KR980003872A - 3층 감광막 패선 형성방법 - Google Patents
3층 감광막 패선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
반도체 소자 제조공정중 웨이퍼상에 감광막 패턴을 형성하는 전자빔을 이용한 리소그라피(Lithography) 기술에 관한 것으로, 특히 3층 감광막 공정에서 일렉트론 차징(Electron Charging)에 의한 감광막 패턴의 휘어지는 것을 방지하기 위하여 3층 감광막 공정에서 각 층을 전류가 흐르는 도전성막(Conducting Layer)으로 대체하거나, 도전성막을 1층 더 도포하여 전사 차칭이 발생되지 않도록 하여 감광막 패턴이 휘어지거나 패턴의 중첩 정확도가 나빠지는 문제점을 해결하는 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도 내지 제7도는 본 발명의 제1실시예에 의해 3층 감광막 패턴 형성 단계를 도시한 단면도.
제8도 내지 제10도는 본 발명의 제2실시예에 의해 3층 감광막 패턴 형성 단계를 도시한 단면도.
Claims (12)
- 감광막 패턴 형성방법에 있어서, 하부층 상부에 제1감광막을 도포하고, 그 상부에 금속성의 전도성막으로 된 중간층을 형성하는 단계와, 상기중간층 상부에 제2감광막을 도포하고, 전자빔을 이용하여 노광하고 현상공정으로 제2감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2감광막 패턴을 마스크로이용하여 중간층을 식각하여 중간층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 중간층 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제2감광막 패턴과 제1감광막을 식각하여 제1감광막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 3층 감광막패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속성의 전도성막으로 된 중간층은 폴리실리콘, 알루미늄, 텅스텐(W) 또는 타이타늄(Titanium)을 포함하는 SOG막인 것을 특징으로 하는 3층 감광막 패턴 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 중간층은 100~1000의 두께로 중착하는 것을 특징으로 하는 3층 감광막 패턴 형성방법.
- 하부층을 형성하고, 그 상부에 제1감광막을 도포하고, 상기 제1감광막으로 불순물을 주입하여 전도성의 제1감광막을 형성하는 단계와, 상기 제1감광막 상부에 중간층을 형성하는 단계와, 상기 중간층 상부에 제2감광막을 도포하고, 전자빔을 이용하여 노광하고, 현상 공정으로 제2감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2감광막 패턴을 마스크로 이용하여 중간층을 식각하여 중간층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 중간층 패턴을 마스크로 이용하여 제2감광막 패턴과 제1감광막을 식각하여 제1감광막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 3층 감광막 패턴 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제1감광막을 전도성막으로 바꾸기 위하여 아르곤(Argon), 인(phosphorus) 또는 비소(Arsenic)를 주입하는 것을 특징으로 하는 3층 감광막 패턴 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 중간층은 산화막 또는 SOG막을 500~1000의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 3층 감광막 패턴 형성방법.
- 하부층을 형성하고, 그 상부에 제1감광막을 도포하고, 상기 제1감광막으로 불순물을 주입하여 전도성의 제1감광막을 형성하는 단계와, 상기 제1감광막 상부에 중간층을 형성하는 단계와, 상기 중간층 상부에 제2감광막을 도포하고, 그 상부에 광이 투과되는 고분자막을 얇은 두께로 도포하는 단계와, 전자빔을 이용하여 노광하고, 현상 공정을 실시하여 상기 고분자막이 제거된 제2감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2감광막 패턴을 마스크로 이용하여 중간층을 식각하여 중간층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 중간층 패턴을 마스크로 이용하여 제2감광막 패턴과 제1감광막을 식각하여 제1감광막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 3층 감광막 패턴 형성방법.
- 제7항에 있어서, 상기 고분자막은 수용성의 이온성 계면 활성제를 포함하는 수지(Resin)인 것을 특징으로 하는 3층 감광막 패턴 형성방법.
- 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 고분자막은 테트라시아노퀴노이메탄 염과 메타크리레이트 수지를 시클로헥사논 솔벤트에 용해시킨 것을 특징으로 하는 3층 감광막 패턴 형성방법.
- 제7항에 있어서, 상기 고분자막은 500~1000두께로 도포한 후 50~100℃로 베이크하는 것을 특징으로 하는 3층 감광막 패턴 형성방법.
- 제7항에 있어서, 상기 고분자막은 전도성 고분자막인 것을 특징으 로하는 3층 감광막 패턴 형성방법.
- 제11항에 있어서, 상기 고분자막은 1000~3000두께로 도포한 후 50~100℃로 베이크 한 것을 특징으로 하는 3층 감광막 패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023212A KR980003872A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 3층 감광막 패선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023212A KR980003872A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 3층 감광막 패선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980003872A true KR980003872A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66287825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960023212A KR980003872A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 3층 감광막 패선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980003872A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100370135B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2003-02-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 레지스트 이중 코팅 방법 |
| KR100376882B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2003-03-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 |
| US11333979B2 (en) | 2019-07-24 | 2022-05-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming a pattern and methods of fabricating a semiconductor device |
Citations (5)
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| JPS5774945A (en) * | 1980-10-27 | 1982-05-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photoconductive film for image pick-up tube |
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-
1996
- 1996-06-24 KR KR1019960023212A patent/KR980003872A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (5)
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| US11333979B2 (en) | 2019-07-24 | 2022-05-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming a pattern and methods of fabricating a semiconductor device |
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