KR970053220A - 옥사이드/폴리실리콘층의 금속오염 분석방법, 이에 이용되는 에천트, 습식 분해장치 및 분석용 샘플의 전처리장치 - Google Patents
옥사이드/폴리실리콘층의 금속오염 분석방법, 이에 이용되는 에천트, 습식 분해장치 및 분석용 샘플의 전처리장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970053220A KR970053220A KR1019950047178A KR19950047178A KR970053220A KR 970053220 A KR970053220 A KR 970053220A KR 1019950047178 A KR1019950047178 A KR 1019950047178A KR 19950047178 A KR19950047178 A KR 19950047178A KR 970053220 A KR970053220 A KR 970053220A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- oxide
- polysilicon layer
- etchant
- layer
- sample
- Prior art date
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 22
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000011109 contamination Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 title claims abstract 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 3
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 claims 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract 2
- 239000000538 analytical sample Substances 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0095—Semiconductive materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
옥사이드층과 폴리실리콘층에 대한 금속오염 정도를 분석할 수 있는 방법과, 이들을 분해할 수 있는 에천트 및 분해장치와 전처리장치가 개시되어 있다. 본 발명의 분석방법은, 반도체기판상에 차례로 형성된 옥사이드층과 폴리실리콘층을 습식 분해할 수 있는 에천트를 준비하는 단계, 상기 에천트를 사용하여 상기 기판상의 폴리실리콘층과 옥사이드층을 습식 분해하는 단계, 상기 분해된 폴리실리콘층과 옥사이드층으로부터 분석용 샘플을 채취하는 단계, 상기 샘플로부터 매트릭스를 제거하기 위해 전처리하는 단계 및 상기 전처리된 샘플에 대하여 금속오염 정도를 분석하는 단계를 구비하여 이루어진다. 따라서, 옥사이드층과 폴리층에 대한 금속오염 분석이 가능하며, 데이터의 신뢰성이 매우 향상되는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 일 실시예에 따른 옥사이드/폴리실리콘층의 금속오염 분석절차를 나타내는 흐름도이다.
Claims (11)
- 반도체기판상에 차례로 형성된 옥사이드층과 폴리실리콘층을 습식 분해할 수 있는 에천트를 준비하는 단계; 상기 에천트를 사용하여 상기 기판상의 폴리실리콘층과 옥사이드층을 습식 분해하는 단계; 상기 분해된 폴리실리콘층과 옥사이드층으로부터 분석용 샘플을 채취하는 단계; 상기 샘플로부터 매트릭스를 제거하기 위해 전처리하는 단계; 및 상기 전처리된 샘플에 대하여 금속오염 정도를 분석하는 단계; 를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 옥사이드/폴리실리콘층의 금속오염 분석방법.
- 제1항에 있어서, 상기 옥사이드층/폴리실리콘층을 습식 분해하는 에천트는 그 조성이 CHCOOH,HNO3,HF 및 순수(純水)로 이루어진 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 옥사이드/폴리실리콘층의 금속오염 분석방법.
- 제2항에 있어서, 상기 에천트의 조성비는 CH3COOH:HNO3:HF:순수(純水)=2%:50%:0.6%:나머지 임을 특징으로 하는 옥사이드/폴리실리콘층의 금속오염 분석방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘층과 옥사이드층을 습식 분해하는 단계는 상기 기판의 전면을 덮을 수 있도록 상기 에천트를 드롭(drop)한 후 일정시간 유지하여 수행하는 것을 특징으로 하는 옥사이드/폴리실리콘층의 금속오염 분석방법.
- 제1항에 있어서, 상기 샘플 전처리 단계는, 비이커에 샘플을 담은 후 열판에서 건고하여 매트릭스를 제거하는 단계; 및 상기 건고한 비이커에 질산을 넣어 잔존물을 회수하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 옥사이드/폴리실리콘층의 금속오염 분석방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속오염에 대한 분석은 GF-ASS(Graphite Furnace-Atomic Absorption Spectrometer)기기를 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 옥사이드/폴리실리콘층의 금속오염 분석방법.
- 금속오염 정도를 분석하기 위해 반도체기판상에 형성된 옥사이드/폴리실리콘층을 습식 분해하는 에천트는 그 조성이 CH3COOH,HNO3,HF,순수(純水)로 이루어진 것을 특징으로 하는 옥사이드/폴리실리콘층 습식 분해용 에천트
- 제7항에 있어서, 상기 에천트의 조성비는 CH3COOH:HNO3:HF:순수(純水)=2%:50%:0.6%:나머지 임을 특징으로 하는 옥사이드/폴리실리콘층의 습식 분해용 에천트.
- 퍼지(purge)용 질소가스를 주입할 수 있는 유입구와, 반응가스를 배기할 수 있는 배출구가 설치된 반응챔버 내로 옥사이드층과 폴리실리콘층이 차례로 형성된 반도체기판을 넣어 상기 옥사이드층과 폴리실리콘층을 에천트로 습식 분해하는 것을 특징으로 하는 옥사이드/폴리실리콘층의 습식 분해장치.
- 옥사이드/폴리실리콘층의 습식 분해하여 채취한 금속오염 분석용 샘플을 건고하기 위한 전처리장치로서, 가스 배출을 위한 후드가 반응챔버의 상측에 설치되고, 반응챔버내에 온도조절이 가능한 열판이 설치된 것을 특징으로 하는 옥사이드/폴리실리콘층의 분석용 샘플의 전처리장치.
- 제10항에 있어서, 상기 열판상에는 상기 분석용 샘플을 담을 수 있는 테프론 비이커가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 상기 옥사이드/폴리실리콘층의 분석용 샘플의 전처리장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950047178A KR970053220A (ko) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 옥사이드/폴리실리콘층의 금속오염 분석방법, 이에 이용되는 에천트, 습식 분해장치 및 분석용 샘플의 전처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950047178A KR970053220A (ko) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 옥사이드/폴리실리콘층의 금속오염 분석방법, 이에 이용되는 에천트, 습식 분해장치 및 분석용 샘플의 전처리장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053220A true KR970053220A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66592990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950047178A KR970053220A (ko) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 옥사이드/폴리실리콘층의 금속오염 분석방법, 이에 이용되는 에천트, 습식 분해장치 및 분석용 샘플의 전처리장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053220A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100390553B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2003-07-07 | 주식회사 동진쎄미켐 | 근적외선 분광기를 이용한 금속막 에칭 공정 제어방법 및에쳔트 조성물의 재생방법 |
| KR100700280B1 (ko) * | 2005-11-17 | 2007-03-26 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 박막의 성분 농도 측정 방법 |
-
1995
- 1995-12-06 KR KR1019950047178A patent/KR970053220A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100390553B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2003-07-07 | 주식회사 동진쎄미켐 | 근적외선 분광기를 이용한 금속막 에칭 공정 제어방법 및에쳔트 조성물의 재생방법 |
| KR100700280B1 (ko) * | 2005-11-17 | 2007-03-26 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 박막의 성분 농도 측정 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6118031B2 (ja) | 不純物分析装置及び方法 | |
| JP3473699B2 (ja) | シリコンウェーハのエッチング方法とその装置及び不純物分析方法 | |
| KR970053220A (ko) | 옥사이드/폴리실리콘층의 금속오염 분석방법, 이에 이용되는 에천트, 습식 분해장치 및 분석용 샘플의 전처리장치 | |
| JP3755586B2 (ja) | 珪素脱離方法及びシリコンウェーハの不純物分析方法 | |
| JP2973638B2 (ja) | 不純物の分析方法 | |
| JP3584430B2 (ja) | 汚染物検出方法 | |
| JP2001242052A (ja) | 半導体基板又は薬品の不純物分析方法 | |
| JPH11344440A (ja) | 有機物中の不純物分析方法及び分析装置 | |
| JP2005003422A (ja) | 全反射蛍光ｘ線分析方法および気相分解処理装置 | |
| JPH07159293A (ja) | 表面分析方法及び表面分析装置 | |
| Huang et al. | A study of the O2-SO2 plasma etch chemistry for top surface imaging photoresist dry development | |
| JP4760458B2 (ja) | 半導体ウェーハ収納容器の金属汚染分析方法 | |
| KR19980066309A (ko) | 반도체층 내의 금속성 불순물 분석방법 | |
| JPH08160032A (ja) | 半導体基板表面の不純物分析方法 | |
| JPH05283381A (ja) | シリコンウェハ表面の汚染金属元素の回収方法 | |
| JP4772610B2 (ja) | 分析方法 | |
| TWI692049B (zh) | 晶圓表面檢測前處理裝置及應用其之晶圓表面檢測設備 | |
| JP2967608B2 (ja) | シリコン表面分析方法 | |
| JP2000292326A (ja) | 合成樹脂中に含有される金属不純物の分析用試料の作製方法およびこれを用いた金属不純物の測定方法 | |
| JP3029027B2 (ja) | クリーンルーム雰囲気の清浄度評価分析方法 | |
| JP2770083B2 (ja) | 半導体基板のドライ洗浄方法 | |
| JPH0729953A (ja) | ポリシリコン中の不純物の検出方法 | |
| JP2000021845A (ja) | 珪素半導体単結晶基板の処理方法 | |
| Park et al. | Reactive ion etching of molybdenum in CF4/O2 plasma | |
| JPH04164251A (ja) | レジストの純度評価法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |