KR970071793A - 멀티레벨 스토리지 반도체 장치 - Google Patents

멀티레벨 스토리지 반도체 장치 Download PDF

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KR970071793A
KR970071793A KR1019960010817A KR19960010817A KR970071793A KR 970071793 A KR970071793 A KR 970071793A KR 1019960010817 A KR1019960010817 A KR 1019960010817A KR 19960010817 A KR19960010817 A KR 19960010817A KR 970071793 A KR970071793 A KR 970071793A
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Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
멀티레벨 스토리지 반도체 장치에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
멀티레벨의 셀데이타를 저장 및 출력하기 위한 멀티레벨 스토리지 반도체 장치에 관한 것이다.
3. 발명의 해결방법의 요지
하나의 저장 커패시터와 하나의 구동 트랜지스터의 유닛셀을 가지며 멀티레벨의 셀 데이타를 저장 및 출력하기 위한 멀티레벨 스토리지 반도체 장치에 있어서; 입력되는 데이타를 합성하기 위한 제1스위칭부와; 상기 제1스위칭부로부터 합성된 데이타를 입력으로 하여 그 데이타를 아날로그 신호로 변환하고 그 변환된 신호를 제2스위칭부로 출력하여 상기 유닛셀에 멀틸레벨화된 데이타를 저장하기 위한 컨버터와; 저장된 상기 유닛셀의 데이타가 비트라인과의 차아지 셰어링 후에 아날로그 신호를 디지탈 신호로 변화시켜 그 데이타를 출력버퍼로 전송하기 위한 멀티레벨 센스앰프로 이루어지는 것을 요지로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
멀티레벨의 셀데이타를 저장 및 출력하기 위한 멀티레벨 스토리지 반도체 장치에 적합하다.

Description

멀티레벨 스토리지 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 따른 멀티레벨 스토리지 반도체 장치를 보인 도면.

Claims (7)

  1. 하나의 저장 커패시터와 하나의 구동 트랜지스터의 유닛 셀을 가지며 멀티레벨의 셀 데이타를 저장 및 출력하기 위한 멀티레벨 스토리지 반도체 장치에 있어서; 입력되는 데이타를 합성하기 위한 제1스위칭부와; 상기 제1스위칭부로부터 합성된 데이타를 입력으로 하여 그 데이타를 아날로그 신호로 변환하고 그 변환된 신호를 제2스위칭부로 출력하여 상기 유닛셀에 멀틸레벨화된 데이타를 저장하기 위한 컨버터와; 저장된 상기 유닛셀의 데이타가 비트라인과의 차아지 셰어링 후에 아날로그 신호를 디지탈 신호로 변화시켜 그 데이타를 출력버퍼로 전송하기 위한 멀티레벨 센스앰프로 이루어지는 것을 특징으로 하는 멀티레벨 스토리지 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 컨버터는 전원전압과 접지전압 사이에 채널이 직렬 연결된 제1피형 및 제1엔형 트랜지스터로 이루어진 바이어싱부와, 상기 제1피형 트랜지스터와 각기의 게이트가 공통 연결되고 전원전압과 입출력라인 사이에 채널이 직렬 연결되는 다수의 피형 및 엔형 트랜지스터로 구성되고, 상기 다수의 엔형 트랜지스터는 데이타입력부의 데이타입력신호에 의해 게이팅되어 라이트할 데이타 정보를 상기 유닛셀에 리스토어하는 것을 특징으로 하는 멀티레벨 스토리지 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서; 상기 컨버터의 입출력라인은 그 입출력라인과 접지전압 사이에 유효저항부를 더 가지고 전류의 출력이 상기 유효저항부를 통하여 전압으로 변환되며 그 변환된 전압이 상기 유닛셀에 저장되는 것을 특징으로 하는 멀티레벨 스토리지 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서; 상기 멀티레벨 센스앰프는 멀티레벨의 셀 데이타와 기준전압과의 미세한 전압 차이를 센싱하여 그 센싱된 신호를 디지탈화하여 증폭출력하는 것을 특징으로 하는 멀티레벨 스토리지 반도체 장치.
  5. 멀티레벨 스토리지 반도체 장치의 멀티레벨의 셀 데이타를 리드하기 위한 동작방법에 있어서; 아날로그 신호를 저장하고 있는 셀 중 지정된 워드라인이 선택되면 상기 셀 데이타와 비트라인의 차아지 셰어링하는 과정과, 멀티레벨 센싱동작을 수행하고 상기 아날로그 신호를 디지탈 신호로 변환하고 그 변환된 신호를 입출력 라인으로 전송하는 과정과, 상기 입출력라인으로 전송된 데이타를 데이타 출력버퍼와 연결된 데이타입출력 라인으로 전송하는 과정과, 상기 데이타 출력버퍼에서 시권셀 타이밍으로 외부 시스템으로 전송하고, 각기의 상기 데이타입출력라인이 매칭되게 외부시스템으로 전송하는 과정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 스토리지 반도체 장치의 리드 동작방법.
  6. 제5항에 있어서; 상기 멀티레벨 센싱동작은 상기 리이드 동작시 지정된 데이타가 비트라인과의 차아지 셰어링 후에 아날로그 신호를 디지탈 신호로 변환하여 그 데이타를 상기 데이타 출력버퍼로 전송하는 것을 특징으로 하는 멀티레벨 스토리지 반도체 장치의 리드 동작방법.
  7. 제5항에 있어서; 상기 멀티레벨 센싱동작은 아날로그 신호를 디지탈 신호로 변환하고 상기 데이타출력 라인으로 그 신호를 전송할때 컨버터에서는 입력되는 디지탈신호를 아날로그 신호로 컨버팅하여 아날로그화된 데이타를 셀에 리스토어하는 것을 특징으로 하는 멀티레벨 스토리지 반도체 장치의 리드 동작방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960010817A 1996-04-10 1996-04-10 멀티레벨 스토리지 반도체 장치 KR0177783B1 (ko)

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