Claims (6)
반도체소자의 자기정렬 콘택 형성방법에 있어서, 반도체 기판상에 게이트 산화막, 게이트 전극 및 상부절연막이 구비되고, 상기 게이트 전극의 측벽에 산화막 스페이서가 구비되고, 반도체 기판에 소오스/드레인용 확산영역이 구비된 다수의 트랜지스터를 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 평탄화용 산화막을 형성하고, 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 게이트 전극들 사이에 콘택홀을 형성하는 단계와, 식각 베리어로 텅스텐막을 증착하고 콘택 패드 마스크를 이용한 식각공정으로 상기 텅스텐막의 일정부분을 식각하여 상기 콘택홀에 텅스텐 패드를 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 평탄화된 절연막을 증착한 후 자기정렬 콘택마스크를 이용한 식각 공정으로 상기 평탄화된 절연막을 식각하여 상기 텅스텐 패드가 노출된 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하는 텅스텐을 이용한 자기정렬 콘택 형성방법.A method for forming a self-aligned contact of a semiconductor device, comprising: forming a gate oxide film, a gate electrode, and an upper insulating film on a semiconductor substrate; forming an oxide film spacer on a sidewall of the gate electrode; Forming an oxide film for planarization on the entire structure and forming contact holes between the gate electrodes by an etching process using a contact mask; depositing a tungsten film by an etching barrier, Forming a tungsten pad on the contact hole by etching a portion of the tungsten film by an etching process using a pad mask; depositing a planarized insulating film on the entire structure; The insulating film is etched to form a contact hole in which the tungsten pad is exposed Self-aligned contact formation method using the tungsten-containing phase.
제1항에 있어서, 상기 텅스텐 패드에 콘택되는 도전 배선은 비트라인이나 저장전극인 것을 특징으로 하는 텅스텐을 이용한 자기정렬 콘택 형성방법.2. The method of claim 1, wherein the conductive wiring contacted to the tungsten pad is a bit line or a storage electrode.
제1항에 있어서, 상기 식각베리어를 글루층, 텅스텐으로 적층하는 것을 특징으로 하는 텅스텐을 이용한 자기정렬 콘택 형성방법.The method according to claim 1, wherein the etching barrier is laminated with a glue layer and tungsten.
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 식각베리어를 글루층, 텅스텐 및 반사 방지층으로 적층하는 것을 특징으로 하는 텅스텐을 이용한 자기정렬 콘택 형성방법.4. The method of claim 1 or 3, wherein the etch barrier is laminated with a glue layer, tungsten, and an antireflection layer.
반도체소자의 자기정렬 콘택 형성방법에 있어서, 반도체 기판상에 게이트 산화막, 게이트 전극 및 상부절연막이 구비되고, 상기 게이트 전극의 측벽에 산화막 스페이서가 구비되고, 반도체 기판에 소오스/드레인용 확산영역이 구비된 다수의 트랜지스터를 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 평탄화용 산화막을 형성하고, 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 게이트 전극들 사이에 콘택홀을 형성하는 단계와, 식각 베리어로 텅스텐막을 증착하고 콘택 패드 마스크를 이용한 식각공정으로 상기 텅스텐막의 일부분을 식각하여 상기 콘택홀에 텅스텐 패드를 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 평탄화된 절연막을 증착한 후 자기정렬 콘택마스크를 이용한식각 공정으로 상기 평탄화된 절연막을 식각하여 상기 텅스텐 패드가 노출된 콘택홀을 형성하는 단계와, 도전층을 증착하고, 배선 마스크를 이용한 식각공정으로 상기 도전층의 일정 부분을 식각하여 도전 배선을 형성하는 것을 특징으로 하는 텅스텐을 이용한 자기정렬 콘택 형성방법.A method for forming a self-aligned contact of a semiconductor device, comprising: forming a gate oxide film, a gate electrode, and an upper insulating film on a semiconductor substrate; forming an oxide film spacer on a sidewall of the gate electrode; Forming an oxide film for planarization on the entire structure and forming contact holes between the gate electrodes by an etching process using a contact mask; depositing a tungsten film by an etching barrier, Forming a tungsten pad on the contact hole by etching a part of the tungsten film by an etching process using a pad mask; depositing a planarized insulating film on the entire structure; and etching the planarized insulating film To form contact holes in which the tungsten pads are exposed And based, the conductive layer deposition and etching processes in a manner self-aligned contact formation using tungsten as to form the conductive wiring by etching a portion of said conductive layer using a wire mask.
제5항에 있어서, 상기 텅스텐 패드에 콘택되는 도전 배선은 비트라인이나 저장전극인 것을 특징으로 하는 텅스텐을 이용한 자기정렬 콘택 형성방법.6. The method of claim 5, wherein the conductive wire contacted to the tungsten pad is a bit line or a storage electrode.
※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: It is disclosed by the contents of the first application.