KR970052565A - 반도체장치 제조용 레티클 - Google Patents

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KR970052565A
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김광호
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Abstract

반도체 웨이퍼상에 소자형성을 위한 사진식각공정의 다단계스텝중 최초패턴 형성스텝에 이용되며, 형성된 패턴의 얼라인 미스(Align Miss)를 검사할 수 있도록 얼라인 마크(Mark)가 형성된 반도체장치 제조용 레티클에 관한 것이다.
본 발명의 반도체장치 제조용 레티클은, 노광시킬 패턴이 형성된 영역의 변부에 얼라인 마크가 형성된 반도체장치 제조용 레티클에 있어서, 상기 얼라인 마크는, 상호 인접한 주패턴과 부패턴의 쌍으로서 상기 노광시킬 패턴이 형성된 영역의 각 변부에 형성되며, 웨이퍼 상에 노광되면 상대 위치의 상기 얼라인 마크의 주패턴과 부패턴이 오버랩되어 상기 주패턴내에 상기 부패턴이 일정간격 이격위치되도록 주패턴과 부패턴이 각 변부에 배열되며, 상기 웨이퍼 상에 오버랩되어 노광되는 상기 주패턴과 부패턴의 상대적 위치관계의 검사에 따라 패턴형성위치의 보정값을 얻을 수 있도록 형성됨을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 패턴 미스를 정확히 검사할 수 있기 때문에 제품의 품질 및 수율이 매우 향상되는 효과가 있다.

Description

반도체장치 제조용 레티클
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 레티클의 실시예를 나타내는 도면이다.

Claims (4)

  1. 노광시킬 패턴이 형성된 영역의 변부에 얼라인 마크가 형성된 반도체 장치 제조용 레티클에 있어서, 상기 얼라인 마크는, 상호 인접한 주패턴과 부패턴의 쌍으로서 상기 노광시킬 패턴이 형성된 영역의 각 변부에 형성되며, 웨이퍼 상에 노광되면 상대 위치의 상기 얼라인 마크의 주패턴과 부패턴이 오버랩되어 상기 주패턴내에 상기 부패턴이 일정간격 이격위치되도록 주패턴과 부패턴이 각 변부에 배열되고, 상기 웨이퍼 상에 오버랩되어 노광되는 상기 주패턴과 부패턴의 상대적 위치관계의 검사에 따라 패턴형성위치의 보정값을 얻을 수 있도록 형성됨을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 레티클.
  2. 제1항에 있어서, 상기 얼라인 마크는 레티클의 X방향 및 Y방향의 각 스크라이브 라인내에 적어도 2쌍 이상이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 레티클.
  3. 제1항에 있어서, 상기 주패턴 및 부패턴은 레티클내의 소자패턴형성영역의 변부 각 꼭지점부근에 형성됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 레티클.
  4. 제1항에 있어서, 상기 주패턴 및 부패턴은 사각형상으로서 각 변부가 분리형성된 패턴으로서 상기 부패턴은 상기 주패턴의 약 1/3 내지 1/5 크기의 축소형상임을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 레티클.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950052277A 1995-12-19 1995-12-19 반도체장치 제조용 레티클 KR0170889B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100356759B1 (ko) * 1999-12-31 2002-10-18 아남반도체 주식회사 포터 공정에서의 1차 오버레이 측정 방법
KR100375146B1 (ko) * 1999-07-09 2003-03-29 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 레티클 및 반도체장치의 제조방법

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KR100375146B1 (ko) * 1999-07-09 2003-03-29 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 레티클 및 반도체장치의 제조방법
KR100356759B1 (ko) * 1999-12-31 2002-10-18 아남반도체 주식회사 포터 공정에서의 1차 오버레이 측정 방법

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