KR970706652A

KR970706652A - 탄성 표면파 장치(surface acoustic wave device)

Info

Publication number: KR970706652A
Application number: KR1019960706597A
Authority: KR
Inventors: 히데노리 아베; 히로시 혼모
Original assignee: 노미야마 아키히코; 가부시키가이샤 저팬 에너지
Priority date: 1995-04-11
Filing date: 1996-04-11
Publication date: 1997-11-03
Also published as: EP0766384A4; EP0766384B1; EP0766384A1; DE69632710D1; US5850167A; JP4014630B2; DE69632710T2; KR100407463B1; WO1996032777A1

Abstract

압전 기판상에 형성되어 N₁쌍의 입출력용 IDT와 N₂쌍의 접속용 IDT와 반사기를 가지는제1전극 구조열과, N₁쌍의 입출력용 IDT와 N₂쌍의 접속용 IDT와 반사기를 가지는 제2전극 구조열이 종속 접속되며, 제1전극 구조열의 접속용 IDT와 제2전극 구조열의 접속용 IDT가 종속 접속면에 대해 전기적으로 대칭이 되도록 배치되어 있다. 입출력용 IDT의 쌍수(N₁)와 접속용 IDT의 쌍수(N₂)는 다르며, 규격화 전극막 두께를 h/L로 했을때, 입출력용 IDT의 쌍수 N₁이, 수식 1을 만족한다. 삽입손실이 작고, 진폭 리플과 군지연시간 리플이 적으며, 비대역폭이 비교적 넓어, 쉐이프 펙터(shape factor)가 좋고, 대역외 감쇠량이 큰 우수한 특성을 실현할 수 있어서, 이동체 통신 등이 이용하는 필터, 특히, 디지탈 통신용의 중간 주파 필터로서 유용하다.

43-11(h/L)≤N₁≤61-11(h/L) (1)

Description

탄성 표면파 장치(SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE)

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명의 한 실시형태에 의한 탄성 표면파 장치의 전극 구조를 나타내는 도면이다, 제3도는 본 발명의 한 실시형태에 의한 탄성 표면파 장치에 있어서, 규격화 알루미늄막 두께(h/L)가 1.7%인 경우에, 빗모양 전극의 총쌍수(N₁+N₂)를 일정하게 하여, 빗모양 전극의 쌍수비(N₂/N₁)를 변화시킨 경우의 저역 스퓨리어스 레벨의 변화를 나타내는 그래프이다, 제5도는 본 발명의 한 실시형태에 의한 탄성 표면파 장치에 있어서, 규격화 알루미늄막 두께(h/L)가 1.0%인 경우에, 빗모양 전극의 총쌍수(N₁+N₂)를 일정하게 하여, 빗모양 전극의 쌍수비(N₂/N₁)를 변화시킨 경우의 저역 스퓨리어스 레벨의 변화를 나타내는 그래프이다, 제6도는 본 발명의 한 실시형태에 의한 탄성 표면파 장치에 있어서, 규격화 알루미늄막 두께(h/L)가 3.0%인 경우에, 빗모양 전극의 총쌍수(N₁+N₂)를 일정하게 하여, 빗모양 전극의 쌍수비(N₂/N₁)를 변화시킨 경우의 저역 스퓨리어스 레벨의 변화를 나타내는 그래프이다, 제7도는 본 발명의 한 실시형태에 의한 탄성 표면파 장치에 있어서, 규격화 알루미늄막 두께를 변화시킨 경우에, 저역측 스퓨리어스를 억제하는데 적절한 빗모양 전극의 쌍수비(N₂/N₁)의 범위 변화를 나타내는 그래프이다.

Claims

압전 기판과, 상기 압전 기판상에 형성되어 N₁쌍의 입출력용 IDT와, 상기 입출력용 IDT의 한쪽에 근접하여 배치된 N₂쌍의 접속용 IDT와, 상기 입출력용 IDT와 상기 접속용 IDT의 외측에 배치된 2개의 반사기를 가지는 제1전극 구조열과, 상기 압전 기판상에 형성되어 N₁쌍의 입출력용 IDT와, 상기 입출력용 IDT의 다른쪽에 근잡하여 배치된 N₂쌍의 접속용 IDT와, 상기 접속용 IDT와 상기 입출력용 IDT의 외측에 형성된 2개의 반사기를 지니며, 상기 제1전극 구조열과 종속 접속된 제2전극 구조열을 가지고, 상기 제1전극 구조열의 상기 접속용 IDT와 상기 제2전극 구조열의 상기 접속용 IDT가 종속 접속면에 대해 전기적으로 대칭이 되도록 배치되어 있는 탄성 표면파 장치로서, 상기 탄성 표면파 장치를 격자아암 임피던스와 직렬아암 임피던스로 나태내어지는 전기적으로 등가인 대칭격자형 회로로 나타냈을 때, 상기 격자아암 임피던스의 적어도 1개의 공진점과 적어도 1개의 반공진점 및 상기 직렬아암 임피던스의 적어도 1개의 공진점과 적어도 1개의 반공진점을 이용하여 통과대역을 형성하고, 상기 입출력용 IDT의 쌍수(N₁)와 상기 접속용 IDT의 쌍수(N₂)가 다른 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
제1항에 있어서, 상기 격자아암 임피던스의 적어도 2개의 공진점과 적어도 1개의 반공진점과, 상기 직렬아암 임피던스의 적어도 2개의 공진점과 적어도 2개의 반공진점을 이용하여 통과 대역을 형성한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
압전 기판과, 상기 압전 기판상에 형성되어 N₁쌍의 입출력용 IDT와, 상기 입출력용 IDT의 한쪽에 근접하여 배치된 N₂쌍의 접속용 IDT와, 상기 입출력용 IDT와 상기 접속용 IDT의 외측에 배치된 2개의 반사기를 가지는 제1전극 구조열과, 상기 압전 기판상에 형성되어 N₁쌍의 입출력용 IDT와, 상기 입출력용 IDT의 다른쪽에 근접하여 배치된 N₂쌍의 접속용 IDT와, 상기 접속용 IDT와 상기 입출력용 IDT의 외측에 형성된 2개의 반사기를 지니며, 상기 제1전극 구조열과 종속 접속된 제2전극 구조열을 가지고, 상기 제1전극 구조열의 상기 접속용 IDT와 상기 제2전극 구조열의 상기 접속용 IDT가 종속 접속면에 대해 전기적으로 대칭이 되도록 배치되어 있는 탄성 표면파 장치로서, 상기 입출력 IDT의 쌍수(N₁)와 상기 접속용 IDT의 쌍수(N₂)가 다르고, 상기 입출력용 IDT와 상기 접속용 IDT의 규격화 전극막 두께를 h/L로 했을 때, 상기 입출력용 IDT의 쌍수(N₁)가 수식(1)을 만족하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.

43-11(h/L)N₁ 61-11(h/L) (1)
제3항에 있어서, 상기 입출력용 IDT의 쌍수(N₁)가 수식(2)를 만족하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.

50-11(h/L)N₁ 59-11(h/L) (2)
압전 기판과, 상기 압전 기판상에 형성되어 N₁쌍의 입출력용 IDT와, 상기 입출력용 IDT의 한쪽에 근접하여 배치된 N₂쌍의 접속용 IDT와, 상기 입출력용 IDT와 상기 접속용 IDT의 외측에 배치된 2개의 반사기를 가지는 제1전극 구조열과, 상기 압전 기판상에 형성되어 N₁쌍의 입출력용 IDT와, 상기 입출력용 IDT의 다른쪽에 근접하여 배치된 N₂쌍의 접속용 IDT와, 상기 접속용 IDT와 상기 입출력용 IDT의 외측에 형성된 2개의 반사기를 가지며, 상기 제1전극 구조열과 종속 접속된 제2전극 구조열을 가지고, 상기 제1전극 구조열의 상기 접속용 IDT와 상기 제2전극 구조열의 상기 접속용 IDT가 종속 접속면에 대해 전기적으로 대칭이 되도록 배치되어 있는 탄성 표면파 장치로서, 상기 입출력용 IDT의 쌍수(N₁)와 상기 접속용 IDT의 쌍수(N₂)가 다르고, 상기 입출력용 IDT와 상기 접속용 IDT의 규격화 전극막 두께를 h/L로 했을 때, 상기 접속용 IDT의 쌍수(N₂)와 상기 입출력용 IDT의 쌍수(N₁)의 비(N₂/N₁)가 수식(3)을 만족하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.

0.542-0.021(h/L)+0.029(h/L)² N₂/N₁ 0.734-0.028(h/L)+0.029(h/L)²(3)
제5항에 있어서, 상기 접속용 IDT의 쌍수(N₂)와 상기 입출력용 IDT의 쌍수(N₁)의 비(N₂/N₁)가, 수식(4)를 만족하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.

0.597-0.020(h/L)+0.027(h/L)² N₂/N₁ 0.690-0.032(h/L)+0.031(h/L)²(4)
압전 기판과, 상기 압전 기판상에 형성되어 N₁쌍의 입출력용 IDT와, 상기 입출력용 IDT의 한쪽에 근접하여 배치된 N₂쌍의 접속용 IDT와, 상기 입출력용 IDT와 상기 접속용 IDT의 외측에 배치된 2개의 반사기를 가지는 제1전극 구조열과, 상기 압전 기판상에 형성되어 N₁쌍의 입출력용 IDT와, 상기 입출력용 IDT의 다른쪽에 근접하여 배치된 N₂쌍의 접속용 IDT와, 상기 접속용 IDT와 상기 입출력용 IDT의 외측에 형성된 2개의 반사기를 가지며, 상기 제1전극 구조열과 종속 접속된 제2전극 구조열을 가지고, 상기 제1전극 구조열의 상기 접속용 IDT와 상기 제2전극 구조열의 상기 접속용 IDT가 종속 접속면에 대해 전기적으로 대칭이 되도록 배치되어 있는 탄성 표면파 장치로서, 상기 입출력용 IDT의 쌍수(N₁)와 상기 접속용 IDT의 쌍수(N₂)가 다르고, 상기 입출력용 IDT와 상기 접속용 IDT의 규격화 전극막 두께를 h/L로 했을 때, 상기 접속용 IDT의 쌍수(N₂)와 상기 입출력용 IDT의 쌍수(N₁)의 비(N₂/N₁)가, 수식(3)을 만족하고, 상기 입출력용 IDT의 쌍수(N₁)가 수식(1)을 만족하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.

0.542-0.021(h/L)+0.029(h/L)² N₂/N₁ 0.734-0.028(h/L)+0.029(h/L)²(3)

43-11(h/L)N₁ 61-11(h/L) (1)
제7항에 있어서, 상기 접속용 IDT의 쌍수(N₂)와 상기 입출력용 IDT의 쌍수(N₁) 비(N₂/N₁)가, 수식(4)을 만족하고, 상기 입출력용 IDT의 쌍수(N₁)가, 수식(2)를 만족하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.

0.597-0.020(h/L)+0.027(h/L)² N₂/N₁ 0.690-0.032(h/L)+0.031(h/L)²(4)

50-11(h/L)N₁ 59-11(h/L) (2)
압전 기판과, 상기 압전 기판상에 형성되어 N₁쌍의 입출력용 IDT와, 상기 입출력용 IDT의 한쪽에 근접하여 배치된 N₂쌍의 접속용 IDT와, 상기 입출력용 IDT와 상기 접속용 IDT의 외측에 배치된 2개의 반사기를 가지는 제1전극 구조열과, 상기 압전 기판상에 형성되어 있는 N₁쌍의 입출력용 IDT와, 상기 입출력용 IDT의 다른쪽에 근접하여 배치된 N₂쌍의 접속용 IDT와, 상기 접속용 IDT와 상기 입출력용 IDT의 외측에 형성된 2개의 반사기를 가지며, 상기 제1전극 구조열과 종속 접속된 제2전극 구조열을 가지고, 상기 제1전극 구조열의 상기 접속용 IDT와 상기 제2전극 구조열의 상기 접속용 IDT가 종속 접속면에 대해 전기적으로 대칭이 되도록 배치되어 있는 탄성 표면파 장치로서, 상기 입출력용 IDT외 쌍수(N₁)와 상기 접속용 IDT의 쌍수(N₂)가 다르고, 통과 대역 중앙의 주파수(fo)에서의 공역 영상 임피던스를 Zo=R(fo)+jI(fo)로 하여, 상기 통과 대역내에서 n개로 분할했을 때의 각 점(fi)에서의 주파수의 공역 영상 임피던스를 z(fi)=R(fi+jI(fi)(i=1,2,3,…,n)로 했을 때, 수식(5)로 나타내어지는 규격화 공역 영상 임피던스 지승편차(DCII)가 수식(6)을 만족하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.

DCII={(R(fi)-R(fo))²}^1/2/(nR(fo))+{(I(fi)-I(fo))²}^1/2/(nI(fo)) (5)

0DCII0.2 (6)
제9항에 있어서, 상기 규격화 공역 영상 임피던스 자승편차(DCII)가 수식(7)을 만족하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.

0DCII0.13 (7)
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 압전 기판이 4붕산 리튬 기판인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.