KR980005526A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 평탄화층을 형성하고, 금속배선 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 반도체기판을 노출시키는 콘택홀을 형성한 다음, 전체표면상부에 확산방지막을 형성하고 상기 콘택홀을 매립하는 금속배선을 형성하는 방법에 있어서, 전체표면상부에 티타늄막/티타늄 질화막 적층구조를 소정두께 형성하고, 상기 티타늄막/티타늄 질화막 적층구조의 표면상부에 손상된 결정립을 형성한 다음, 상기 손상된 결정립에 질소가스와 산소가스를 스터핑하는 열처리공정을 실시하여 확산방지막을 형성하고, 상기 콘택홀을 매립하는 금속배선을 형성함으로써 신뢰성이 좋은 확산방지막을 형성하여 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.

Description

반도체 소자의 금속배선 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2d도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 도시한 단면도.

Claims (7)

  1. 반도체기판 상부에 평탄화층을 형성하고, 금속배선 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 반도체기판을노출시키는 콘택홀을 형성한 다음, 전체표면상부에 확산방지막을 형성하고 상기 콘택홀을 매립하는 금속배선을 형성하는 방법에 있어서, 전체표면상부에 티타늄막/티타늄 질화막 적층구조를 소정두께 형성하는 공정과, 상기 티타늄막/티타늄 질화막 적층구조의 표면상부에 손상된 결정립을 형성하는 공정과, 상기 손상된 결정립에 질소가스와산소가스를 스터핑하는 열처리공정을 실시하여 상기 산소가스와 질소가스가 스터핑된 층을 갖는 확산방지막을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 매립하는 금속배선을 형성하는 공정을 포함하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 손상된 결정립은 티타늄막/티타늄질화막 적층구조를 형성하고, 연속적으로 아르곤가스를 이용한 RF 스퍼터링공정을 실시하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 손상된 결정립은 티타늄막/티타늄질화막 적층구조를 형성하고, 연속적으로 질소가스를 이용한 RF 스퍼터링공정을 실시하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 RF 스퍼터링공정은 전력을 1 ~300 와트 정도로 하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  5. 제1항 내지 제3항중 어느 한항에 있어서, 상기 열처리공정은 질소가스 분위기에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 질소가스 분위기는 산소가스가 1 ~10 퍼센트 정도 함유된 질소가스 분위기인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  7. 제1항 내지 제3항중 어느 한항에 있어서, 상기 열처리공정은 상기 손상된 결정립 형성공정후 연속적으로 질소 가스 분위기에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
    ※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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