KR970702580A - 수직 방향 집적을 위한 반도체 소자 및 그 제조 방법(semiconductor component designed for vertical integration, and method of manufacturing the component) - Google Patents

수직 방향 집적을 위한 반도체 소자 및 그 제조 방법(semiconductor component designed for vertical integration, and method of manufacturing the component)

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헬무트 클로제
베르너 베버
엠머리히 베르타크놀리
지크마르 쾨페
홀거 휘프너
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로더리히 네테부쉬;롤프 옴케
지멘스 악티엔게젤샤프트
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Abstract

제시된 소자의 상측 표면이 호울을 가진 절연 층(7)을 포함하는 층 구조를 가지며, 접촉 금속화 부분(8)은 상기 절연 층의 상측 표면에 그리고 전기적인 접촉을 위한 금속화 부분의 영역에 제공된다. 금속 접촉 포스트(12)는 커버하는 유전체에 있는 호울을 채우며, 이 포스트는 상기 소자의 호울(14)에서 접촉 금속화 부분의 개방 단부로 탄력적으로 이동할 수 있도록 상기 접촉 금속화 부분에 남아있으며, 이 접촉 금속화 부분의 다른 단부는 층 구조에 고정되어 있다. 이는 그 위에 수직으로 배열되는 다른 소자와 상기 소자의 역접촉을 허용한다. 2개 소자의 평면형 상측 표면을 서로 접촉시킬 수 있는데, 다른 소자에 있는 접촉(15)을 누르는 포스트(12)가 뒤로 상기 호울(14) 안으로 밀려지기 때문이며, 이 접촉 금속화 부분의 탄성력은 접촉부 사이의 충분히 신뢰할만한 전기적인 접촉을 보장한다.

Description

수직 방향 집적을 위한 반도체 소자 및 그 제조 방법(SEMICONDUCTOR COMPO-NENT DESIGNED FOR VERTICAL INTEGRATION, AND METHOD OF MANUFACTURING THE COMPONENT)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 소자의 전형적인 실시예의 횡단면도.

Claims (8)

  1. 하나의 상측이 그의 반도체 소자와의 연결을 위해 제공되며, 이 경우 하나의 접촉 포스트(12)가 금속으로 이루어져 상측 위로 튀어나오며, 이 접촉 포스트(12)가 연결 금속과 부분(8)에 장착되고, 이 연결 금속화 부분(8)은 구조화된 금속층이며, 이것은 반도체 소자의 층 구조에 고정되며 또한 이 접촉 포스트(12)를 가지는 부분이 반도체 소자에 위치하는 개구(14)에서 움직이고, 및 이 연결 금속화 부분(8)이 반도체 소자에 집적되는 기능 소자의 접속부와 상기 접촉 포스트(12)를 전기 전도성으로 연결시키는, 상기의 상측을 가지는 반도체 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 접속부가 금속화 부분(8)을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 상측이 접착층을 가지며, 이것으로 그의 반도체 소자와의 영구적인 연결이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  4. 제1항 내지 제3항 중 한 항에 따른 반도체 소자의 제조 방법에 있어서, 첫 번째 단계에서 기판(1)에 상기 반도체 소자의 미리 제공된 기능에 의해 결정되는 층 구조가 디포짓되며, 두 번째 단계에서 절연층(7)이 디포짓되며, 또한 전기적인 접속을 위해 제공되는 영역이 제거되며, 세 번째 단계에서 연결 금속화 부분(8)이 디포짓되어 구조화되고, 네 번째 단계에서 유전체 전체 면적이 디포짓되며, 다섯 번째 단계에서 이 유전체에 하나의 호울이 만들어지므로, 연결 금속화 부분(8)이 제거되며, 여섯 번째 단계에서 이 호울이 상기 접촉 포스트(12)의 형성을 위한 금속으로 채워지고, 일곱 번째 단계에서 상기 접촉 포스트(12)가 제공된 것처럼 상측 위로 튀어나올 정도가 유전체로부터 제거되며, 및 여덟 번째 단계에서 상기 접촉 포스트(12) 및 이에 접하는 연결 금속화 부분(8)의 영역에 에워싸는 개구(14)의 에칭을 통해 제거되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 전체 면적에서 첫 번째 유전체층(9), 에칭 정지층(10) 및 유전체층(11)이 디포짓되므로써, 네 번째 단계가 실시되고, 하나의 호울이 이 유전체(9, 11)안으로 및 에칭 정지층(10) 안으로 에칭되어, 연결 금속화 부분이 제거되므로써, 다섯 번째 단계가 실시되고, 및 제2의 유전체 층(11)이 에칭 정지면(10)까지 제거되므로써, 일곱 번째 단계가 실시되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  6. 또 다른 반도체 소자를 테스트하기 위해 제1항 내지 제3항 중 한 항에 따른 반도체 소자의 이용에 있어서, 이 반도체 소자가 이 테스트에 정합되는 기능적인 구조를 가지며, 및 어느 하나의 반도체 소자의 상기 접촉 포스트(12)가 다른 하나의 반도체 소자의 접점에 대한 전도성 연결을 위해 충분히 고정되도록 압착되는 것을 특징으로 하는 이용.
  7. 상기 접촉 포스트(12)가 그의 반도체 소자의 접점(15)에 전도성 연결을 위해 충분히 단단하게 압착되므로써, 반도체 소자의 상측이 이것과 수직으로 연결되는 그의 반도체 소자의 상측과 접촉되며, 및 이런 배열이 문제 없이 기능하는 경우 이 반도체 소자의 영구적인 연결일 형성되는 것을 특징으로 하는 수직 방향 집적되는 소자를 구성하기 위해 제1항 내지 제3항 중 한 항에 따른 반도체 소자의 용도.
  8. 제7항에 있어서, 상기 반도체 소자들 중 적어도 하나는 다른 반도체 소자와 연결되는 표면에서 접착층을 가지며 및 이 반도체 소자들의 영구적인 연결은 상기 접착층의 접착 특성의 활성화를 통해 유발되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 용도.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960705301A 1994-03-29 1995-03-07 수직 방향 집적을 위한 반도체 소자 및 그 제조 방법(semiconductor component designed for vertical integration, and method of manufacturing the component) KR970702580A (ko)

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