CN103325883A - 用于介电光学涂层的增强剥离技术和利用该技术制造的光传感器 - Google Patents

Abstract

本文中描述了包括用于对光传感器的光谱响应进行整形的介电光学涂层的光传感器，以及用于以加速剥离工艺和提高工艺极限的方式来制造此类光传感器的方法。在某些实施例中，执行短持续时间的软烤。替代地或附加地，执行温度循环。替代地或附加地，使用包括一个或多个虚设转角、虚设岛和/或虚设环的光掩模来执行光刻。上述实施例中的每一个在未覆盖光电检测器传感器区域的介电光学涂层中形成多个微裂缝和/或增加多个微裂缝，从而实现加速的剥离工艺和提高的工艺极限。替代地或附加地，光掩模的一部分可包括切边的转角，使得介电光学涂层包括切边的转角，这些切边的转角提高介电光学涂层的热可靠性。

Description

用于介电光学涂层的增强剥离技术和利用该技术制造的光传感器

要求优先权

本申请要求以下申请的优先权：

·2012年3月20日提交的美国临时专利申请No.61/613,283；

·2012年6月22日提交的标题为“ENHANCED LIFT-OFFTECHNIQUES FOR USE WHEN FABRICATING LIGHT SENSORSINCLUDING DIELECTRIC OPTICAL COATING FILTERS（用于介电光学涂层的增强剥离技术和利用该技术制造的光传感器）”（代理人案号ELAN-01280US1）的美国专利申请No.13/530,675；以及

·2012年6月22日提交的标题为“ENHANCED LIFT-OFFTECHNIQUES FOR USE WHEN FABRICATING LIGHT SENSORSINCLUDING DIELECTRIC OPTICAL COATING FILTERS（用于介电光学涂层的增强剥离技术和利用该技术制造的光传感器）”（代理人案号ELAN-01287US0）的美国专利申请No.13/530,809。

技术领域

本申请涉及包括介电光学涂层的光传感器，以及用于制造光传感器的方法，更具体地涉及用于在光传感器的制造期间增强剥离和/或提高传感器的热可靠性的技术。

现有技术

图1示出示例性常规光传感器102的横截面，该光传感器102实质上是单个光电二极管，也称为光电检测器。光电检测器102包括重掺杂的N⁺区104和轻掺杂的P^-区106（可以是P^-外延区）。以上所有区可能在重掺杂的P⁺或P⁺⁺衬底上形成。注意，图1和其余的附图未按比例绘制。

仍参考图1，N⁺区104和P^-区106构成PN结，更具体而言是N⁺/P^-结。例如，利用电压源（未示出）将此PN结反向偏置，这将在该PN结周围产生耗尽区110。当光112入射在光电检测器102上（更具体而言是在N⁺区104上）时，在二极管耗尽区110之中或在其附近产生电子空穴对。电子立即被拉向N⁺区104，而空穴被向下推向P^-区106。这些电子（也成为载流子）在N⁺区104中被俘获且产生可测量的光电流，该光电流可例如利用电流检测器（未示出）来检测到。此光电流指示光112的强度，从而使该光电检测器能用作为光传感器。光电检测器102的响应于入射在光电检测器上的光而产生光电流的那部分可被称为光电检测器传感器区域，或简称为传感器区。

诸如但不限于示例性光电检测器102之类的光电检测器能被用作环境光传感器（ALS），例如用作显示器的节能光传感器、用于控制诸如移动电话和膝上计算机之类的便携式设备中的背光、以及用于各种其它类型的亮度级测量和管理。作为更具体的示例，环境光传感器能用于作为控制显示器和/或键区背光的手段，通过检测明亮和暗淡的环境光状况来降低显示系统的总功耗并延长液晶显示器（LCD）的寿命。在没有环境光传感器的情况下，LCD显示器背光控制通常手动地完成，藉此当周围环境变得更亮时用户将提高LCD的亮度。通过适用环境光传感器，用户能将LCD亮度调节至他们的偏好，从而当周围环境变化时，显示器亮度调节以使显示器在相同的可感知水平上看起来一致；这使得电池寿命被延长、用户眼疲劳减少、以及LCD寿命延长。类似地，在没有环境光传感器的情况下，键区背光的控制非常依赖于用户和软件。例如，可通过触发器或定时器将键区背光打开10秒，其中触发器可通过按压键区来触发。通过使用环境光传感器，键区背光能仅在周围环境暗淡的时候被打开，这将导致更长的电池寿命。为实现更好的环境光感测，环境光传感器优选地具有接近人眼响应的光谱响应，而且具有优秀的红外（IR）噪声抑制。这样的光谱响应通常被称为“真实人眼响应”或“适光响应”。

图2示出光电检测器（例如光电检测器102）的示例性光谱响应，其中未进行任何光谱响应成形（例如使用覆盖该检测器的滤波器）。图3示出典型人眼的光谱响应（也称为如上所述的“真实人眼响应”或“适光响应”）。如能从图2和3中理解到的是，使用光电检测器作为环境光传感器的潜在问题是，它既检测可见光又检测诸如红外（IR）光之类的不可见光，该不可见光从约700nm开始。相比之下，从图3可注意到，人眼并未检测IR光。因此，光电检测器的响应会显著不同于人眼的响应，尤其当光由白炽灯光产生时，白炽灯产生大量的IR光。如果光电检测器被用作环境光传感器，例如用于调整背光或类似用途，则在上述情况下，远不能提供最优调节。因此，已经尝试了各种技术来提供具有接近人眼的光谱响应的光传感器，以使此类光传感器能用于例如适当地调整显示器的背光，或类似用途。这些技术中的一些涉及用滤光器覆盖此类光传感器。

典型地，基于有机的滤光器不能用于提供真实的人眼响应，因为基于有机的滤光器不能充分地吸收和/或反射红外光。相反，诸如由介电光学涂层制成的滤光器之类的无机滤光器一般是优选的，因为它们提供更好的性能。由多种介电膜的叠层组成的此类介电光学涂层的实现通常昂贵。这部分是因为它们通常利用化学溶剂浴中的光刻胶剥离来进行图案化，由于在光刻胶溶剂浴中相对长的停留时间（即浸泡持续时间）以及由于相对窄的工艺极限(process margin)，该过程通常是代价高的。替代地，能使用声波清洁，这通常也是代价高的。

本发明的某些实施例涉及改进用于制造光传感器（例如环境光传感器）的剥离工艺，并获得提高的工艺极限。因此，在描述本发明的这些实施例之前，首先描述常规剥离工艺是有帮助的，使得能更好地理解本发明的诸实施例所克服的缺陷。因此，首先将参考图4和5来描述常规的剥离工艺。

更具体地，包括图4(a)、(b)、(c)、(d)的图4示出利用具有负属性（也称为倒角属性）的光刻胶的常规剥离工艺。包括图5(a)、(b)、(c)、(d)的图5示出利用具有正属性（也称为锥形属性）的光刻胶的常规剥离工艺。如本领域普通技术人员所清楚的，在图4和5以及其它附图中一般示出的光传感器可具有与参考图1描述的光电检测器102相似的结构，但不限于此。例如，光传感器可包括P⁺/N^-结、或N⁺/P^-结、或PIN、NPN、PNP或NIP结，但不限于此。不论光传感器的实际结构如何，光传感器将包括光电检测器传感器区域，该光电检测器传感器区域响应于入射在该光传感器上的光产生光电流。

参考图4(a)和5(a)，在半导体衬底406、506中形成的光电检测器传感器区域404、504被光刻胶层420、520（或简称为光刻胶）所覆盖。光刻胶420、520被光掩模430、530所覆盖，并曝光于紫外（UV）光。如本文中所使用的术语，UV光意味着也包括深紫外光（DUV）。这导致光刻胶的一部分曝光于UV光，而光刻胶的另一部分不曝光于UV光。然后，使用显影剂来去除未曝光于UV光的光刻胶，而不去除曝光于UV光的光刻胶，如图4(b)和5(b)所示。取决于所使用的光刻胶的类型，显影之后的光刻胶可具有如图4(b)所示的负属性（也称为倒角属性），或如图5(b)所示的正属性（也称为锥形属性）。之后，沉积介电光学涂层440、540，由此在光传感器上形成介电滤光器，如图4(c)和5(c)所示。也称为介电滤光器的介电光学涂层由介电膜的叠层所组成。之后，使用利用化学溶剂的剥离工艺来去除保留的光刻胶420、520和覆盖光刻胶的介电光学涂层440、540，从而得到如图4(d)和5(d)所示的结构。

常规剥离工艺存在的问题是，在介电光学涂层沉积之后（如图4(c)和5(c)所示），由于光刻胶未完全暴露于溶剂，剥离工艺需要非常长的浸泡持续时间（数小时量级）。尽管实际的浸泡持续时间（也称为剥离持续时间）取决于介电光学涂层的厚度、光刻胶的厚度、化学溶剂、所使用的剥离设备的类型，但诸个测试已经显示，执行剥离过程必须有高达九小时的浸泡持续时间。这样的长浸泡持续时间是必须的，这至少部分是因为介电光学涂层是高度共形的，即使在所使用的光刻胶具有负属性的情况下也是如此。

发明内容

以下描述的本发明的各个实施例用于加速剥离工艺并提高在介电光学涂层沉积之后的光刻胶去除的工艺极限。通过加速剥离工艺并提高工艺极限，本发明的诸个实施例提供更为廉价的光传感器，此类光传感器包括介电光学涂层以对其光谱响应进行整形。

更具体地，本文中描述了包括介电光学涂层以对其光谱响应进行整形的的光传感器，以及以加速剥离工艺和提高工艺极限的方式来制造此类光传感器的方法。在某些实施例中，执行短持续时间的软烤。替代地或附加地，执行温度循环。替代地或附加地，使用包括一个或多个虚设转角(dummycorner)、虚设岛(dummy island)和/或虚设环(dummy ring)的光掩模来执行光刻。上述诸个实施例中的每一个在未覆盖光电检测器传感器区域的介电光学涂层中形成多个微裂缝和/或增加微裂缝的数量，从而实现加速的剥离工艺和提高的工艺极限。替代地或附加地，光掩模的一部分可包括切边的转角，使得介电光学涂层包括切边的转角，这些切边的转角提高介电光学涂层的热可靠性。

附图简述

图1示出示例性常规光电检测器的横截面。

图2示出诸如图1的光电检测器之类的光电检测器的示例性光谱响应，其中不存在任何光谱响应整形。

图3示出典型人眼的光谱响应。

图4示出利用负属性光刻胶的常规剥离工艺。

图5示出利用正属性光刻胶的常规剥离工艺。

图6示出根据本发明的实施例的软烤工艺，该软烤工艺提供更迅速的剥离工艺和提高的工艺极限。

图7提供在软烤工艺期间出现的光刻胶回流的图解说明。

图8提供由于软烤工艺引起的介电光学涂层中出现的微裂缝的图解说明。

图9示出根据本发明的实施例的热冲击工艺，该热冲击工艺提供更迅速的剥离工艺和提高的工艺极限。

图10示出热冲击工艺中涉及的温度循环的示例。

图11示出正被制造的示例性光传感器的俯视图，其中光传感器包括被光刻胶包围且被介电光学涂层所覆盖的矩形的光电检测器传感器区域域。

图12包括与图11中所示的光传感器的一部分在制造工艺的不同步骤期间相对应的立体横截面图。

用于描述本发明的实施例的图13示出了正被制造的示例性光传感器的俯视图，其中光传感器包括被光刻胶包围且被介电光学涂层所覆盖的矩形的光电检测器传感器区域，且其中光刻胶包括与图11相比的额外的转角。

图14包括与图13中所示的光传感器的一部分在制造工艺的不同步骤期间相对应的立体横截面图。

用于描述本发明的实施例的图15示出了正被制造的示例性光传感器的俯视图，其中光传感器包括被光刻胶包围且被介电光学涂层所覆盖的矩形的光电检测器传感器区域，且其中光刻胶包括虚设岛，虚设岛提供与图11相比额外的转角。

图16包括与图15中所示的光传感器的一部分在制造工艺的不同步骤期间相对应的立体横截面图。

图17用于描述本发明的实施例，该实施例将参考图13和14描述的实施例与参考图15和16描述的实施例相组合。

用于描述本发明的实施例的图18示出了正被制造的示例性光传感器的俯视图，其中光传感器包括被光刻胶包围且被介电光学涂层所覆盖的矩形的光电检测器传感器区域，且其中光刻胶包括虚设环，虚设环提供与图11相比额外的转角。

图19包括与图18中所示的光传感器的一部分在根据本发明的实施例的制造工艺的不同步骤期间相对应的立体横截面图。

图20是用于概述参考图6-8描述的软烤实施例的高级流程图。

图21是用于概述参考图9-10描述的温度循环实施例的高级流程图。

图22是用于概述参考图11-19描述的实施例的高级流程图。

图23和24示出正被制造的示例性光传感器的俯视图，其中光传感器包括被光刻胶包围且被具有切边转角的介电光学涂层所覆盖的矩形的光电检测器传感器区域。

图25是用于概述以上参考图23和25描述的实施例的高级流程图。

附图标记说明

具体实施方式

在以下描述中，参考形成本说明书一部分的附图，其中通过图示示出了特定图解说明实施例。应理解，可利用其它实施例，且可作出机械和电气改变。因此，以下详细描述不应按照限制的意义来理解。在以下描述中，在全部附图中将使用相似的标号或参考标注来指示相似的部件或组件。此外，参考标号的第一位标识该参考标号首先出现的附图。

参考图6（包括图6(a)、(b)、(c)、(d)以及(e)）所描述的本发明的某些实施例涉及使用短持续时间的软烤步骤（也称为软烤工艺），该软烤步骤在介电光学涂层沉积之后、但在使用溶剂执行剥离步骤之前进行。

参考图6(a)，在形成于半导体衬底606中的光电检测器传感器区域604上沉积光刻胶620。仍参考图6(a)，使用光掩模630使下方的结构的一部分选择性地曝光于UV光，使得光刻胶的一部分曝光于UV光，同时光刻胶的另一部分不曝光于UV光。如图6(b)所示，然后使用显影剂来去除未曝光于UV光的光刻胶620，且不去除曝光于UV光的光刻胶。尽管图6(b)中示出的保留的光刻胶的轮廓是垂直轮廓（也称为中性轮廓），但光刻胶轮廓可替代地是负性或正性（分别如图4(b)和5(b)示出）。

之后，沉积介电光学涂层640，由此在光传感器上形成介电滤光器，如图6(c)所示。根据一实施例，光刻胶具有软化温度（T_软化，也称为软化点），该软化温度高于执行介电光学涂层沉积的温度（T_沉积）。换言之，根据一实施例，光学涂层沉积在低于光刻胶的软化点（T_软化）的温度（T_沉积）下执行，即T_沉积<T_软化。大多数光刻胶具有在100-130摄氏度的范围内的软化温度（T_软化）。此时，介电光学涂层640覆盖光电检测器传感器区域604、包围传感器区604的周围区域、以及在使用显影剂去除未曝光于UV光的光刻胶之后保留的光刻胶620的那部分。

根据一实施例，在沉积介电光学涂层640之后，在高于光刻胶的软化点(T_软化)的温度(T_软烤)下执行短持续时间的软烤，即T_软烤>T_软化。尽管软烤的持续时间取决于光刻胶的厚度和类型，但可估计软烤持续时间应当是:光刻胶的每微米（μm）厚度约0.5到1分钟。由于典型的光刻胶厚度范围为约3到6μm，所以软烤工艺可能花费约1.5分钟到约6分钟，但也可能花费更少或更多时间。优选地，软烤时间不超过15分钟，且更优选不超过5分钟。软烤导致介电光学涂层和光刻胶的热扩展，且导致光刻胶回流，它们单独地和共同地导致介电光学涂层的侧壁处的机械拉应力，这又导致在介电光学涂层中形成微裂缝。光刻胶回流在图6(d)中的650处总体示出。微裂缝在图6(d)中通过弯曲的虚线660总体示出。之后，执行使用溶剂的剥离工艺，以去除保留的光刻胶和覆盖光刻胶的介电光学涂层，这得到如图6(e)所示的结构。在剥离工艺期间，微裂缝660为剥离溶剂到达光刻胶提供附加的通道，从而显著减少剥离所需的浸泡持续时间。

使用软烤步骤应当使浸泡持续时间（剥离工艺期间）减少至少两倍，且可能减少十倍或更多。例如，估计在软烤步骤之后，剥离工艺将花费约15到30分钟，这比未执行软烤步骤时可能花费的高达九小时显著更快。

包括图7(a)、(b)、(c)、(d)、(e)和(f)的图7更详细地示出了在短持续时间软烤工艺期间光刻胶回流是如何发生的。更具体地，示出在图7(a)中的光刻胶具有垂直轮廓（也称为中立轮廓），类似于图6(b)中示出的光刻胶轮廓。如从图7(b)、(c)、(d)和(e)所能理解，光刻胶轮廓由于回流而开始变得圆滑，导致在短持续时间软烤工艺结束时的图7(f)的光刻胶轮廓。根据具体实施例，短持续时间软烤工艺进行约15分钟或更少时间，且优选地进行约5分钟或更少时间，甚至更优选地进行约2分钟或更少时间。在特定实施例中，短持续时间软烤工艺进行约30至60秒之间。

尽管优选地在高于光刻胶的软化点温度（T_软化）的温度（T_软烤）下执行软烤，即T_软烤>T_软化，微裂缝也可能在恰恰低于软化点（T_软化）的温度下（例如在软化点温度的10摄氏度内）出现。还注意，优选地，软烤工艺不在远高于软化点温度（T_软化）的温度下执行，以防止光刻胶液化。

尽管优选地在高于光刻胶的软化点温度（T_软化）的温度（T_软烤）下执行软烤，即T_软烤>T_软化，微裂缝也可能在恰恰低于软化点温度（T_软化）的温度下（例如在软化点温度的10摄氏度内）出现。因此，短持续时间软烤更常见地在光刻胶的软化点（T_软化）的预定范围内执行，由此在未覆盖光电检测器传感器区域的介电光学涂层中形成多个微裂缝和/或增加微裂缝的数量。根据一实施例，光刻胶的软化点温度（T_软化）的预定范围是软化点温度（T_软化）的+/-10摄氏度。

现参考图8，其中示出的箭头802指向光刻胶的转角，介电光学涂层中的微裂缝860由于软烤工艺引起的高机械应力而从上述转角处开始。微裂缝860示出以上参考图6所讨论的同一类型的微裂缝660。

将参考图9和10描述的本发明的其它实施例涉及在沉积介电光学涂层之后、但在使用溶剂执行剥离步骤之前使用热冲击（也称为温度循环）。

图9的图9(a)、(b)和(c)与图6的图6(a)、(b)和(c)相似，因此不需要再次描述。更具体而言，在图9中，参考标号904、906、920、930和940表示与图6中的参考标号604、606、620、630和640基本相同的要素，因此这些要素无需再次描述。参考图9(d)和图10，在沉积光学涂层940之后，通过在两个（或更多个）温度T1和T2之间循环而引入热-机械应力，其中T1<<T2。在特定实施例中，温度T2比温度T1高约50与150摄氏度之间。更具体地，根据实施例，温度T1在约0到50摄氏度的范围内，且温度T2在约100至150摄氏度的范围内。优选地，温度T2比温度T1高约90至120摄氏度之间，温度T1在约0至30摄氏度的范围内，且温度T2在约120至150摄氏度的范围内。取决于光刻胶配方，可使用替代的温度。

根据实施例，在干烤箱内在惰性气氛下执行温度循环。根据实施例，如图10所示，T1与T2之间以及T2与T1之间的转换是相对迅速的，以促进光刻胶920上的介电光学涂层940的应力和层离以及光刻胶回流，所有这些都促成微裂缝960。根据实施例，执行温度循环约60秒至120秒，其中在转换至另一个温度之前，温度在每个不同的温度（例如T1和T2）下保持至少10秒。根据具体实施例，温度循环工艺进行约15分钟或更少时间，且优选地进行约5分钟或更少时间，甚至更优选地进行约2分钟或更少时间。在特定实施例中，温度循环工艺进行约1到2分钟之间。其它变化也是可能的，而且在本发明的实施例的范围内。

微裂缝由温度循环引起，作为热膨胀和热收缩的结果，且在图9(d)中通过弯曲的虚线960一般地示出。箭头970用于示出层离。介电光学涂层940和光刻胶920都将在温度循环期间膨胀和收缩。然而，光刻胶聚合物的膨胀系数比介电光学涂层高许多（典型地高至少10倍），这有利地促成介电光学涂层960的微裂缝形成和层离。

使用温度循环应当使浸泡持续时间（剥离工艺期间）减少至少两倍，且可能减少十倍或更多。例如，估计在温度循环步骤之后，剥离工艺将花费约15到30分钟，这比未执行温度循环步骤时可能花费的高达九小时显著更快。

虽然在两个温度（例如T1和T2）之间转换已足够，但可使用三个或更多个不同温度（例如，T1、T2和T3）来执行热冲击，这也是可能的并且在本发明的实施例的范围内。

根据某些实施例，在使用化学溶剂浴来完成剥离工艺之前，可执行软烤工艺达第一时长，然后执行温度循环工艺达第二时长。根据其它实施例，在使用化学溶剂浴来完成剥离工艺之前，可执行温度循环工艺达第一时长，然后可执行软烤工艺达第二时长。换言之，上述的软烤和温度循环实施例都均能一个接一个地使用。

现参考图11，在图11中示出了示例性的光传感器在正被制造过程中的俯视图。更具体地，图11对应于已经执行以下步骤之后的制造过程中的阶段。包括矩形光电检测器传感器区域1104的半导体衬底的表面已被光刻胶所覆盖。已使用光刻技术来使光刻胶的一部分曝光，同时不曝光覆盖光电检测器传感器区域1104的一部分光刻胶。附加地，也不曝光延伸超过传感器区域1104的具有宽度“d”的周围区域1110。已使用显影剂来去除覆盖光电检测器传感器区域1104的那部分光刻胶，并去除覆盖周围区域1110的那部分光刻胶，从而留下在光刻期间曝光的那部分光刻胶1120（也可称为经曝光或保留的光刻胶1120）。此外，已在传感器区域1104上、在周围区域1110上以及在保留的光刻胶1120上沉积介电光学涂层。相应地，图11本质上对应于以上讨论的图4(c)和5(c)中所示的结构的俯视图。

仍参考图11，传感器区域1104被示为具有矩形的外周界。光刻胶1120（在已使用显影剂来去除覆盖光电检测器传感器区域1104和周围区域1110的那部分光刻胶之后保留的光刻胶）具有矩形开口，该矩形开口在形状上类似于传感器区域1104的矩形外周界。光刻胶1120中的该矩形开口是在光刻步骤期间利用光掩模中的矩形特征来实现的，该光刻步骤使光刻胶的一部分曝光，同时不使覆盖传感器区域1104和周围区域1110的那部分光刻胶曝光。该制造工艺的下一步骤将是使用溶剂来执行剥离工艺，以去除保留的光刻胶1120和覆盖光刻胶1120的那部分介电光学涂层，由此产生与图4(d)和5(d)所示结构相似的结构。然而，如上所述，常规剥离技术存在的问题是，在介电光学涂层沉积之后，由于光刻胶未完全暴露于溶剂（因为光刻胶被介电光学涂层所覆盖），所以剥离工艺通常需要非常长的浸泡持续时间（数小时量级）。

图12(a)、12(b)和12(c)是对应于图11中所示光传感器的一部分在制造工艺的不同步骤期间的立体横截面图。图12(a)示出在暴露于显影剂之后的（在传感器衬底上的）光刻胶的直侧壁的一部分。图12(b)示出在沉积介电光学涂层之后的同一部分。图12(c)示出作为剥离工艺的结果，介电光学涂层如何保留以及光刻胶如何被去除。

以上参考图6-10描述的本发明的实施例依赖于软烤工艺和/或温度循环工艺以有意地在覆盖光刻胶的介电光学涂层中形成微裂缝（以及潜在地引起介电光学涂层的层离），这使得剥离工艺能比未形成微裂缝（或形成微裂缝较少）时更迅速地执行。以下描述的本发明的附加实施例使用替代技术来有意地在覆盖光刻胶的介电光学涂层中形成微裂缝，且更具体地显著增加微裂缝的数量。因此，此类附加实施例还可用于显著减小剥离工艺所需的时间量。

发明人已经发现，微裂缝更容易在其上沉积了介电光学涂层的光刻胶的尖转角附近出现。在图11中，注意光刻胶1120中的矩形开口仅包括四个尖转角。为了增加在覆盖光刻胶的介电光学涂层中形成的微裂缝的数量，在光刻步骤期间（用于使光刻胶的一部分曝光，同时不使覆盖光电检测器传感器区域域的那部分光刻胶曝光）使用的光掩模中包括一个或多个虚设转角、虚设岛和/或虚设环。所增加的此类转角、岛和环被称为“虚设”特征，因为它们并非形成所制造的光传感器的下方特征所实际需要的，而是被包括以唯一用于增加微裂缝形成以及边缘表面区域、由此提高剥离效率和一致性。更具体地，附加转角增加局部应变，这导致与以上参考图6(d)和9(d)所描述的微裂缝相似的微裂缝。附加的边缘区域和微裂缝均加速光刻胶的去除。如从以下讨论的图14、16和19所理解的，与一个或多个虚设转角、虚设岛和/或虚设环相对应的特征将在光刻胶去除步骤之后被保留。然而，由于这些保留特征（可称为虚设特征）在有源光电检测器传感器区域之外，所以它们不会不利地影响最终光传感器的操作。

以下参考图13-19所描述的本发明的各实施例涉及在光掩模中添加虚设转角、虚设岛和/或虚设环（所有这些均添加附加转角），这导致光刻胶和介电光学涂层的周界处的附加转角和边缘表面区域。参考图13，其中示出了具有矩形周界的光电检测器传感器区域1304的俯视图，与图11中的情况一样。然后，与图11形成对比的是，在图13中，光刻胶的周界和介电光学涂层周界具有多个附加的90度转角1350。这些附加的转角1350（它们是虚设转角的示例）是通过在光掩模中添加虚设转角而获得的，该光掩模用于使光刻胶的选择部分曝光于UV光。相比于图11中的边缘表面区域，所添加的转角还使光刻胶和介电光学涂层的边缘表面区域（也称为周界表面区域）增大约40%。附加转角增加局部应变，这导致与以上参考图6(d)、8和9(d)所描述的微裂缝相似的数量增多的微裂缝。附加的边缘表面区域和附加的微裂缝均加速光刻胶的去除并提高剥离工艺极限。在图13中，光刻胶和介电光学涂层的周界包括总共四十四个转角，其中的四十个转角可被认为是虚设转角。

图14(a)、14(b)和14(c)是对应于图13中所示光传感器的一部分在制造工艺的不同步骤期间的立体横截面图。图14(a)示出在暴露于显影剂之后的光刻胶（在传感器衬底上）的侧壁的一部分，其中该侧壁与图12(a)相比包括额外的四个90度转角。图14(b)示出在沉积介电光学涂层之后的同一部分，类似地示出与图12(b)相比的额外四个90度转角。图14(c)示出作为剥离工艺的结果，介电光学涂层如何被保留以及光刻胶如何被去除。介电光学涂层的在图14(c)中示出但未在图12(c)中示出的那部分可被认为是虚设的介电光学涂层特征。然而，因为虚设介电光学涂层特征在光电检测器传感器区域之外，所以它不会不利地影响所得光传感器的功能。

参考图15，其中示出了具有矩形周界的光电检测器传感器区域1504的俯视图，与图11和13中的情况一样。还示出了被介电光学涂层所覆盖的周围区域1510（无下方的光电检测器传感器区域且无下方的光刻胶），以及被介电光学涂层所覆盖的经曝光的光刻胶1520。与图11形成对比的是，在图15中，光刻胶1520具有在传感器区域1504之外的若干矩形的虚设岛（示出了十个）。每个矩形的虚设岛1560（也可被称为光刻胶中的虚设岛开口）包括四个90度转角1550。这些附加转角1550（其也是虚设转角的示例）增加了局部应变，这导致与以上参考图6(d)、8和9(d)所描述的那些微裂缝相似的数量增多的微裂缝。附加的边缘表面区域和附加的微裂缝均加速光刻胶的去除并提高剥离工艺极限。在图15中，由于十个虚设岛1560中的每一个都增加四个虚设转角1550，所以存在总共四十个虚设转角1550。

图16(a)、16(b)和16(c)是对应于图15中所示光传感器的一部分在制造工艺的不同步骤期间的立体横截面图。图15(a)示出在暴露于显影剂之后的光刻胶（在传感器衬底上）的侧壁的一部分，其中该光刻胶层包括具有四个90度转角的矩形开口或窗口。图16(b)示出在沉积介电光学涂层之后的同一部分。图16(c)示出作为剥离工艺的结果，介电光学涂层如何被保留以及光刻胶如何被去除。介电光学涂层的在图16(c)中示出但未在图12(c)中示出的那部分可被认为是虚设的介电光学涂层特征。然而，因为虚设介电光学涂层特征在光电检测器传感器区域之外，所以它不会不利地影响所得光传感器的功能。

图17示出一实施例，该实施例本质上将参考图13和14所描述的实施例与参考图15和16所描述的实施例相组合。图17示出具有矩形周界的光电检测器传感器区域域1704，与图11、13和15中的情况一样。也示出了被介电光学涂层所覆盖的周围区域1710（无下方的光电检测器传感器区域且无下方的光刻胶），以及被介电光学涂层所覆盖的经曝光的光刻胶1720。在图17中，存在十四个虚设岛1760，每一个虚设岛提供四个虚设转角1750。此外，存在并非由虚设岛所提供的附加的四十个虚设转角1750。因此，在图17中，存在总共96个虚设转角1750。

图18和19示出以上参考图13-17所描述的实施例的另一变型。图18示出具有矩形周界的光电检测器传感器区域1804，与图11、13、15和17中的情况一样。也示出了被介电光学涂层所覆盖的周围区域1810（无下方的光电检测器传感器区域且无下方的光刻胶），以及被介电光学涂层所覆盖的经曝光光刻胶1820。提供了虚设环1870，该虚设环1870增加8个虚设转角1850。此外，与图11中的边缘表面积相比，虚设环1870使光刻胶和介电光学涂层的边缘表面积增大约100%。图19(a)、19(b)和19(c)是对应于图18中所示光传感器在制造工艺的不同步骤期间的立体横截面图。

尽管图13-19中所示的虚设转角被示为90度转角，但其它角度的虚设转角也是可能的，且在本发明的范围内。进一步地，应注意虚设转角中的每一个优选是尖锐转角（与圆转角相反），因为尖锐转角导致更多的局部应力，由此将产生更多的微裂缝。

参考图13-19所描述的实施例可与参考图6-8所描述的实施例和/或参考图8-9所描述的实施例相组合。

为了说明目的，以下提供介电光学涂层（也可被称为介电滤光器）的示例性附加细节。用于形成介电滤光器的介电材料可包括二氧化硅（SiO2）、硅烷(SixHy),氮化硅(SixNy)、氧氮化硅(SixOzNy)、氧化钽(TaxOy)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)以及类似物。滤光器中的交替诸个层在整个滤光器叠层中可具有恒定或变化的膜厚度，以实现所需的光学响应。通过小心地选择这些层的实际组分、厚度和数量，有可能调整该滤光器的反射率和透射率以产生几乎任何所需的光谱特性。例如，可将反射率提高至高于99.99%，以产生高反射（HR）涂层。可将反射率水平调谐至任何特定值，例如用于产生在一些波长范围上的反射镜，该反射镜将入射到其上的光反射90%并透射10%。此类反射镜通常用作分束器，且用作激光器中的输出耦合器。替代地，滤光器可设计成使得反射镜仅反射窄波长带中的光，从而产生反射性的滤光器。

一般而言，高折射率材料层和低折射率材料层彼此交替。该周期性的或交替的结构显著提高了称为止带的某些波长范围中的表面的反射率，该波长范围的宽度仅由所使用的两个折射率之比来确定（对于四分之一波系统），而最大反射率利用该叠层中的多个层被增大至接近100%。这些层的厚度一般是四分之一波长（从而与由相同材料组成的非四分之一波系统相比，它们产生最宽的高反射带），如此设计以使得所反射的光束彼此相长地干涉，以使反射最大化并使透射最小化。利用上述结构，高反射性涂层能在宽波长范围（可见光谱范围中的数十纳米）上实现非常高（例如99.9%）的反射率，以及在其它波长范围上的较低反射率，由此实现所需的光谱响应。通过操纵反射性叠层中的诸层的实际厚度和组分，可将反射特性调谐至所需的光谱响应，且既可纳入高反射性波长区又可纳入抗反射性波长区。该涂层可被设计成长通滤波器或短通滤波器、带通滤波器或陷波滤波器、或具有特定反射率的反射镜。

根据本发明的特定实施例，使用滤光器来对下方的光电检测器区域的光谱响应进行整形，以获得真实的人眼光谱响应，即与典型的人眼响应的光谱响应相似的光谱响应。替代的光谱响应也是可能的，而且在本发明的范围内。

现在将参考图20-22的高级流程图概述本发明的各个实施例。

图20用于概述以上参考图6-8所描述的短持续时间软烤实施例。参考图20，在步骤2002，包括光电检测器传感器区域的半导体衬底的表面被具有软化点（T_软化）的光刻胶所覆盖。在步骤2004，使用光刻技术来使光刻胶的一部分曝光，同时不曝光覆盖光电检测器传感器区域的那部分光刻胶。在步骤2006，使用显影剂去除覆盖光电检测器传感器区域的那部分光刻胶。在步骤2008，在光电检测器传感器区域上和未覆盖光电检测器传感器区域的光刻胶上沉积介电光学涂层。在步骤2010，在光刻胶的软化点（T_软化）的预定范围内在温度(T_软烤)下执行短持续时间软烤，由此在未覆盖光电检测器传感器区域的介电光学涂层中形成多个微裂缝和/或增加微裂缝的数量。在步骤2012，将未覆盖光电检测器传感器区域的光刻胶上的介电光学涂层剥离，以使所得的光传感器包括位于光电检测器传感器区域上方的介电光学涂层。从以上图6-8的讨论可理解图20中概述的技术的附加细节。

图21用于概述以上参考图9-10所描述的时间循环实施例。参考图21，图21的步骤2102、2104、2106和2108与以上参考图20所描述的步骤2002、2004、2006和2008相同，且不需要再次描述。在步骤2110，通过在至少两个温度T1与T2之间来回重复循环来执行温度循环，由此在未覆盖光电检测器传感器区域的介电光学涂层中形成多个微裂缝和/或增加微裂缝的数量。在特定实施例中，温度T2比温度T1高约50与120摄氏度之间。在步骤2112，将未覆盖光电检测器传感器区域的光刻胶上的介电光学涂层剥离，以使所得的光传感器包括位于光电检测器传感器区域上方的介电光学涂层。从以上图9-10的讨论可理解图21中概述的技术的附加细节。

图22用于概述以上参考图11-19所描述的实施例。参考图22，在步骤2202，用光刻胶覆盖包括光电检测器传感器区域的半导体衬底的表面。在步骤2204，使用光掩模来执行光刻以使光刻胶的一部分曝光，同时不曝光覆盖光电检测器传感器区域的那部分光刻胶。如以上参考图13、15、17和18所描述的，在步骤2204所使用的光掩模包括一个或多个虚设转角、虚设岛和/或虚设环。在步骤2206，使用显影剂去除覆盖光电检测器传感器区域的那部分光刻胶。在步骤2208，在光电检测器传感器区域和在步骤2206的去除之后留下的那部分光刻胶之上沉积介电光学涂层。在步骤2210，将未覆盖光电检测器传感器区域的光刻胶上的介电光学涂层去除，以使所得的光传感器包括位于光电检测器传感器区域上方的介电光学涂层。从以上图11-19的讨论可理解图22中概述的技术的附加细节。

经封装的光传感器在加速的可靠性测试期间典型地受到显著的热应力作用，包括温度循环、湿气敏感性等级（MSL）测试、高加速应力测试（HAST）等等。这些应力源自管芯衬底上的介电光学涂层下方的多个膜的热膨胀和收缩、以及封装密封材料（典型地为透明的环氧树脂）的热膨胀和收缩。这样的应力会引起介电光学涂层（覆盖并延伸在光电检测器传感器区域之外）的破裂和/或层离，从而降低产量。

根据本发明的具体实施例，添加了非正交的（例如45°，但不限于此）的切边转角，以提高覆盖光电检测器传感器区域的介电光学涂层的热可靠性。这样的实施例可从下文描述的图23和24中理解。

首先参考图23，该图与图15基本相同，区别之处在于，向介电光学涂层添加了切边的转角2380，以提高光电检测器传感器区域2304上的介电光学涂层的热可靠性。更具体地，图23示出具有矩形周界的光电检测器传感器区域2304的俯视图。还示出了被介电光学涂层所覆盖的周围区域2310（无下方的光电检测器传感器区域且无下方的光刻胶），以及被介电光学涂层所覆盖的经曝光的光刻胶2320。如同图15的情况一样，光刻胶2320具有位于传感器区域2304之外的矩形的虚设岛2360，这些虚设岛2360增加了虚设转角2350。切边的转角2380可通过在光刻步骤期间所使用的光掩模中包括切边的转角来实现，该光刻步骤使光刻胶的一部分曝光，同时不曝光覆盖光电检测器传感器区域2304和周围区域2310的那部分光刻胶。

接着参考图24，该图与图18基本相同，区别之处在于，向介电光学涂层添加了切边的转角2480，以提高光电检测器传感器区域2404上的介电光学涂层的热可靠性。更具体地，图24示出了具有矩形周界的光电检测器传感器区域2404、被介电光学涂层所覆盖的周围区域2410（无下方的光电检测器传感器区域且无下方的光刻胶）、被介电光学涂层所覆盖的经曝光的光刻胶2420、以及增加八个虚设转角2450的虚设环2470。

图23和24示出了如何在以上参考图11-19和22描述的实施例中包括切边的转角。切边的转角也可被包括在以上参考图6-10和21描述的实施例中。切边的转角不与本文所描述的其它实施例相组合的情况也在本发明的实施例的范围内。

图25用于概述以上参考图23和24所描述的实施例。参考图25，在步骤2502，用光刻胶覆盖包括光电检测器传感器区域的半导体衬底的表面。在步骤2504，使用光掩模来执行光刻以使光刻胶的一部分曝光，同时不曝光覆盖光电检测器传感器区域的那部分光刻胶。如以上参考图23和24所描述，用于不曝光覆盖光电检测器传感器区域的那部分光刻胶的光掩模的一部分包括切边的转角。在步骤2506，使用显影剂去除覆盖光电检测器传感器区域的那部分光刻胶。在步骤2508，在光电检测器传感器区域和在步骤2506的去除之后留下的光刻胶的那部分之上沉积介电光学涂层。在步骤2510，将未覆盖光电检测器传感器区域的光刻胶上的介电光学涂层去除，以使所得的光传感器包括位于光电检测器传感器区域上的介电光学涂层。由于在步骤2504所使用的光掩模中包括切边的转角，所以在步骤2510的剥离之后，介电光学涂层的延伸到光电检测器传感器区域之外的那部分包括切边的转角。从以上图23和24的讨论可理解图25中概述的技术的附加细节。

存在正类型和负类型这两种类型的光刻胶。当正性光刻胶曝光于UV光时，该光刻胶的化学结构改变，因此它变得更易在显影剂中溶解。然后，经曝光的光刻胶被显影剂洗掉，从而在光刻胶中在曝光于UV光的位置留下窗口。相应地，当使用正性光刻胶时，光掩模包括拟保留在晶片上的图案的原样副本。负性光刻胶以相反的方式工作。也就是说，曝光于UV光使得负性光刻胶变得更难在显影剂中溶解。因此，在负性光刻胶被曝光的位置处，负性光刻胶保留在表面上，且显影剂仅去除未经曝光的部分。因此，与负性光刻胶一起使用的光掩模包括拟转移的图案的逆像（或照相“负片”）。

在以上描述的实施例中，曾描述的光刻胶（例如620、920、1120、1230、1520、1720、1820、2320以及2420）作为负性光刻胶来工作，因此是负性光刻胶。然而，使用正性光刻胶代替负性光刻胶，也在本发明的实施例的范围内。相应地，步骤2004和2104（分别在图20和21中）可更一般地包括在光刻胶中界定图案。类似地，步骤2204（在图22中）可更一般地包括使用光掩模来执行光刻以在光刻胶中界定图案，该图案包括一个或多个虚设转角、虚设岛和/或虚设环。此外，步骤2504（在图25中）可更一般地包括使用光掩模来执行光刻，以在光刻胶中界定包括切边转角的图案。

本发明的诸实施例还涉及使用上述技术形成的光传感器，以及包括此类传感器的系统。

虽然在本文中图解说明并描述了特定实施例，但本领域普通技术人员将领会，被打算成达成相同目的的任何布置可被用于替代所示出的特定实施例。因此，很明确地旨在仅由权利要求和其等效物来限定本发明。

Claims (32)

1.一种用于制造光传感器的方法，包括：

(a)用光刻胶覆盖半导体衬底的表面，所述半导体衬底包括光电检测器传感器区域；

(b)使用光掩模来执行光刻，以在所述光刻胶中界定图案，所述图案包括位于所述光电检测器传感器区域之外的一个或多个虚设转角、虚设岛和/或虚设环；

(c)使用显影剂去除覆盖光电检测器传感器区域且覆盖包围光电检测器传感器区域的周围区域的一部分光刻胶，其中光刻胶的被去除的所述部分和光刻胶的保留的部分取决于在步骤(b)界定的所述图案；

(d)在所述光电检测器传感器区域上、在所述周围区域上、以及在未覆盖光电检测器传感器区域且在步骤(c)的去除之后保留的光刻胶上沉积介电光学涂层；以及

(e)剥离位于未覆盖光电检测器传感器区域的保留光刻胶之上的一部分介电光学涂层，使得介电光学涂层的保留部分覆盖所述光电检测器传感器区域和所述周围区域。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述一个或多个虚设转角、虚设岛和/或虚设环使得步骤(c)的去除能比不存在所述一个或多个虚设转角、虚设岛和/或虚设的情况更迅速地执行；

所述光刻胶在步骤(c)的去除之后保留的所述部分包括与所述光掩模中所包括的所述一个或多个虚设转角、虚设岛和/或虚设环相对应的特征；以及

在步骤(e)的剥离之后，所述光传感器包括位于所述光电检测器传感器区域之外的虚设介电光学涂层特征。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(b)，所述光掩模包括多个虚设转角。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(b)，所述光掩模包括一个或多个虚设岛。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(b)，所述光掩模包括一个或多个虚设环。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(e)包括执行化学溶剂浸泡不超过一小时。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(e)包括执行化学溶剂浸泡约15至30分钟之间。

8.一种光传感器，包括：

在半导体衬底中形成的光电检测器传感器区域；

介电光学涂层滤光器，其覆盖所述光电检测器传感器区域，且覆盖所述衬底的包围所述光电检测器传感器区域的周围区域；以及

位于所述光电检测器传感器区域之外的虚设介电光学涂层特征，其中所述虚设光学介电特征包括一个或多个虚设转角、虚设岛和/或虚设环。

9.如权利要求8所述的光传感器，其特征在于，延伸在所述光电检测器传感器区域之外且覆盖所述周围区域的一部分所述介电光学涂层滤光器包括多个虚设转角，所述多个虚设转角是所述虚设介电光学涂层特征。

10.如权利要求8所述的光传感器，其特征在于：

所述光电检测器传感器区域具有光电检测器覆盖范围；

所述介电光学涂层滤光器具有滤光器覆盖范围，所述滤光器覆盖范围大于且包含所述光电检测器覆盖范围；以及

所述虚设介电光学涂层特征包括所述介电光学涂层的位于所述滤光器覆盖范围之外的一个或多个虚设岛和/或虚设环。

11.如权利要求10所述的光传感器，其特征在于，所述滤光器覆盖范围包括与所述虚设介电光学涂层特征中的至少一些相对应的虚设转角。

12.如权利要求8所述的光传感器，其特征在于，所述介电光学涂层滤光器具有切边的转角。

13.一种用于制造光传感器的方法，包括：

(a)用光刻胶覆盖半导体衬底的表面，所述半导体衬底包括光电检测器传感器区域；

(b)使用光掩模来执行光刻，以界定包围所述光电检测器传感器区域的图案，所述图案包括切边的转角；

(c)使用显影剂去除覆盖光电检测器传感器区域且覆盖包围光电检测器传感器区域的周围区域的一部分光刻胶，其中光刻胶的被去除的所述部分和光刻胶的保留的部分取决于在步骤(b)界定的所述图案；

(d)在所述光电检测器传感器区域上、在所述周围区域上、以及在未覆盖光电检测器传感器区域且在步骤(c)的去除之后所保留的光刻胶上沉积介电光学涂层；以及

(e)剥离介电光学涂层的位于未覆盖光电检测器传感器区域的保留光刻胶之上的一部分介电光学涂层，使得介电光学涂层的保留部分覆盖所述光电检测器传感器区域和所述周围区域。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，由于在步骤(b)所使用的光掩模所界定的图案中所包括的切边的转角，在步骤(e)的剥离之后，所述介电光学涂层的延伸到所述光电检测器传感器区域之外的部分包括切边的转角。

15.一种光传感器，包括：

在半导体衬底中形成的光电检测器传感器区域；

介电光学涂层滤光器，其覆盖所述光电检测器传感器区域，且覆盖所述衬底的包围所述光电检测器传感器区域的周围区域；以及

其中所述介电光学涂层滤光器包括切边的转角。

16.如权利要求15所述的光传感器，其特征在于，所述介电光学涂层滤光器包括：

四个所述切边的转角；以及

由所述四个切边的转角所连接的四个外围边。

17.如权利要求15所述的光传感器，其特征在于：

所述光电检测器传感器区域具有光电检测器覆盖范围；

所述介电光学涂层滤光器具有滤光器覆盖范围，所述滤光器覆盖范围大于且包含所述光电检测器覆盖范围；以及

所述滤光器覆盖范围包括由四个切边的转角所连接的四个外围边。

18.如权利要求17所述的光传感器，其特征在于，所述四个外围边中的一个或多个包括虚设转角。

19.一种用于制造光传感器的方法，包括：

(a)用具有软化点（T_软化）的光刻胶来覆盖半导体衬底的表面，所述半导体衬底包括光电检测器传感器区域；

(b)使用光刻在所述光刻胶中界定图案；

(c)使用显影剂去除覆盖所述光电检测器传感器区域以及覆盖包围所述光电检测器传感器区域的周围区域的一部分所述光刻胶；

(d)在所述光电检测器传感器区域上、在所述周围区域上、以及在未覆盖光电检测器传感器区域且在步骤(c)的去除之后所保留的光刻胶上沉积介电光学涂层；

(e)在所述光刻胶的软化点（T_软化）的预定范围内在温度(T_软烤)下执行短持续时间软烤，由此在未覆盖所述光电检测器传感器区域的介电光学涂层中形成多个微裂缝和/或增加微裂缝的数量；以及

(f)剥离位于未覆盖光电检测器传感器区域的保留的光刻胶之上的一部分介电光学涂层，使得所述介电光学涂层的保留部分覆盖所述光电检测器传感器区域和所述周围区域。

20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，在步骤(e)执行的所述短持续时间软烤执行15分钟或更少时间。

21.如权利要求19所述的方法，其特征在于，在步骤(e)执行的所述短持续时间软烤执行约30分钟与60分钟之间。

22.如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述光刻胶的软化点（T_软化）的所述预定范围是软化点（T_软化）的+/-10摄氏度。

23.如权利要求19所述的方法，其特征在于，步骤(f)包括执行化学溶剂浸泡不超过一小时。

24.如权利要求19所述的方法，其特征在于，步骤(e)包括执行化学溶剂浸泡约15至30分钟之间。

25.一种用于制造光传感器的方法，包括：

(a)覆盖半导体衬底的表面，所述半导体衬底包括光电检测器传感器区域；

(b)使用光刻在所述光刻胶中界定图案；

(c)使用显影剂去除覆盖所述光电检测器传感器区域以及覆盖包围所述光电检测器传感器区域的周围区域的一部分所述光刻胶；

(d)在所述光电检测器传感器区域上、在所述周围区域上、以及在未覆盖光电检测器传感器区域且在步骤(c)的去除之后所保留的光刻胶上沉积介电光学涂层；

(e)在至少两个温度T1与T2之间来回重复地循环，其中温度T2比温度T1高约50与150摄氏度之间，由此在未覆盖所述光电检测器传感器区域的所述介电光学涂层中形成多个微裂缝和/或增加微裂缝的数量；以及

(f)剥离位于未覆盖光电检测器传感器区域的保留的光刻胶之上的一部分介电光学涂层，使得所述介电光学涂层的保留部分覆盖所述光电检测器传感器区域和所述周围区域。

26.如权利要求25所述的方法，其特征在于：

所述温度T1在约0至50摄氏度的范围内；以及

所述温度T2在约100至150摄氏度的范围内。

27.如权利要求25所述的方法，其特征在于，所述温度T2比所述温度T1高至少90摄氏度。

28.如权利要求25所述的方法，其特征在于：

步骤(e)在烤箱内执行；以及

在步骤(e)的在所述至少两个温度T1与T2之间来回重复循环期间，在转换至所述温度T1和T2中的另一个温度之前，所述烤箱的温度在所述两个温度T1和T2中的一个温度下保持至少10秒。

29.如权利要求25所述的方法，其特征在于，在步骤(e)的在至少两个温度T1与T2之间来回重复地循环的操作执行15分钟或更少时间。

30.如权利要求25所述的方法，其特征在于，在步骤(e)的在至少两个温度T1与T2之间来回重复地循环的操作执行约1分钟与2分钟之间。

31.如权利要求25所述的方法，其特征在于，步骤(f)包括执行化学溶剂浸泡不超过一小时。

32.如权利要求25所述的方法，其特征在于，步骤(f)包括执行化学溶剂浸泡约15至30分钟之间。

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