KR980003796A - 위상반전 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

위상반전 마스크 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR980003796A
KR980003796A KR1019960024699A KR19960024699A KR980003796A KR 980003796 A KR980003796 A KR 980003796A KR 1019960024699 A KR1019960024699 A KR 1019960024699A KR 19960024699 A KR19960024699 A KR 19960024699A KR 980003796 A KR980003796 A KR 980003796A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
phase shift
layer
light
mask according
shift mask
Prior art date
Application number
KR1019960024699A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0166837B1 (ko
Inventor
이준석
Original Assignee
문정환
Lg 반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, Lg 반도체주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019960024699A priority Critical patent/KR0166837B1/ko
Priority to JP16114297A priority patent/JP3002961B2/ja
Priority to US08/881,829 priority patent/US5900337A/en
Priority to DE19727261A priority patent/DE19727261B4/de
Publication of KR980003796A publication Critical patent/KR980003796A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0166837B1 publication Critical patent/KR0166837B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/34—Phase-edge PSM, e.g. chromeless PSM; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/29—Rim PSM or outrigger PSM; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Abstract

본 발명은 반도체 마스크에 관한 것으로 특히 밀집된 패턴의 광 강도를 개선시킨 위상반전 마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명의 위상반전 마스크 및 그 제조방법은 복수개의 오픈영역이 형성된 차광층을 구비한 위상반전 마스크에 있어서, 상기 오픈영역중 하나의 오픈영역 림부분에 제1위상천이층이 형성된 제1투광패턴과, 상기 오픈영역중 다른 하나의 오픈영역 중앙부분에 제2위상천이층이 형성된 제2투광패턴이 에치스토퍼층상에 교대로 형성됨을 특징으로 한다.

Description

위상반전 마스크 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 위상반전 마스크의 단면도.
제5도는 (a) 내지 (g)는 본 발명 제1실시예에 따른 위상반전 마스크의 제조공정 단면도.
제6도 (a) 내지 (j)는 본 발명 제2실시예에 따른 위상반전 마스크의 제조공정 단면도.

Claims (93)

  1. 복수개의 오픈영역이 형성된 차광층을 구비한 위상반전 마스크에 있어서, 상기 오픈영역중 하나의 오픈영역 림부분에 제1위상천이층이 형성된 제1투광패턴과, 상기 오픈영역중 다른 하나의 오픈영역 중앙부분에 제2위상천이층이 형성된 제2투광패턴이 에치스토퍼층상에 교대로 형성됨을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1, 제2위상천이층은 산화물인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 에치스토퍼층은 SnO₂인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  4. 제1항에 있어서, 상기 차광층을 열산화가 가능한 물질로 Si를 함유하고 있음을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  5. 제1항에 있어서, 상기 차광층은 폴리실콘층인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1, 제2위상천이층의 두께는 동일한 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  7. 제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 제1, 제2위상천이층의 두께를 d라 하고, 노광파장을 λ라 하고, 위상천이층의 광에 대한 굴절율은 n이라 할때 다음의 식이 성립되는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1위상천이층은 제4투광영역을 이루는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1위상천이층 사이의 오픈영역은 제1투광영역을 이루는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제2위상천이층은 제3투광영역을 이루는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제2위상천이층과 차광층 사이에 형성된 오픈영역은 제2투광영역을 이루는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  12. 투광성기판; 상기 투광성기판 전면에 형성되는 에치스토퍼층; 상기 에치스토퍼층에 복수개의 오픈영역을 갖고 형성되는 차광층; 상기 차광층상에 형성되는 산화방지층; 그리고 상기 오픈영역중 하나의 오픈영역 및 오픈영역 림부분에 형성되는 제1위상천이층을 포함하여 이루어지는 제1투광패턴과 상기 오픈영역중 다른 하나의 오픈영역 중앙부분에 형성되는 제2위상천이층을 포함하여 이루어지는 제2투광패턴이 교대로 형성됨을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  13. 제12항에 있어서, 상기 투광성기판은 석영 또는 유리중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  14. 제12항에 있어서, 상기 제1, 제2위상천이층은 산화물인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  15. 제12항에 있어서, 상기 제1, 제2위상천이층은 SnO₂인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  16. 제12항에 있어서, 상기 차광층은 열산화가 가능한 물질로 Si를 함유하고 있음을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  17. 제12항에 있어서, 상기 차광층은 폴리실리콘인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  18. 제12항에 있어서, 상기 산화방지층은 투명층인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  19. 제12항에 있어서, 상기 산화방지층은 산화물인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  20. 제12항에 있어서, 상기 제1위상천이층은 일부 산화방지층과 차광층의 산화물로 형성된 것임을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  21. 제12항에 있어서, 상기 제2위상천이층의 면적과 제1위상천이층 사이의 투광영역의 면적은 동일함을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  22. 제12항에 있어서, 상기 제1위상천이층의 두께와 제2위상천이층의 두께는 동일함을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  23. 제12항 또는 제22항에 있어서, 상기 제1, 제2위상전이층의 두께를 d라 하고, 노장파장을 λ라 하고 위상천이층의 광에 대한 굴절율을 n이라 할때 다음의 식이 성립하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  24. 제12항에 있어서, 상기 제1위상천이층은 제4투광영역을 이루는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  25. 제12항에 있어서, 상기 제1위상천이층 사이의 오픈영역은 제1투광영역을 이루는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  26. 제12항에 있어서, 상기 제2위상천이층은 제3투광영역을 이루는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  27. 제12항에 있어서, 상기 제2위상천이층과 차광층 사이에 형성된 오픈 영역은 제2투광영역을 이루는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  28. 투광성기판을 준비하는 단계; 상기 투광성기판상에 에치스토퍼층, 차광층 및 산화방지층을 차례로 형성하는 단계; 상기 산화방지층 및 차광층을 선택적으로 제거하여 복수개의 제1오픈영역을 형성하는 단계; 상기 제1오픈영역 측면의 차광층을 부분적으로 산화하여 제1위상천이층을 형성하여 제1오픈영역 및 제1위상천이층으로 이루어진 제1투광패턴을 형성하는 단계; 상기 제1투광패턴 사이의 산화방지층 및 차광층을 선택적으로 제거하여 림부분을 제2오픈영역으로 사용하는 투광홀을 형성하는 단계; 그리고 상기 투광홀의 중앙부분에 제2위상천이층을 형성하여 제2오픈영역 및 제2위상천이층으로 이루어진 제2투과패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  29. 제28항에 있어서, 상기 투광성기판은 석영 또는 유리중 어느 하나로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  30. 제28항에 있어서, 상기 에치스토퍼층은 SnO₂로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  31. 제28항에 있어서, 상기 차광층은 열산화가 가능한 물질로 Si를 함유하고 있음을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  32. 제28항에 있어서, 상기 차광층은 폴리실리콘으로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  33. 제28항에 있어서, 상기 산화방지층은 투명물질로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  34. 제28항에 있어서, 상기 산화방지층은 산화물로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  35. 제28항에 있어서, 상기 제1위상천이층은 차광층의 산화물과 일부 산화방지층으로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  36. 제28항에 있어서, 상기 투광홀의 넓이는 제1투광패턴의 넓이와 동일하도록 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  37. 제28항에 있어서, 상기 제2위상천이층은 산화물로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  38. 제28항에 있어서, 상기 차광층의 산화는 열산화 공정을 사용함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  39. 제38항에 있어서, 상기 열산화 공정은 산소분위기에서 실시함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  40. 제28항에 있어서, 상기 제2위상천이층은 제1오픈영역과 동일한 넓이로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  41. 제28항에 있어서, 상기 제2오픈영역은 제1위상천이층과 동일한 넓이로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  42. 제28항에 있어서, 상기 제1위상천이층과 제2위상천이층의 두께는 동일하도록 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  43. 제28항 또는 제42항에 있어서, 상기 제1, 제2위상천이층의 두께를 d라 하고, 노장파장은 λ라 하고, 제1, 제2위상천이층의 광에 대한 굴절율을 n이라 할때 다음의 식이 성립하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  44. 제28항에 있어서, 상기 제1위상천이층은 제4투광영역으로 사용하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  45. 제28항에 있어서, 상기 제1오픈영역은 제1투광영역으로 사용하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  46. 제28항에 있어서, 상기 제2위상천이층은 제3투광영역으로 사용하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  47. 제28항에 있어서, 상기 제2오픈영역은 제2투광영역으로 사용하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  48. 투광성기판을 준비하는 단계; 상기 투광성기판상에 에치스토퍼층, 차광층 및 산화방지층을 차례로 형성하는 단계; 상기 산화방지층 및 차광층을 선택적으로 제거하여 복수개의 제1오픈영역을 형성하는 단계; 상기 제1오픈영역 측면의 차광층을 부분적으로 산화하여 제1위상천이층을 형성하여 제1오픈영역 및 제1위상천이층으로 이루어진 제1투광패턴을 형성하는 단계; 상기 제1투광패턴 사이의 산화방지층 및 차광층을 선택적으로 제거하여 림부분을 제2오픈영역으로 사용하는 투광홀을 형성하는 단계; 상기 투광홀을 포함한 기판전면에 포토레지스트를 증착하는 단계; 상기 투광홀 중앙부분의 포토레지스트를 선택적으로 제거하여 포토레지스트를 형성하는 단계; 상기 투광홀내에 일정두께의 제2위상천이층을 형성하고 포토레지스트를 제거하여 투광홀 림부분의 제2오픈영역과 제2위상천이층으로 이루어진 제2투광패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  49. 제48항에 있어서, 상기 투광성기판은 유리 또는 석영중 어느 하나로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  50. 제48항에 있어서, 상기 에치스토퍼층은 SnO₂로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  51. 제48항에 있어서, 상기 차광층은 열산화가 가능한 물질로 Si를 함유하고 있음을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  52. 제48항에 있어서, 상기 차광층은 폴리실리콘을 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  53. 제48항에 있어서, 상기 산화방지층은 투명물질로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  54. 제48항에 있어서, 상기 산화방지층은 산화물로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  55. 제48항에 있어서, 상기 제1위상천이층은 차광층의 산화물과 일부 산화방지층으로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  56. 제48항에 있어서, 상기 제2위상천이층은 산화물로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  57. 제48항에 있어서, 상기 차광층의 산화는 열산화공정을 사용함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  58. 제57항에 있어서, 상기 열산화공정은 산소분위기에서 실시함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  59. 제57항에 있어서, 상기 제2위상천이층은 제1오픈영역과 동일한 면적을 갖도록 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  60. 제48항에 있어서, 상기 제2오픈영역은 제1위상천이층과 동일한 면적을 갖도록 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  61. 제48항에 있어서, 산화물 분말을 규불화 수소산 수용액에 용해시킨후 포토레지스트홀이 형성된 기판을 상기 수용액속에 담궈 일정두께의 산화물을 에치스토퍼층상에 성장시켜 제2위상천이층으로 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  62. 제48항에 있어서, 스퍼터링법을 이용하여 포토레지스트홀내에 산화물을 형성한 후 CMP법으로 상기 산화물을 연마하여 일정두께의 제2위상천이층으로 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  63. 제48항에 있어서, 상기 투과홀의 넓이는 제1오픈영역을 포함한 제1위상천이층의 넓이와 동일하도록 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  64. 제48항에 있어서, 상기 제2위상천이층은 제1위상천이층과 동일한 두께로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  65. 제48항 또는 제64항에 있어서, 상기 제1, 제2위상천이층의 두께를 d라 하고, 노장파장을 λ라 하고, 위상천이층의 광에 대한 굴절율을 n이라 할때 다음의 식이 성립하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  66. 제48항에 있어서, 상기 제1위상천이층은 제4투광영역으로 사용하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  67. 제48항에 있어서, 상기 제1오픈영역은 제1투광영역으로 사용하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  68. 제48항에 있어서, 상기 제2위상천이층은 제3투광영역으로 사용하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  69. 제48항에 있어서, 상기 제2오픈영역은 제2투광영역으로 사용하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  70. 투광성기판을 준비하는 단계; 상기 투광성기판상에 에치스토퍼층, 차광층 및 산화방지층을 차례로 형성하는 단계; 상기 산화방지층 및 차광층을 선택적으로 제거하여 복수개의 제1오픈영역을 형성하는 단계; 상기 제1오픈영역 측면의 차광층을 부분적으로 산화하여 제1위상천이층을 형성하여 제1오픈영역 및 제1위상천이층으로 이루어진 제1투광패턴을 형성하는 단계; 상기 제1투광패턴 사이의 차광층 및 산화방지층을 포토레지스트를 사용하여 선택적으로 제거하여 림부분을 제2오픈영역으로 사용하는 투광홀을 형성하는 단계; 상기 투광홀의 포토레지스트, 산화방지층 및 차광층 측면에 측벽을 형성하는 단계; 상기 측벽을 포함한 기판전면에 포토레지스트를 증착하는 단계; 상기 투광성기판에 배면노광을 실시하고 현상하여 포토레지스트홀을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트홀내의 일정두께의 제2위상천이층을 형성하는 단계; 그리고 상기 측벽을 제거하여 제2오픈영역 및 제2위상천이층으로 이루어진 제2투광패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  71. 제70항에 있어서, 상기 투광성기판은 유리 또는 석영중 어느 하나로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  72. 제70항에 있어서, SnO₂로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  73. 제70항에 있어서, 상기 차광층은 열산화가 가능한 물질로 Si를 함유하고 있음을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  74. 제70항에 있어서, 상기 차광층은 폴리실리콘으로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  75. 제70항에 있어서, 상기 산화방지층은 투명물질을 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  76. 제70항에 있어서, 상기 산화방지층은 산화물을 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  77. 제70항에 있어서, 상기 제1위상천이층은 차광층의 산화물과 일부 산화방지층을 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  78. 제70항에 있어서, 상기 제2위상천이층은 산화물로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  79. 제70항에 있어서, 상기 차광층의 산화는 열산화공정을 사용함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  80. 제79항에 있어서, 상기 열산화공정은 산소분위기에서 실시함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  81. 제70항에 있어서, 상기 제2위상천이층은 제1오픈영역과 동일한 면적을 갖도록 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  82. 제70항에 있어서, 상기 제2오픈영역은 제1위상천이층과 동일한 면적을 갖도록 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  83. 제70항에 있어서, 산화물 분말을 규불화 수소산 수용액에 용해시킨후, 포토레지스트홀이 형성된 기판을 상기 수용액속에 담궈 일정두께의 산화물을 에치스코퍼층상에 성장시켜 제2위상천이층으로 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  84. 제70항에 있어서, 스퍼터링법을 이용하여 포토레지스트홀내에 산화물을 형성한 후 CMP법으로 상기 산화물을 연마하여 일정두께의 제2위상천이층으로 에치스토퍼층상에 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  85. 제70항에 있어서, 상기 투광홀내의 넓이는 제1오픈영역을 포함한 제1위상천이층의 넓이와 동일함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  86. 제70항에 있어서, 상기 제2위상천이층은 제1위상천이층과 동일한 두께로 형성함을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  87. 제70항 또는 제86항에 있어서, 상기 제1, 제2위상천이층의 두께를 d라 하고, 노장파장을 λ라 하고, 위상천이층의 광에 대한 굴절율을 n이라 할때 다음의 식이 성립하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  88. 제70항에 있어서, 상기 제1위상천이층은 제4투광영역으로 사용하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  89. 제70항에 있어서, 상기 제1오픈영역은 제1투광영역으로 사용하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  90. 제70항에 있어서, 상기 제2위상천이층은 제3투광영역으로 사용하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  91. 제70항에 있어서, 상기 제2오픈영역은 제2투광영역으로 사용하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  92. 제70항에 있어서, 상기 측벽은 폴리머인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  93. 제92항에 있어서, 상기 폴리머는 PMMA인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960024699A 1996-06-27 1996-06-27 위상반전 마스크 및 그 제조방법 KR0166837B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960024699A KR0166837B1 (ko) 1996-06-27 1996-06-27 위상반전 마스크 및 그 제조방법
JP16114297A JP3002961B2 (ja) 1996-06-27 1997-06-18 位相反転マスク及びその製造方法
US08/881,829 US5900337A (en) 1996-06-27 1997-06-24 Phase shift mask and method for fabricating the same
DE19727261A DE19727261B4 (de) 1996-06-27 1997-06-26 Verfahren zum Herstellen einer Phasenschiebemaske

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960024699A KR0166837B1 (ko) 1996-06-27 1996-06-27 위상반전 마스크 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR980003796A true KR980003796A (ko) 1998-03-30
KR0166837B1 KR0166837B1 (ko) 1999-01-15

Family

ID=19464014

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960024699A KR0166837B1 (ko) 1996-06-27 1996-06-27 위상반전 마스크 및 그 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5900337A (ko)
JP (1) JP3002961B2 (ko)
KR (1) KR0166837B1 (ko)
DE (1) DE19727261B4 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006123857A1 (en) * 2005-05-16 2006-11-23 Pkl Co., Ltd. Phase shift mask for preventing haze

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6255023B1 (en) * 1999-11-04 2001-07-03 United Microelectronics Corp. Method of manufacturing binary phase shift mask
US6544696B2 (en) * 2000-12-01 2003-04-08 Unaxis Usa Inc. Embedded attenuated phase shift mask and method of making embedded attenuated phase shift mask
KR100618811B1 (ko) * 2001-03-20 2006-08-31 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조를 위한 위상 반전 마스크 및 그 제조방법
JP2003173014A (ja) * 2001-12-07 2003-06-20 Mitsubishi Electric Corp 位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および、装置
KR100641915B1 (ko) * 2002-07-18 2006-11-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 위상반전 마스크
US6998204B2 (en) * 2003-11-13 2006-02-14 International Business Machines Corporation Alternating phase mask built by additive film deposition
KR100675882B1 (ko) * 2004-12-22 2007-02-02 주식회사 하이닉스반도체 다중투과 위상 마스크 및 이를 이용한 노광 방법
KR100955681B1 (ko) 2008-04-14 2010-05-06 주식회사 하이닉스반도체 자기조립분자를 이용한 포토마스크의 제조방법
TWI707195B (zh) * 2020-02-14 2020-10-11 力晶積成電子製造股份有限公司 相位轉移光罩的製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2519815B2 (ja) * 1990-03-01 1996-07-31 三菱電機株式会社 フォトマスク及びその製造方法
JP3036085B2 (ja) * 1990-12-28 2000-04-24 富士通株式会社 光学マスクとその欠陥修正方法
JPH0521310A (ja) * 1991-07-11 1993-01-29 Canon Inc 微細パタン形成方法
US5460908A (en) * 1991-08-02 1995-10-24 Micron Technology, Inc. Phase shifting retical fabrication method
CH687307A5 (fr) * 1992-07-01 1996-11-15 Smh Management Services Ag Ensemble de propulsion d'un véhicule.
US5302477A (en) * 1992-08-21 1994-04-12 Intel Corporation Inverted phase-shifted reticle
US5300379A (en) * 1992-08-21 1994-04-05 Intel Corporation Method of fabrication of inverted phase-shifted reticle

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006123857A1 (en) * 2005-05-16 2006-11-23 Pkl Co., Ltd. Phase shift mask for preventing haze

Also Published As

Publication number Publication date
DE19727261A1 (de) 1998-01-02
DE19727261B4 (de) 2005-07-07
US5900337A (en) 1999-05-04
JP3002961B2 (ja) 2000-01-24
KR0166837B1 (ko) 1999-01-15
JPH1069060A (ja) 1998-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940002733B1 (ko) 노광용 마스크와 그 노광용 마스크의 제조방법
KR980003796A (ko) 위상반전 마스크 및 그 제조방법
KR950033661A (ko) 얇은 위상전이 마스크
KR0166825B1 (ko) 위상반전 마스크의 제조 방법
KR0152952B1 (ko) 위상반전 마스크 및 그 제조방법
US5882534A (en) Method for fabricating a multistage phase shift mask
JP2775251B2 (ja) 半導体製造用位相反転マスク及びその製造方法
KR20030071194A (ko) 이유브이 노광 공정용 위상반전마스크 및 그 제조방법
JPH0943831A (ja) 半導体素子の位相反転マスク製造方法
JPH09211837A (ja) 位相シフトマスク及びその製造方法
JPH10142767A (ja) パターン形成方法、これに使用されるマスク及びその製造方法
KR0166846B1 (ko) 반도체 마스크 및 그의 제조방법
KR980003795A (ko) 위상반전 마스크의 결함 수정방법
KR20030096464A (ko) 얼터네이팅 위상 반전 마스크의 제조방법
KR970076062A (ko) 위상 반전 마스크의 제조 방법
JPH0756319A (ja) 位相シフトレチクルの製造方法
KR0151262B1 (ko) 다중 위상반전 마스크의 제조방법
JP2000010256A (ja) 位相シフトマスクおよびその製造方法
KR100419971B1 (ko) 반도체소자 제조시의 패턴 형성을 위한 마스크 및 그 제조방법
JPH0728225A (ja) 位相シフトマスク及びその製造方法
KR0123787B1 (ko) 위상반전마스크 및 그 제조방법
KR100520156B1 (ko) 마스크 형성 방법
US20020177049A1 (en) Phase-shifting mask and method of fabricating the same
JP2791757B2 (ja) 半導体マスク及びその製造方法
CN103325883A (zh) 用于介电光学涂层的增强剥离技术和利用该技术制造的光传感器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120824

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee