KR970064332A - 침지식 기판면 레지스트층 형성방법 및 그 장치 - Google Patents

침지식 기판면 레지스트층 형성방법 및 그 장치 Download PDF

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KR970064332A
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KR1019960003820A
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마사이찌 사또
요시노부 무까유
Original Assignee
마사이찌 사또
가부시끼가이샤 일본 오토기겐고우교
요시노부 무까유
사쯔마쥬우신고우교 가부시끼가이샤
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract

균일한 막두께를 형성하고 공정사이클을 짧게하고 장치를 간단하고 저렴하게되도록 침지법에 의하여 미크론오더의 전도의 레지스트막을 형성한다. 기판의 하연 R과 하연 R이 가로자르는 레지스트액면 S과의 사이의 각도를 적절한 액절각도θ로 설정하고, 기판(2)에 형성하는 레지스트층(11a)의 막두께에 대응하는 제어속도로 기판(2)을 끌어올리고, 제어속도를 기판(2)의 하연 R의 상단이 무진동적인 액면 S을 나오기 전의 1차제어속도와 그 후의 2차제어속도로 기판을 레지시트액으로부터 끌어올려서 기판면에 레지스트액을 도포하고, 기판에 미크론오더로 제어된 막두께의 레지스트층을 형성한다.

Description

침지식 기판면 레지스트층 형성방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 침지식 레지스트층 형성장치의 개념을 표시하며, 사축(斜軸)투영도.

Claims (7)

  1. 기판(2)을 레지스트액중에 침지한 후에 상기 기판(2)을 끌어올려서 상기 기판(2)의 면에 레지스트액을 도포하는 침지식 기판면 레지스트층 형성방법으로서, 액침중의 상기 기판의 하연(R)과 상기 하연(R)이 가로자르는 레지스트액면(S)과의 사이의 가도가 45도보다 작고 영도보다 큰 액절각도θ로 설정하고, 상기 기판(2)에 형성하는 레지스트층(11a)의 막두께에 대응하는 제어속도로 상기 기판(2)을 끌어올리는 것을 특징으로 하는 침지식 기판면 레지스트층 형성방법.
  2. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 제어속도를 기판(2)의 하연(R)의 상단의 액면(S)을 나오기 전의 1차제어속도와 그 후의 2차제어속도로 구성한 것을 특징으로 하는 침지식 기판면 레지스트층 형성방법.
  3. 청구범위 제2항에 있어서, 상기 2차제어속도를 V로 표시하면, 상기 2차제어속도 V가 다음식
    V= {(g-㎛)/Km} ·sin( θ)
    g : 중력가속도, μ : 질량의 마이너스 3분의 1승, 가속도의 차원을 가지는 실험식 정수, k: 시간의 마이너스 1승, 질량의 마이너스 s승의 차원을 가지는 실험식 정수, s :무차원의 실험식 정수로 정하여지는 것을 특징으로 하는 침지식 기판면 레지스트층 형성방법.
  4. 액면측이 개방된 레지스트액 탱크(1)와, 기판하연(R)을 레지스트액의 액면(S)에 대하여 액절각도θ기울여서 기판(2)을 지지하기 위한 액절각도설정수단(3), 액절각도설정수단(3)을 승강시키기 위한 승강수단(4)과,상기 액절각도설정수단(3)의 상승속도를 제어하기 위한 상승속도제어수단(8)으로된 것을 특징으로 하는 침지식 기판면 레지스트층 형성장치.
  5. 청구범위 제4항에 있어서, 상기 기판(2)의 승강사이클중에 상기 기판(2)을 경등시키기 위한 경동수단(7)과, 상기 경동수단(7)에 의하여 경동시킨 상기 기판을 경동각도위치에서 정지시키기 위한 정위치정지수단(60)으로된 것을 특징으로 하는 침지식 기판면 레지스프층 형성장치.
  6. 청구범위 제4항에 있어서, 상기 기판(2)의 승강사이클중에 상기기판(2)의 상승속도를 가변으로하기 위한 속도콘트롤러(93)로된 것을 특징으로 하는 침지식 기판면 레지스트층 형성장치.
  7. 청구범위 제4항에 있어서, 레지스트액을 순환시키는 레지스트액순환수단(30)과, 액침증의 상기 기판(2)이 상승하고 있는 동안에는 상기 레지스트액순환수단(30)을 정시시키는 것을 특징으로 하는 침지식 기판면 레지스트층 형성장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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