KR970051361A - 플래쉬 메모리셀의 소거방법 - Google Patents

플래쉬 메모리셀의 소거방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970051361A
KR970051361A KR1019950052530A KR19950052530A KR970051361A KR 970051361 A KR970051361 A KR 970051361A KR 1019950052530 A KR1019950052530 A KR 1019950052530A KR 19950052530 A KR19950052530 A KR 19950052530A KR 970051361 A KR970051361 A KR 970051361A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cell
erase
flash memory
erased
check
Prior art date
Application number
KR1019950052530A
Other languages
English (en)
Inventor
차병권
하임철
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019950052530A priority Critical patent/KR970051361A/ko
Publication of KR970051361A publication Critical patent/KR970051361A/ko

Links

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

본 발명의 플래쉬 메모리셀의 소거방법에 관한 것으로서, 셀의 소거동작시 서로 다른 트립 포인트를 갖는 센스엠프를 이용하도록 하므로써, 소거된 셀의 문턱전압 분포가 각 셀 마다 크게 차이나지 않도록 보상되도록 한 플래쉬 메모리셀의 소거방법에 관한 것이다.
※ 선택도 : 제2도

Description

플래쉬 메모리셀의 소거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 플래쉬 메모리셀의 소거방법을 설명하기 위해 도시한 플로우 챠트도.

Claims (2)

  1. 플래쉬 메모리셀의 소거방법에 있어서, 셀의 소거 명령에 따라 소거동작을 시행한 후 셀이 정상적으로 소거되었는지를 제1소거 확인동작에 의해 소거 확인을 시행하는 단계와, 상기 셀이 정상적인 소거상태로 되었으면 바이트 프로그램을 시행한 후 상기 소거 단계로 복귀하여 소거동작을 반복 시행하는 단계와, 상기 셀이 정상적인 소거상태로 되어 있지 않으면 셀이 정상적으로 소거 되었는지를 제2소거 확인동작에 의해 소거 확인을시행하는 단계와, 상기 셀이 정상적인 소거상태로 되어있지 않으면 상기 소거 단계로 복귀하여 소거동작을 반복반복 시행하는 단계와, 상기 셀이 정상적인 소거상태로 되었으면 소거동작을 종료하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리셀의 소거방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 각각의 프로그램 확인동작은 서로 다른 문턱전압에 의해 각각 확인될 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리셀의 소거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950052530A 1995-12-20 1995-12-20 플래쉬 메모리셀의 소거방법 KR970051361A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950052530A KR970051361A (ko) 1995-12-20 1995-12-20 플래쉬 메모리셀의 소거방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950052530A KR970051361A (ko) 1995-12-20 1995-12-20 플래쉬 메모리셀의 소거방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970051361A true KR970051361A (ko) 1997-07-29

Family

ID=66646530

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950052530A KR970051361A (ko) 1995-12-20 1995-12-20 플래쉬 메모리셀의 소거방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970051361A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100428784B1 (ko) * 2000-04-24 2004-04-30 삼성전자주식회사 소거된 셀들의 문턱 전압 분포를 최소화할 수 있는불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거 방법
KR100502565B1 (ko) * 1998-10-27 2005-09-30 주식회사 하이닉스반도체 플래쉬 메모리셀의 소거 확인 회로
KR100672125B1 (ko) * 2005-03-15 2007-01-19 주식회사 하이닉스반도체 사전 소거 검증을 위한 페이지 버퍼를 갖는 불휘발성 메모리 장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100502565B1 (ko) * 1998-10-27 2005-09-30 주식회사 하이닉스반도체 플래쉬 메모리셀의 소거 확인 회로
KR100428784B1 (ko) * 2000-04-24 2004-04-30 삼성전자주식회사 소거된 셀들의 문턱 전압 분포를 최소화할 수 있는불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거 방법
KR100672125B1 (ko) * 2005-03-15 2007-01-19 주식회사 하이닉스반도체 사전 소거 검증을 위한 페이지 버퍼를 갖는 불휘발성 메모리 장치
US7313024B2 (en) 2005-03-15 2007-12-25 Hynix Semiconductor Inc. Non-volatile memory device having page buffer for verifying pre-erase

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR840002549A (ko) 초기 프로그램 로오드방법(初期 program load 方法)
ATE467181T1 (de) Verzögerter durchschreib-cachespeicher für flashspeicher
ATE389938T1 (de) Software-verfahren der emulation von eeprom- speicher
KR970017665A (ko) 가변 기록 및 소거 시간 주기를 갖는 비휘발성 반도체 메모리 장치
KR970003248A (ko) 플래쉬 메모리소자의 소거방법
KR900013522A (ko) 반도체 불휘발성 기억장치와 그것을 사용한 정보처리시스템
KR910020739A (ko) 불휘발성 반도체기억장치
TW329050B (en) Non-Volatile Semiconductor Memory, and Method of Writing into the Same
KR970063271A (ko) 불휘발성 반도체 기억 장치
KR970051361A (ko) 플래쉬 메모리셀의 소거방법
KR910005312A (ko) 자외선 소거형 비휘발성 메모리 장치
EP0731470A3 (en) Method for erasing nonvolatile semiconductor memory device incorporating redundancy memory cells
KR920010656A (ko) 반도체 메모리 장치
KR950006870A (ko) 노어형 불 휘발성 메모리 제어회로
KR930020430A (ko) 불휘발성 반도체 기억장치
KR960025794A (ko) 플래쉬 메모리의 소거방법
JPH0131313B2 (ko)
JP2005078489A (ja) マイクロコントローラ装置及びその制御方法
KR970049569A (ko) 플래쉬 메모리셀의 소거 확인방법
KR100672992B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 동작 방법
KR970017668A (ko) 반도체 불휘발성 기억장치 및 그것을 사용한 컴퓨터시스템
KR970003247A (ko) 플래쉬 메모리소자의 소거방법
KR970003255A (ko) 비휘발성 메모리 장치
US5617354A (en) Sensing circuit to enhance sensing margin
KR960035647A (ko) 플래쉬 메모리소자의 프로그램 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination