JPH0493022A - シリコン系被エッチング材のエッチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序で本発明を説明する。

産業上の利用分野 発明の概要 発明の背景及び発明が解決しようとする問題点 問題点を解決するための手段 作用 実施例 実施例−１ 実施例−２ 実施例−３ 発明の効果 〔産業上の利用分野〕 本出願の各発明は、シリコン系被エツチング材のエツチ
ング方法に関し、特に、基体上に少なくともシリコン層
または含シリコン材料層を有する被エツチング部をエツ
チングするエツチング方法に関するものである。本発明
は、例えば半導体装置製造の際に、いわゆるポリサイド
構造等の被エツチング部のエツチング方法として利用す
ることができる。

〔発明の概要〕

本出願の請求項１，２の発明は、基体上に形成されたシ
リコン層と高融点金属シリサイド層とを有する被エツチ
ング部を、臭化水素とフン素ラジカルを発生し得るガス
とを含有するエツチングガスを用いてエツチングを行う
際に、請求項１の発明では、上記シリコン層のエツチン
グと、上記高融点金属シリサイド層のエツチングとを、
上記臭化水素とフッ素ラジカルを発生し得るガスの混合
比を変えた条件で行うことによって、また請求項２の発
明では、上記高融点金属シリサイド層は臭化水素とフッ
素ラジカルを発生し得るガスとを含有するエツチングガ
スを用いてエツチングし、上記シリコン層は臭化水素を
用いてエツチングすることによって、被エツチング部の
各層をいずれも良好な形状でエツチングできるようにし
たものである。

本出願の請求項３の発明は、基体上に形成された含シリ
コン材料層を有する被エツチング部をエツチングする場
合に、上記含シリコン材料層は臭化水素を用いてエツチ
ングを行うとともに、発光スペクトル強度変化をモニタ
ーすることにより該含シリコン材料層のエツチング終点
を決定することによって、適正なエツチング終点の判定
を可能ならしめたものである。

〔発明の背景及び発明が解決しようとする問題点〕基体
上に少なくともシリコン層が形成されて成る被エツチン
グ材のエツチングは、例えば各種電子材料（半導体装置
等）製造の分野において行われている。

例えば基体上にシリコン層と高融点金属シリサイド層と
が形成されて成る構造は、半導体装置等の分野において
、例えばゲート配線構造を形成するために用いられてい
る。

高融点金属シリサイドは、従来のＬＳＩ等の半導体装置
のゲート配線材料として多用されて来たポリ（多結晶）
シリコンよりも抵抗値が小さいので有利であり、かつ、
高融点金属シリサイドと基体との間にシリコン（特にポ
リシリコン）層を介在させることにより、界面（例えば
ゲート絶縁膜としての５ｉｎ２との界面）における信頼
性を良好に維持することができる。

上記構造は、通例ポリシリコン上にシリサイドが積層さ
れて成るという意味で、一般にポリサイドと称される。

このようなポリサイド構造は、近年のＬＳＩ等の高速化
の要請により、ゲート構造の形成のために多用されるに
至っており、そのエツチング技術についても各種の提案
がなされている。

即ち、ポリサイド構造をエツチングしてバクーニングす
る場合、異なる２種の材料に対してともに良好な異方性
をもってエツチングを行わなければならず、このため従
来より、例えば、フロン１１３（ＣｚｌＪ：＋ｈ）に代
表されるようないわゆるフロンないしはフレオンと称さ
れるフッ化炭素系ガスを主に含有するエツチングガスが
使用されて来た。

ところがこれらフッ化炭素系ガスは、オゾン層の破壊を
もたらすなど環境上の問題があって、使用を避けること
が望まれるようになった。いわゆるフロン規制により使
用できなくなる可能性も大きい。

このため、それに代わるエツチングガスであって、しか
もシリコン層と高融点金属シリサイド層との双方に対し
て良好な異方性を実現でき、形状の良いエツチングを達
成できるエツチングガス系の開発が望まれている。

この要請から、シリコン系の被エツチング材をフッ化炭
素系ガスを用いることなく、しかも異方性良好かつ高選
択比でエツチングできるガスとして、ＨＢｒ　（臭化水
素）が注目を集めている。しかしながら、このＨＢｒを
単独でシリコン系材料のエツチングに用いた場合のエツ
チング終点判定法は確立されてはいない。

従って、ｔｌＢｒを用いたエツチングの実用化のために
は、ｌｌＢｒによるＳｉ系ゲート材等のシリコン系被エ
ツチング材のエツチング時の終点判定法の確立が急務と
なっている。

一方、上記したようないわゆるフロン規制の背景から、
本出願人は先きに、１（Ｂｒ／ＳＦ６混合ガス系等の、
臭化水素と、フッ素ラジカルを生じ得るガスとを含有す
るガス系によるエツチング技術についての提案も行った
（特願平２−１０４８９号「ドライエツチング方法」）
。

この技術によれば、高融点金属シリサイド層とポリシリ
コン層とから成るポリサイド膜を、高速で、裔異方性を
維持しつつ、選択性良好にエツチングすることができる
。

しかし本出願人の提案に係る上記技術を用いて、Ｗ　Ｓ
　ｉ　ｘ等の高融点金属シリサイド層のエツチングと全
く同条件でＤＯＰＯ３等のシリコン層のエツチングを進
めると、シリコン層にサイドエッチを生ずるという問題
がある。

従ってこの問題を解決して、シリコン層を有する被エツ
チング部をエツチングする場合に、被エツチング部が例
えばポリサイド膜造の如き多層構造をなすものであって
も、これを各層についてサイドエッチなどを生ぜしめる
ことなく、良好な形状でエツチングできるエツチング方
法が望まれる。

本出願の各発明は上記問題点を解決せんとするものであ
り、請求項１．２の発明は、シリコン層と高融点金属シ
リサイド層とを有する被エツチング部をエツチングする
場合に、シリコン層に生ずる可能性のあるサイドエッチ
の発生を抑え、良好な形状のエツチングを達成すること
を目的とする。

また請求項３の発明は、含シリコン材料層を有する被エ
ツチング部を臭化水素を用いてエツチングする際のエツ
チング終点を容易かつ確実に判定して、これにより良好
な形状のエツチングを達成することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的を達成するため、本出願の各発明は、以下の構
成をとる。

即ち、本出願の請求項１の発明は、基体上に形成された
シリコン層と高融点金属シリサイド層とを有する被エツ
チング部をエツチングするシリコン系被エツチング材の
エツチング方法において、臭化水素とフッ素ラジカルを
発生し得るガスとを含有するエツチングガスを用いてエ
ツチングを行うとともに、上記シリコン層のエツチング
と、上記高融点金属シリサイド層のエツチングとを、」
二面臭化水素とフッ素ラジカルを発生し得るガスの混合
比を変えた条件で行うことを特徴とするものである。

本出願の請求項２の発明は、基体上に形成されたシリコ
ン層と高融点金属シリサイド層とを有する被エツチング
部をエツチングするシリコン系被エツチング材のエツチ
ング方法において、上記高融点金属シリサイド層は臭化
水素とフッ素ラジカルを発生し得るガスとを含有するエ
ツチングガスを用いてエツチングし、上記シリコン層は
臭化水素を用いてエツチングすることを特徴とするもの
である。

本出願の請求項３の発明は、基体上に形成された含シリ
コン材料層を有する被エツチング部をエツチングするシ
リコン系被エツチング材のエツチング方法において、上
記含シリコン材料層は臭化水素を用いてエツチングを行
うとともに、発光スベクトル強度変化をモニターするこ
とにより該含シリコン材料層のエツチング終点を決定す
ることを特徴とするものである。

本明細書において、シリコン層とは、シリコンを主成分
として成る層を言い、該シリコンは単結晶シリコンでも
、多結晶シリコンでもよい。Ｓｔ基以外金属、非金属を
含む合金や、不純物を含有するシリコンであってもよい
。ポリサイド構造として用いる場合には、Ｐ（リン）や
Ｂ（ホウ素）その他の不純物がドープされたドープドポ
リシリコン（ＤＯＰＯ３）を好ましく使用できる。

本明細書において、高融点金属シリサイド層とは、各種
の高融点金属、例えばＷ（タングステン）、Ｔｉ（チタ
ン）、ＭＯ（モリブデン）その他の高融点金属のシリサ
イドを主成分として成る層を言う。

本明細書において、フッ素ラジカルを発生し得るガスと
は、エツチング時に反応に寄与するフッ素ラジカルＦ＊
を与え得るガスを言い、ｓＦｂ　、　ＮＦ３　。

ＣｌＦ３．　Ｆｚ、　ＨＦ等の含フツ素ガスを用いるこ
とができる。

本明細書において、含シリコン材料層とは、シリコンを
少なくとも構成元素として有する物質を含有する材料か
ら成る層であって、ＨＢｒとの反応によりシリコンの臭
化物等の物質を与え、これによる発光スペクトル強度の
観測が可能なものをいフＯ 〔作　用〕 本出願の請求項１の発明は、シリコン層のエツチングと
、高融点金属シリサイド層のエツチングとを、臭化水素
とフッ素ラジカルを発生し得るガスの混合比を変えた条
件で行うので、臭化水素とフッ素ラジカルを発生し得る
ガスとを含有するエツチングガスを用いての良好なエツ
チングを、各層に最適の混合条件で行うことができ、も
ってシリコン層のサイドエッチの発生を抑制することが
でき、各層について良好な形状のエツチングを実現でき
る。

本発明の請求項２の発明は、高融点金属シリサイド層は
臭化水素とフッ素ラジカルを発生し得るガスとを含有す
るエツチングガスを用いてエツチングし、シリコン層は
臭化水素を用いてエンチングを行うので、混合ガスによ
る高融点金属シリサイド層の良好なエツチングという効
果と、臭化水素によるシリコン層のサイドエッチの発生
を抑制した良好なエツチングという効果をもたらすこと
ができる。

請求項２．３の発明がもたらす作用の詳細な機構は必ず
しも明らかではないが、Ｆ”を発生ずるガスが主として
被エツチング物質に対するエッチャントとなり、ＨＢｒ
が側壁に堆積物を与える堆積性ガスとして機能すると考
えられるので、両者の混合比が各層に対して最適な値と
なる点があり、これが両者で異なるものであるからと考
えられるＣ３Ｆｂ　／ｌｌＢｒ混合ガス系のポリサイド
構造に対する挙動については、プレスジャーナル社「月
刊Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｗｏｒｌｄ　Ｊ　１９
９０年７月号８０〜８４頁の、辰巳、間材、佐藤「フロ
ンを用いないガス系によるＷポリサイドの異方性エツチ
ング」参照）。

本出願の請求項３の発明は、臭化水素により含シリコン
材料層のエツチングを行うとともに、発光スペクトル強
度変化をモニターすることによりシリコン層のエツチン
グ終点を決定することを特徴とするものであるので、エ
ツチング終点時に特異的な挙動を示ず波長のスペクトル
をモニターすることによって、高精度のエツチング終点
判定を行うことができる。特異的な挙動を示すスペクト
ル波長は、例えば４００〜５００ｎｍの間にあり、これ
は１ｌＢｒとシリコンとが結合した５ｉＢｒｘや、Ｓｉ
ｔ！Ｂｒによるものと考えられるが、必ずしも明らかで
は〔実施例〕 以下本発明の各発明の実施例について、図面を参照して
説明する。但し当然のことではあるが、各発明は以下に
示す実施例により限定されるものではない。

実施例−１ この実施例は、本出願の請求項１の発明を具体化したも
のであり、特に、半導体装置のパターン形成に際して、
第１図（ａ）に示す如くフォトレジスト５を用いてシリ
コン系被エツチング材のバターニングを行う場合にこの
発明を適用したものである。

本実施例におけるシリコン系被エツチング材は、基体１
１（本例では基板１であるシリコン基板と、ゲート酸化
膜となる絶縁膜２であるＳｉＯ□膜とからなる基体）上
に形成された、シリコン層３と高融点金属シリサイド層
４とを有する被エツチング部１０を備えるものである。

特に本実施例における高融点金属シリサイド層４はタン
グステンシリサイドＷ　Ｓ　ｉ　ｘから成り、シリコン
層３はポリシリコン、特に不純物がドープされたＤ　Ｏ
Ｐ　ＯＳ　（Ｄｏｐｅｄ　Ｐｏ１ｙＳｉｌｉｃｏｎ）か
ら成る。ＤＯＰＯ３はここではリンＰをドープしたもの
を用いたが、所望の導電性に応じ、Ｂをドープしたシリ
コンなど、任意のものでよい。

本実施例では、エツチング装置として、第２図に示すマ
イクロ波ＥＣＲエツチング装置を用いた。

第２図中、６はエツチングを行うエツチングチャンバ、
６１は該チャンバ６内に設けられたｓｉｘ台であり、半
導体ウェハ等の被エツチング材１２はこの載置台６１に
置かれてエツチングされる。７１はマイクロ波、７２は
導入されるガス系、７３は排気を示し、７４は磁場を与
えるソレノイドコイルを示す。

本実施例においては、前記したシリコン層３のサイドエ
ッチ（アンダーカット）の問題を解決すべく、ポリザイ
ド構造をＳＦ６　／ＨＢｒ混合ガス系によりエツチング
するとともに、シリコン層３　（ＤＯＰＯ３層）エツチ
ング時のＳＦ６流量比を高融点金属シリサイド層４エツ
チング時よりも下げるようにして、実施したものである
。

本実施例では、まず１ステツプ目のエツチングとして、
高融点金属シリサイド層４であるＷ　Ｓ　ｉ　ｘ層を、
次の条件で異方性エツチングする。

エツチングガス：　ＳＦｂ　／ＨＢｒ　＝１５／３５３
ＣＣＭマ　イ　　り　　ロ　波　：　　　２５０ｍ八Ｒ
Ｆへ加電カニ　１５０Ｗ ガ　　　ス　　　圧：　　５ｍＴｏｒｒこのとき、エツ
チングの終点は、発光スペクトル、特に５０５ｎｍの発
光スペクトルをモニターして終点判定を行うことで、Ｗ
Ｓｉｘ　／ＤＯＰＯ３界面でエツチングをとめることが
可能である。かかる発光スペクトルの発光強度変化のモ
ニター、特に５００〜６００ｎｍの発光スペクトルのモ
ニターによりシリコン層と高融点金属シリサイド層との
界面でのエツチング終点が精密に判定できることについ
ては、本出願人による特願平２−４７０７４号において
提案法である。

次に、エツチングガスの混合比を変え、ＳＦ６の流量比
を下げて、下記の条件でシリコン層３であるＤＯＰＯ３
層をエツチングした。即ちエツチングガス：　ＳＦｂ　
／　ＨＢｒ　＝　３　／　４７３ＣＣＭマイクロ波：　
２５０ｍＡ ＲＦ印印加力カニ５０ Ｗ　　　ス　　　圧：　　５ｍＴｏｒｒと条件を変え、
エツチングを行った。このようにすると、シリコン層３
であるＤＯＰＯ３層のサイドエッチ（アンダーカット）
は抑制され、本実施例では第１図（ｂ）に示すような良
好な形状のエツチングを達成できた。

これはフッ素ラジカル源となるガスであるＳＦ。

の流量を小さくすることによりＦ　１１を減らし、これ
により１ｌＢｒ添加に起因する側壁保護を強化すること
で、シリコン層３であるＤＯＰＯ３層のサイドエッチが
抑制されたことによるものと考えられる。

また、本実施例では上記のように、２ステツプ目のシリ
コン層３のエツチングについて、フッ素ラジカルを与え
るガス（ＳＦ６）を少なくするとともに、ＲＦバイアス
をも下げるようにした。これはこＲ の発明の好ましい実施の態様であり、このようにするこ
とによって、より高い選択比を得ることが可能となった
。

本実施例により、シリコン層３、高融点金属シリサイド
層４の各層とも、サイドエッチのない異方性形状が得ら
れ、良好なエツチングを達成できる。

即ち本実施例により、第１図（ｂ）に示す如き良好な形
状のシリコン及び高融点金属シリサイドの各パターン３
Ｌ　４１を形成するエツチングが達成できた。

」二面実施例では、シリコン層３のエツチングは、上記
のようにＳＦ、の混合割合を少なくしたＨＢｒとの混合
ガスを用いて行ったが、フッ素ラジカルを与えるガスを
有さないｌｌＢｒ単独でエツチングすることもできる（
後記実施例−２参照）。但し、本実施例のような条件で
は、ｌｌＢｒ単独よりもフッ素ラジカルを与えるガスを
含むガスの方が、エツチング速度が速いので、この点が
有利である。

上述の如く、本実施例では、タングステンポリサイド構
造をエツチングガスとしてＳＦｂ／１ｌＢｒ混合ガスを
用いてエツチングする場合に、高融点シリサイド層４　
（ＷＳｉｘ層）とシリコン層３　（Ｄ。

ＰＯ３層）との各エツチング時に、異なったＳＦｂ／ｌ
ｌＢｒ流量比とするものであり、特にシリコン層のエツ
チング時にＳｌ’６の流量比を下げたものであって、こ
れにより、両者とも良好な形状でエツチングを行えるよ
うにし、特に、シリコン層４にサイドエツチングが生じ
ないようにできたものである。

更に本実施例では、ＥＣＲエツチング装置を用いて、シ
リコン層３のエツチング時のＲＦバイアスを高融点金属
シリサイド層４のエツチングの時よりも下げてエツチン
グを行うことにより、高選択比でのエツチングを可能な
らしめた。

これにより、シリサイド層造を、各層ともサイドエツチ
ングを生ずることなく、良好な形状でエツチングするこ
とが可能となった。

上記実施例では、フッ素ラジカルを与えるガスとしてＳ
Ｆ６を用いたが、その他前掲の含フッ素ガスも、同様な
条件で用いることができる。

実施例−２ 本実施例は、本出願の請求項２及び請求項３の発明を具
体化したものである。

本出願の請求項３の発明は、含シリコン材料から成る層
のエツチング終点の判定に汎用できる。

ここで含シリコン材料とは、ＨＢｒによる５ｉＢｒｘや
５ｉＨＢｒｘの如き物質を生じ得るものであれば任意で
あり、各種シリコン（不純物が含有されてもよい）、シ
リコン合金、金属シリサイドその他の含シリコン化合物
であってよい。該含シリコン材料から成る層の下地は任
意である。例えばＳｉＯ□上のポリシリコン層、シリコ
ンナイトライド上のポリシリコン層、シリコンを含まな
い各種下地上のシリコン系材料層などについて、そのエ
ツチング終点の判定に用いることができる。

本実施例では、実施例−１で用いたのと同様な、第１図
（ａ）の構造のシリコン系ゲート材をエツチングした。

即ち、ゲート酸化膜となる絶縁膜２であるＳｉＯ□上に
形成され、かつ」二層に高融点シリサイド層４であるＷ
Ｓｉｘ層を有するシリコン層３（ここではＤＯＰＯ３層
）を１ＩＢｒを用いてエツチングして請求項２の発明を
具体化するとともに、請求項３の発明を用いてそのとき
の終点判定を行うようにしたものである。

本実施例では、第１図（ａ）に示すようなタングステン
ポリサイド構造を、第２図に示したＥＣＲプラズマエツ
チャーでエツチングを行う。エツチング条件は、第１ス
テツプ目である高融点金属シリサイド層４のエツチング
は、実施例−１と同じく、フッ素ラジカルを発生するガ
スであるＳＦｂと、１ＩＢｒとの混合ガスを用いて、実
施例−１におけると同様の次の条件でエツチングした。

エツチングガス：　ＳＦ６／　１ＩＢｒ　＝　１５／　
３５３ＣＣＭマイクロ波：　２５０ｍＡ ＲＦ　Ｅｌｌ加電カニ　１５０Ｗ ガ　　　ス　　　圧：　　５ｍＴｏｒｒ高融点金属シリ
サイド層４のエツチング終了後（高融点金属シリサイド
層４のエツチングの終点判定は、実施例−１におけると
同様の手法を用いればよい）、シリコン層３のエツチン
グを、次の条件で行った。

エツチングガス：　　ＩＩＢｒ＝５０　ｓｅｃｍマイク
ロ波電カニ　　８５０Ｗ ＲＦハ゛イアス：　１５０Ｗ ガ　ス　圧カニ　５ｍＴｏｒｒ 上記条件でのエツチングの間、終点判定のため、４４０
ｎｍの発光をモニターする。この発光強度は、シリコン
層３と、下地であるゲート酸化膜用絶縁膜２であるＳｉ
Ｏ□との界面、つまりここではＤＯＰＯ３／ＳｉＯ□界
面付近で急激に減少し、このため終点判定を行うことが
可能であった。

」−記により、下地ＳｉＯ□をエツチングすることなく
、エツチングをシリコン層３　（ＤＯＰＯ３層）で停止
することができた。

このエツチング終点判定方法は、１Ｉ１３ｒによる含シ
リコン材料のエツチング時と、その他の物質のエツチン
グ時とにおいて、発光強度に差があることを利用するも
のである。

これについて第３図及び第４図を用いて説明すると次の
とおりである。

第３図は、上述した条件でのＤＯＰＯＳエッヂング時の
発光スペクトルＩ　（破線で示す）と、ＳｉＯ□エツチ
ング時の発光スペクトル■（実線で示す）とを重ねて示
したものであるが、波長によって、両者にかなりの差が
見られることがわかる。

第４図は、両者の差を示したもので、ＤＯＰＯＳエツチ
ング時の発光スペクトルＩからＳｉＯ□エツチング時の
発光スペクトル■を差し引いたものである。横軸より上
がＤＯＰＯＳエツチング時の方が強い発光ラインを示す
場合、横軸より下がＳｉＯ□エツチング時の方が強い発
光ラインを示す場合である。

各図から理解できるように、実施例で用いた波長４４０
ｎｍをはじめとする４００〜５００ｎｍ間では、ＤＯＰ
ＯＳエツチング時に強い発光がみられ、ＤＯＰＯ３と５
ｉＯ７とのエツチング時の発光スペクトルの強度に明ら
かに差があることがわかる。

このようにＤＯＰＯＳエツチング時に４４０ｎｍ付近に
強い発光が見られるのは、反応生成物である５ｉＢｒｘ
　もしくは５ｉｌｌＢｒに起因すると考えられる。

よって、含シリコン材料をＩ（Ｂｒを用いてエツチング
する場合であれば、本実施例の如きポリサイド構造をな
すシリコン層（ＤＯＰＯ３層）のみならず一般にポリシ
リコンや、金属シリサイドでも同様な挙動を示すもので
あり、よって、この請求項３の発明により、エツチング
終点判定を行うことが可能である。

本実施例においては、シリコンを含む物質を含有する材
料から成る層であるシリコン層３をＨＢｒによりドライ
エツチングする場合に、４００〜５００ｎｍ付近の発光
強度変化を終点判定に用い、特に発光ライン４４０ｎｍ
　（これらは５ｉＢｒｘ　、　５ｉｔｌＢｒの発光ライ
ンと考えられる）を終点判定に用いたものであって、こ
れにより本例の如きタングステンポリサイド構造をはじ
めとする、シリコン系の材料層（ゲート材料等）のＨＢ
ｒによるエンチング時に、含シリコン材料層のエツチン
グ終点判定を行うことができる。

実施例−３ 本実施例も、第１図（ａ）に示すポリサイド構造のエツ
チング時に、本出願の請求項３の発明を用いてエツチン
グ終点の判定を行ったものである。

但しエツチングガスは、高融点金属シリサイド層４　（
ＷＳｊｘ　Ｊｔｉ）のエツチングも、シリコン層３（Ｄ
ＯＰＯ３層）のエツチングも、ともにＨＢｒを用いて行
った。即ちこの実施例は、請求項２の発明は利用してい
ない。

本実施例では、実施例−２で用いたのと同様のＥＣＲプ
ラズマエツチャーにて、下記条件で高融点金属シリサイ
ド層４とシリコン層３とから成るポリサイド構造をエツ
チングする。

エツチングガス：　ＨＢｒ　＝５０　ＳＣＣＭマイクロ
波電カニ　８５０Ｗ ＲＦバイアス：　１５０Ｗ ガ　ス　圧カニ　５ｍＴｏｒｒ 本実施例でも、エツチング時の４４０ｎｍの発光をモニ
ターした。これにより、Ｄ　ＯＰ　ＯＳ　／　５ｉＯｚ
界面付近で急激に減少した発光強度の挙動により、終点
判定を行った。

本実施例においても、実施例−２と同様に適正なエツチ
ング終点の判定を行うことができた。

〔発明の効果〕

上述の如く本出願の請求項１．２の発明によれば、基体
上に形成されたシリコン層と高融点金属シリサイド層と
を有する被エツチング部をエツチングする場合に、各層
の良好な形状のエツチングを実現でき、また請求項３の
発明は、）ＩＢｒによる含シリコン材料層のエツチング
終点を容易かつ確実に判定して、これにより良好なエツ
チングを達成できる。

第４図は実施例−２，３を説明するための図であり、第
３図は発光スペクトル図、第４図は発光スペクトルの差
を示す図である。

３・・・シリコン層（ＤＯＰＯ３層）、４・・・高融点
金属シリサイド層（ＷＳｉｘ層）、５・・・フォトレジ
スト、１０・・・被エツチング部、１１・・・基体。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基体上に形成されたシリコン層と高融点金属シリサ
   イド層とを有する被エッチング部をエッチングするシリ
   コン系被エッチング材のエッチング方法において、 臭化水素とフッ素ラジカルを発生し得るガスとを含有す
   るエッチングガスを用いてエッチングを行うとともに、 上記シリコン層のエッチングと、上記高融点金属シリサ
   イド層のエッチングとを、上記臭化水素とフッ素ラジカ
   ルを発生し得るガスの混合比を変えた条件で行うことを
   特徴とするシリコン系被エッチング材のエッチング方法
   。 ２、基体上に形成されたシリコン層と高融点金属シリサ
   イド層とを有する被エッチング部をエッチングするシリ
   コン系被エッチング材のエッチング方法において、 上記高融点金属シリサイド層は臭化水素とフッ素ラジカ
   ルを発生し得るガスとを含有するエッチングガスを用い
   てエッチングし、上記シリコン層は臭化水素を用いてエ
   ッチングすることを特徴とするシリコン系被エッチング
   材のエッチング方法。 ３、基体上に形成された含シリコン材料層を有する被エ
   ッチング部をエッチングするシリコン系被エッチング材
   のエッチング方法において、上記含シリコン材料層は臭
   化水素を用いてエッチングを行うとともに、発光スペク
   トル強度変化をモニターすることにより該含シリコン材
   料層のエッチング終点を決定することを特徴とするシリ
   コン系被エッチング材のエッチング方法。