KR970063727A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

반도체장치의 제조방법 Download PDF

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KR970063727A
KR970063727A KR1019960003802A KR19960003802A KR970063727A KR 970063727 A KR970063727 A KR 970063727A KR 1019960003802 A KR1019960003802 A KR 1019960003802A KR 19960003802 A KR19960003802 A KR 19960003802A KR 970063727 A KR970063727 A KR 970063727A
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KR
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insulating film
semiconductor device
gate insulating
manufacturing
forming
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KR1019960003802A
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Inventor
강창진
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 콘택홀을 형성하는 공정에서 발생하는 콘택홀내의 잔사를 제거하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체기판상에 형성된 게이트전극과, 상기 게이트전극과 외부전극과의 전기적 절연을 위해 상기 게이트전극상에 형성된 게이트절연막과, 상기 반도체기판을 포함하여 상기 게이트절연막상에 형성된 층간절연막을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 콘택홀 형성용 마스크를 사용하여 상기 게이트절연막 사이의 콘택홀을 형성하는 공정과; 비활성개스/Cl2/O2의 혼합개스를 사용하여 상기 콘택홀의 저면 및 측벽에 남아있는 잔사를 제거하는 공정을 포함하고 있다. 이와같은 방법에 의해서, 반도체 장치상에 형성된 게이트절연막 사이에 콘택홀을 형성하는 공정에서 상기 콘택홀의 저면 및 측벽에 발생된 잔사를 상기 게이트절연막의 손상을 최소화하면서 완전하게 제거할 수 있다.

Description

반도체장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법 중 잔사처리공정을 보여주고 있는 단면도.

Claims (6)

  1. 반도체기판상에 형성된 게이트전극과, 상기 게이트전극과 외부전극과의 전기적 절연을 위해 상기 게이트 전극상에 형성된 게이트절연막과, 상기 반도체기판을 포함하여 상기 게이트절연막상에 형성된 층간절연막을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 콘택홀 형성용 마스크를 사용하여 상기 게이트절연막 사이의 콘택홀을 형성하는 공정과; 비활성개스/Cl2/O2의 혼합개스를 사용하여 상기 콘택홀의 저면 및 측벽에 남아있는 잔사를 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 비활성개스는 Ar,He 그리고 N2중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 혼합개스의 Cl2개스의 함유량은 약 30% 이하의 범위내인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 게이트절연막은 산화막과 질화막 중 어느 하나를 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 혼합개스에 대하여 상기 게이트절연막은 상기게이트전극에 비해 상대적으로 낮은 식각비를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 게이트절연막은 상기 잔사처리공정에서 약 500A 이하의 범위내에서 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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