KR970067607A - 저압 전체 표면 부식용 마그네트론 - Google Patents

저압 전체 표면 부식용 마그네트론 Download PDF

Info

Publication number
KR970067607A
KR970067607A KR1019970008179A KR19970008179A KR970067607A KR 970067607 A KR970067607 A KR 970067607A KR 1019970008179 A KR1019970008179 A KR 1019970008179A KR 19970008179 A KR19970008179 A KR 19970008179A KR 970067607 A KR970067607 A KR 970067607A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
magnet assembly
target
magnetic field
sputtering
chamber
Prior art date
Application number
KR1019970008179A
Other languages
English (en)
Inventor
텝만 아비
반 고흐 짐
Original Assignee
조셉 제이. 스위니
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 조셉 제이. 스위니, 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 조셉 제이. 스위니
Publication of KR970067607A publication Critical patent/KR970067607A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3494—Adaptation to extreme pressure conditions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering
    • H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H01J37/3455—Movable magnets

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 진공 챔버의 타겟 표면을 스퍼터링하기 위한 마그네트론 소스 동작을 제어하기 위한 방법에 관한 것이고, 상기 방법은 스퍼터링의 저압 단계 동안에, 마그네트론 소스에 의해 발생된 자계가 스퍼터링 동안에 타겟을 벗어난 전자누설을 줄이기 위하여 타겟 표면의 내부 영역에 일차적으로 한정되고, 스퍼터링의 고압 단계 동안에 자석 어셈블리에 의하여 발생된 자계가 타겟 표면의 외부 영역으로부터 재료를 스퍼터하기 위하여 타겟 표면의 외부 영역으로 연장되게 하는 단계를 포함한다. 상기 고압 스퍼터링 단계를 저압 스퍼터링 단계의 압력보다 크다.

Description

저압 전체 표면 부식용 마그네트론
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따라서 만들어진 마그네트론 소스를 포함하는 스퍼터 증착챔버의 블록도.

Claims (33)

  1. 진공 챔버에서 타겟 표면을 스퍼터링하고, 자석 어셈블리를 포함하는 마그네트론 소스의 동작을 제어하기 위한 방법에 있어서, 챔버가 제1압력 상태에 있는 저압 스퍼터링 단계 동안에, 타겟을 벗어난 전자의 누설을 줄이기 위하여 자석 어셈블리에 의해 발생된 자계가 타겟 표면의 외부영역에 의해 둘러싸이는 내부 영역에 일차적으로 한정되게 하는 단계; 및 챔버가 제2압력 상태에 있는 고압 스퍼터링 단계 동안에, 타겟 표면의 외부영역으로부터 재료를 스퍼터하기 위하여 상기 자석 어셈블리에 의해 발생된 자계가 타겟 표면의 외부 영역으로 연장하게 하는 단계를 포함하고, 상기 제2압력은 제1압력보다 큰 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 저압 단계는 1m토르 보다 적은 큰 챔버 압력 사용하고 그리고 상기 고압 단계는 1m토르 보다 큰 챔버 압력을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 자계가 상기 타겟 표면의 내무 영역내에서 일차적으로 구성되게 하는 단계는 상기 타겟 뒤 제1영역내의 상기 자석 어셈블리를 스위핑하는 단계를 포함하고, 상기 제1영역은 타겟 표면 보다 적은 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 자계가 상기 타겟 표면의 내무 영역내에서 일차적으로 구성되게 하는 단계는 상기 타겟 뒤 제1영역내의 상기 자석 어셈블리를 스위핑하는 단계를 포함하며, 상기 자계가 상기 타겟 표면의 외부 영역으로 연장되게 하는 단걔는 상기 제1영역 뒤에 연장되는 영역으로 자석 어셈블리를 스위핑하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 자계가 상기 타겟 표면의 외부 영역으로 연장되게 하는 단계는 자계가 내부 영역에서 소비하는 것보다 외부 영역에서 많은 시간을 소비하게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 저압 스퍼터링 단계 및 다음 고압 스퍼터링 단계는 동일 기판에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 저압 스퍼터링 단계는 상기 고압 스퍼터링 단계를 수행하기 전에 연속적인 여러가지 기판에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 저압 스퍼터링 단계는 기판 상에서 수행되고, 상기 기판 상에 저압 스퍼터링 한 후 기판 및 타겟 사이에 셔터를 삽입하는 단계; 및 상기 고압 스퍼터링을 상기 셔터에 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 자석 어셈블리는 내부 영역에서 자계를 발생하기 위하여 사용되는 내부자석 어셈블리 및 외부 영역에 자계를 발생하기 위하여 사용되는 외부 자석 어셈블리를 갖고, 상기 자석 어셈블리에 의해 발생된 자계가 타겟 표면의 내부 영역에 일차적으로 형성되게 하는 단계는 외부 자석 어셈블리에 의하여 타겟 표면에서 발생된 자계를 내부 자석 어셈블리에 상대적으로 줄이는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 외부 자석 어셉블리에 의하여 타겟 표면에서 발생된 자계를 줄이는 단계는 타겟 표면으로부터 더 떨어져 외부 자석 어셈블리를 이동시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 자석 어셈블리는 내부 영역에서 자계를 발생하기 위하여 사용되는 내부 자석 어셈블리 및 외부 영역에서 자계를 발생하기 위하여 사용되는 외부 자석 어셈블리를 갖고, 상기 자석 어셈블리에 의해 발생된 자계가 상기 타겟 표면의 외부 영역으로 연장되게 하는 단계는 외부 자석 어셈블리에 의하여 타겟의 표면에서 발생된 자계를 상기 내부 자석 어셈블리에 상대적으로 증가시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 외부 자석 어셈블리에 의하여 타겟의 표면에서 발생된 자계를 증가시키는 단계는 타겟의 표면에 가까운 외부 자석 어셈블리를 이동시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 진공 챔버에서 타겟 표면을 스퍼터링하고 자계를 발생하는 자석 어셈블리를 포함하는 마그네트론 소스동작을 제어하는 방법에 있어서, 저압 챔버를 유지하는 동안에, 상기 타겟을 스퍼터링하는 단계; 상기 저압 스퍼터링 처리 동안에, 타겟을 벗어난 전자의 누설을 줄이기 위하여 자계가 타겟 표면의 외부 영역에 의해 둘러싸이는 내부 영역에 한정되게 하는 단계; 상기 저압 스퍼터링 후에 고압 챔버를 사용한 타겟을 스퍼터링하는 단계; 및 상기 고압 스퍼터링 동안에 상기 외부 영역의 타겟 표면으로부터 재료를 스퍼터하기 위하여 자계를 타겟 표면의 외부 영역으로 연장되게 하는 단계를 포함하고, 상기 고압 챔버는 상기 저압 챔버보다 더 큰 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 자계가 상기 타겟 표면의 내부 영역 내에서 일차적으로 한정되게 하는 단계는 상기 타겟 뒤 제1영역 내에서의 상기 자석 어셈블리를 스위핑하는 단계를 포함하고, 상기 자계가 타겟의 외부 영역으로 연장되게 하는 단계는 상기 제1영역 뒤로 연장되는 영역으로 상기 자석 어셈블리를 스위핑하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 자계가 상기 타겟 외부 영역으로 연장되게 하는 단계는 내부 영역에서 소비되는 것보다 외부 영역에서 많은 시간을 소비하게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 저압 스퍼터링 단계 및 다음 고압 스퍼터링 단계는 동일 기판에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제14항에 있어서, 상기 저압 스퍼터링 단계는 상기 고압 스퍼터링 단계를 수행하기 전에 연속적인 여러가지 기판에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제14항에 있어서, 상기 고압 스퍼터링 단계는 상기 챔버로부터 모든 기판을 제거한 후에 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 타겟의 표면을 스퍼터링 하는 플라즈마 시스템에 있어서, 챔버; 처리 동안에 챔버에서 타겟을 지지하고 타겟의 표면에 인접한 자계를 만드는 마그네트론 소스; 처리 동안에 기판을 지지하는 챔버 내의 플랫폼; 및 상기 마그네트론 및 전원 공급 장치를 제어하는 프로그램된 제어 장치를 포함하는데, 상기 프로그램된 제어 장치는, 저압 스퍼터링 단계 동안에 타겟을 벗어난 전자의 누설을 줄이기 위하여 자석 어셈블리에 의해 발생된 자계가 타겟 표면 외부 영역에 의해 둘러싸이는 내부 영역에 일차적으로 한정되게 하는 단계; 및 다음 고압 스퍼터링 단계 동안에 타겟 표면의 외부 영역으로부터 재료를 스퍼터하기 위하여 상기 자석 어셈블리에 의해 발생된 자계가 타겟 표면의 외부 영역으로 연장하게 하는 단계를 수행하고, 상기 고압 단계는 저압 단계의 챔버 압력보다 높은 챔버 압력을 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 시스템.
  20. 제19항에 있어서, 동작 동안에 상기 타겟 및 상기 플랫폼 상의 기판 사이에서 플라즈마를 발생하는 전원 공급 장치; 동작 동안에 가스 소스로부터 챔버로 가스 흐름을 제어하는 흐름 제어기; 및 상기 챔버에 접속되고 동작 동안에 상기 챔버를 배출하는 진공 챔버를 포함하고, 상기 제어 장치는 고압 및 저압 스퍼터링 단계를 수행하기 위하여 전원 공급장치, 상기 흐름 제어기 및 진공 펌프 동작을 제어하기 위하여 프로그램화되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 시스템.
  21. 제19항에 있어서, 상기 마르네트론 소스는 타겟 뒤의 자석 어셈블리를 이동시키는 이동가능한 자석 어셈블리 및 구동 장치를 포함하고, 상기 제어 장치는 저압 및 고압 동작 단계 동안에 요구된 자계를 만들기 위하여 구동 장치가 자석 어셈블리 뒤를 스위퍼하게 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 시스템.
  22. 타겟 표면을 스퍼터링하기 위한 플라즈마 시스템에서 사용되는 마그네트론 소스에 있어서, 사용하는 동안에 타겟 에어리어의 외부 영역에 의해 둘러싸이는 내부 영역에 일차적으로 한정된 타겟 정면에서의 에어리어상에 자계를 발생하는 제1자석 어셈블리; 및 사용하는 동안에 타겟 표면의 외부 영역에 일차적으로 한정된 상기 타겟 정면에서의 상기 에어리어 상에 자계를 발생하는 제2자석 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  23. 제22항에 있어서, 상기 제2자석 엇메블리는 상기 제1자석 어셈블리의 주면부 주위에 배치되는 다수의 자석을 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  24. 제23항에 있어서, 상기 제2자석 어셈블리는 상기 다수의 자석이 접속된 리프트 메카니즘을 더 포함하고, 상기 리프트 메카니즘은 외부 영역에서의 자계를 증감하기 위하여 다수의 자석을 상승 및 하강하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  25. 제23항에 있어서, 상기 리프트 메카니즘은 상기 다수의 자석이 접속된 다수의 솔레노이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  26. 제25항에 있어서, 동작하는 동안에 상기 제1자석 어셈블리를 회전시키는 모터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  27. 제26항에 있어서, 상기 제1자석 어셈블리는 제1자석 어셈블리가 회전되는 샤프트를 포함하고, 상기 모터 출력이 구동 벨트를 통하여 상기 샤프트에 결합되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  28. 타겟 표면을 스퍼터링하는 플라즈마 시스템에 있어서, 진공 챔버; 처리 동안에 상기 챔버내의 타겟을 지지하고, 타겟 표면에 인접한 자계를 만드는 마그네트론 소스; 및 처리 동안에 기판을 지지하는 챔버내의 플랫폼을 포함하는데, 상기 마그네트론 소스는, 사용하는 동안에 타겟 에어리어의 외부 영역에 의해 둘러싸이는 내부 영역에 일차적으로 한정된 타겟 정면에서의 에어리어 상에 자계를 발생하는 제1자석 어셈블리; 및 사용하는 동안에 타겟 표면의 외부 영역에 일차적으로 한정된 상기 타겟 정면에서의 상기 에어리어 상에 자계를 발생하는 제2자석 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 시스템.
  29. 제28항에 있어서, 상기 제2자석 어셈블리는 상기 제1자석 어셈블리의 주변부 주위에 배치된 다수의 자석을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 시스템.
  30. 제29항에 있어서, 상기 제2자석 어셈블리는 상기 다수의 자석이 접속된 리프트 메카니즘을 더 포함하고, 상기 리프트 메카니즘은 외부 영역에서의 자계를 증감하기 위하여 다수의 자석을 상승 및 하강하는 것을 특징으로 하는 플라스마 시스템.
  31. 제30항에 있어서, 상기 리프트 메카니즘은 상기 다수의 자석이 접속된 다수의 솔레노이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 시스템.
  32. 제30항에 있어서, 동작하는 동안에 상기 제1자석 어셈블리를 회전시키는 모터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 시스템.
  33. 제32항에 있어서, 상기 제1자석 어셈블리는 제1자석 어셈블리가 회전되는 샤프트 포함하고, 상기 모터출력이 구동 벨트를 통하여 상기 샤프트에 결합되는 것을 특징으로 하는 플라스마 시스템.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970008179A 1996-03-13 1997-03-12 저압 전체 표면 부식용 마그네트론 KR970067607A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/615,771 US5907220A (en) 1996-03-13 1996-03-13 Magnetron for low pressure full face erosion
US08/615,771 1996-03-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970067607A true KR970067607A (ko) 1997-10-13

Family

ID=24466743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970008179A KR970067607A (ko) 1996-03-13 1997-03-12 저압 전체 표면 부식용 마그네트론

Country Status (6)

Country Link
US (2) US5907220A (ko)
EP (2) EP0801415B1 (ko)
JP (1) JPH1036964A (ko)
KR (1) KR970067607A (ko)
DE (1) DE69700893T2 (ko)
TW (1) TW493011B (ko)

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5907220A (en) * 1996-03-13 1999-05-25 Applied Materials, Inc. Magnetron for low pressure full face erosion
GB9700158D0 (en) * 1997-01-07 1997-02-26 Gencoa Limited Versatile coating deposition system
EP0918351A1 (en) * 1997-11-19 1999-05-26 Sinvaco N.V. Improved planar magnetron with moving magnet assembly
US8696875B2 (en) * 1999-10-08 2014-04-15 Applied Materials, Inc. Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering
US20030116427A1 (en) * 2001-08-30 2003-06-26 Applied Materials, Inc. Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering
WO2003042424A1 (en) * 2000-10-10 2003-05-22 Applied Materials, Inc. Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering
US6610184B2 (en) * 2001-11-14 2003-08-26 Applied Materials, Inc. Magnet array in conjunction with rotating magnetron for plasma sputtering
US10047430B2 (en) 1999-10-08 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering
US8048806B2 (en) * 2000-03-17 2011-11-01 Applied Materials, Inc. Methods to avoid unstable plasma states during a process transition
US8617351B2 (en) * 2002-07-09 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with minimal D.C. coils for cusp, solenoid and mirror fields for plasma uniformity and device damage reduction
AU2001272643A1 (en) * 2000-07-27 2002-02-13 Stephen Robert Burgess Magnetron sputtering
US6627050B2 (en) 2000-07-28 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing a tantalum-containing layer on a substrate
DE10122070B4 (de) * 2001-05-07 2005-07-07 Texas Instruments Deutschland Gmbh Kathodenzerstäubungskammer zum Aufbringen von Material auf der Oberfläche einer in der Kammer befindlichen Halbleiterscheibe
JP4009087B2 (ja) * 2001-07-06 2007-11-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体製造装置における磁気発生装置、半導体製造装置および磁場強度制御方法
US7374636B2 (en) * 2001-07-06 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for providing uniform plasma in a magnetic field enhanced plasma reactor
US7041201B2 (en) * 2001-11-14 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Sidewall magnet improving uniformity of inductively coupled plasma and shields used therewith
KR101312690B1 (ko) * 2001-11-14 2013-09-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 스퍼터링 및 재스퍼터링을 위한 자기-이온화 및 유도 결합 플라즈마
US20030192646A1 (en) * 2002-04-12 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Plasma processing chamber having magnetic assembly and method
JP2004018896A (ja) * 2002-06-13 2004-01-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd スパッタ膜の成膜方法
TWI283899B (en) * 2002-07-09 2007-07-11 Applied Materials Inc Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control
US7504006B2 (en) * 2002-08-01 2009-03-17 Applied Materials, Inc. Self-ionized and capacitively-coupled plasma for sputtering and resputtering
US6846396B2 (en) * 2002-08-08 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Active magnetic shielding
US7458335B1 (en) 2002-10-10 2008-12-02 Applied Materials, Inc. Uniform magnetically enhanced reactive ion etching using nested electromagnetic coils
US7422654B2 (en) * 2003-02-14 2008-09-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for shaping a magnetic field in a magnetic field-enhanced plasma reactor
US7300558B2 (en) * 2003-10-21 2007-11-27 Seagate Technology Llc Rapid cycle time gas burster
US7182843B2 (en) * 2003-11-05 2007-02-27 Dexter Magnetic Technologies, Inc. Rotating sputtering magnetron
US7294224B2 (en) * 2003-12-01 2007-11-13 Applied Materials, Inc. Magnet assembly for plasma containment
US20050266173A1 (en) * 2004-05-26 2005-12-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus of distributed plasma processing system for conformal ion stimulated nanoscale deposition process
US7686928B2 (en) * 2004-09-23 2010-03-30 Applied Materials, Inc. Pressure switched dual magnetron
WO2006085354A1 (ja) * 2005-02-08 2006-08-17 Tohoku Seiki Industries, Ltd. スパッタリング装置
US20070012557A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Applied Materials, Inc Low voltage sputtering for large area substrates
US8361283B2 (en) * 2005-07-28 2013-01-29 Seagate Technology Llc Method and apparatus for cleaning a target of a sputtering apparatus
US20080067058A1 (en) * 2006-09-15 2008-03-20 Stimson Bradley O Monolithic target for flat panel application
EP2246459A1 (en) * 2008-02-13 2010-11-03 Shibaura Mechatronics Corporation Magnetron sputtering apparatus and magnetron sputtering method
JP2009287076A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Showa Denko Kk スパッタリング方法及び装置
US20100012481A1 (en) * 2008-07-21 2010-01-21 Guo G X Deposition system having improved material utilization
DE102008050499B4 (de) 2008-10-07 2014-02-06 Systec System- Und Anlagentechnik Gmbh & Co. Kg PVD-Beschichtungsverfahren, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens und nach dem Verfahren beschichtete Substrate
JP5003667B2 (ja) * 2008-12-15 2012-08-15 大日本印刷株式会社 薄膜の製造方法および薄膜製造装置
CN102471878B (zh) * 2009-07-17 2013-11-20 株式会社爱发科 成膜装置
CN102859639B (zh) * 2010-02-10 2016-03-09 欧瑞康先进科技股份公司 磁控管源及制造方法
US8699183B2 (en) 2011-04-22 2014-04-15 Seagate Technology Llc Write pole and shield with different taper angles
JP2012251233A (ja) * 2011-06-07 2012-12-20 Sharp Corp 成膜装置及び発光装置
US10106883B2 (en) 2011-11-04 2018-10-23 Intevac, Inc. Sputtering system and method using direction-dependent scan speed or power
SG10201603937RA (en) * 2011-11-04 2016-08-30 Intevac Inc Linear scanning sputtering system and method
US8830625B2 (en) 2012-11-29 2014-09-09 Seagate Technology Llc Data writer with tapered side shield sidewalls
KR20140085049A (ko) * 2012-12-27 2014-07-07 삼성디스플레이 주식회사 자화 방지 스퍼터링 장치 및 그 구동 방법
US10505412B2 (en) 2013-01-24 2019-12-10 Clearwater Holdings, Ltd. Flux machine
US20140263179A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Lam Research Corporation Tuning system and method for plasma-based substrate processing systems
KR102540373B1 (ko) * 2014-07-23 2023-06-05 클리어워터 홀딩스, 엘티디. 플럭스 장치
US11189434B2 (en) 2017-09-08 2021-11-30 Clearwater Holdings, Ltd. Systems and methods for enhancing electrical energy storage
CN111344933B (zh) 2017-10-29 2023-04-07 清水控股有限公司 模块化电磁机器及其使用和制造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0451642A2 (en) * 1990-03-30 1991-10-16 Applied Materials, Inc. Sputtering system
JPH07166346A (ja) * 1993-12-13 1995-06-27 Ulvac Japan Ltd マグネトロンスパッタリング装置
US5609739A (en) * 1993-12-24 1997-03-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Sputtering apparatus

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2298880A1 (fr) * 1975-01-22 1976-08-20 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif d'implantation ionique
US4309266A (en) * 1980-07-18 1982-01-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Magnetron sputtering apparatus
US4500408A (en) * 1983-07-19 1985-02-19 Varian Associates, Inc. Apparatus for and method of controlling sputter coating
US4581260A (en) * 1984-09-25 1986-04-08 Ampex Corporation Electroless plating method and apparatus
US4714536A (en) * 1985-08-26 1987-12-22 Varian Associates, Inc. Planar magnetron sputtering device with combined circumferential and radial movement of magnetic fields
DE4017111C2 (de) * 1990-05-28 1998-01-29 Hauzer Holding Lichtbogen-Magnetron-Vorrichtung
US4902398A (en) * 1988-04-27 1990-02-20 American Thim Film Laboratories, Inc. Computer program for vacuum coating systems
JPH02298024A (ja) * 1989-05-12 1990-12-10 Tadahiro Omi リアクティブイオンエッチング装置
US5635036A (en) * 1990-01-26 1997-06-03 Varian Associates, Inc. Collimated deposition apparatus and method
ES2089039T3 (es) * 1990-02-09 1996-10-01 Applied Materials Inc Procedimiento para la eliminacion de material excedente de una camara para la deposicion por chisporroteo y dispositivo para la realizacion del mismo.
US5320728A (en) * 1990-03-30 1994-06-14 Applied Materials, Inc. Planar magnetron sputtering source producing improved coating thickness uniformity, step coverage and step coverage uniformity
US5242566A (en) * 1990-04-23 1993-09-07 Applied Materials, Inc. Planar magnetron sputtering source enabling a controlled sputtering profile out to the target perimeter
DE4125110C2 (de) * 1991-07-30 1999-09-09 Leybold Ag Magnetron-Zerstäubungskathode für Vakuumbeschichtungsanlagen
US5194131A (en) * 1991-08-16 1993-03-16 Varian Associates, Inc. Apparatus and method for multiple ring sputtering from a single target
US5322606A (en) * 1991-12-26 1994-06-21 Xerox Corporation Use of rotary solenoid as a shutter actuator on a rotating arm
DE4329155A1 (de) * 1993-08-30 1995-03-02 Bloesch W Ag Magnetfeldkathode
US5496455A (en) * 1993-09-16 1996-03-05 Applied Material Sputtering using a plasma-shaping magnet ring
JP2755138B2 (ja) 1993-12-15 1998-05-20 日本電気株式会社 スパッタ装置
US5907220A (en) * 1996-03-13 1999-05-25 Applied Materials, Inc. Magnetron for low pressure full face erosion

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0451642A2 (en) * 1990-03-30 1991-10-16 Applied Materials, Inc. Sputtering system
JPH07166346A (ja) * 1993-12-13 1995-06-27 Ulvac Japan Ltd マグネトロンスパッタリング装置
US5609739A (en) * 1993-12-24 1997-03-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Sputtering apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
EP0801415B1 (en) 1999-12-08
DE69700893T2 (de) 2000-07-20
EP0801415A3 (en) 1997-12-17
JPH1036964A (ja) 1998-02-10
TW493011B (en) 2002-07-01
US6228235B1 (en) 2001-05-08
US5907220A (en) 1999-05-25
EP0801415A2 (en) 1997-10-15
DE69700893D1 (de) 2000-01-13
EP0877411A1 (en) 1998-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970067607A (ko) 저압 전체 표면 부식용 마그네트론
US20170029937A1 (en) Method of coating high aspect ratio features
US6196155B1 (en) Plasma processing apparatus and method of cleaning the apparatus
US6806651B1 (en) High-density plasma source
EP1726190B1 (en) Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities
US6057244A (en) Method for improved sputter etch processing
US20100270144A1 (en) High Power Pulse Magnetron Sputtering For High Aspect-Ratio Features, Vias, and Trenches
WO2002037529A2 (en) Pulsed sputtering with a small rotating magnetron
US20090032191A1 (en) High Density Plasma Source
KR20160078969A (ko) 성막 장치 및 성막 방법
JP2020205361A (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP7416906B2 (ja) 改良されたプラズマ制御のためのｅｍ源
JP3729769B2 (ja) プラズマ処理装置
JP4403617B2 (ja) スパッタリング装置
JP3784203B2 (ja) マグネトロンスパッタ方法と装置
JP2006028563A (ja) カソーディックアーク成膜方法および成膜装置
JP2005146369A (ja) スパッタリング装置および方法
JP2006028562A (ja) 成膜装置および逆スパッタリング方法
JP2006037127A (ja) スパッタ電極構造
JP2002004037A (ja) スパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリング装置
JP6641382B2 (ja) カーボン膜の成膜方法
JP3898318B2 (ja) スパッタリング装置
JPH07263190A (ja) 放電プラズマ処理装置
JP2982211B2 (ja) プラズマ装置及び該装置の使用方法
JP2000273628A (ja) スパッタリング方法およびその装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application