KR970053607A - 라우팅 영역이 확장된 베이스 셀 구조 - Google Patents

Abstract

본 발명은 ASIC(Application Specific IC)설계시 기본적으로 사용되는 베이스 셀(Cell) 구조에 관한 것으로, 특히 라우팅(Routing)영역이 확장된 베이스 셀 구조에 관한 것이다. 본 발명은 피모스 엑티브 영역이, 디자인룰(Disign Rule)을 침해하지 않는 범위에서 셀 경계 방향으로 확장되어 엑티브 콘택이 추가됨으로써, 종래기술에 의해 1그리드(Grid)를 더 활용할 수 있을 정도로 라우팅이 확장되어 복잡한 셀을 레이아웃할 때 보다 더 효율적인 셀 구조를 만들수 있는 장점이 있다.

Description

라우팅 영역이 확장된 베이스 셀 구조

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명에 따른 라우팅 영역이 확장된 베이스 셀 구조를 나타내는 레이아웃 도면이다.

Claims (1)

1. 제1 및 제2피모스 트랜지스터의 각각의 게이트가 되는 제1 및 제2피모스 폴리게이트, 상기 제1 및 제2피모스 폴리게이트로 분리되는 피모스 엑티브 영역중 상기 제1피모스 트랜지스터의 소오스가 되며 공급전원(VDD)이 인가되는 제1피모스 엑티브 영역 및 상기 제1피모스 트랜지스터의 드레인 영역이 되는 제2피모스 엑티브 영역 및 상기 제2피모스 트랜지스터의 소오스 또는 드레인이 되는 제1피모스 엑티브 영역, 상기 제1및 제2및 제3피모스 엑티브 영역에 존재하고 메탈을 통해 공급전원(VDD)또는 다른 엑티브 영역과 접속시키는 엑티브 콘택, 상기 제1및 제2피모스 폴리게이트의 각각의 끝 부분에 1개씩 존재하며 메탈을 통해 다른 폴리게이트나 다른 엑티브 영역과 접속시키는 폴리콘택으로 구성되는 피모스 트랜지스터 영역과, 제1및 제2엔모스 트랜지스터의 각각의 게이트가 되는 제1및 제2엔모스 폴리게이트, 상기 제1및 제2엔모스 폴리게이트로 분리되는 엔모스 엑티브 영역중 상기 제1엔모스 트랜지스터의 소오스가 되며 접지전원(VSS)이 인가되는 제1엔모스 엑티브 영역 및 상기 제1엔모스 트랜지스터의 드레인 영역이 되는 제2엔모스 엑티브 영역 및 상기 제2엔모스 트랜지스터의 소오스 또는 드레인이 되는 제3엔모스 엑티브 영역, 상기 제1및 제2및 제3엔모스 엑티브 영역에 존재하고 메탈을 통해 접지전원(VSS)또는 다른 엑티브 영역과 접속시키는 엑티브 콘택, 상기 제1및 제2엔모스 폴리게이트의 각각의 끝 부분에 1개씩 존재하며 메탈을 통해 다른 폴리게이트나 다른 엑티브 영역과 접속시키는 폴리콘택으로 구성되는 엔모트랜지스터의 영역을 포함하는 베이스 셀 구조에 있어서, 상기 제1피모스 트랜지스터의 드레인 영역이 되는 제2피모스 엑티브 영역이, 셀 경계 방향으로 확장되어 추가된 엑티브 콘택을 포함하는 것을 특징으로 하는 라우팅 영역이 확장된 베이스 셀 구조.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.