KR970069948A - 다이아몬드 미세가공 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다이아몬드 미세가공 방법에 관한 것으로 고가의 장비가 필요치 않고 공정시간을 단축시키며 미세한 패턴 형성이 용이한 다이아몬드 미세가공 방법을 제공하기 위한 것이다.
이를 위한 본 발명의 다이아몬드 미세가공 방법은 기판을 마련하는 스텝, 상기 기판상에 제1버퍼층을 형성하는 스텝, 상기 제1버퍼층상에 상기 기판 및 제1버퍼층을 보다 더 큰 전하전이속도를 갖는 제2버퍼층을 형성하는 스텝, 상기 제1, 제2버퍼층을 선택적으로 제거하여 기판표면을 소정부분 노출시키는 스텝, 노출된 기판표면과 남겨진 제1, 제2버퍼층의 전면에 다이아몬드를 증착하는 스텝, 상기 제2버퍼층과 그 표면부에 형성된 부산물을 제거하는 스텝을 포함하여 이루어진다.

Description

다이아몬드 미세가공 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (15)

  1. 기판을 마련하는 스텝; 상기 기판상에 제1버퍼층을 형성하는 스텝; 상기 제1버퍼층상에 상기 기판 및 제1버퍼층 보다 큰 전하전이속도를 갖는 제2버퍼층을 형성하는 스텝; 상기 제1, 제2버퍼층을 선택적으로 제거하여 기판표면을 선택적으로 노출시키는 스텝; 노출된 기판표면과 남겨진 제1, 제2버퍼층의 전면에 다이아몬드를 증착하는 스텝; 상기 제2버퍼층과 그 표면부에 형성된 부산물을 제거하는 스텝을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 다이아몬드 미세가공 방법.
  2. 제1항에 있어서, 기판물질은 반도체, 부도체, 금속중 어느 하나임을 특징으로 하는 다이아몬드 미세가공 방법.
  3. 제1항에 있어서, 제1버퍼층은 반도체, 부도체, 금속중 어느 하나임을 특징으로 하는 다이아몬드 미세가공 방법.
  4. 제1항에 있어서, 제2버퍼층은 Fe, Pt, Pd, Rh, Ni 중 어느 하나로 형성됨을 특징으로 하는 다이아몬드 미세가공 방법.
  5. 제1항에 있어서, 다이아몬드 증착은 화학적 기상 증착법을 이용함을 특징으로 하는 다이아몬드 미세가공 방법.
  6. 제1항에 있어서, 제2버퍼층상에 형성된 부산물은 슈트(Soot)형태의 다이아몬드임을 특징으로 하는 다이아몬드 미세가공 방법.
  7. 제1항에 있어서, 부도체 물질은 산화물, 질화물, 탄화물(SiC) 중 어느 하나임을 특징으로 하는 다이아몬드 미세가공 방법.
  8. 제1항에 있어서, 제2버퍼층상에 형성된 부산물은 세정공정으로 제거함을 특징으로 하는 다이아몬드 미세가공 방법.
  9. 제1항에 있어서, 제2버퍼층은 스퍼터링 방법으로 형성함을 특징으로 하는 다이아몬드 미세가공 방법.
  10. 제1항에 있어서, 다이아몬드의 증착은 800℃ 이하의 온도에서 수행됨을 특징으로 하는 다이아몬드 미세가공 방법.
  11. 제1항에 있어서, 제2버퍼층은 할로겐 가스를 함유한 에천트를 사용하여 식각함을 특징으로 하는 다이아몬드 미세가공 방법.
  12. 제1항에 있어서, 다이아몬드 증착시 사용되는 가스는 0.1~4% CH4와 0~0.5%의 O2기타 H2로 조성됨을 특징으로 하는 다이아몬드 미세가공 방법.
  13. 제2항에 있어서, 금속은 Au, W, Ta, Ti 중 어느 하나임을 특징으로 하는 다이아몬드 미세가공 방법.
  14. 제2항에 있어서, 부도체 물질은 CH4/H2, CHF3, C2F6등을 에천트로 사용하여 식각함을 특징으로 하는 다이아몬드 미세가공 방법.
  15. 제11항에 있어서, 할로겐 가스는 BCl3, CCl4, Cl2, CCeF3, CF4CBCF3SF6중의 하나임을 특징으로 하는 다이아몬드 미세가공 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100519798B1 (ko) 2003-12-11 2005-10-10 삼성전자주식회사 향상된 생산성을 갖는 박막 형성 방법
JP5099026B2 (ja) * 2009-01-28 2012-12-12 三菱マテリアル株式会社 ダイヤモンド膜の選択的形成方法及びｃｍｐパッドコンディショナー
JP5099027B2 (ja) * 2009-01-28 2012-12-12 三菱マテリアル株式会社 ダイヤモンド膜の選択的形成方法及びｃｍｐパッドコンディショナー
TWI462799B (zh) * 2011-10-11 2014-12-01 Shinhan Diamond Ind Co Ltd 化學機械研磨墊調節器及其製造方法
DE102015200692B4 (de) 2015-01-19 2018-10-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Epitaktische Diamantschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2228745B (en) * 1989-01-10 1993-09-08 Kobe Steel Ltd Process for the selective deposition of thin diamond film by gas phase synthesis
US5075764A (en) * 1989-06-22 1991-12-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Diamond electric device and manufacturing method for the same
CA2072326A1 (en) * 1991-08-08 1993-02-09 Charles D. Iacovangelo Method for selective cvd diamond deposition
US5276338A (en) * 1992-05-15 1994-01-04 International Business Machines Corporation Bonded wafer structure having a buried insulation layer
US5236545A (en) * 1992-10-05 1993-08-17 The Board Of Governors Of Wayne State University Method for heteroepitaxial diamond film development
JP3104433B2 (ja) * 1992-10-16 2000-10-30 住友電気工業株式会社 ダイヤモンドのエッチング方法
US5298286A (en) * 1992-11-09 1994-03-29 North Carolina State University Method for fabricating diamond films on nondiamond substrates and related structures
EP0613963A1 (en) * 1993-03-05 1994-09-07 General Electric Company Production of crack-free CVD diamond articles
US5413668A (en) * 1993-10-25 1995-05-09 Ford Motor Company Method for making mechanical and micro-electromechanical devices

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US5785871A (en) 1998-07-28
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DE19649409A1 (de) 1997-10-16
JP2952575B2 (ja) 1999-09-27
KR0151165B1 (ko) 1998-10-15

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