KR970067119A - 미그(mig)형 박막 자기 헤드 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 갭에 금속이 개재되어 있는 M.I.G.형 박막 자기 헤드 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 제조 방법은 비자성 재질의 기판상에 하부 절연층을 형성시키는 단계와, 상기 하부 절연층상에 페라이트 조성의 하부 자성층을 형성시키는 단계와, 철계 합금 자성 재료를 상기 하부 자성층상에 소정 두께로 적층시켜서 제1자성 박막을 형성시키는 단계와, 건식 식각 공정에 의하여 상기 제1자성 박막을 부분적으로 식각시켜서 소정의 각도로 유지된 경사면 및 수평면을 제공하는 단계와, 상기 제1자성 박막상에 비자성 재질의 갭층을 형성시켜서 경사면 및 수평면을 제공하는 단계와, 상기 갭층의 수평면상에 박막 코일층을 형성시키는 단계와, 철계 합금자성 재료를 상기 수평 상태로 제공된 상기 코일층의 표면 및 경사 상태로 제공된 상기 갭층의 경사면상에 적층시켜서 제2자성 박막을 형성시키는 단계와, 상기 제2자성 박막의 경사면을 수평 상태로 유지시키는 단계와, 상기 제2자성 박막상에 상부자성층을 형성시키는 단계로 이루어지며 이에 의해서 제조된 M.I.G.형 박막 자기 헤드는 이온 밀링 식각 공정에 의하여 갭층의 형성 방향을 제1자성 박막 및 하부 자성층과 제2자성 박막 및 상부 자성층의 경계부의 형성 방향에 대하여 소정의 경사 각도로 용이하게 유지시키고 그 결과 우수한 재생 특성을 나타낸다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 M.I.G.형 박막 자기 헤드를 도시한 단면도, 제4도는 제3도에 표시된 선 Ⅳ-Ⅳ를 취한 M.I.G.형 박막 자기 헤드의 요부를 단면도, 제5도 (가) 내지 (라)는 본 발명에 따른 M.I.G.형 박막 자기 헤드의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 단면도.
Claims (10)
- 비자성 재질의 기판(31)상에 순차적으로 적층된 하부 자성층(33), 제1자성 박막(34), 갭층(35), 박막 코일층(36). 제2자성 박막(37)과 상부 자성층(38)으로 이루어져 있고, 상기 갭층(35)은 상기 제1자성 박막(34)과제2자성 박막(37)사이에 소정된 각도로 유지된 경사면을 구비하는 것을 특징으로 하는 M.I.G.형 박막 자기 헤드.
- 제1항에 있어서, 상기 갭층(35)의 경사면을 자기 코어의 폴 칩 구역에 형성되는 것을 특징으로 하는 M.I.G.형 박막 자기 헤드.
- 제1항에 있어서, 상기 갭층(35)의 트랙폭(W)과 상기 제1자성 박막(34) 및 제2자성 박막(37)에 의한 트랙폭의 크기는 동일하게 유지되는 것을 특징으로 하는 M.I.G.형 박막 자기 헤드.
- 제1항에 있어서, 상기 갭층(35)의 경사면은 상기 제1자성 박막(34)의 표면을 건식 식각 공정에 의하여 경사 상태로 유지시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 M.I.G.형 박막 자기 헤드.
- 제4항에 있어서, 상기 건식 식각 공정은 이온 밀링 식각 공정에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 M.I.G.형 박막 자기 헤드.
- 비자성 재질의 기판(31)상에 하부 절연층(32)을 형성시키는 단계와, 상기 하부 절연층(32)상에 페라이트 조성의 하부 자성층(33)을 형성시키는 단계와, 철계 합금 자성 재료를 상기 하부 자성층(330상에 소정 두께로 적층시켜서 제1자성 박막(34)을 형성시키는 단계와, 건식 식각 공정에 의하여 상기 제1자성 박막(34)을 부분적으로 식각시켜서 소정의 각도로 유지된 경사면 및 수평면을 제공하는 단게와, 상기 제1자성 박막(34)상에 비자성 재질의 갭층(35)을 형성시켜서 경사면 및 수평면을 제공하는 단계와, 상기 갭층(35)의 수평면상에 박막 코일층(36)을 형성시키는 단계와, 철계 합금 자성 재료를 상기 수평 상태로 제공된 상기 코일층(36)의 표면 및 경사 상태로 제공된 상기 갭층(35)의 경사면상에 적층시켜서 제2자성 박막(37)을 형성시키는 단계와, 상기 제2자성 박막(37)의 경사면을 수평 상태로 유지시키는 단계와, 상기 제2자성 박막(37)상에 상부 자성층(38)을 형성시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 M.I.G.형 박막 자기 헤드의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 건식 식각 공정은 이온 밀링 식각 공정에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 M.I.G.형 박막 자기 헤드의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 제1자성 박막(34)의 경사면은 자기 코어의 폴 칩 구역에 형성되는 것을 특징으로 하는 M.I.G.형 박막 자기 헤드의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 자기 코어의 폴 칩 구역에 형성된 상기 제2자성 박막(37)의 경사면은 이온 밀링 식각 공정에 의하여 평탄화되는 것을 특징으로 하는 M.I.G.형 박막 자기 헤드의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 박막 코일층(36)은 코어 절연층(39)에 의하여 상기 제1자성 박막(37) 및 제2자성 박막(37)으로부터 절연되는 것을 특징으로 하는 M.I.G.형 박막 자기 헤드의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019960007863A KR0181089B1 (ko) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 미그형 박막 자기 헤드 및 이의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019960007863A KR0181089B1 (ko) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 미그형 박막 자기 헤드 및 이의 제조 방법 |
Publications (2)
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|---|---|
| KR970067119A true KR970067119A (ko) | 1997-10-13 |
| KR0181089B1 KR0181089B1 (ko) | 1999-04-15 |
Family
ID=19453686
Family Applications (1)
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| KR1019960007863A KR0181089B1 (ko) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 미그형 박막 자기 헤드 및 이의 제조 방법 |
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| KR (1) | KR0181089B1 (ko) |
-
1996
- 1996-03-22 KR KR1019960007863A patent/KR0181089B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR0181089B1 (ko) | 1999-04-15 |
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