KR970076866A - 이이피롬(eeprom)의 독출용 바이어스 전압 발생 장치 - Google Patents
이이피롬(eeprom)의 독출용 바이어스 전압 발생 장치 Download PDFInfo
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Abstract
이이피롬 셀의 제어 게이트에 제공되는 독출용 바이어스 전압을 가변시킬 수 있는 전압 발생 장치가 개시된다.
본 발명에 따른 이이피롬의 독출용 바이어스 전압 발생 장치는 각각 소정의 턴온 저항을 가지며, 턴온 저항의 조합에 의해 결정되는 분압비에 의해 소정의 공급 전압을 분압시켜 독출용 바이어스 전압으로 제공하는 복수의 트랜지스터들; 및 외부에서 인가되며 상기 트랜지스터들의 온오프를 제어하는 분압비 선택 신호를 저장하고, 이를 상기 트랜지스터들의 턴온 제어 신호로서 제공하는 제어 레지스터를 포함한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 독출용 바이어스 전압 발생 장치의 구성을 보이는 도면이다.
Claims (2)
- 이이피롬의 독출용 바이어스 전압을 발생하는 장치에 있어서, 각각 소정의 턴온 저항을 가지며, 턴온 저항의 조합에 의해 결정되는 분압비에 의해 소정의 공급 전압을 분압시켜 독출용 바이어스 전압으로 제공하는 복수의 트랜지스터들; 및 외부에서 인가되며 상기 트랜지스터들의 온오프를 제어하는 분압비 선택 신호를 저장하고, 이를 상기 트랜지스터들의 턴온 제어 신호로서 제공하는 제어 레지스터를 포함하는 이이피롬의 독출용 바이어스 전압 발생 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제어 레지스터는 상기 트랜지스터들의 개수에 상응하는 비트수를 가지며, 각 비트의 상태는 상기 트랜지스터의 온오프 상태에 상응하는 것을 특징으로 하는 아이피롬의 독출용 바이어스 전압 발생 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960018206A KR970076866A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 이이피롬(eeprom)의 독출용 바이어스 전압 발생 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960018206A KR970076866A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 이이피롬(eeprom)의 독출용 바이어스 전압 발생 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970076866A true KR970076866A (ko) | 1997-12-12 |
Family
ID=66284449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960018206A KR970076866A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 이이피롬(eeprom)의 독출용 바이어스 전압 발생 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970076866A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8125827B2 (en) | 2008-07-23 | 2012-02-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flash memory systems and operating methods using adaptive read voltage levels |
-
1996
- 1996-05-28 KR KR1019960018206A patent/KR970076866A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8125827B2 (en) | 2008-07-23 | 2012-02-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flash memory systems and operating methods using adaptive read voltage levels |
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