KR970067383A - 생산량 증가를 위한 메모리 칩 구조 및 패키지 방법 - Google Patents
생산량 증가를 위한 메모리 칩 구조 및 패키지 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970067383A KR970067383A KR1019970010255A KR19970010255A KR970067383A KR 970067383 A KR970067383 A KR 970067383A KR 1019970010255 A KR1019970010255 A KR 1019970010255A KR 19970010255 A KR19970010255 A KR 19970010255A KR 970067383 A KR970067383 A KR 970067383A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- data
- rom
- read
- chip
- circuit
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/88—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring with partially good memories
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
- G11C29/83—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with reduced power consumption
- G11C29/832—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with reduced power consumption with disconnection of faulty elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/18—Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits
- G11C29/26—Accessing multiple arrays
Abstract
대규모 디지탈 메모리칩의 생산량을 증가시키는 메모리 소자 및 패키지 방법에 제공된다. 본 발명의 구조는 다수의 부분적으로 결함있는 메모리칩을 단일 케이스에 수용하여 동일 메모리칩을 비결함칩으로 제공함으로써 작은 결함을 갖는 칩을 패기시킬 필요성을 제거하는 능력을 제공한다. 칩은 개별적으로 테스트되고 기능억제될 수 있는 데이터 블록으로 분할되므로 칩 전체가 아닌 결합있는 블록만이 폐기되고, 따라서, 생산량을 증가시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 ROM 칩구조의 한 실시예의 블록도.
Claims (25)
- 판독 전용 메모리 소자에 있어서, 소정수의 데이타 블록으로 분할되는 소정수의 데이터 저장셀을 갖는 적어도 하나의 ROM 칩으로서, 상기 소자의 각 ROM 칩의 상기 데이터 블록이 각 ROM 칩내의 동일 위치에 위치하는 ROM 칩과; 상기 데이터 블록의 상기 저장셀로부터 데이터를 검색하는 어드레스 회로와; 상기 어드레스 회로에 대한 상기 각 ROM 칩의 상기 동일 블록의 병렬 전기 접속을 용이하게 하는, 상기 ROM 칩용 하우징 및; 소정 ROM 칩의 소정 데이터 블록으로부터의 데이타 검색을 선택적으로 기능억제하는 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 어드레스 수단은 상기 각 데이터 블록의 상기 각 저장셀을 순차적으로 어드레싱하는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 어드레스 수단은 별개의 데이터 블록의 저장셀로부터 데이터를 동기 검색하기 위한 병렬 어드레서인 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 어드레스 수단은 21 비트 어드레스 버스를 사용하는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 어드레스 수단은 ROM 칩의 상기 저장셀을 테스트하는 수단을 제공하는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
- 제5항에 있어서, 상기 테스트 수단은 순환 여유 카운터(CRC) 검사를 사용하는 내장된 자체 테스트 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
- 제6항에 있어서, 상기 CRC 검사는 상기 ROM 칩 각각의 상기 테이터 블록 각각에 대해 소정 순서로 수행되는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
- 제6항에 있어서, 상기 CRC 검사는 소정 ROM 칩의 상기 데이터 블록에서 병렬로 수행되는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 ROM 칩의 상기 데이터 블록에 대해 고속 테스트를 제공하는 재장된 자체 테스트 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
- 제9항에 있어서, 상기 내장된 자체 테스트 회로는 상기 내장된 테스트 회로를 기능억제하는 회로 차단기군(bank)을 구비하는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 소정 ROM 칩의 소정 데이터 블록을 선택적으로 기능 억제하는 수단은 상기 어드레스 수단을 상기 소정 데이타 블록으로부터 차단시키는 회로 차단기를 사용하는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
- 제9항에 있어서, 상기 테스트 회로는 디지탈 회로인 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
- 제9항에 있어서, 상기 테스트 회로는 아나로그 회로인 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 ROM은 64 Mbit인 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
- 제14항에 있어서, 상기 64 Mbit ROM은, 2 Mbyte의 데이터를 각각 포함하는 4데이터 블록으로 분할되는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
- 제14항에 있어서, 상기 64 Mbit ROM은 2백만의 4비트 니블의 8블록으로 분할되는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
- 제14항에 있어서, 상기 64 Mbit ROM은, 4 Mbit의 데이터를 각각 포함하는 16 데이터 블록으로 분할되는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
- 제17항에 있어서, 상기 16 데이터 블록은 또한 소정수의 데이터 서브블록으로 한번 더 분할되는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
- 대규모 메모리 소자에 있어서, 소정수의 데이터 블록으로 분할되는 소정수의 데이터 저장셀을 갖는 적어도 하나의 ROM 칩으로써, 상기 각 데이터 블록이 상기 대규모 메모리 소자의 상기 각 ROM 칩에서 동일 데이터 블록을 갖는 ROM 칩과; 상기 데이터 블록의 상기 저장셀로부터 데이터를 검색하는 어드레스 회로와; 상기 ROM 칩 각각의 상기 데이터 블록 각각에 결함이 있는지를 테스트하는 내장된 자체 테스트 회로와; 상기 어드레스 회로 및 상기 내장된 자체 테스트 회로에 대한 각 ROM 칩의 상기 동일 데이터 블록의 병렬 전기 접속을 용이하게 하는, 상기 ROM을 수용하는 멀티칩 하우징 및; 상기 칩 각각의 상기 데이터 블록 각각으로부터의 데이터 검색을 선택적으로 기능억제하는 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 대규모 메모리 소자.
- 소정 메모리 용량을 갖는 ROM 칩을 패키지하는 방법에 있어서, a. 별도의 출력 구동기와 별도의 어드레스 구동기를 갖는 상기 ROM 칩 각각의 상기 데이터 블록이 상기 ROM 칩 각각의 동일 위치에 위치하도록 각 ROM 칩을 소정수의 데이터 블록으로 분할하는 단계와; b. 결함이 존재하는지를 결정하도록 각 칩의 상기 각 데이터 블록을 테스트하는 단계와; c. 단계 b에서 발견된 결함있는 데이터 블록 각각의 어드레스 구동기를 기능 억제하여 저장된 데이터를 한 번 더 억세스하는 것을 방지하는 단계와; d. 상기 어드레싱 회로에 대한 소정수의 칩의 병렬 전기 접속을 용이하게 하는 하우징내에 소정수의 칩을 배치하여 소정 메모리 용량을 제공하는 단계 및; e. 단계 a에서 규정된 상기 각 블록이 상기 하우징내에서 한 칩에만 어드레스 되도록 또다른 칩에서 동일 데이터 블록을 갖는 상기 소정칩 각각의 데이터 블록을 기능억제하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 ROM 칩 패키지 방법.
- 제20항에 있어서, 상기 테스트 단계 b는 디지탈 회로를 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 ROM 칩 패키지 방법.
- 제20항에 있어서, 상기 테스트 단계 b는 아나로그 회로를 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 ROM 칩 패키지 방법.
- 제20항에 있어서, 상기 하우징에 칩을 배치하는 것은, 칩의 패키지가 단계 d에서 형성된 단위 하우징당 칩수를 최소화하도록 선택적으로 수행되는 것을 특징으로 하는 ROM 칩 패키지 방법.
- 소정수의 저장셀을 각각 갖는 다수의 데이타 블록과; 상기 데이터 블록으로부터 데이터를 검색하는 어드레스 수단 및; 상기 어드레스 수단을 기능억제하는 기능억제 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 칩.
- 소정수의 저장셀을 각각 갖는 다수의 데이타 블록과; 상기 데이터 블록에 전기적으로 접속되어 상기 저장셀로부터 데이터를 검색하는 수단을 제공하는 어드레스 회로 및; 상기 어드레스 회로에 전기적으로 접속되어 상기 어드레스 회로를 선택적으로 기능억제하는 수단을 제공하는 기능억제 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 칩.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/622,100 US5793942A (en) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | Memory chip architecture and packaging method for increased production yield |
US622,100 | 1996-03-26 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970067383A true KR970067383A (ko) | 1997-10-13 |
KR100274105B1 KR100274105B1 (ko) | 2001-01-15 |
Family
ID=24492940
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970010255A KR100274105B1 (ko) | 1996-03-26 | 1997-03-25 | 생산량 증가를 위한 메모리칩 구조 및 패키지 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5793942A (ko) |
JP (1) | JPH09270199A (ko) |
KR (1) | KR100274105B1 (ko) |
TW (1) | TW330293B (ko) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5923682A (en) * | 1997-01-29 | 1999-07-13 | Micron Technology, Inc. | Error correction chip for memory applications |
US6173357B1 (en) * | 1998-06-30 | 2001-01-09 | Shinemore Technology Corp. | External apparatus for combining partially defected synchronous dynamic random access memories |
US6675319B2 (en) * | 2000-12-27 | 2004-01-06 | Han-Ping Chen | Memory access and data control |
WO2007064781A2 (en) * | 2005-11-30 | 2007-06-07 | Kelsey-Hayes Company | Microprocessor memory management |
US20080083982A1 (en) * | 2006-10-10 | 2008-04-10 | International Business Machines Corporation | Method and system for initiating proximity warning alarm for electronic devices and prohibiting operation thereof |
US20090283916A1 (en) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | United Microelectronics Corp. | Chip structure and method of reworking chip |
KR101124331B1 (ko) | 2010-04-30 | 2012-03-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3659275A (en) * | 1970-06-08 | 1972-04-25 | Cogar Corp | Memory correction redundancy system |
US3753235A (en) * | 1971-08-18 | 1973-08-14 | Ibm | Monolithic memory module redundancy scheme using prewired substrates |
US3755791A (en) * | 1972-06-01 | 1973-08-28 | Ibm | Memory system with temporary or permanent substitution of cells for defective cells |
US4493075A (en) * | 1982-05-17 | 1985-01-08 | National Semiconductor Corporation | Self repairing bulk memory |
US4720817A (en) * | 1985-02-26 | 1988-01-19 | Texas Instruments Incorporated | Fuse selection of predecoder output |
EP0389203A3 (en) * | 1989-03-20 | 1993-05-26 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory device having information indicative of presence of defective memory cells |
JP2837433B2 (ja) * | 1989-06-05 | 1998-12-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体記憶装置における不良ビット救済回路 |
DE69023181T2 (de) * | 1989-08-04 | 1996-04-18 | Fujitsu Ltd | Halbleiterspeichergerät mit Redundanz. |
JPH03204053A (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-05 | Sharp Corp | 読出し専用メモリ |
US5199033A (en) * | 1990-05-10 | 1993-03-30 | Quantum Corporation | Solid state memory array using address block bit substitution to compensate for non-functional storage cells |
US5278793A (en) * | 1992-02-25 | 1994-01-11 | Yeh Tsuei Chi | Memory defect masking device |
KR100296850B1 (ko) * | 1992-05-28 | 2001-10-24 | 썬 마이크로시스템즈, 인코포레이티드 | 캐시램용다수의뱅크열용장성초기화제어기 |
JPH0684394A (ja) * | 1992-09-04 | 1994-03-25 | Nec Corp | 半導体メモリ回路 |
US5323353A (en) * | 1993-04-08 | 1994-06-21 | Sharp Microelectronics Technology Inc. | Method and apparatus for repair of memory by redundancy |
US5644541A (en) * | 1995-11-03 | 1997-07-01 | Philip K. Siu | Memory substitution system and method for correcting partially defective memories |
-
1996
- 1996-03-26 US US08/622,100 patent/US5793942A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-02-14 JP JP9030099A patent/JPH09270199A/ja active Pending
- 1997-03-25 KR KR1019970010255A patent/KR100274105B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-04-08 TW TW086104425A patent/TW330293B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100274105B1 (ko) | 2001-01-15 |
US5793942A (en) | 1998-08-11 |
TW330293B (en) | 1998-04-21 |
JPH09270199A (ja) | 1997-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6097647A (en) | Efficient method for obtaining usable parts from a partially good memory integrated circuit | |
EP0555307B1 (en) | A fault tolerant data storage system | |
US7539896B2 (en) | Repairable block redundancy scheme | |
KR930011107B1 (ko) | 불량 메모리셀 존재를 표시하는 정보를 갖는 반도체 메모리 장치 | |
KR910010534A (ko) | 반도체 기억장치의 용장회로 | |
KR920005798A (ko) | 반도체 집적회로 | |
KR20000010683A (ko) | 여분소자를갖는반도체메모리장치에대한레이아웃 | |
KR940022583A (ko) | 병렬비트테스트모드내장 반도체 메모리 | |
KR970066902A (ko) | 디바이스간 셀 교체를 구현하기 위한 시스템 및 방법 | |
US7945823B2 (en) | Programmable address space built-in self test (BIST) device and method for fault detection | |
KR960012032A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR970067383A (ko) | 생산량 증가를 위한 메모리 칩 구조 및 패키지 방법 | |
KR910013285A (ko) | 불휘발성 반도체메모리 | |
KR980004966A (ko) | 반도체 기억 장치 | |
JP3215919B2 (ja) | メモリ管理 | |
US20020124203A1 (en) | Method for utilizing DRAM memory | |
KR20200049564A (ko) | 메모리 위치에 액세스하기 위한 장치 및 방법 | |
JPS62250599A (ja) | 半導体メモリ装置 | |
JPS60182089A (ja) | ウエーハ規模集積回路 | |
JP2003346477A (ja) | Dramおよびそのリフレッシュ方法 | |
JPH08212795A (ja) | 集積回路随時書き込み読み出しメモリ | |
KR950009745A (ko) | 반도체 기억장치 | |
JPH0991991A (ja) | メモリモジュール | |
KR100194419B1 (ko) | 음성데이타용 메모리를 시스템 데이타용 메모리로서 이용하기위한회로및그방법 | |
JPH1186595A (ja) | 半導体メモリ試験装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120821 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130820 Year of fee payment: 14 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |