KR970051382A - 불휘발성 반도체 메모리 장치의 데이타 처리방법 - Google Patents

불휘발성 반도체 메모리 장치의 데이타 처리방법 Download PDF

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KR970051382A
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김광호
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Abstract

본 발명은 불휘성 반도체 메모리 장치의 데이타 처리방법에 관한 것으로서, 불휘발성 반도체 메모리 장치의 데이타 처리방법에 있어서, 적어도 1비트의 플래그를 갖고 소정 갯수의 데이타 비트를 갖는 N개의 래취구조에서 데이타 비트를 변경하고자 하는 래취는 해당 플래그에 정상태의 놀리레벨을 설정하고, 데이타 비트를 변경하지 않고자 하는 래취는 해당 플래그에 부상태의 논리레벨을 설정하여 데이타 비트를 변경하고자 하는 래취만 선택적으로 쓰거나 지울 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 플래그 비트를 추가 설정하여 래취 구조를 취함으로써, 원하는 래취만을 선택적으로 쓰거나 지울 수 있어 데이타 로딩 시간을 효율적으로 적용할 수 있는 방법을 제공한다.

Description

불휘발성 반도체 메모리 장치의 데이타 처리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 불휘발성 반도체 메모리 장치의 데이타 처리방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
제4도는 본 발명에 따른 래취구조를 보이는 도면이다.
제5A도는 제4도의 플래그 비트가 ‘1’로 셋팅되어 있는 상태를 도시하였고
제5B도는 ‘0’으로 셋팅되어 있는 상태를 도시한 도면이다.
제6도는 본 발명에 따른 플래그 셋팅 과정 회로도를 도시한 도면이다.

Claims (1)

  1. 불휘발성 반도체 메모리 장치의 데이타 처리방법에 있어서, 적어도 1비트의 플래그를 갖고 소정 갯수의 데이타 비트를 갖는 N개의 래취구조에서 데이타 비트를 변경하고자 하는 래취는 해당플래그에 정상태의 논리레벨을 설정하고, 데이타 비트를 변경하지 않고자 하는 래취는 해당 플래그에 부상태의 논리레벨을 설정하여 데이타 비트를 변경하고자 하는 래취만 선택적으로 쓰거나 지울 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치의 데이타 처리방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950066870A 1995-12-29 1995-12-29 불휘발성 반도체 메모리 장치의 데이타 처리방법 KR0170292B1 (ko)

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