JPH0234920A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
- Publication number
- JPH0234920A JPH0234920A JP18524488A JP18524488A JPH0234920A JP H0234920 A JPH0234920 A JP H0234920A JP 18524488 A JP18524488 A JP 18524488A JP 18524488 A JP18524488 A JP 18524488A JP H0234920 A JPH0234920 A JP H0234920A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- gas
- melting point
- undercut
- high melting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 21
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 17
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 8
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 abstract 2
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 40
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本願の発明は、高融点金属に対するエツチングガス及び
エツチング方法に関するものである。
エツチング方法に関するものである。
本願の発明は、上記の様なエツチングガス及びエツチン
グ方法において、弗素系ガスと塩素系ガスとをエツチン
グガスに含ませ、°このエツチングガスを用いて高融点
金属をエツチングすることによって、複雑な装置やプロ
セスを用いることなく高い異方性でしかも効率的に高融
点金属をエツチングすることができる様にしたものであ
る。
グ方法において、弗素系ガスと塩素系ガスとをエツチン
グガスに含ませ、°このエツチングガスを用いて高融点
金属をエツチングすることによって、複雑な装置やプロ
セスを用いることなく高い異方性でしかも効率的に高融
点金属をエツチングすることができる様にしたものであ
る。
ＶＬＳ Ｉの配線抵抗を低くするために、Ｗ等の高融点
金属が配線材料として用いられつつある。
金属が配線材料として用いられつつある。
この高融点金属に対するエツチングとしては、微細加工
のニーズから、ＲＩＥ等の異方性の高いエツチングを行
う必要がある。
のニーズから、ＲＩＥ等の異方性の高いエツチングを行
う必要がある。
高融点金属に対してＲＩＥを行うときのエッチングガス
としては、弗素系ガスや塩素系ガスが従来から考えられ
ている。
としては、弗素系ガスや塩素系ガスが従来から考えられ
ている。
しこの方法は、装置やプロセスが複雑であり、量産的な
技術とは言えない。
技術とは言えない。
しかし、塩素系ガスで例えばＷをＲＩＥＬようとしても
、Ｗと塩素系ガスとの反応生成物であるＷＣｊ２．の蒸
気圧が低いためにエツチング速度が遅く、エツチングを
効率的に行うことができない。
、Ｗと塩素系ガスとの反応生成物であるＷＣｊ２．の蒸
気圧が低いためにエツチング速度が遅く、エツチングを
効率的に行うことができない。
これに対して、ＳＦｂ等の弗素系ガスでＷをＲＩＥする
と、エツチング速度は速いが、Ｗと弗素ラジカルとの反
応のために、Ｗがアンダカットされるのを避けることが
できない（例えば、電子情報通信学会技術報告５ＳＤ８
４−４５、ｐｐ、１−８（１９８４））。
と、エツチング速度は速いが、Ｗと弗素ラジカルとの反
応のために、Ｗがアンダカットされるのを避けることが
できない（例えば、電子情報通信学会技術報告５ＳＤ８
４−４５、ｐｐ、１−８（１９８４））。
そこで、ＳＦ６によるアンダカットを抑制するために、
ＳＦ、によるエツチングとＮＨｆｆによる堆積とを交互
に素速く繰り返す方法も考えられている（Ｅｘｔｅｎｄ
ｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ １
８ｔｈ （１９８６Ｉｎｔｅｒｎａｔｉ。
ＳＦ、によるエツチングとＮＨｆｆによる堆積とを交互
に素速く繰り返す方法も考えられている（Ｅｘｔｅｎｄ
ｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ １
８ｔｈ （１９８６Ｉｎｔｅｒｎａｔｉ。
ｎａｌ） Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ
５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄＭａｔｅ ｒｉａ
ｌｓ、 Ｔｏｋｙｏ、 １９８６． ｐｐ、 ２２９−
２３２） 、しか〔課題を解決するための手段〕 請求項１のエツチングガスは弗素系ガスＳＦ、と塩素系
ガスＣ１□とを含んでいる。
５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄＭａｔｅ ｒｉａ
ｌｓ、 Ｔｏｋｙｏ、 １９８６． ｐｐ、 ２２９−
２３２） 、しか〔課題を解決するための手段〕 請求項１のエツチングガスは弗素系ガスＳＦ、と塩素系
ガスＣ１□とを含んでいる。
請求項２のエツチング方法では、弗素系ガスＳｌｉ＋。
と塩素系ガスＣｅ２とを含むガスｓｐ６／ｃ１２によっ
て高融点金属１２をエツチングする。
て高融点金属１２をエツチングする。
請求項３のエツチング方法では、弗素系ガスＳＦ６によ
って高融点金属１２をエツチングし、その後、弗素系ガ
スＳＦ６と塩素系ガスＣ１２とを含むガスＳＦｉ／ｃｘ
、によって前記高融点金属１２をエツチングする。
って高融点金属１２をエツチングし、その後、弗素系ガ
スＳＦ６と塩素系ガスＣ１２とを含むガスＳＦｉ／ｃｘ
、によって前記高融点金属１２をエツチングする。
請求項４のエツチング方法では、弗素系ガスＳＦ。
と塩素系ガスＣＡ２とを含むガスＳＦ６／ｃ７！２によ
って高融点金属１２をエツチングし、その後、弗素系ガ
スＳＦ、によって前記高融点金属１２をオーバエツチン
グする。
って高融点金属１２をエツチングし、その後、弗素系ガ
スＳＦ、によって前記高融点金属１２をオーバエツチン
グする。
請求項１のエツチングガスでは、高融点金属１２のアン
ダカットを抑制しつつ高速でエツチングを行うことがで
きる。
ダカットを抑制しつつ高速でエツチングを行うことがで
きる。
請求項２のエツチング方法では、高融点金属１２の中括
れ状のアンダカットを抑制しつつ高速でエツチングを行
うことができる。
れ状のアンダカットを抑制しつつ高速でエツチングを行
うことができる。
請求項３のエツチング方法では、エツチングマスク１３
の直下における高融点金属１２のアンダカットを抑制し
つつ高速でエツチングを行うことができる。
の直下における高融点金属１２のアンダカットを抑制し
つつ高速でエツチングを行うことができる。
請求項４のエツチング方法では、高融点金属１２の基底
部におけるアンダカソトを抑制しつつ高速でエツチング
を行うことができる。
部におけるアンダカソトを抑制しつつ高速でエツチング
を行うことができる。
以下、ＷのＲＩＥに適用した本願の発明の第１〜第４実
施例を、第１図〜第４図を参照しながら説明する。
施例を、第１図〜第４図を参照しながら説明する。
第１実施例では、第１図に示す様に、半導体基板１１上
に厚さ３００ｎｍのＷ１２を直流スパッタリングで堆積
させ、Ｗ１２上に厚さ１．０μｍのレジスト１３を塗布
し、レジスト１３をステッパでパターニングしてからＲ
ＩＥを行った。
に厚さ３００ｎｍのＷ１２を直流スパッタリングで堆積
させ、Ｗ１２上に厚さ１．０μｍのレジスト１３を塗布
し、レジスト１３をステッパでパターニングしてからＲ
ＩＥを行った。
ＲＩＥ装置としては、陰極結合方式で放電励起周波数が
１３．５６Ｍｌ１ｚの平行平板型装置を用い、ミノＪを
０．Ｏ８Ｗｃｍ−”とした。エツチングガスとしては、
ＳＦｂとＣｊ２２とが種々の比率を有している混合ガス
を用いた。
１３．５６Ｍｌ１ｚの平行平板型装置を用い、ミノＪを
０．Ｏ８Ｗｃｍ−”とした。エツチングガスとしては、
ＳＦｂとＣｊ２２とが種々の比率を有している混合ガス
を用いた。
第１Ａ図〜第１Ｃ図は、第１実施例の結果のうちで、Ｓ
Ｆ６ ／ ｃｘ２の供給流量を夫々３０／２８ｓｅｃｍ
、 ３０ ／ １５ ｓｅｃｍ、３０ ／ ２ ｓｅｃ
ｍとした場合の結果を示しており、第１Ｄ図は３０ ／
Ｏｓｃｃｍとした場合の結果を示している。なお、混
合ガスの供給流量は各々の場合で相違しているが、排気
ポンプによる排気量を調整することによって、ガス圧力
は６．７Ｐａに維持されている。
Ｆ６ ／ ｃｘ２の供給流量を夫々３０／２８ｓｅｃｍ
、 ３０ ／ １５ ｓｅｃｍ、３０ ／ ２ ｓｅｃ
ｍとした場合の結果を示しており、第１Ｄ図は３０ ／
Ｏｓｃｃｍとした場合の結果を示している。なお、混
合ガスの供給流量は各々の場合で相違しているが、排気
ポンプによる排気量を調整することによって、ガス圧力
は６．７Ｐａに維持されている。
これらの結果のうち、例えば第１Ａ図の結果では、Ｗ１
２のうちでレジスト１３直下の部分が多少アンダカソト
されているが、全体としてはやや順テーパの好適な形状
になっている。
２のうちでレジスト１３直下の部分が多少アンダカソト
されているが、全体としてはやや順テーパの好適な形状
になっている。
これに対して第１Ｄ図の結果では、Ｗ１２のうちでレジ
スト１３直下の部分はアンダカットされていないものの
、中括れ状にアンダカットされて好ましくない形状とな
っている。
スト１３直下の部分はアンダカットされていないものの
、中括れ状にアンダカットされて好ましくない形状とな
っている。
この様にＳＦ６／ Ｃβ２のン昆合ガスをエツチングガ
スに用いた場合にＷ１２のアンダカソトが抑制されるの
は、Ｃ１２によって蒸気圧の低いＷ（Ｊ！。
スに用いた場合にＷ１２のアンダカソトが抑制されるの
は、Ｃ１２によって蒸気圧の低いＷ（Ｊ！。
がエツチングの進行と同時にＷ１２の側壁に形成される
ためではないかと考えられる。
ためではないかと考えられる。
なお、エツチングガスとしてＣ１２のみを供給するＲＩ
Ｅも行ったが、エツチング速度が第１実施例に比べて著
しく遅く、エツチングの終了までレジスト１３を保持す
ることができなかった。
Ｅも行ったが、エツチング速度が第１実施例に比べて著
しく遅く、エツチングの終了までレジスト１３を保持す
ることができなかった。
上述の第１実施例の結果から、ＳＦ６ ／ （Ｊ’２の
好ましい混合比は３０１５〜３０／４５であり、３０／
２８程度が特に好ましいことが判明した。
好ましい混合比は３０１５〜３０／４５であり、３０／
２８程度が特に好ましいことが判明した。
第２図は、第２実施例の結果を示している。この第２実
施例は、ＲＩＢの最初の１分間は流量が３Ｑｓｃｃｍの
ＳＦ６のみをエツチングガスとして用い、その後はＲＩ
Ｅの終了まで流量が３０ ／ ２８ｓｅｃｍであるＳＦ
６／ Ｃβ２の混合ガスをエツチングガスとして用いる
ことを除いて、上述の第１実施例と同様の条件で実施し
た。
施例は、ＲＩＢの最初の１分間は流量が３Ｑｓｃｃｍの
ＳＦ６のみをエツチングガスとして用い、その後はＲＩ
Ｅの終了まで流量が３０ ／ ２８ｓｅｃｍであるＳＦ
６／ Ｃβ２の混合ガスをエツチングガスとして用いる
ことを除いて、上述の第１実施例と同様の条件で実施し
た。
ＳＦ６のみを用いる最初の１分間のＲＩＥによって、最
初の厚さが３００ｎｍであるＷ１２の１／４程度の厚さ
分がエツチングされた。
初の厚さが３００ｎｍであるＷ１２の１／４程度の厚さ
分がエツチングされた。
第２図と第１Ａ図との比較から明らかな様に、この第２
実施例ではレジスト１３直下の部分におけるアンダカッ
トが第１実施例よりも少ない。
実施例ではレジスト１３直下の部分におけるアンダカッ
トが第１実施例よりも少ない。
この第２実施例でレジスト１３直下の部分におけるアン
ダカソトが少ないのは、ＳＦ６によるレジスト１３の分
解物がＷ１２の側壁を保護するためではないかと考えら
れる。
ダカソトが少ないのは、ＳＦ６によるレジスト１３の分
解物がＷ１２の側壁を保護するためではないかと考えら
れる。
また、第２図と第１Ａ図との比較からも明らかな様に、
この第２実施例の方がレジスト１３の残り膜厚が厚く、
従ってレジスト１３のマスク効果が大きい。これはＳＦ
６ ／ ｉ２の混合ガスよりもＳＦ６のみの方がエツチ
ング速度が速く、全体のエツチング時間が少なくて済む
ためである。
この第２実施例の方がレジスト１３の残り膜厚が厚く、
従ってレジスト１３のマスク効果が大きい。これはＳＦ
６ ／ ｉ２の混合ガスよりもＳＦ６のみの方がエツチ
ング速度が速く、全体のエツチング時間が少なくて済む
ためである。
次に、第３実施例を説明する。この第３実施例は２．厚
さ３００ ｎｍのＷ１２を堆積させるために、最初の５
０ｎｍの厚さ分のみを直流スパッタリングで堆積させ、
残りの２５０ｎｍの厚さ分は高周波スパッタリングで堆
積させることを除いて、既述の第１Ａ図の場合と同じ条
件で実施した。
さ３００ ｎｍのＷ１２を堆積させるために、最初の５
０ｎｍの厚さ分のみを直流スパッタリングで堆積させ、
残りの２５０ｎｍの厚さ分は高周波スパッタリングで堆
積させることを除いて、既述の第１Ａ図の場合と同じ条
件で実施した。
この様な第３実施例でも、第２実施例による第２図の結
果と同様に、レジスト１３直下の部分におけるアンダカ
ソトの少ないエツチングを行うことができる。
果と同様に、レジスト１３直下の部分におけるアンダカ
ソトの少ないエツチングを行うことができる。
これは、第３図に示す様に直流スパッタリングによって
堆積させたＷよりも高周波スパッタリングによって堆積
させたＷの方がエツチング速度が速く、全体のエツチン
グ時間が少なくて済むことによると考えられる。
堆積させたＷよりも高周波スパッタリングによって堆積
させたＷの方がエツチング速度が速く、全体のエツチン
グ時間が少なくて済むことによると考えられる。
また、この様に全体のエツチング時間が少なくて済むの
で、第１Ａ図の場合に比べてスループントも伏きい。
で、第１Ａ図の場合に比べてスループントも伏きい。
なお、この第３実施例におけるＷ１２も第１実施例にお
けるＷ１２も、比抵抗が殆んど同じであり、品質は同等
である。
けるＷ１２も、比抵抗が殆んど同じであり、品質は同等
である。
一方、Ｗ１２を全部の厚さに亘って高周波スパッタリン
グで堆積させると、このＷ１２が半導体基板１１から剥
離し易い。
グで堆積させると、このＷ１２が半導体基板１１から剥
離し易い。
これに対して、この第３実施例における様に直流スパッ
タリングで堆積させたＷ上に高周波スパッタリングで更
にＷを堆積させれば、少なくとも高周波スパッタリング
によるＷの厚さが２５０ｎｍ程度以下の場合は、高周波
スパッタリングによるＷが直流スパッタリングによるＷ
から剥離することはない。
タリングで堆積させたＷ上に高周波スパッタリングで更
にＷを堆積させれば、少なくとも高周波スパッタリング
によるＷの厚さが２５０ｎｍ程度以下の場合は、高周波
スパッタリングによるＷが直流スパッタリングによるＷ
から剥離することはない。
次に、第４実施例を説明する。この第４実施例は、Ｗ１
２のジャストエツチングまでは第１Ａ図の場合と同じ条
件で実施し、その後に流量が３０ｓｅｃｍのＳＦ、のみ
でオーバエツチングを行うものである。
２のジャストエツチングまでは第１Ａ図の場合と同じ条
件で実施し、その後に流量が３０ｓｅｃｍのＳＦ、のみ
でオーバエツチングを行うものである。
第４Ａ図及び第４Ｂ図は、この第４実施例で夫夫３０％
及び６０％のオーバエツチングを行った場合の結果を示
している。
及び６０％のオーバエツチングを行った場合の結果を示
している。
これに対して第４Ｃ図及び第４Ｄ図は、ジャストエソチ
ングまでの条件と同じ条件で引き続いて夫々３０％及び
６０％のオーバエツチングを行った場合の結果を示して
いる。
ングまでの条件と同じ条件で引き続いて夫々３０％及び
６０％のオーバエツチングを行った場合の結果を示して
いる。
第４Ｂ図から明らかな様に、この第４実施例では６０％
のオーバエツチングを行ってもＷ１２の基底部はアンダ
カソトされていない。
のオーバエツチングを行ってもＷ１２の基底部はアンダ
カソトされていない。
これに対して、第４Ｃ図から明らかな様に、ジャストエ
ツチングまでの条件と同じ条件でオーバエツチングを行
うと、３０％のオーバエツチングを行った時点でもＷ１
２の基底部がアンダカットされている。
ツチングまでの条件と同じ条件でオーバエツチングを行
うと、３０％のオーバエツチングを行った時点でもＷ１
２の基底部がアンダカットされている。
これは、ジャストエツチングまではＷ１２の側壁保護膜
としての−Ｃ１，が形成されるが、オーバエツチング時
にはエツチングされるべきＷが存在しておらず、逆に、
過剰になったＦ９によって、Ｗ（１！ 、 ＋ ｘ Ｆ
” −ＷＦ、↑＋ｘ Ｃｊ！”の反応が起こり、Ｗ（ｌ
Ｘが除去されるためであろうと考えられる。
としての−Ｃ１，が形成されるが、オーバエツチング時
にはエツチングされるべきＷが存在しておらず、逆に、
過剰になったＦ９によって、Ｗ（１！ 、 ＋ ｘ Ｆ
” −ＷＦ、↑＋ｘ Ｃｊ！”の反応が起こり、Ｗ（ｌ
Ｘが除去されるためであろうと考えられる。
一方、Ｗ１２の側壁保護膜であるｔｉｃｚ、のエツチン
グ速度はＦ“の量で決定されるので、ＳＦ６単独のガス
でもＳＦ６／ｌ１２の混合ガスでも、ＷＣ＆。
グ速度はＦ“の量で決定されるので、ＳＦ６単独のガス
でもＳＦ６／ｌ１２の混合ガスでも、ＷＣ＆。
のエツチング速度は同じである。
そして、Ｗに対するエツチング速度が速いＳＦ。
単独のガスの方が、ＳＦ、／ Ｃ１２の混合ガスよりも
、同じ率のオーバエツチングに要する時間が少なくて済
む。
、同じ率のオーバエツチングに要する時間が少なくて済
む。
従って、ＳＦ６のみでオーバエツチングを行うとＷＣＡ
Ｘの除去量が少なく、この第４実施例ではＷ１２の基底
部がアンダカットされないものと考えられる。
Ｘの除去量が少なく、この第４実施例ではＷ１２の基底
部がアンダカットされないものと考えられる。
また、オーバエツチングに要する時間が上述の様に少な
くて済むので、このオーバエツチングを効率的に行うこ
とができる。
くて済むので、このオーバエツチングを効率的に行うこ
とができる。
なお、上述の何れの実施例においてもＳＦ６／ Ｃβ２
の混合ガスをエツチングガスとしてＷ１２をエツチング
したが、他の弗素系ガス及び塩素系ガスを用いることも
でき、Ｍｏ−、Ｔｉｓ Ｔａ等の他の高融点金属をエツ
チングすることもできる。
の混合ガスをエツチングガスとしてＷ１２をエツチング
したが、他の弗素系ガス及び塩素系ガスを用いることも
でき、Ｍｏ−、Ｔｉｓ Ｔａ等の他の高融点金属をエツ
チングすることもできる。
またエツチング装置として、平行平板型ＲＩＥ装置以外
の装置を用いることもできる。
の装置を用いることもできる。
本願の発明によるエツチングガス及びエツチング方法で
は、高融点金属のアンダカットを抑制しつつ高速でエツ
チングを行うことができるので、複雑な装置やプロセス
を用いることな（高い異方性でしかも効率的に高融点金
属をエツチングすることができる。
は、高融点金属のアンダカットを抑制しつつ高速でエツ
チングを行うことができるので、複雑な装置やプロセス
を用いることな（高い異方性でしかも効率的に高融点金
属をエツチングすることができる。
１３− ・・・・−・−・−・−レジストである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、弗素系ガスと塩素系ガスとを含む高融点金属用のエ
ッチングガス。 ２、弗素系ガスと塩素系ガスとを含むガスによって高融
点金属をエッチングするエッチング方法。 ３、弗素系ガスによって高融点金属をエッチングし、そ
の後、弗素系ガスと塩素系ガスとを含むガスによって前
記高融点金属をエッチングするエッチング方法。 ４、弗素系ガスと塩素系ガスとを含むガスによって高融
点金属をエッチングし、その後、弗素系ガスによって前
記高融点金属をオーバエッチングするエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63185244A JP2754578B2 (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63185244A JP2754578B2 (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | エッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0234920A true JPH0234920A (ja) | 1990-02-05 |
| JP2754578B2 JP2754578B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=16167411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63185244A Expired - Fee Related JP2754578B2 (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2754578B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0445528A (ja) * | 1990-06-13 | 1992-02-14 | Nec Corp | 反応性ドライエッチング法 |
| JPH07147271A (ja) * | 1993-11-26 | 1995-06-06 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| EP0661730A1 (en) * | 1993-12-28 | 1995-07-05 | Matsushita Electronics Corporation | Manufacturing method of semiconductor devices |
| US5783036A (en) * | 1993-11-01 | 1998-07-21 | Nec Corporation | Method for dry etching metal films having high melting points |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63164221A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-07-07 | インテル・コーポレーション | タングステンのプラズマエッチング方法 |
-
1988
- 1988-07-25 JP JP63185244A patent/JP2754578B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63164221A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-07-07 | インテル・コーポレーション | タングステンのプラズマエッチング方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0445528A (ja) * | 1990-06-13 | 1992-02-14 | Nec Corp | 反応性ドライエッチング法 |
| US5783036A (en) * | 1993-11-01 | 1998-07-21 | Nec Corporation | Method for dry etching metal films having high melting points |
| JPH07147271A (ja) * | 1993-11-26 | 1995-06-06 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5753533A (en) * | 1993-11-26 | 1998-05-19 | Nec Corporation | Method for etching a tungsten film |
| EP0661730A1 (en) * | 1993-12-28 | 1995-07-05 | Matsushita Electronics Corporation | Manufacturing method of semiconductor devices |
| US5492855A (en) * | 1993-12-28 | 1996-02-20 | Matsushita Electronics Corporation | Method of dry etching platinum using sulfur containing gas |
| CN1076519C (zh) * | 1993-12-28 | 2001-12-19 | 松下电器产业株式会社 | 半导体器件的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2754578B2 (ja) | 1998-05-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6177353B1 (en) | Metallization etching techniques for reducing post-etch corrosion of metal lines | |
| JPH0493022A (ja) | シリコン系被エッチング材のエッチング方法 | |
| JPH0383335A (ja) | エッチング方法 | |
| JP3170791B2 (ja) | Ａｌ系材料膜のエッチング方法 | |
| JPH09129622A (ja) | 炭化ケイ素のエッチング方法 | |
| JPH07147271A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6209551B1 (en) | Methods and compositions for post-etch layer stack treatment in semiconductor fabrication | |
| JPH11158663A (ja) | 白金食刻方法 | |
| JPH0234920A (ja) | エッチング方法 | |
| US6740598B2 (en) | Wiring layer dry etching method and semiconductor device manufacturing method | |
| JPH10178014A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5277757A (en) | Dry etching method | |
| KR100268640B1 (ko) | 알루미늄합금막의 드라이에칭방법과,그 방법에 사용하는 에칭용 가스 | |
| JPH0487332A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH05343363A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH1197428A (ja) | 金属配線のドライエッチング方法 | |
| JP2681058B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH0794469A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH07263426A (ja) | 積層配線のドライエッチング方法 | |
| JPH06318573A (ja) | 高融点金属のエッチング方法 | |
| JP2002246393A (ja) | メタル配線形成方法 | |
| JPH07201826A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH04313223A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2987837B2 (ja) | エッチングガス及びエッチング方法 | |
| JPH0855838A (ja) | 微細加工装置のクリーニング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |