KR980006132A - 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속 배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 금속 배선 형성 방법에 관한 것으로, 특히 1/4 마이크론 급 이하(Sub-quarter micron) 세대 이후 고속의 반도체 소자에서 제1 금속층으로 CVD-W과 Al의 이중 구조를 금속배선으로 형성할때 Al과 CVD-W의 계면 반응을 억제하기 위하여 CVD-W층을 증측한 다음, N2플라즈마 처리를 이용하여 얇은 WNx층을 형성하여 배선의 저항이 증대 되는 것을 해소 하였다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 본 발명에 의해 하부층에 콘택되는 금속 배선을 형성하는 단계를 도시한 단면도이다.
Claims (5)
- 금속 배선 형성 방법에 있어서, 하부층 상부에 콘택홀이 구비된 절연막을 형성하는 단계와, 전체적으로 글루층을 형성하는 단계와, 상기 글루층의 표면에 CVD-W 막을 증착하여 상기 콘택홀이 완전히 매립되도록 하는 단계와, 상기 CVD-W막을 증착한 다음, 진공 상태를 유지하면서 인-시투 N2플라즈마 처리를 실시하여 상기 CVD-W막의 표면에 얇은 두께의 WNX층을 형성하는 단계와, 상기 WNX층의 상부면에 Al막을 증착하는 단계를 포함하는 반도체소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금루층은 Ti/TiN의 적층 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 CVD-W막은 1000∼2000Å두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 WNX층은 100Å 이하의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Al막은 스퍼터링 방법으로 2000∼4000Å의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속 배선 형성 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960025722A KR980006132A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960025722A KR980006132A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006132A true KR980006132A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66241374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960025722A KR980006132A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006132A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100390038B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2003-07-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 다층 배선 형성방법 |
-
1996
- 1996-06-29 KR KR1019960025722A patent/KR980006132A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100390038B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2003-07-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 다층 배선 형성방법 |
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