KR970077230A - 리프팅 현상 방지를 위한 반도체 메모리 장치의 제조 방법 - Google Patents
리프팅 현상 방지를 위한 반도체 메모리 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970077230A KR970077230A KR1019960018342A KR19960018342A KR970077230A KR 970077230 A KR970077230 A KR 970077230A KR 1019960018342 A KR1019960018342 A KR 1019960018342A KR 19960018342 A KR19960018342 A KR 19960018342A KR 970077230 A KR970077230 A KR 970077230A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conductive film
- film
- memory device
- semiconductor memory
- conductive
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 도핑물질로 도핑된 다결정실리콘막 및 그 상부표면의 금속막 형성시 계면에 발생하는 리프팅 현상을 현저히 방지하고, 이물질에 의한 계면에서의 접착력의 감소를 방지할 수 있는 반도체 메모리 장치의 제조방법을 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 기판상에 전도층 또는 저항층을 형성하기 위한 반도체 메모리 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 기판의 상부표면에 절연막을 형성하는 과정과, 상기 절연막 상부표면에 도핑물질로 도핑된 제1도전막을 확산 또는 이온주입을 통하여 침적하는 과정과, 상기 제1도전막 상부표면에 비도핑된 제2도전막을 침적하는 과정과, 상기 제2도전막 상부표면에 제3도전막을 형성하는 과정과, 상기 제2도전막을 상기 제1도전막과 동일한 도핑물절로 도핑하기 위한 상기 제1도전막 및 상기 제2도전막을 동시에 열처리하는 과정을 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 반도체 메모리 장치에 적합하게 사용된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2(a)∼(e)도는 본 발명의 일실시예에 따른 다결정실리콘막 및 금속막형성 수순을 보여주는 공정단면도.
Claims (9)
- 기판상에 전도층 또는 저항층을 형성하기 위한 반도체 메모리 장치의 제조방법에 있어서, 상기 기판의 상부표면에 절연막을 형성하는 과정과, 상기 절연막 상부표면에 도핑물질로 도핑된 제1도전막을 확산 또는 이온 주입을 통하여 침적하는 과정과, 상기 제1도전막 상부표면에 비도핑된 제2도전막을 침적하는 과정과,상기 제2도전막 상부표면에 제3도전막을 형성하는 과정과, 상기 제2도전막을 상기 제1도전막과 동일한 도핑물질로 도핑하기 위한 상기 제1도전막 및 상기 제2도전막을 동시에 열처리하는 과정을 포함함을특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도핑물질이 도우너 또는 억셉터로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 도우너가 인성분(POCl3)으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전막 및 제2도전막이 다결정실리콘막으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3도전막이 금속막질로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 금속막질이 실리사이드로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열처리는 상기 제1도전막내의 상기 도핑물질을 상기 제2도전막으로 확산되게 함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2도전막은 상기 제1도전막 및 제3도전막의 폭보다 좁게 형성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전막이 상기 도핑물질로 도핑하지 않으면 저항으로 이루어지게 됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960018342A KR970077230A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 리프팅 현상 방지를 위한 반도체 메모리 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960018342A KR970077230A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 리프팅 현상 방지를 위한 반도체 메모리 장치의 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970077230A true KR970077230A (ko) | 1997-12-12 |
Family
ID=66284057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960018342A KR970077230A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 리프팅 현상 방지를 위한 반도체 메모리 장치의 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970077230A (ko) |
-
1996
- 1996-05-28 KR KR1019960018342A patent/KR970077230A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR940006248A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
US5541137A (en) | Method of forming improved contacts from polysilicon to silicon or other polysilicon layers | |
KR930011301A (ko) | 서브-마이크로 메터 집적회로의 얕은 접합 형성방법 | |
KR910001886A (ko) | 반도체장치와 그 제조방법 | |
KR19990030078A (ko) | 게이트 구조 및 이 게이트 구조에서 도펀트 외부확산을 최소화하는 방법 | |
KR890005840A (ko) | 저항성 접촉을 갖는 반도체 장치의 제조방법 | |
CA1150416A (en) | Semiconductor device and method for production thereof | |
SE9803767D0 (sv) | Method for semiconductor manufacturing | |
SE9704211L (sv) | Halvledarkomponent och tillverkningsförfarande för halvledarkomponent | |
KR850002693A (ko) | SOI(Silican On Insulator) 기판상에 형성된 래터럴 바이플라 트랜지스터(Lateral Bipolar Transistor) | |
US5543350A (en) | SRAM resistor tab doping by plug implant from buried contact | |
KR970054357A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
KR970077230A (ko) | 리프팅 현상 방지를 위한 반도체 메모리 장치의 제조 방법 | |
KR970030676A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
KR930009116A (ko) | 박막트랜지스터와 그의 제조방법 | |
TW363224B (en) | Semiconductor element connecting device and method for fabricating the same | |
KR940008137A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR0150122B1 (ko) | 반도체 저항 소자 및 그 제조 방법 | |
JPH01205417A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2001358088A (ja) | 半導体装置 | |
KR960043115A (ko) | 폴리사이드 배선 구조를 가지는 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
KR970003984A (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
KR950010260A (ko) | 반도체 장치의 레이저 링크 프로그래밍에 의한 배선형성 방법 | |
KR900002410A (ko) | 반도체 장치의 금속배선막 제조방법 | |
KR960026217A (ko) | 반도체 소자 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |