KR970067383A - 생산량 증가를 위한 메모리 칩 구조 및 패키지 방법 - Google Patents

생산량 증가를 위한 메모리 칩 구조 및 패키지 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970067383A
KR970067383A KR1019970010255A KR19970010255A KR970067383A KR 970067383 A KR970067383 A KR 970067383A KR 1019970010255 A KR1019970010255 A KR 1019970010255A KR 19970010255 A KR19970010255 A KR 19970010255A KR 970067383 A KR970067383 A KR 970067383A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
data
rom
read
chip
circuit
Prior art date
Application number
KR1019970010255A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100274105B1 (ko
Inventor
마사카즈 쇼지
Original Assignee
엘리 와이스
루센트 테크놀로지스 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘리 와이스, 루센트 테크놀로지스 인코포레이티드 filed Critical 엘리 와이스
Publication of KR970067383A publication Critical patent/KR970067383A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100274105B1 publication Critical patent/KR100274105B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/88Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring with partially good memories
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/83Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with reduced power consumption
    • G11C29/832Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with reduced power consumption with disconnection of faulty elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/18Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits
    • G11C29/26Accessing multiple arrays

Abstract

대규모 디지탈 메모리칩의 생산량을 증가시키는 메모리 소자 및 패키지 방법에 제공된다. 본 발명의 구조는 다수의 부분적으로 결함있는 메모리칩을 단일 케이스에 수용하여 동일 메모리칩을 비결함칩으로 제공함으로써 작은 결함을 갖는 칩을 패기시킬 필요성을 제거하는 능력을 제공한다. 칩은 개별적으로 테스트되고 기능억제될 수 있는 데이터 블록으로 분할되므로 칩 전체가 아닌 결합있는 블록만이 폐기되고, 따라서, 생산량을 증가시킬 수 있다.

Description

생산량 증가를 위한 메모리 칩 구조 및 패키지 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 ROM 칩구조의 한 실시예의 블록도.

Claims (25)

  1. 판독 전용 메모리 소자에 있어서, 소정수의 데이타 블록으로 분할되는 소정수의 데이터 저장셀을 갖는 적어도 하나의 ROM 칩으로서, 상기 소자의 각 ROM 칩의 상기 데이터 블록이 각 ROM 칩내의 동일 위치에 위치하는 ROM 칩과; 상기 데이터 블록의 상기 저장셀로부터 데이터를 검색하는 어드레스 회로와; 상기 어드레스 회로에 대한 상기 각 ROM 칩의 상기 동일 블록의 병렬 전기 접속을 용이하게 하는, 상기 ROM 칩용 하우징 및; 소정 ROM 칩의 소정 데이터 블록으로부터의 데이타 검색을 선택적으로 기능억제하는 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 어드레스 수단은 상기 각 데이터 블록의 상기 각 저장셀을 순차적으로 어드레싱하는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 어드레스 수단은 별개의 데이터 블록의 저장셀로부터 데이터를 동기 검색하기 위한 병렬 어드레서인 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 어드레스 수단은 21 비트 어드레스 버스를 사용하는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 어드레스 수단은 ROM 칩의 상기 저장셀을 테스트하는 수단을 제공하는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
  6. 제5항에 있어서, 상기 테스트 수단은 순환 여유 카운터(CRC) 검사를 사용하는 내장된 자체 테스트 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
  7. 제6항에 있어서, 상기 CRC 검사는 상기 ROM 칩 각각의 상기 테이터 블록 각각에 대해 소정 순서로 수행되는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
  8. 제6항에 있어서, 상기 CRC 검사는 소정 ROM 칩의 상기 데이터 블록에서 병렬로 수행되는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
  9. 제1항에 있어서, 상기 ROM 칩의 상기 데이터 블록에 대해 고속 테스트를 제공하는 재장된 자체 테스트 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
  10. 제9항에 있어서, 상기 내장된 자체 테스트 회로는 상기 내장된 테스트 회로를 기능억제하는 회로 차단기군(bank)을 구비하는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
  11. 제1항에 있어서, 상기 소정 ROM 칩의 소정 데이터 블록을 선택적으로 기능 억제하는 수단은 상기 어드레스 수단을 상기 소정 데이타 블록으로부터 차단시키는 회로 차단기를 사용하는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
  12. 제9항에 있어서, 상기 테스트 회로는 디지탈 회로인 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
  13. 제9항에 있어서, 상기 테스트 회로는 아나로그 회로인 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
  14. 제1항에 있어서, 상기 ROM은 64 Mbit인 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
  15. 제14항에 있어서, 상기 64 Mbit ROM은, 2 Mbyte의 데이터를 각각 포함하는 4데이터 블록으로 분할되는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
  16. 제14항에 있어서, 상기 64 Mbit ROM은 2백만의 4비트 니블의 8블록으로 분할되는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
  17. 제14항에 있어서, 상기 64 Mbit ROM은, 4 Mbit의 데이터를 각각 포함하는 16 데이터 블록으로 분할되는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
  18. 제17항에 있어서, 상기 16 데이터 블록은 또한 소정수의 데이터 서브블록으로 한번 더 분할되는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 소자.
  19. 대규모 메모리 소자에 있어서, 소정수의 데이터 블록으로 분할되는 소정수의 데이터 저장셀을 갖는 적어도 하나의 ROM 칩으로써, 상기 각 데이터 블록이 상기 대규모 메모리 소자의 상기 각 ROM 칩에서 동일 데이터 블록을 갖는 ROM 칩과; 상기 데이터 블록의 상기 저장셀로부터 데이터를 검색하는 어드레스 회로와; 상기 ROM 칩 각각의 상기 데이터 블록 각각에 결함이 있는지를 테스트하는 내장된 자체 테스트 회로와; 상기 어드레스 회로 및 상기 내장된 자체 테스트 회로에 대한 각 ROM 칩의 상기 동일 데이터 블록의 병렬 전기 접속을 용이하게 하는, 상기 ROM을 수용하는 멀티칩 하우징 및; 상기 칩 각각의 상기 데이터 블록 각각으로부터의 데이터 검색을 선택적으로 기능억제하는 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 대규모 메모리 소자.
  20. 소정 메모리 용량을 갖는 ROM 칩을 패키지하는 방법에 있어서, a. 별도의 출력 구동기와 별도의 어드레스 구동기를 갖는 상기 ROM 칩 각각의 상기 데이터 블록이 상기 ROM 칩 각각의 동일 위치에 위치하도록 각 ROM 칩을 소정수의 데이터 블록으로 분할하는 단계와; b. 결함이 존재하는지를 결정하도록 각 칩의 상기 각 데이터 블록을 테스트하는 단계와; c. 단계 b에서 발견된 결함있는 데이터 블록 각각의 어드레스 구동기를 기능 억제하여 저장된 데이터를 한 번 더 억세스하는 것을 방지하는 단계와; d. 상기 어드레싱 회로에 대한 소정수의 칩의 병렬 전기 접속을 용이하게 하는 하우징내에 소정수의 칩을 배치하여 소정 메모리 용량을 제공하는 단계 및; e. 단계 a에서 규정된 상기 각 블록이 상기 하우징내에서 한 칩에만 어드레스 되도록 또다른 칩에서 동일 데이터 블록을 갖는 상기 소정칩 각각의 데이터 블록을 기능억제하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 ROM 칩 패키지 방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 테스트 단계 b는 디지탈 회로를 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 ROM 칩 패키지 방법.
  22. 제20항에 있어서, 상기 테스트 단계 b는 아나로그 회로를 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 ROM 칩 패키지 방법.
  23. 제20항에 있어서, 상기 하우징에 칩을 배치하는 것은, 칩의 패키지가 단계 d에서 형성된 단위 하우징당 칩수를 최소화하도록 선택적으로 수행되는 것을 특징으로 하는 ROM 칩 패키지 방법.
  24. 소정수의 저장셀을 각각 갖는 다수의 데이타 블록과; 상기 데이터 블록으로부터 데이터를 검색하는 어드레스 수단 및; 상기 어드레스 수단을 기능억제하는 기능억제 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 칩.
  25. 소정수의 저장셀을 각각 갖는 다수의 데이타 블록과; 상기 데이터 블록에 전기적으로 접속되어 상기 저장셀로부터 데이터를 검색하는 수단을 제공하는 어드레스 회로 및; 상기 어드레스 회로에 전기적으로 접속되어 상기 어드레스 회로를 선택적으로 기능억제하는 수단을 제공하는 기능억제 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 판독 전용 메모리 칩.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970010255A 1996-03-26 1997-03-25 생산량 증가를 위한 메모리칩 구조 및 패키지 방법 KR100274105B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/622,100 US5793942A (en) 1996-03-26 1996-03-26 Memory chip architecture and packaging method for increased production yield
US622,100 1996-03-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970067383A true KR970067383A (ko) 1997-10-13
KR100274105B1 KR100274105B1 (ko) 2001-01-15

Family

ID=24492940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970010255A KR100274105B1 (ko) 1996-03-26 1997-03-25 생산량 증가를 위한 메모리칩 구조 및 패키지 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5793942A (ko)
JP (1) JPH09270199A (ko)
KR (1) KR100274105B1 (ko)
TW (1) TW330293B (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5923682A (en) * 1997-01-29 1999-07-13 Micron Technology, Inc. Error correction chip for memory applications
US6173357B1 (en) * 1998-06-30 2001-01-09 Shinemore Technology Corp. External apparatus for combining partially defected synchronous dynamic random access memories
US6675319B2 (en) * 2000-12-27 2004-01-06 Han-Ping Chen Memory access and data control
WO2007064781A2 (en) * 2005-11-30 2007-06-07 Kelsey-Hayes Company Microprocessor memory management
US20080083982A1 (en) * 2006-10-10 2008-04-10 International Business Machines Corporation Method and system for initiating proximity warning alarm for electronic devices and prohibiting operation thereof
US20090283916A1 (en) * 2008-05-13 2009-11-19 United Microelectronics Corp. Chip structure and method of reworking chip
KR101124331B1 (ko) 2010-04-30 2012-03-19 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3659275A (en) * 1970-06-08 1972-04-25 Cogar Corp Memory correction redundancy system
US3753235A (en) * 1971-08-18 1973-08-14 Ibm Monolithic memory module redundancy scheme using prewired substrates
US3755791A (en) * 1972-06-01 1973-08-28 Ibm Memory system with temporary or permanent substitution of cells for defective cells
US4493075A (en) * 1982-05-17 1985-01-08 National Semiconductor Corporation Self repairing bulk memory
US4720817A (en) * 1985-02-26 1988-01-19 Texas Instruments Incorporated Fuse selection of predecoder output
EP0389203A3 (en) * 1989-03-20 1993-05-26 Fujitsu Limited Semiconductor memory device having information indicative of presence of defective memory cells
JP2837433B2 (ja) * 1989-06-05 1998-12-16 三菱電機株式会社 半導体記憶装置における不良ビット救済回路
DE69023181T2 (de) * 1989-08-04 1996-04-18 Fujitsu Ltd Halbleiterspeichergerät mit Redundanz.
JPH03204053A (ja) * 1989-12-29 1991-09-05 Sharp Corp 読出し専用メモリ
US5199033A (en) * 1990-05-10 1993-03-30 Quantum Corporation Solid state memory array using address block bit substitution to compensate for non-functional storage cells
US5278793A (en) * 1992-02-25 1994-01-11 Yeh Tsuei Chi Memory defect masking device
KR100296850B1 (ko) * 1992-05-28 2001-10-24 썬 마이크로시스템즈, 인코포레이티드 캐시램용다수의뱅크열용장성초기화제어기
JPH0684394A (ja) * 1992-09-04 1994-03-25 Nec Corp 半導体メモリ回路
US5323353A (en) * 1993-04-08 1994-06-21 Sharp Microelectronics Technology Inc. Method and apparatus for repair of memory by redundancy
US5644541A (en) * 1995-11-03 1997-07-01 Philip K. Siu Memory substitution system and method for correcting partially defective memories

Also Published As

Publication number Publication date
KR100274105B1 (ko) 2001-01-15
US5793942A (en) 1998-08-11
TW330293B (en) 1998-04-21
JPH09270199A (ja) 1997-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6097647A (en) Efficient method for obtaining usable parts from a partially good memory integrated circuit
EP0555307B1 (en) A fault tolerant data storage system
US7539896B2 (en) Repairable block redundancy scheme
KR930011107B1 (ko) 불량 메모리셀 존재를 표시하는 정보를 갖는 반도체 메모리 장치
KR910010534A (ko) 반도체 기억장치의 용장회로
KR920005798A (ko) 반도체 집적회로
KR20000010683A (ko) 여분소자를갖는반도체메모리장치에대한레이아웃
KR940022583A (ko) 병렬비트테스트모드내장 반도체 메모리
KR970066902A (ko) 디바이스간 셀 교체를 구현하기 위한 시스템 및 방법
US7945823B2 (en) Programmable address space built-in self test (BIST) device and method for fault detection
KR960012032A (ko) 반도체 기억장치
KR970067383A (ko) 생산량 증가를 위한 메모리 칩 구조 및 패키지 방법
KR910013285A (ko) 불휘발성 반도체메모리
KR980004966A (ko) 반도체 기억 장치
JP3215919B2 (ja) メモリ管理
US20020124203A1 (en) Method for utilizing DRAM memory
KR20200049564A (ko) 메모리 위치에 액세스하기 위한 장치 및 방법
JPS62250599A (ja) 半導体メモリ装置
JPS60182089A (ja) ウエーハ規模集積回路
JP2003346477A (ja) Dramおよびそのリフレッシュ方法
JPH08212795A (ja) 集積回路随時書き込み読み出しメモリ
KR950009745A (ko) 반도체 기억장치
JPH0991991A (ja) メモリモジュール
KR100194419B1 (ko) 음성데이타용 메모리를 시스템 데이타용 메모리로서 이용하기위한회로및그방법
JPH1186595A (ja) 半導体メモリ試験装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120821

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130820

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee