예컨대, 제1 내지 제4 메모리 영역(111, 112, 113, 114)에만 불량이 발생하는 경우 제1 내지 제4 메모리 영역(111, 112, 113, 114)을 리페어하면 되고, 제5 내지 제8 메모리 영역(115, 116, 117, 118)에만 불량이 발생하는 경우 제5 내지 제8 메모리 영역(115, 116, 117, 118)을 리페어하면 된다. 하지만, 도 2 의 실시예의 경우 제1 내지 제8 메모리 영역(211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218) 중 어느 하나의 테스트 영역에 불량이 발생하더라도 제1 내지 제8 메모리 영역(211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218) 모두를 리페어해야만 한다.

결국, 도 1 의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는 불량이 발생한 테스트 영역을 정확하게 검출하여 메모리 뱅크의 리페어 범위를 최소화하는 장점을 가지고 있는데 반하여, 도 2 의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는 정상적으로 동작하는 메모리 뱅크를 불필요하게 리페어해야만하는 단점을 가진다.

다음으로, 위에서도 설명하였듯이 도 1 의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는 압축 테스트 동작에 대한 읽기 동작이 두 번 수행되고, 도 2 의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는 압축 테스트 동작에 대한 읽기 동작이 한 번 수행된다. 여기서, 압축 테스트 동작에 대한 읽기 동작은 테스트 동작 시간에 대응하며, 압축 테스트 동작에 대한 읽기 동작의 횟수가 많으면 많을 수록 테스트 동작 시간은 길어진다.

결국, 도 2 의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는 압축 테스트 동작시 소요되는 테스트 시간이 비교적 짧은 장점을 가지고 있는데 반하여, 도 1 의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는 압축 테스트 동작시 소요되는 테스트 시간이 비교적 긴 단점을 가진다.

위에서 살펴본 바와 같이, 기존의 반도체 메모리 장치의 경우 리페어 효율과 테스트 시간이 서로 트레이드 오프(trade-off) 관계를 가진다. 따라서, 리페어 효율을 늘리게 되면 테스트 시간이 길어지고, 테스트 시간을 짧게 하면 리페어 효율이 떨어질 수 밖에 없다.

압축 테스트 동작시 생성되는 다수의 압축 데이터를 다른 타입의 압축 데이터로 변형하여 출력할 수 있는 반도체 메모리 장치를 제공하고자 한다.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는, 다수의 테스트 영역으로 구분되는 메모리 뱅크; 상기 다수의 테스트 영역 각각에서 제공되는 테스트 데이터를 입력받아 다수의 압축 데이터를 생성하기 위한 데이터 압축부; 상기 다수의 압축 데이터를 아날로그 타입으로 변형하기 위한 데이터 변형부; 및 압축 테스트 동작에 대한 읽기 동작시 상기 데이터 변형부의 출력 신호를 최종 압축 데이터로 출력하기 위한 출력부를 구비할 수 있다.

바람직하게, 상기 데이터 변형부는, 상기 다수의 압축 데이터를 디코딩하기 위한 디코딩부; 및 상기 디코딩부의 출력 신호 각각에 대응하는 전압 레벨 값을 가지는 상기 최종 압축 데이터를 생성하기 위한 전압 생성부를 구비하는 것을 특징으로 할 수 있다.

바람직하게, 상기 디코딩부의 출력 신호 각각에 대응하는 전압 레벨 값은 각각 서로 다른 것을 특징으로 할 수 있다.

바람직하게, 상기 전압 생성부는, 상기 디코딩부의 출력 신호를 아날로그 타입으로 변형하기 위한 디지털 아날로그 변환부를 구비하는 것을 특징으로 할수 있다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 테스트 시스템은, 압축 테스트 동작시 압축 범위 정보에 응답하여 다수의 테스트 영역을 설정하고, 상기 다수의 테스트 영역 각각의 압축 데이터를 아날로그 타입으로 변형하여 최종 압축 데이터로 출력하기 위한 반도체 메모리 장치; 및 상기 최종 압축 데이터를 입력받아 상기 압축 범위 정보에 대응하는 판단 전압에 따라 검출하여 정상/불량 검출 신호를 생성하기 위한 테스트 장치를 구비할 수 있다.

바람직하게, 상기 반도체 메모리 장치는, 상기 압축 범위 정보에 대응하는 다수의 테스트 영역으로 구분되는 메모리 뱅크; 상기 압축 범위 정보에 응답하여 상기 다수의 테스트 영역 각각에서 제공되는 테스트 데이터를 입력받아 상기 각각의 압축 데이터를 생성하기 위한 다수의 데이터 압축부; 상기 각각의 압축 데이터를 상기 압축 범위 정보에 응답하여 상기 아날로그 타입으로 변형하기 위한 데이터 변형부; 및 상기 압축 테스트 동작에 대한 읽기 동작시 상기 데이터 변형부의 출력 신호를 상기 최종 압축 데이터로 출력하기 위한 출력부를 구비하는 것을 특징으로 할 수 있다.

바람직하게, 상기 다수의 데이터 압축부는 상기 압축 범위 정보에 따라 활성화되는 데이터 압축부의 개수가 조절되는 것을 특징으로 할 수 있다.

바람직하게, 상기 메모리 뱅크는 다수의 메모리 영역을 포함하고, 상기 활성화되는 데이터 압축부 각각은 데이터 압축률에 따라 상기 다수의 메모리 영역 중 해당하는 메모리 영역을 배당받는 것을 특징으로 할 수 있다.

바람직하게, 상기 데이터 변형부는, 상기 압축 범위 정보에 따라 상기 다수의 압축 데이터를 디코딩하기 위한 디코딩부; 및 상기 디코딩부의 출력 신호 각각에 대응하는 전압 레벨 값을 가지는 상기 최종 압축 데이터를 생성하기 위한 전압 생성부를 구비하는 것을 특징으로 할 수 있다.

바람직하게, 상기 전압 생성부는, 상기 디코딩부의 출력 신호를 아날로그 타입으로 변형하기 위한 디지털 아날로그 변환부를 구비하는 것을 특징으로 할 수 있다.

바람직하게, 상기 테스트 장치는, 상기 압축 범위 정보에 응답하여 상기 판단 전압을 설정하고, 상기 최종 압축 데이터를 상기 판단 전압에 따라 구분하여 상기 반도체 메모리 장치의 테스트 결과로 출력하기 위한 결과 검출부를 구비할 수 있다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 테스트 시스템의 동작 방법, 다수의 메모리 영역을 포함하는 메모리 뱅크에 대한 압축 테스트 동작을 수행하는 반도체 테스트 시스템의 동작 방법에 있어서, 상기 다수의 메모리 영역을 압축 범위 정보에 따라 다수의 테스트 영역으로 구분하는 단계; 상기 다수의 테스트 영역 각각을 압축하여 다수의 압축 데이터를 생성하는 단계; 상기 다수의 압축 데이터를 아날로그 타입의 최종 압축 데이터로 변형하는 단계; 및 상기 최종 압축 데이터를 상기 압축 범위 정보에 대응하는 판단 전압으로 검출하여 테스트 결과를 분석하는 단계를 포함할 수 있다.

바람직하게, 상기 다수의 메모리 영역을 상기 다수의 테스트 영역 중 해당하는 테스트 영역에 배당하는 단계를 더 포함할 수 있다.

바람직하게, 상기 해당하는 테스트 영역에 배당되는 메모리 영역의 개수는 서로 다른 것을 특징으로 할 수 있다.

바람직하게, 상기 배당하는 단계는 상기 다수의 메모리 영역의 열화 정도를 반영하는 것을 특징으로 할 수 있다.

바람직하게, 상기 변형하는 단계는, 상기 다수의 압축 데이터를 디코딩하는 단계; 및 상기 디코딩하는 단계의 출력 신호 각각에 대응하는 전압 레벨 값을 가지는 상기 최종 압축 데이터를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.

바람직하게, 상기 분석하는 단계는, 상기 압축 범위 정보에 응답하여 상기 판단 전압을 설정하는 단계; 및 상기 최종 압축 데이터와 상기 판단 전압을 비교하는 단계를 포함할 수 있다.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는 압축 테스트 동작시 생성되는 다수의 압축 데이터를 다른 타입의 압축 데이터로 변형하고 이를 한 번에 출력하는 것이 가능하다.

압축 테스트 동작시 메모리 뱅크에 발생하는 불량을 정확하게 검출할 뿐만 아니라 압축 테스트 동작시 소요되는 시간을 최소화할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.

도 1 및 도 2 는 기존의 반도체 메모리 장치의 압축 테스트 동작을 설명하기 위한 블록도이다.
도 3 은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 4 는 도 3 의 데이터 변형부(330)를 설명하기 위한 블록도이다.
도 5 는 도 4 의 전압 생성부(420)를 설명하기 위한 도면이다.
도 6 은 도 4 및 도 5 의 전압 생성부(420)의 회로 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 7 은 도 3 의 출력부(340)를 설명하기 위한 도면이다.
도 8 은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 메모리 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

도 3 은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치를 설명하기 위한 블록도이다. 설명의 편의를 위하여, 도 3 의 실시예는 메모리 뱅크(310)를 2 개의 테스트 영역으로 구분하여 압축 테스트 동작을 수행하는 반도체 메모리 장치라고 가정하기로 한다. 이후 설명하겠지만, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는 메모리 뱅크(310)를 다수개로 구분하여 압축 테스트 동작을 수행하는 것이 가능하다.

도 3 을 참조하면, 반도체 메모리 장치는 메모리 뱅크(310)와, 데이터 압축부(320)와, 데이터 변형부(330), 및 출력부(340)를 구비한다.

메모리 뱅크(310)는 데이터를 저장하기 위한 다수의 메모리 셀을 구비한다. 설명의 편의를 위하여, 메모리 뱅크(310)를 8 개의 메모리 영역으로 구분하기로 한다. 8 개로 구분되는 제1 내지 제8 메모리 영역(311, 312, 313, 314, 315, 316, 317, 318) 각각에는 압축 테스트 동작시 예정된 논리 레벨 값을 가지는 테스트 데이터가 저장된다.

데이터 압축부(320)는 메모리 뱅크(310)에서 제공되는 테스트 데이터를 압축하기 위한 것으로, 제1 데이터 압축부(321)와, 제2 데이터 압축부(322)를 구비한다. 여기서, 제1 데이터 압축부(321)는 제1 내지 제4 메모리 영역(311, 312, 313, 314)에서 제공되는 테스트 데이터를 압축하여 제1 압축 데이터(DAT_CMP1)를 생성하고, 제2 데이터 압축부(322)는 제5 내지 제8 메모리 영역(315, 316, 317, 318)에서 제공되는 테스트 데이터를 압축하여 제2 압축 데이터(DAT_CMP2)를 생성한다. 이하, 설명의 편의를 위하여, 제1 내지 제4 메모리 영역(311, 312, 313, 314)을 '제1 테스트 영역'이라 칭하고, 제5 내지 제8 메모리 영역(315, 316, 317, 318)을 '제2 테스트 영역'이라 칭하기로 한다.

그래서, 제1 데이터 압축부(321)는 제1 테스트 영역에서 출력되는 테스트 데이터가 동일한 논리 레벨 값을 가지고 있는지 아닌지를 검출하여 제1 압축 데이터(DAT_CMP1)로 출력하고, 제2 데이터 압축부(322)는 제2 테스트 영역에서 출력되는 테스트 데이터가 동일한 논리 레벨 값을 가지고 있는지 아닌지를 검출하여 제2 압축 데이터(DAT_CMP2)로 출력한다. 제1 및 제2 압축 데이터(DAT_CMP1, DAT_CMP2)는 이 검출 결과에 따라 논리 레벨 값이 정해진다.

이어서, 데이터 변형부(330)는 제1 압축 데이터(DAT_CMP1)와 제2 압축 데이터(DAT_CMP2)를 아날로그 타입으로 변형하여 출력한다. 데이터 변형부(330)의 자세한 구성은 도 4 에서 살펴보기로 한다.

마지막으로, 출력부(340)는 출력 제어 신호(CTR_OUT)에 응답하여 데이터 변형부(330)에서 생성되는 최종 압축 데이터(FIN_CMP)를 출력 패드(DOUT)로 출력한다. 여기서, 출력 제어 신호(CTR_OUT)는 압축 테스트 동작에 대한 읽기 동작을 위한 신호로 정의될 수 있다.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는 다수의 테스트 영역을 압축한 압축 데이터를 아날로그 타입의 압축 데이터로 변형하여 출력하는 것이 가능하다.

도 4 는 도 3 의 데이터 변형부(330)를 설명하기 위한 블록도이다.

도 3 및 도 4 를 참조하면, 데이터 변형부(330)는 디코딩부(410)와, 전압 생성부(420)를 구비한다.

디코딩부(410)는 제1 압축 데이터(DAT_CMP1)와 제2 압축 데이터(DAT_CMP2)를 입력받아 디코딩하여 출력하기 위한 것으로, 제1 압축 데이터(DAT_CMP1)와 제2 압축 데이터(DAT_CMP2)의 논리 레벨 값에 따라 예컨대, 'PA' 출력 신호와 'FA' 출력 신호와 'FL' 출력 신호 및 'FR' 출력 신호를 생성하는 것이 가능하다.

여기서, 'PA' 출력 신호는 제1 압축 데이터(DAT_CMP1)와 제2 압축 데이터(DAT_CMP2)가 모두 정상을 검출한 경우 활성화되는 신호이다. 제1 압축 데이터(DAT_CMP1)와 제2 압축 데이터(DAT_CMP2)가 모두 정상을 검출하였다는 것은 제1 내지 제4 메모리 영역(311, 312, 313, 314)에서 제공되는 테스트 데이터가 모두 동일하고, 제5 내지 제8 메모리 영역(315, 316, 317, 318)에서 제공되는 테스트 데이터가 모두 동일하다는 것을 의미한다. 즉, 제1 압축 데이터(DAT_CMP1)와 제2 압축 데이터(DAT_CMP2)가 모두 정상을 검출하였다는 것은 제1 내지 제4 메모리 영역(311, 312, 313, 314)과 제5 내지 제8 메모리 영역(315, 316, 317, 318) 각각에서 불량이 발생하지 않았다는 것을 의미한다.

다음으로, 'FA' 출력 신호는 제1 압축 데이터(DAT_CMP1)와 제2 압축 데이터(DAT_CMP2)가 모두 비정상을 검출한 경우 활성화되는 신호이다. 제1 압축 데이터(DAT_CMP1)와 제2 압축 데이터(DAT_CMP2)가 모두 비정상으로 검출하였다는 것은 제1 내지 제4 메모리 영역(311, 312, 313, 314)에서 제공되는 테스트 데이터가 동일하지 않고, 제5 내지 제8 메모리 영역(315, 316, 317, 318)에서 제공되는 테스트 데이터가 동일하지 않다는 것을 의미한다. 즉, 제1 압축 데이터(DAT_CMP1)와 제2 압축 데이터(DAT_CMP2)가 모두 비정상을 검출하였다는 것은 제1 내지 제4 메모리 영역(311, 312, 313, 314)과 제5 내지 제8 메모리 영역(315, 316, 317, 318) 각각에서 불량이 발생하였다는 것을 의미한다.

다음으로, 'FL' 출력 신호는 제1 압축 데이터(DAT_CMP1)가 비정상을 검출하고 제2 압축 데이터(DAT_CMP2)가 정상을 검출한 경우 활성화되는 신호이다. 이 경우는 제1 내지 제4 메모리 영역(311, 312, 313, 314)에서 불량이 발생하고, 제5 내지 제8 메모리 영역(315, 316, 317, 318)에서 불량이 발생하지 않았다는 것을 의미한다.

마지막으로, 'FR' 출력 신호는 제1 압축 데이터(DAT_CMP1)가 정상을 검출하고 제2 압축 데이터(DAT_CMP2)가 비정상을 검출한 경우 활성화되는 신호이다. 이 경우는 제1 내지 제4 메모리 영역(311, 312, 313, 314)에서 불량이 발생하지 않고, 제5 내지 제8 메모리 영역(315, 316, 317, 318)에서 불량이 발생하였다는 것을 의미한다.

한편, 전압 생성부(420)는 'PA' 출력 신호와 'FA' 출력 신호와 'FL' 출력 신호 및 'FR' 출력 신호 각각에 대응하는 전압 레벨 값을 가지는 최종 압축 데이터(FIN_CMP)를 생성한다. 여기서, 'PA' 출력 신호와 'FA' 출력 신호와 'FL' 출력 신호 및 'FR' 출력 신호 각각에 대응하는 전압 레벨 값은 서로 다르게 설정될 수 있으며, 이에 대한 설명은 도 6 에서 살펴보기로 한다.

도 5 는 도 4 의 전압 생성부(420)를 설명하기 위한 도면이다.

도 5 를 참조하면, 전압 생성부(420)는 구동부(510)와 디지털 아날로그 변환부(520)를 구비한다.

구동부(510)는 'PA' 출력 신호와 'FA' 출력 신호에 응답하여 최종 압축 데이터(FIN_CMP)를 공급 전원 전압(VDD) 또는 접지 전원 전압(VSS)으로 구동한다. 이어서, 디지털 아날로그 변환부(520)는 'FL' 출력 신호와 'FR' 출력 신호 각각에 대응하는 전압 레벨 값을 가지는 최종 압축 데이터(FIN_CMP)를 생성한다.

도 6 은 도 4 및 도 5 의 전압 생성부(420)의 회로 동작을 설명하기 위한 도면이다.

도 6 을 참조하면, 위에서 설명하였듯이 최종 압축 데이터(FIN_CMP)는 아날로그 타입을 가진다. 즉, 최종 압축 데이터(FIN_CMP)는 공급 전원 전압(VDD)과 접지 전원 전압(VSS) 사이의 전압 레벨 값을 가진다. 다시 말하면, 'PA' 출력 신호는 공급 전원 전압(VDD)과 제1 판단 전압(V1) 사이의 전압 레벨 값을 가지고, 'FL' 출력 신호는 제1 판단 전압(V1)과 제2 판단 전압(V2) 사이의 전압 레벨 값을 가지고, 'FR' 출력 신호는 제2 판단 전압(V2)과 제3 판단 전압(V3) 사이의 전압 레벨 값을 가지며, 'FA' 출력 신호는 제3 판단 전압(V3)과 접지 전원 전압(VSS) 사이의 전압 레벨 값을 가진다. 이후 설명하겠지만, 테스트 수행자는 최종 압축 데이터(FIN_CMP)의 전압 레벨을 검출하여 메모리 뱅크(310) 중 어느 테스트 영역이 불량인지를 판단하는 것이 가능하다.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는 최종 압축 데이터(FIN_CMP)를 아날로그 타입으로 변형하여 출력하며, 테스트 수행자는 이 최종 압축 데이터(FIN_CMP)의 전압 레벨을 검출하여 메모리 뱅크의 불량 여부를 판단하는 것이 가능하다. 다시 말하면, 압축 테스트 동작시 메모리 뱅크에 발생하는 불량을 정확하게 검출 할 수 있으며, 이는 곧 압축 테스트 동작을 통한 리페어 동작에 있어서 그 효율을 높여줄 수 있음을 의미한다.

도 7 은 도 3 의 출력부(340)를 설명하기 위한 도면이다.

도 7 을 참조하면, 출력부(340)는 출력 제어 신호(CTR_OUT)에 응답하여 최종 압축 데이터(FIN_CMP)를 출력 패드(DOUT)로 출력하기 위한 것으로, PMOS 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터로 구성되는 전달 게이트(TR)로 구성하는 것이 가능하다. 그래서, 출력부(340)는 출력 제어 신호(CTR_OUT)에 응답하여 하나의 데이터인 최종 압축 데이터(FIN_CMP)를 출력 패드(DOUT)로 출력한다.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는 최종 압축 데이터(FIN_CMP)를 압축 테스트 동작에 대한 한번의 읽기 동작으로 출력하는 것이 가능하다. 그리고, 이는 곧 압축 테스트 동작시 소요되는 시간을 최소화해 줄 수 있음을 의미한다.

도 8 은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 메모리 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.

도 8 을 참조하면, 반도체 테스트 시스템은 반도체 메모리 장치(810)와, 테스트 장치(820)를 구비한다.

반도체 메모리 장치(810)는 압축 범위 정보(INF_RG)에 응답하여 다수의 테스트 영역을 설정하고, 테스트 영역 각각의 압축 데이터를 아날로그 타입으로 변형하여 최종 압축 데이터(FIN_CMP)로 출력한다. 여기서, 압축 범위 정보(INF_RG)에 테스트 영역에 대응하는 정보로써, 압축 범위 정보(INF_RG)에 따라 테스트 영역을 도 3 과 같이 2 개로 나눌 수 있으며, 그 이상으로도 나누는 것이 가능하다.

우선, 반도체 메모리 장치(810)는 메모리 뱅크(811)와, 다수의 데이터 압축부(812)와, 데이터 변형부(813), 및 출력부(814)를 구비한다.

메모리 뱅크(811)는 데이터를 저장하기 위한 다수의 메모리 셀을 구비한다. 설명의 편의를 위하여, 메모리 뱅크(811)를 n(여기서, n 은 자연수) 개의 메모리 영역으로 구분하기로 한다. 즉 메모리 뱅크(811)를 제1 내지 제n 메모리 영역(811A, 811B, ... 811C)으로 구분하기로 한다. 압축 테스트 동작시 제1 내지 제n 메모리 영역(811A, 811B, ... 811C)은 압축 범위 정보(INF_RG)에 대응하는 개수의 테스트 영역으로 구분된다.

다수의 데이터 압축부(812)는 메모리 뱅크(811)에서 제공되는 테스트 데이터를 압축하여 다수의 압축 데이터(DAT_CMP)를 생성한다. 예컨대, 도 3 과 같이 테스트 영역을 2 개로 나누고자 하는 경우 다수의 데이터 압축부(812) 중 2 개의 데이터 압축부가 활성화되며, 활성화된 데이터 압축부 각각에는 2 개의 테스트 영역 각각의 테스트 데이터가 인가되어 압축 동작을 수행하게 된다. 참고로, 2 개의 테스트 영역을 압축하였기 때문에 다수의 압축 데이터(DAT_CMP)는 2 개가 된다. 즉, 다수의 압축 데이터(DAT_CMP)의 개수는 테스트 영역에 대응한다.

데이터 변형부(813)는 다수의 압축 데이터(DAT_CMP)를 압축 범위 정보(INF_RG)에 응답하여 아날로그 타입으로 변형하여 출력한다. 데이터 변형부(813)는 도 5 에 대응하는 구성을 가질 수 있으며, 예컨대, 테스트 영역의 개수가 늘어나는 경우 디지털 아날로그 변환부(520, 도 5 참조)의 입력 신호의 개수가 늘어나기만 하면 된다.

출력부(824)는 출력 제어 신호(CTR_OUT)에 응답하여 데이터 변형부(813)에서 생성되는 최종 압축 데이터(FIN_CMP)를 출력 패드(DOUT)로 출력한다. 출력부(824)는 도 7 에 대응하는 구성을 가질 수 있다.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는 압축 범위 정보(INF_RG)에 따라 테스트 영역의 개수를 제어하는 것이 가능하고, 테스트 영역에 대응하는 최종 압축 데이터(FIN_CMP)를 생성하는 것이 가능하다.

한편, 테스트 장치(820)는 최종 압축 데이터(FIN_CMP)를 입력받아 압축 범위 정보(INF_RG)에 대응하는 판단 전압에 따라 검출하여 정상/불량 검출 신호(PF)를 생성하기 위한 것으로, 압축 범위 설정부(821)와, 결과 검출부(822)를 구비한다.

압축 범위 설정부(821)는 압축 범위 정보(INF_RG)를 생성하기 위한 것으로, 압축 범위 정보(INF_RG)는 테스트 수행자가 테스트 장치(820)와 반도체 메모리 장치(810)의 성능에 따라 다양하게 설정하는 것이 가능하다.

결과 검출부(822)는 반도체 메모리 장치(810)의 출력 패드(DOUT)를 통해 제공되는 최종 압축 데이터(FIN_CMP)를 압축 범위 정보(INF_RG)에 대응하는 판단 전압에 따라 검출한다. 여기서, 판단 전압은 압축 범위 정보(INF_RG)에 따라 개수 및 전압 레벨이 설정될 수 있으며, 예컨대 테스트 영역을 두개로 설정하고 도 5 와 같은 구성을 가지는 경우, 판단 전압은 도 6 과 같이 제1 내지 제3 판단 전압(V1, V2, V3)으로 설정될 수 있다. 즉, 결과 검출부(822)는 최종 압축 데이터(FIN_CMP)와 제1 내지 제3 판단 전압(V1, V2, V3)을 비교하고 그 결과에 따라 어떤 메모리 영역에 불량이 발생했는지를 정확하게 검출하는 것이 가능하다.

본 발명의 실시예에 따른 테스트 장치는 압축 범위 정보(INF_RG)에 따라 판단 전압을 설정하고, 최종 압축 데이터(FIN_CMP)을 판단 전압에 따라 검출하는 것이 가능하다. 그리고, 테스트 수행자는 이렇게 검출된 정상/불량 검출 신호(PF)를 분석하여 반도체 메모리 장치(810)의 메모리 뱅크(811)의 정상 불량 여부를 판단하는 근거로 사용한다.

한편, 위에서 설명하였듯이 다수의 데이터 압축부(812)는 압축 범위 정보(INF_RG)에 따라 활성화되는 데이터 압축부의 개수가 조절될 수 있다. 여기서, 데이터 압축부의 개수가 조절된다는 것은 압축 테스트 동작시 데이터 압축률을 설정할 수 있음을 의미한다. 설명의 편의를 위하여 메모리 뱅크(811)의 메모리 영역의 개수가 12 개인 경우, 즉 n 이 12 인 경우를 가정하기로 한다. 이와 같이 가정한 상황에서 예컨대, 활성화되는 데이터 압축부의 개수가 2 개인 경우와 활성화되는 데이터 압축부의 개수가 3 개인 경우 활성화되는 데이터 압축부 각각에 배당되는 메모리 영역의 개수는 서로 다르게 된다. 즉, 활성화되는 데이터 압축부의 개수가 2 개인 경우 데이터 압축부 각각은 6 개의 메모리 영역이 배당될 것이고, 활성화되는 데이터 압축부의 개수가 3 개인 경우 데이터 압축부 각각은 4 개의 메모리 영역이 배당될 것이다. 여기서, 배당되는 메모리 영역의 개수가 곧 데이터 압축률을 의미하며, 메모리 영역의 개수를 조절할 수 있다는 것은 곧 '데이터 압축률을 설정할 수 있다'는 것을 의미한다.

다른 한편, 위의 일례와 같이 활성화되는 데이터 압축부의 개수가 2 개인 경우 데이터 압축부 각각에 할당되는 메모리 영역은 6 개로 서로 동일하다. 이 경우 데이터 압축부 각각의 데이터 압축률은 서로 동일하다. 하지만, 위에서 설명한 '데이터 압축률을 설정할 수 있다'는 의미는 데이터 압축부 각각의 데이터 압축률까지도 설정할 수 있다는 것을 포함한다. 즉, 활성화되는 2 개의 데이터 압축부 중 어느 하나의 데이터 압축부는 12 개의 메모리 영역 중 예컨대, 8 개의 메모리 영역이 배당된다고 하면, 다른 하나 데이터 압축부는 나머지 4 개의 메모리 영역을 배당할 수 있다. 다시 말하면, 2 개의 데이터 압축부 각각에 서로 다른 개수의 메모리 영역을 배당하도록 조절하는 것이 가능하며, 이는 곧 2 개의 데이터 압축부 각각의 데이터 압축률을 서로 다르게 설정할 수 있음을 의미한다. 그리고, 이 경우 압축 범위 정보(INF_RG)에는 활성화되는 데이터 압축부의 데이터 압축률에 대한 정보가 포함되어야 한다.

참고로, 활성화되는 데이터 압축부의 데이터 압축률을 서로 다르게 설정하는 것에는 여러 가지 이유가 있을 수 있다. 그 중 대표적인 이유는 메모리 뱅크(811) 내의 다수의 메모리 영역 각각의 열화 정도이다. 다시 말하면, 열화가 덜 진행 된 메모리 영역의 경우 데이터 압축률을 높여 보다 많은 메모리 영역을 하나의 데이터 압축부에 배당하여 압축 테스트 동작을 진행하고, 반대로 열화가 많이 진행된 메모리 영역의 경우 데이터 압축률을 낮추어 보다 적은 메모리 영역을 하나의 데이터 압축부에 배당하여 압축 테스트 동작을 진행한다. 이렇게 압축 테스트 동작을 수행하게 되면, 데이터 압축률을 높인 메모리 영역의 경우 소모되는 테스트 시간을 줄여주는 것이 가능하고, 압축 압축률을 낮춘 메모리 영역의 경우 불량이 발생한 메모리 영역을 보다 정확하고 바르게 검출하는 것이 가능하다.

본 발명의 실시예에 따른 반도체 테스트 시스템은 열화 정도에 따라 데이터 압축률을 조절하여 압축 테스트 동작시 최적의 동작 상태를 보장해주는 것이 가능하다.

전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는 압축 테스트 동작시 아날로그 타입의 최종 압축 데이터를 생성하여 출력하는 것이 가능하기 때문에, 압축 테스트 동작시 메모리 뱅크에 발생하는 불량을 정확하게 검출할 뿐만 아니라 압축 테스트 동작시 소요되는 시간을 최소화할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 이상에서 설명한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경으로 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.

뿐만 아니라, 전술한 실시예에서 예시한 논리 게이트 및 트랜지스터는 입력되는 신호의 극성에 따라 그 위치 및 종류가 다르게 구현되어야 할 것이다.

310 : 메모리 뱅크
320 : 데이터 압축부
330 : 데이터 변형부
340 : 출력부

Claims

다수의 테스트 영역으로 구분되는 메모리 뱅크;
상기 다수의 테스트 영역 각각에서 제공되는 테스트 데이터를 입력받아 다수의 압축 데이터를 생성하기 위한 데이터 압축부;
상기 다수의 압축 데이터를 아날로그 타입으로 변형하기 위한 데이터 변형부; 및
압축 테스트 동작에 대한 읽기 동작시 상기 데이터 변형부의 출력 신호를 최종 압축 데이터로 출력하기 위한 출력부
를 구비하는 반도체 메모리 장치.
제1항에 있어서,
상기 데이터 변형부는,
상기 다수의 압축 데이터를 디코딩하기 위한 디코딩부; 및
상기 디코딩부의 출력 신호 각각에 대응하는 전압 레벨 값을 가지는 상기 최종 압축 데이터를 생성하기 위한 전압 생성부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
제2항에 있어서,
상기 디코딩부의 출력 신호 각각에 대응하는 전압 레벨 값은 각각 서로 다른 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
제2항에 있어서,
상기 전압 생성부는,
상기 디코딩부의 출력 신호를 아날로그 타입으로 변형하기 위한 디지털 아날로그 변환부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
압축 테스트 동작시 압축 범위 정보에 응답하여 다수의 테스트 영역을 설정하고, 상기 다수의 테스트 영역 각각의 압축 데이터를 아날로그 타입으로 변형하여 최종 압축 데이터로 출력하기 위한 반도체 메모리 장치; 및
상기 최종 압축 데이터를 입력받아 상기 압축 범위 정보에 대응하는 판단 전압에 따라 검출하여 정상/불량 검출 신호를 생성하기 위한 테스트 장치
를 구비하는 반도체 테스트 시스템.
제5항에 있어서,
상기 반도체 메모리 장치는,
상기 압축 범위 정보에 대응하는 다수의 테스트 영역으로 구분되는 메모리 뱅크;
상기 압축 범위 정보에 응답하여 상기 다수의 테스트 영역 각각에서 제공되는 테스트 데이터를 입력받아 상기 각각의 압축 데이터를 생성하기 위한 다수의 데이터 압축부;
상기 각각의 압축 데이터를 상기 압축 범위 정보에 응답하여 상기 아날로그 타입으로 변형하기 위한 데이터 변형부; 및
상기 압축 테스트 동작에 대한 읽기 동작시 상기 데이터 변형부의 출력 신호를 상기 최종 압축 데이터로 출력하기 위한 출력부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 시스템.
제6항에 있어서,
상기 다수의 데이터 압축부는 상기 압축 범위 정보에 따라 활성화되는 데이터 압축부의 개수가 조절되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 시스템.
제7항에 있어서,
상기 메모리 뱅크는 다수의 메모리 영역을 포함하고,
상기 활성화되는 데이터 압축부 각각은 데이터 압축률에 따라 상기 다수의 메모리 영역 중 해당하는 메모리 영역을 배당받는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 시스템.
제6항에 있어서,
상기 데이터 변형부는,
상기 압축 범위 정보에 따라 상기 다수의 압축 데이터를 디코딩하기 위한 디코딩부; 및
상기 디코딩부의 출력 신호 각각에 대응하는 전압 레벨 값을 가지는 상기 최종 압축 데이터를 생성하기 위한 전압 생성부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 시스템.
제9항에 있어서,
상기 전압 생성부는,
상기 디코딩부의 출력 신호를 아날로그 타입으로 변형하기 위한 디지털 아날로그 변환부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 시스템.
제5항에 있어서,
상기 테스트 장치는,
상기 압축 범위 정보에 응답하여 상기 판단 전압을 설정하고, 상기 최종 압축 데이터를 상기 판단 전압에 따라 구분하여 상기 반도체 메모리 장치의 테스트 결과로 출력하기 위한 결과 검출부를 구비하는 반도체 테스트 시스템.
다수의 메모리 영역을 포함하는 메모리 뱅크에 대한 압축 테스트 동작을 수행하는 반도체 테스트 시스템의 동작 방법에 있어서,
상기 다수의 메모리 영역을 압축 범위 정보에 따라 다수의 테스트 영역으로 구분하는 단계;
상기 다수의 테스트 영역 각각을 압축하여 다수의 압축 데이터를 생성하는 단계;
상기 다수의 압축 데이터를 아날로그 타입의 최종 압축 데이터로 변형하는 단계; 및
상기 최종 압축 데이터를 상기 압축 범위 정보에 대응하는 판단 전압으로 검출하여 테스트 결과를 분석하는 단계
를 포함하는 반도체 테스트 시스템의 동작 방법.
제12항에 있어서,
상기 다수의 메모리 영역을 상기 다수의 테스트 영역 중 해당하는 테스트 영역에 배당하는 단계를 더 포함하는 반도체 테스트 시스템의 동작 방법.
제13항에 있어서,
상기 해당하는 테스트 영역에 배당되는 메모리 영역의 개수는 서로 다른 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 시스템의 동작 방법.
제13항에 있어서,
상기 배당하는 단계는 상기 다수의 메모리 영역의 열화 정도를 반영하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 시스템의 동작 방법.
제12항에 있어서,
상기 변형하는 단계는,
상기 다수의 압축 데이터를 디코딩하는 단계; 및
상기 디코딩하는 단계의 출력 신호 각각에 대응하는 전압 레벨 값을 가지는 상기 최종 압축 데이터를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 시스템의 동작 방법.
제16항에 있어서,
상기 디코딩부의 출력 신호 각각에 대응하는 전압 레벨 값은 각각 서로 다른 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 시스템의 동작 방법.
제12항에 있어서,
상기 분석하는 단계는,
상기 압축 범위 정보에 응답하여 상기 판단 전압을 설정하는 단계; 및
상기 최종 압축 데이터와 상기 판단 전압을 비교하는 단계를 포함하는 반도체 테스트 시스템의 동작 방법.