KR970063499A - 반도체 소자의 금속층 구조 - Google Patents
반도체 소자의 금속층 구조 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속층 구조를 제공하는 것으로, 금속층의 음극부분 또는 금속원자의 공급이 부족한 부분에 여분의 금속층을 형성시켜 공공형성시 상기 공공이 여분의 금속층으로 확산하도록 하여 금속층의 단선을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 단차를 완화시킬 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속층 구조를 설명하기 위한 소자의 종단면도.
제3a 및 3b도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 하부 금속층 구조를 도시한 횡단면도.
Claims (7)
- 플레이트에 의하여 서로 연결되는 상부 및 하부금속층으로 이루어진 금속층을 갖는 반도체 소자의 금속층 구조에 있어서, 상기 금속층에는 음극부분에서 연장된 여분의 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 구조.
- 제1항에 있어서, 상기 여분의 금속층은 상기 하부금속층의 음극부분에서 연장된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 구조.
- 제1항에 있어서, 상기 여분의 금속층은 상기 상부 및 하부금속층의 음극부분에서 각각 연장되어 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 구조.
- 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 하부금속층에 형성된 여분의 금속층은 플레이트가 형성되는 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 구조.
- 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 하부금속층에 포함된 여분의 금속층은 상기 하부금속층의 폭보다 넓은 직사각형의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 구조.
- 제3항에 있어서, 상기 상부금속층에 포함된 여분의 금속층은 단차가 낮은 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 구조.
- 제1항에 있어서, 상기 여분의 금속층은 전류밀도가 1×105A/㎠ 이상인 금속층에 형성되는 것을 특징으로하는 반도체 소자의 금속층 구조.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960004783A KR100187683B1 (ko) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 반도체 소자의 금속층 구조 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019960004783A KR100187683B1 (ko) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 반도체 소자의 금속층 구조 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR970063499A true KR970063499A (ko) | 1997-09-12 |
| KR100187683B1 KR100187683B1 (ko) | 1999-06-01 |
Family
ID=19451862
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019960004783A KR100187683B1 (ko) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 반도체 소자의 금속층 구조 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR100187683B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030050787A (ko) * | 2001-12-19 | 2003-06-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 배선 |
| KR20030050788A (ko) * | 2001-12-19 | 2003-06-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 배선 |
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1996
- 1996-02-27 KR KR1019960004783A patent/KR100187683B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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|---|---|
| KR100187683B1 (ko) | 1999-06-01 |
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