KR970054373A - 대전류 및 고속 스위칭 특성을 갖는 수직 구조 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조 방법 - Google Patents

대전류 및 고속 스위칭 특성을 갖는 수직 구조 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 대전류 및 고속 스위칭 특성을 갖는 수직 구조 바이폴라 트랜지스터에 관한 것으로서, 콜렉터로 사용되는 제1전도형의 반도체기판; 상기 기판 상에 침적되어 있고, 상부가 요철(凹凸)을 이루는 제2전도형의 베이스 확산 영역; 상기 베이스 확산 영역의 철(凸)부에 형성된 제1전도형의 불순물이 주입된 에미터 영역; 상기 베이스 확산 영역의 상부에 침적된 절연막; 상기 절연막을 통해 하부의 메이터 영역 및 베이스 영역과 각각 연결된 제1 및 제2전극을 포함하여 이루어진 것으로, 에미터에서 베이스로 캐리어 주입시 측면으로의 주입을 방지하여 에미터 주입 효율이 커지므로 전류 특성이 향상되고 에미터 엣지로의 전류밀집 현상을 방지할 수 있으며, 또한 스위치 '온'시 콜렉터 저농도 영역에 축적된 캐리어가 '오프'시 베이스 전극으로 추출될 때 캐리어의 흐르는 경로의 저항이 줄어드는 효과가 있어 스위칭 속도가 개선된다.

Description

대전류 및 고속 스위칭 특성을 갖는 수직 구조 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 바이폴라 트랜지스터의 구조 단면도.

Claims (5)

  1. 상기 기판 상에 침적되어 있고, 상부가 요철(凹凸)을 이루는 제2전도형의 베이스 확산 영역; 상기 베이스 확산 영역의 철(凸)부에 형성된 제1전도형의 불순물이 주입된 에미터 영역; 상기 베이스 확산 영역의 상부에 침적된 절연막; 상기 절연막을 통해 하부의 에미터 영역 및 베이스 영역과 각각 연결된 제1 및 제2전극을 포함하여 이루어진 대전류 및 고속 스위칭 특성을 갖는 수직 구조 바이폴라 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 에미터 영역내에 인액티브한 영역이 형성된 것을 특징으로 하는 대전류 및 고속 스위칭 특성을 갖는 수직 구조 바이폴라 트랜지스터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 에미터 영역내에 이의 접합깊이 보다 작은 두께의 도전 영역이 형성된 것을 특징으로 하는 대전류 및 고속 스위칭 특성을 갖는 수직 구조 바이폴라 트랜지스터.
  4. 제1항에 있어서, 상기 베이스 영역에는 베이스 접합깊이 보다 작은 접합부위가 형성된 것을 특징으로 하는 대전류 및 고속 스위칭 특성을 갖는 수직 구조 바이폴라 트랜지스터.
  5. 제1전도형의 반도체 기판 상에 제2전도형의 베이스 영역을 확산시키는 단계; 상기 베이스 확산 영역의 상부 전면에 에미터 영역을 형성을 위한 제1전도형의 불순물 이온 주입을 실시하는 단계; 상기 베이스 확산 영역의 상부를 선택적으로 식각하여 에미터 영역을 형성하는 단계; 상기 결과물의 상부에 절연막을 침적하는 단계; 상기 절연막을 통해 하부의 에미터 영역 및 베이스 영역에 연결되는 콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 결과물의 상부에 금속층을 형성/식각하여 하부의 에미터 영역과 베이스 영역에 연결되는 제1 및 제2전극을 형성하여 단계를 포함하여 이루어지는 대전류 및 고속 스위칭 특성을 갖는 수직 구조 바이폴라 트랜지스터의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950050544A 1995-12-15 1995-12-15 대전류 및 고속 스위칭 특성을 갖는 수직 구조 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조 방법 KR0169790B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100636777B1 (ko) * 1998-06-05 2006-10-20 스탠포드 유니버시티 동작 강화기를 갖는 반도체 전류-스위칭 디바이스 및 그방법

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