KR970077739A - 융기된 내부 링을 가지는 전력 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents

융기된 내부 링을 가지는 전력 트랜지스터 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
전력 트랜지스터 및 그 제조방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
항복전압특성이 저감되지 않으면서도 온상태에서 낮은 저항값을 가지는 전력 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
개시된 전력 트랜지스터는 반도체 영역중 드리프트영역의 일부표면과 게이트 산화막의 하부간에서, 드레인영역의 표면을 기준으로 융기적으로 형성된 제2도전형의 내부링 영역을 가짐에 의해, 온 상태에서의 저항값이 작아지도록 한 것을 특징으로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
항복전압 및 출력특성이 높은 전력 트랜지스터로서 사용.

Description

융기된 내부 링을 가지는 전력 트랜지스터 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일 실시예에 따른 전력 트랜지스터의 단면구조도.

Claims (5)

  1. 반도체 기판의 상부에 제1도전형의 반도체 영역과; 상기 반도체 영역의 표면상에서 하부로 소정위치에 형성된 제2도전형의 제1도핑영역과; 상기 반도체 영역의 표면상에서 하부로 드레인 또는 소오스 영역을 형성하기 위해 상기 제1도핑영역으로부터 상기 반도체영역내의 드리프트영역만큼 이격된 제1 또는 제2도전형의 제2도핑영역과; 상기 제1도핑영역의 표면상에서 하부로 소오스 또는 드레인 영역을 형성하기 위해 상기 제1도핑영역내에서 표면상 채널영역이 남겨지도록 형성된 제1도전형의 제3도핑영역과; 상기 채널영역 및 상기 채널영역에 접한 상기 드리프트영역의 일부상에 위치된 산화막을 통하여 형성된 게이트층을 가지는 전력 트랜지스터에 있어서; 상기 드리프트영역의 일부표면과 상기 산화막의 하부간에서, 상기 제2 및 제3도핑영역의 표면을 기준으로 융기적으로 형성된 제2도전형의 내부링영역을 가짐에 의해, 온 상태에서의 저항값이 작아지도록 한 것을 특징으로 하는 전력 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형의 반도체 영역은 상기 반도체 기판의 상부에 매몰 산화막층을 더 가짐을 특징으로 하는 전력 트랜지스터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 내부링 영역은 보론이온의 주입에 의해 제2도전형이 됨을 특징으로 하는 전력 트랜지스터.
  4. 제1항에 있어서, 상기 내부링 영역의 단면 형태는 대체로 사다리 꼴을 취하고, 상기 게이트 층은 상기 산화막상부의 일부에서 경사진 계단형태를 이룸을 특징으로 하는 전력 트랜지스터.
  5. 수평형 전력 트랜지스터의 제조방법에 있어서; 반도체 기판의 상부에 제1도전형의 반도체 영역을 형성하는 단계와; 상기 반도체 영역상부에 질화막을 도포한 다음 내부링이 위치할 부분이외의 부분에 도포되어진 질화막만을 제거하고, 실리콘 국부산화공정으로써 융기영역을 만든 후, 나머지의 질화막을 제거하고나서 상기 만들어진 융기영역에 제2도전형의 불순물 이온을 주입하여 후속의 공정에서 만들어질 드레인 또는 소오스 영역의 표면위로 융기된 내부링 영역을 형성하는 단계와; 상기 반도체 영역의 상부에 상기 국부산화공정의 결과로써 존재하는 산화막을 전체적으로 제거한 후, 재산화공정으로써 산화막을 입히고 나서, 수평형 이중확산 모오스 제조공정에 의해 제1,2, 및 3도핑영역과 금속 전극층들을 형성하는 단계를 가짐을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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