KR970067375A - 반도체 소자의 테스트용 회로 - Google Patents
반도체 소자의 테스트용 회로 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 메모리 소자의 테스트.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래에는 리페어 전에 상기 스페어 셀의 결함을 체크할 방법이 없었기 때문에 리페어될 스페어 셀에 결함이 발생된 상태로 리페어 공정을 수행할 경우 리페어의 의미를 상실할 뿐만 아니라 리페어 후에 결함이 발생할 경우 원인분석을 위한 테스트 시간이 증가하여 비용의 낭비 뿐만아니라 제조 수율 저하 등의 문제점이 발생함.
3. 발명의 해결방법의 요지
메모리 셀 어레이의 결함 뿐만 아니라 스페어 셀의 결함도 테스트할 수 있도록 스페어 셀에도 어드레스를 부여하여 메모리 셀과 독립적으로 테스트할 수 있도록 함으로써 리페어 수율을 증가시킬 수 있도록 함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자의 스페어 셀 테스트에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 테스트용 회로도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 테스트용 회로에 있어서, 소정의 신호를 인가하기 위한 입력 패드와, 상기 입력 패드와 전원 공급수단에 연결되어 스페어 셀 디코더 또는 메모리 셀 어레이 디코더 로의 억세스 여부를 제어하기 위한 제어부와, 상기 입력 패드에 인가되는 신호와 상기 제어부의 신호를 논리 연산하기 위한 NAND Gate와, 상기 NAND Gate의 출력단에 연결되어 상기 NAND Gate의 출력 신호를 반전시키기 위한 제2인버터 수단과, 상기 제2인버터 수단의 출력단에 연결되는 스페어 셀 디코더 및 상기 NAND Gate의 출력단에 연결되는 메모리 셀 어레이 디코더를 포함해서 이루어진 반도체 소자의 테스트용 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 제어부는 다수의 퓨즈와, 상기 다수의 퓨즈에 연결되는 다수의 제1트랜지스터와, 상기 입력 패드에 연결되어 상기 입력 패드에 인가되는 신호를 반전시키기 위한 제1인버터 수단과, 게이트 단자는 상기 인버터 수단의 출력단에 연결되고, 드레인 단자는 상기 스페어 셀 디코더의 일단에 연결되고, 소스 단자는 접지에 연결되어 상기 제1인버터 수단의 출력 신호에 따라 동작하는 다수의 제2트랜지스터를 포함해서 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소장의 테스트용 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960006023A KR970067375A (ko) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | 반도체 소자의 테스트용 회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960006023A KR970067375A (ko) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | 반도체 소자의 테스트용 회로 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970067375A true KR970067375A (ko) | 1997-10-13 |
Family
ID=66215525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960006023A KR970067375A (ko) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | 반도체 소자의 테스트용 회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970067375A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100586068B1 (ko) * | 1999-12-20 | 2006-06-07 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 메모리장치의 리페어 회로 |
| KR100593731B1 (ko) * | 1999-08-26 | 2006-06-28 | 삼성전자주식회사 | 테스트 시간 단축기능을 가진 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 테스트 방법 |
-
1996
- 1996-03-08 KR KR1019960006023A patent/KR970067375A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100593731B1 (ko) * | 1999-08-26 | 2006-06-28 | 삼성전자주식회사 | 테스트 시간 단축기능을 가진 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 테스트 방법 |
| KR100586068B1 (ko) * | 1999-12-20 | 2006-06-07 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 메모리장치의 리페어 회로 |
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